JP2014044976A5 - - Google Patents

Description

また、本発明は、試料がプラズマ処理される真空容器と、前記真空容器内にプラズマを生成するための第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記真空容器内に配置され試料を載置する試料台と、前記試料台に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記第１の高周波電力を時間変調するためのパラメータの制御範囲を第１の制御範囲と前記第１の制御範囲より制御範囲が広い第２の制御範囲に分割し、デジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータにより予め設定されたパラメータを前記予め設定されたパラメータに対応する前記第１の制御範囲の値である第１のアナログ値と前記予め設定されたパラメータに対応する前記第２の制御範囲の値である第２のアナログ値に変換して前記第１の高周波電源に送信し、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータにより前記第１のアナログ値と前記第２のアナログ値とをそれぞれ第１のデジタル値と第２のデジタル値に変換し、前記第１の制御範囲または前記第２の制御範囲を選択するための信号に基づいて前記第１のデジタル値または前記第２のデジタル値を選択し、前記選択された第１のデジタル値または第２のデジタル値に基づいて時間変調された高周波電力を前記第１の高周波電源より供給することを特徴とする。

また、本発明は、試料がプラズマ処理される真空容器と、前記真空容器内にプラズマを生成するための第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記真空容器内に配置され試料を載置する試料台と、前記試料台に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記第２の高周波電力を時間変調するためのパラメータの制御範囲を第１の制御範囲と前記第１の制御範囲より制御範囲が広い第２の制御範囲に分割し、デジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータにより予め設定されたパラメータを前記予め設定されたパラメータに対応する前記第１の制御範囲の値である第１のアナログ値と前記予め設定されたパラメータに対応する前記第２の制御範囲の値である第２のアナログ値に変換して前記第２の高周波電源に送信し、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータにより前記第１のアナログ値と前記第２のアナログ値とをそれぞれ第１のデジタル値と第２のデジタル値に変換し、前記第１の制御範囲または前記第２の制御範囲を選択するための信号に基づいて前記第１のデジタル値または前記第２のデジタル値を選択し、前記選択された第１のデジタル値または第２のデジタル値に基づいて時間変調された高周波電力を前記第２の高周波電源より供給することを特徴とする。

Claims (8)

1. 試料がプラズマ処理される真空容器と、前記真空容器内にプラズマを生成するための第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記真空容器内に配置され試料を載置する試料台と、前記試料台に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源と、デジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータと、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータとを備えるプラズマ処理装置において、
   前記Ｄ／Ａコンバータは、前記第１の高周波電力を時間変調するための予め設定されたパラメータを前記予め設定されたパラメータに対応する前記第１の制御範囲の値である第１のアナログ値と前記予め設定されたパラメータに対応し前記第１の制御範囲より制御範囲が広い前記第２の制御範囲の値である第２のアナログ値に変換し、
   前記Ａ／Ｄコンバータは、前記Ｄ／Ａコンバータより送信された前記第１のアナログ値と前記第２のアナログ値とをそれぞれ第１のデジタル値と第２のデジタル値に変換し、
   前記第１の制御範囲または前記第２の制御範囲を選択するための信号に基づいて前記第１のデジタル値または前記第２のデジタル値を選択する信号処理部と、
   前記信号処理部により選択された第１のデジタル値または第２のデジタル値に基づいて前記第１の高周波電力を時間変調するためのパルス波形を発生させるパルス発生器とをさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 試料がプラズマ処理される真空容器と、前記真空容器内にプラズマを生成するための第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記真空容器内に配置され試料を載置する試料台と、前記試料台に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源と、デジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータと、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータとを備えるプラズマ処理装置において、
   前記Ｄ／Ａコンバータは、前記第２の高周波電力を時間変調するための予め設定されたパラメータを前記予め設定されたパラメータに対応する前記第１の制御範囲の値である第１のアナログ値と前記予め設定されたパラメータに対応し前記第１の制御範囲より制御範囲が広い前記第２の制御範囲の値である第２のアナログ値に変換し、
   前記Ａ／Ｄコンバータは、前記Ｄ／Ａコンバータより送信された前記第１のアナログ値と前記第２のアナログ値とをそれぞれ第１のデジタル値と第２のデジタル値に変換し、
   前記第１の制御範囲または前記第２の制御範囲を選択するための信号に基づいて前記第１のデジタル値または前記第２のデジタル値を選択する信号処理部と、
   前記信号処理部により選択された第１のデジタル値または第２のデジタル値に基づいて前記第２の高周波電力を時間変調するためのパルス波形を発生させるパルス発生器とをさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記パラメータは、デューティー比であることを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 請求項２に記載のプラズマ処理装置おいて、
   前記パラメータは、デューティー比であることを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 試料がプラズマ処理される真空容器と、前記真空容器内にプラズマを生成するための第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記真空容器内に配置され試料を載置する試料台と、前記試料台に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
   前記第１の高周波電力を時間変調するためのパラメータの制御範囲を第１の制御範囲と前記第１の制御範囲より制御範囲が広い第２の制御範囲に分割し、
   デジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータにより予め設定されたパラメータを前記予め設定されたパラメータに対応する前記第１の制御範囲の値である第１のアナログ値と前記予め設定されたパラメータに対応する前記第２の制御範囲の値である第２のアナログ値に変換して前記第１の高周波電源に送信し、
   アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータにより前記第１のアナログ値と前記第２のアナログ値とをそれぞれ第１のデジタル値と第２のデジタル値に変換し、
   前記第１の制御範囲または前記第２の制御範囲を選択するための信号に基づいて前記第１のデジタル値または前記第２のデジタル値を選択し、
   前記選択された第１のデジタル値または第２のデジタル値に基づいて時間変調された高周波電力を前記第１の高周波電源より供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
6. 試料がプラズマ処理される真空容器と、前記真空容器内にプラズマを生成するための第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記真空容器内に配置され試料を載置する試料台と、前記試料台に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
   前記第２の高周波電力を時間変調するためのパラメータの制御範囲を第１の制御範囲と前記第１の制御範囲より制御範囲が広い第２の制御範囲に分割し、
   デジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータにより予め設定されたパラメータを前記予め設定されたパラメータに対応する前記第１の制御範囲の値である第１のアナログ値と前記予め設定されたパラメータに対応する前記第２の制御範囲の値である第２のアナログ値に変換して前記第２の高周波電源に送信し、
   アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータにより前記第１のアナログ値と前記第２のアナログ値とをそれぞれ第１のデジタル値と第２のデジタル値に変換し、
   前記第１の制御範囲または前記第２の制御範囲を選択するための信号に基づいて前記第１のデジタル値または前記第２のデジタル値を選択し、
   前記選択された第１のデジタル値または第２のデジタル値に基づいて時間変調された高周波電力を前記第２の高周波電源より供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
7. 請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
   前記パラメータは、デューティー比であることを特徴とするプラズマ処理方法。
8. 請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
   前記パラメータは、デューティー比であることを特徴とするプラズマ処理方法。