JP7061922B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7061922B2 JP7061922B2 JP2018087283A JP2018087283A JP7061922B2 JP 7061922 B2 JP7061922 B2 JP 7061922B2 JP 2018087283 A JP2018087283 A JP 2018087283A JP 2018087283 A JP2018087283 A JP 2018087283A JP 7061922 B2 JP7061922 B2 JP 7061922B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- plasma processing
- high frequency
- lower electrode
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Description
・DC周波数が1MHz未満に、好ましくは、50~800kHzの範囲内に設定される場合に、下部電極18に周期的に印加される直流電圧にイオンが追従する。
・下部電極18に周期的に印加される直流電圧にイオンが追従する状況下において、直流電圧のデューティー比に対する基板Wのエッチングレートの依存性は、少ない。一方、デューティー比が比較的に小さい値に調整される場合、特にデューティー比が50%以下に調整される場合には、図5の(a)を用いて説明したように、プラズマの電位が小さくなるので、チャンバ本体12のエッチングレートが大きく低下する。
・DC周波数が1MHz以上に設定される場合に、下部電極18に周期的に印加される直流電圧にイオンが追従しなくなる。
・下部電極18に周期的に印加される直流電圧にイオンが追従しなくなる状況下では、基板に照射されるイオンのエネルギーと共に、チャンバ本体12の内壁に照射されるイオンのエネルギーが高くなる傾向がある。
・チャンバ12cの圧力:20mTorr(2.66Pa)
・チャンバ12cに供給されたガスの流量
C4F8ガス:24sccm
O2ガス:16sccm
Arガス:150sccm
・第1の高周波:100MHz、500Wの連続波
・下部電極18に対する負極性の直流電圧
電圧値:-3000V
周波数(DC周波数):200kHz
・処理時間:60秒
・チャンバ12cの圧力:20mTorr(2.66Pa)
・チャンバ12cに供給されたガスの流量
C4F8ガス:24sccm
O2ガス:16sccm
Arガス:150sccm
・第1の高周波:100MHz、500Wの連続波
・下部電極18に対する負極性の直流電圧
電圧値:-3000V
周波数(DC周波数):200kHz
デューティー比:35%
・処理時間:60秒
・チャンバ12cの圧力:20mTorr(2.66Pa)
・チャンバ12cに供給されるガスの流量
C4F8ガス:24sccm
O2ガス:16sccm
Arガス:150sccm
・第1の高周波:100MHz、500Wの連続波
・第2の高周波:400kHz、2500Wの連続波
・処理時間:60秒
評価シミュレーションでは、以下に示す条件により、基板Wに照射されるイオンのエネルギー分布(IED)及びチャンバ本体12の内壁に照射されるイオンのエネルギー分布(IED)をシミュレーションした。なお、評価シミュレーションでは、DC周波数が1MHz未満の200kHzに設定された状態で、下部電極18に周期的に印加する負極性の直流電圧のデューティー比を可変のパラメータとして用いた。
・チャンバ12cの圧力:30mTorr(4.00Pa)
・チャンバ12cに供給された処理ガス:Arガス
・第1の高周波:100MHz、500Wの連続波
・下部電極18に対する負極性の直流電圧
電圧値:-450V
周波数(DC周波数):200kHz
12 チャンバ本体
12c チャンバ
16 ステージ
18 下部電極
61 第1の高周波電源
70、701、702 直流電源
72、721、722 切替ユニット
PC コントローラ
MC 主制御部
Claims (14)
- プラズマ処理装置において実行されるプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバを提供するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に設けられ、下部電極を含み、基板を支持するステージと、
前記チャンバに供給されるガスのプラズマを生成するための高周波を供給する高周波電源と、
前記基板にイオンを引き込むために前記下部電極に印加される負極性を有する直流電圧を発生する一以上の直流電源と、
を備え、
前記プラズマ処理方法は、
前記高周波電源から高周波を供給する工程と、
前記一以上の直流電源から前記下部電極に負極性を有する直流電圧のみを印加する工程と、
を含み、
前記直流電圧のみを印加する工程では、前記直流電圧のみが前記下部電極に周期的に印加され、前記直流電圧が前記下部電極に印加される各々の周期を規定する周波数が1MHz未満に設定された状態で、前記各々の周期内において前記直流電圧が前記下部電極に印加される期間が占める割合が調整される、プラズマ処理方法。 - 前記直流電圧のみを印加する工程では、前記割合の調整により前記チャンバ本体の内壁に照射されるイオンのエネルギーを低下させる、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記割合が50%以下に調整される、請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理装置は、前記一以上の直流電源として複数の直流電源を備え、
前記各々の周期内において前記下部電極に印加される前記直流電圧は、前記複数の直流電源から順に出力される複数の直流電圧により形成される、請求項1~3のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。 - 前記直流電圧が印加される期間において前記高周波が供給され、前記直流電圧の印加が停止されている期間において前記高周波の供給が停止される、請求項1~4のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 前記直流電圧が印加される期間において前記高周波の供給が停止され、前記直流電圧の印加が停止されている期間において前記高周波が供給される、請求項1~4のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 前記高周波は、27~100MHzの範囲内の周波数を有する、請求項1~6のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- チャンバを提供するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に設けられ、下部電極を含み、基板を支持するステージと、
前記チャンバに供給されるガスを励起させるための高周波を供給する高周波電源と、
前記基板にイオンを引き込むために前記下部電極に印加される負極性を有する直流電圧を発生する一以上の直流電源と、
前記下部電極に対する前記直流電圧の印加を停止可能に構成された切替ユニットと、
前記切替ユニットを制御するように構成されたコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記一以上の直流電源からの負極性の直流電圧のみを前記下部電極に周期的に印加し、前記直流電圧が印加される各々の周期を規定する周波数が1MHz未満に設定された状態で、前記各々の周期内において前記直流電圧が前記下部電極に印加される期間が占める割合を調整するよう、前記切替ユニットを制御する、プラズマ処理装置。 - 前記コントローラは、前記直流電圧のみを印加する工程において、前記割合の調整により前記チャンバ本体の内壁に照射されるイオンのエネルギーを低下させるよう、前記切替ユニットを制御する、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コントローラは、前記割合を50%以下に調整するよう、前記切替ユニットを制御する、請求項8又は9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記一以上の直流電源として複数の直流電源を備え、
前記コントローラは、前記各々の周期内において前記下部電極に印加される前記直流電圧を前記複数の直流電源から順に出力される複数の直流電圧により形成するよう、前記切替ユニットを制御する、請求項8~10のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記コントローラは、前記直流電圧が印加される期間において前記高周波が供給され、前記直流電圧の印加が停止されている期間において前記高周波の供給が停止されるよう、前記高周波電源を制御する、請求項9~11のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記コントローラは、前記直流電圧が印加される期間において前記高周波の供給が停止され、前記直流電圧の印加が停止されている期間において前記高周波が供給されるよう、前記高周波電源を制御する、請求項9~11のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波は、27~100MHzの範囲内の周波数を有する、請求項8~13のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018087283A JP7061922B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
TW108113917A TW201946153A (zh) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 電漿處理方法及電漿處理裝置 |
KR1020190047334A KR20190125195A (ko) | 2018-04-27 | 2019-04-23 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
CN201910332423.6A CN110416075B (zh) | 2018-04-27 | 2019-04-24 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 |
US16/396,109 US20190333741A1 (en) | 2018-04-27 | 2019-04-26 | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
JP2022068191A JP7238191B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-04-18 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018087283A JP7061922B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022068191A Division JP7238191B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-04-18 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019192876A JP2019192876A (ja) | 2019-10-31 |
JP7061922B2 true JP7061922B2 (ja) | 2022-05-02 |
Family
ID=68292738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018087283A Active JP7061922B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190333741A1 (ja) |
JP (1) | JP7061922B2 (ja) |
KR (1) | KR20190125195A (ja) |
CN (1) | CN110416075B (ja) |
TW (1) | TW201946153A (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
KR20200133895A (ko) * | 2019-05-20 | 2020-12-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 처리 장치 |
JP7262375B2 (ja) | 2019-11-26 | 2023-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP7450427B2 (ja) | 2020-03-25 | 2024-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持器及びプラズマ処理装置 |
