JP2014107363A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置において、前記パルス発生装置は、前記第一のパルスの周波数を前記第二のパルスの周波数より高くするとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれるようにまたは前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間と同じになるように前記第一のパルスの周波数およびデューティー比ならびに前記第二のパルスの周波数およびデューティー比を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明は、試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記第一のパルスにより時間変調されたプラズマを用いて前記第二のパルスにより時間変調された高周波電力を前記試料台に供給しながら前記試料をプラズマ処理し、前記第一のパルスの周波数は、前記第二のパルスの周波数より高くされるとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれているまたは前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間と同じであることを特徴とする。
Claims (10)
- 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記パルス発生装置は、前記第一のパルスの周波数を前記第二のパルスの周波数より高くするとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれるようにまたは前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間と同じになるように前記第一のパルスの周波数およびデューティー比ならびに前記第二のパルスの周波数およびデューティー比を制御する制御部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のパルスの周波数は、アフターグロー放電を維持できる周波数とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間より短いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間に対し遅延して開始させられることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記パルス発生装置は、前記第二の高周波電源から前記試料台に印加された高周波電圧のピークトウピーク電圧でありモニタされたＶｐｐが予め設定された値より高くなった場合、前記第一のパルスの周波数を前記第一のパルスの予め設定された周波数より高くすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスにより時間変調されたプラズマを用いて前記第二のパルスにより時間変調された高周波電力を前記試料台に供給しながら前記試料をプラズマ処理し、
前記第一のパルスの周波数は、前記第二のパルスの周波数より高くされるとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれているまたは前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間と同じであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスの周波数は、アフターグロー放電を維持できる周波数とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間より短いことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間に対し遅延して開始させられることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の高周波電源から前記試料台に印加された高周波電圧のピークトウピーク電圧でありモニタされたＶｐｐが予め設定された値より高くなった場合、前記第一のパルスの周波数を前記第一のパルスの予め設定された周波数より高くすることを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012258086A JP6002556B2 (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| TW101148068A TWI508168B (zh) | 2012-11-27 | 2012-12-18 | Plasma processing device and plasma processing method |
| KR1020130007790A KR101425307B1 (ko) | 2012-11-27 | 2013-01-24 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| US13/749,784 US8992724B2 (en) | 2012-11-27 | 2013-01-25 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US14/609,807 US9502217B2 (en) | 2012-11-27 | 2015-01-30 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012258086A JP6002556B2 (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014107363A JP2014107363A (ja) | 2014-06-09 |
| JP2014107363A5 true JP2014107363A5 (ja) | 2015-08-13 |
| JP6002556B2 JP6002556B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=50773663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012258086A Active JP6002556B2 (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8992724B2 (ja) |
| JP (1) | JP6002556B2 (ja) |
| KR (1) | KR101425307B1 (ja) |
| TW (1) | TWI508168B (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11615941B2 (en) | 2009-05-01 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
| US9767988B2 (en) | 2010-08-29 | 2017-09-19 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of controlling the switched mode ion energy distribution system |
| US9685297B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-06-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system |
| JP6002556B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP6315809B2 (ja) | 2014-08-28 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US9666447B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-05-30 | Tokyo Electron Limited | Method for selectivity enhancement during dry plasma etching |
| US10672616B2 (en) * | 2014-12-25 | 2020-06-02 | Tokyo Electon Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP6424120B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 電源システム、プラズマ処理装置及び電源制御方法 |
| US10153133B2 (en) * | 2015-03-23 | 2018-12-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion |
| JP6670692B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2020-03-25 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| CN107295739A (zh) * | 2016-04-12 | 2017-10-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 产生脉冲等离子体的方法及其等离子体设备 |
| US10340123B2 (en) * | 2016-05-26 | 2019-07-02 | Tokyo Electron Limited | Multi-frequency power modulation for etching high aspect ratio features |
| CN107172818B (zh) * | 2017-07-12 | 2023-06-16 | 信丰迅捷兴电路科技有限公司 | 一种全自动的蚀刻装置及其控制方法 |
| KR102435263B1 (ko) * | 2017-07-25 | 2022-08-23 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 방법, 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP7235761B2 (ja) | 2017-11-17 | 2023-03-08 | エーイーエス グローバル ホールディングス， プライベート リミテッド | プラズマ処理源および基板バイアスの同期パルス化 |
| TWI767088B (zh) | 2017-11-17 | 2022-06-11 | 新加坡商Ａｅｓ全球公司 | 電漿處理系統，用於調變其中的電源的控制方法及相關的電漿處理控制系統 |
| WO2019099925A1 (en) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing |
| JP6792754B2 (ja) * | 2018-11-14 | 2020-12-02 | 株式会社エスイー | プラズマを用いた処理装置及び処理対象物にプラズマを照射する処理を行う処理方法 |
| KR20200086808A (ko) | 2019-01-10 | 2020-07-20 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 균일성 제어 방법 및 플라즈마 프로세싱 시스템 |
| US10593518B1 (en) * | 2019-02-08 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching semiconductor structures |
| CN111916327B (zh) * | 2019-05-10 | 2023-04-28 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 多频率多阶段的等离子体射频输出的方法及其装置 |
| CN114222958B (zh) | 2019-07-12 | 2024-03-19 | 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 | 具有单个受控开关的偏置电源 |
| KR20220038717A (ko) | 2019-07-29 | 2022-03-29 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 다수의 부하의 펄스 구동을 위한 채널 오프셋을 갖는 멀티플렉싱된 전력 발생기 출력 |
| TW202220500A (zh) * | 2020-10-28 | 2022-05-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
| JPWO2022259868A1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 | ||
| US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
| US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
| KR20240016242A (ko) * | 2022-07-25 | 2024-02-06 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 방법 |
| US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3424182B2 (ja) * | 1994-09-13 | 2003-07-07 | アネルバ株式会社 | 表面処理装置 |
| JPH08250479A (ja) | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| JP2001085394A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および表面処理装置 |
| US7744735B2 (en) * | 2001-05-04 | 2010-06-29 | Tokyo Electron Limited | Ionized PVD with sequential deposition and etching |
| DE10309711A1 (de) | 2001-09-14 | 2004-09-16 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Einätzen von Strukturen in einem Ätzkörper mit einem Plasma |
| JP5192209B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| US9123509B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-09-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for plasma processing a substrate |
| KR101510775B1 (ko) * | 2008-11-24 | 2015-04-10 | 삼성전자주식회사 | 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비 |
| US8382999B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-02-26 | Applied Materials, Inc. | Pulsed plasma high aspect ratio dielectric process |
| JP5395491B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US8404598B2 (en) * | 2009-08-07 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching |
| KR20120022251A (ko) * | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각방법 및 그의 장치 |
| JP6002556B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2012
- 2012-11-27 JP JP2012258086A patent/JP6002556B2/ja active Active
- 2012-12-18 TW TW101148068A patent/TWI508168B/zh active
-
2013
- 2013-01-24 KR KR1020130007790A patent/KR101425307B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-25 US US13/749,784 patent/US8992724B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-30 US US14/609,807 patent/US9502217B2/en active Active
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