US11854773B2 (en) * | 2020-03-31 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning of chambers for electronics manufacturing systems |
KR20220013046A (ko) * | 2020-07-24 | 2022-02-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
JP7458287B2 (ja) | 2020-10-06 | 2024-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7309799B2 (ja) * | 2020-10-30 | 2023-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) * | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193564A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | サグ補償機能付き高周波電源を有するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2008243568A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010157768A (ja) | 2010-04-05 | 2010-07-15 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2017201611A (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845903A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
US6794301B2 (en) * | 1995-10-13 | 2004-09-21 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed plasma processing of semiconductor substrates |
US7615132B2 (en) * | 2003-10-17 | 2009-11-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus having high frequency power source with sag compensation function and plasma processing method |
JP4704087B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5082338B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP4714166B2 (ja) | 2006-08-31 | 2011-06-29 | 株式会社東芝 | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20080111627A (ko) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정장치 및 그 방법 |
JP4607930B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2011-01-05 | 株式会社東芝 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5213496B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2010118549A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP5466480B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2014-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体 |
US20110139748A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | University Of Houston | Atomic layer etching with pulsed plasmas |
JP2011211168A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP5781808B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
KR20120022251A (ko) * | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각방법 및 그의 장치 |
JP5841917B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2016-01-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8916056B2 (en) * | 2012-10-11 | 2014-12-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Biasing system for a plasma processing apparatus |
US9875881B2 (en) * | 2013-02-20 | 2018-01-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR102064914B1 (ko) * | 2013-03-06 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법 |
US20140263182A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Tokyo Electron Limited | Dc pulse etcher |
JP6035606B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2016-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US9275869B2 (en) * | 2013-08-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Fast-gas switching for etching |
JP2015037091A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6512962B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6407694B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2018-10-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP6449674B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP6518505B2 (ja) * | 2015-05-12 | 2019-05-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP6826955B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2018
- 2018-04-27 JP JP2018087283A patent/JP7061922B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-22 TW TW108113917A patent/TW201946153A/zh unknown
- 2019-04-23 KR KR1020190047334A patent/KR20190125195A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-04-24 CN CN201910332423.6A patent/CN110416075B/zh active Active
- 2019-04-26 US US16/396,109 patent/US20190333741A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193564A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | サグ補償機能付き高周波電源を有するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2008243568A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010157768A (ja) | 2010-04-05 | 2010-07-15 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2017201611A (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190333741A1 (en) | 2019-10-31 |
KR20190125195A (ko) | 2019-11-06 |
CN110416075B (zh) | 2024-03-29 |
JP2019192876A (ja) | 2019-10-31 |
CN110416075A (zh) | 2019-11-05 |
TW201946153A (zh) | 2019-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7061922B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP7045152B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
KR102494181B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
US8641916B2 (en) | Plasma etching apparatus, plasma etching method and storage medium | |
JPWO2020145051A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR20140124762A (ko) | 전원 시스템, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법 | |
US11923171B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR20220045893A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP2021141050A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
CN113410114A (zh) | 等离子体处理装置 | |
KR20210097027A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP7238191B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP7412620B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP7302060B2 (ja) | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2020113752A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2021015930A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190527 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220419 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7061922 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |