JP2021015930A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板のエッジ近傍におけるイオン密度を調整することを可能とするプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係るプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程を含む。基板は、チャンバ内で基板支持器上に配置される。基板支持器は、下部電極及び静電チャックを含む。静電チャックは下部電極上に設けられている。プラズマ処理方法は、基板に対するプラズマ処理のためにチャンバ内においてプラズマが生成されているときに、導電性部材に正極性の電圧を印加する工程を更に含む。導電性部材は、基板よりもチャンバの接地された側壁の近くで延在する。【選択図】図１

Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関するものである。
基板に対するプラズマ処理は、プラズマ処理装置を用いて行われる。プラズマ処理装置の一種として、特許文献１に記載されたプラズマ処理装置が知られている。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置は、チャンバ、下部電極、及び上部電極を備える。下部電極は、チャンバ内に設けられている。基板は、下部電極上に載置される。上部電極は、下部電極の上方に設けられている。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、プラズマ密度の均一化のために、上部電極は、ドーム形状を有している。
特開２００３−２９７８１０号公報
基板のエッジ近傍におけるイオン密度を調整することを可能とすることが求められている。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程を含む。基板は、チャンバ内で基板支持器上に配置される。基板支持器は、下部電極及び静電チャックを含む。静電チャックは下部電極上に設けられている。プラズマ処理方法は、基板に対するプラズマ処理のためにチャンバ内においてプラズマが生成されているときに、導電性部材に正極性の電圧を印加する工程を更に含む。導電性部材は、基板よりもチャンバの接地された側壁の近くで延在する。
一つの例示的実施形態によれば、基板のエッジ近傍におけるイオン密度を調整することが可能となる。
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 図３の（ａ）はバイアスの一例を示す図であり、図３の（ｂ）は基板の電位と導電性部材の電位の一例を示すタイミングチャートである。 バイアスの別の一例を示す図である。 別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 基板の電位と導電性部材の電位の一例を示すタイミングチャートである。 基板の電位と導電性部材の電位の別の一例を示すタイミングチャートである。 基板の電位と導電性部材の電位の更に別の一例を示すタイミングチャートである。 基板の電位と導電性部材の電位の更に別の一例を示すタイミングチャートである。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 基板の電位、導電性部材の電位、及びエッジリングの電位の一例を示すタイミングチャートである。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程を含む。基板は、チャンバ内で基板支持器上に配置される。基板支持器は、下部電極及び静電チャックを含む。静電チャックは下部電極上に設けられている。プラズマ処理方法は、基板に対するプラズマ処理のためにチャンバ内においてプラズマが生成されているときに、導電性部材に正極性の電圧を印加する工程を更に含む。導電性部材は、基板よりもチャンバの接地された側壁の近くで延在する。
上記実施形態では、導電性部材に正極性の電圧が印加されることにより、基板のエッジの近傍で負イオンの密度が増加する。プラズマ中の正イオンの密度は、負イオンの密度と電子密度の和で表される。したがって、導電性部材に正極性の電圧が印加されることにより、基板のエッジの近傍における正イオンの密度が調整され得る。
一つの例示的実施形態において、基板は、基板支持器上且つエッジリングによって囲まれた領域内に配置される。エッジリングは導電性部材である。プラズマ処理方法は、基板に対するプラズマ処理のためにチャンバ内においてプラズマが生成されているときに、下部電極にバイアスを供給する工程を更に含む。バイアスは、高周波バイアス電力又は下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧である。正極性の電圧は、基板の電位が０以上である期間においてエッジリングに印加され、該期間においてエッジリングの電位を基板の電位よりも高い電位に設定する。
一つの例示的実施形態において、基板は、基板支持器上且つエッジリングによって囲まれた領域内に配置される。導電性部材は、エッジリングから電気的に分離されており、エッジリングよりもチャンバの側壁の近くで延在している。プラズマ処理方法は、基板に対するプラズマ処理のためにチャンバ内においてプラズマが生成されているときに、下部電極にバイアスを供給する工程を更に含む。バイアスは、高周波バイアス電力又は下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧である。正極性の電圧は、基板の電位が負である期間において導電性部材に印加される。
一つの例示的実施形態において、正極性の電圧は、基板の電位が０以上である期間においても導電性部材に印加されてもよい。
一つの例示的実施形態において、正極性の電圧は、基板の電位が負である期間及び基板の電位が０以上である期間の双方において導電性部材に連続的に印加される直流電圧であってもよい。
一つの例示的実施形態では、基板の電位が負である期間において導電性部材に印加される正極性の電圧は、基板の電位が０以上である期間において導電性部材に印加される正極性の電圧よりも高くてもよい。
一つの例示的実施形態では、基板の電位が０以上である期間においてエッジリングの電位を基板の電位よりも高い電位に設定するように、正極性の電圧が、エッジリングに印加されてもよい。
一つの例示的実施形態では、プラズマ処理は、基板に対するプラズマエッチングであってもよい。
別の例示的実施形態においては、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持器、及び電源装置を備える。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。基板支持器は、下部電極及び静電チャックを含む。静電チャックは、下部電極上に設けられている。電源装置は、導電性部材に正極性の電圧を印加するように構成されている。導電性部材は、基板支持器上に載置される基板よりもチャンバの接地された側壁の近くで延在する。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、バイアス電源を更に備える。バイアス電源は、基板に対するプラズマ処理のためにチャンバ内においてプラズマが生成されているときに、下部電極にバイアスを供給するように構成されている。バイアスは、高周波バイアス電力又は下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧である。導電性部材は、基板を囲むように延在するエッジリングである。電源装置は、基板の電位が０以上である期間においてエッジリングに正極性の電圧を印加して、該期間においてエッジリングの電位を基板の電位よりも高い電位に設定するように構成されている。
一つの例示的実施形態において、導電性部材は、基板支持器上に載置された基板を囲むように延在するエッジリングよりもチャンバの側壁の近くで延在する。プラズマ処理装置は、バイアス電源を更に備える。バイアス電源は、基板に対するプラズマ処理のためにチャンバ内においてプラズマが生成されているときに、下部電極にバイアスを供給するように構成されている。バイアスは、高周波バイアス電力又は下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧である。電源装置は、基板の電位が負である期間において、導電性部材に正極性の電圧を印加するように構成されている。
一つの例示的実施形態において、電源装置は、基板の電位が０以上である期間においても正極性の電圧を導電性部材に印加するように構成されていてもよい。
一つの例示的実施形態において、電源装置は、基板の電位が負である期間及び基板の電位が０以上である期間の双方において正極性の電圧として直流電圧を導電性部材に連続的に印加するように構成されていてもよい。
一つの例示的実施形態では、基板の電位が負である期間において導電性部材に印加される正極性の電圧は、基板の電位が０以上である期間において導電性部材に印加される正極性の電圧よりも高くてもよい。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、別の電源装置を更に備えていてもよい。別の電源装置は、基板の電位が０以上である期間においてエッジリングの電位を基板の電位よりも高い電位に設定するように、基板の電位が０以上である該期間においてエッジリングに正極性の電圧を印加するように構成されている。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。図１に示すプラズマ処理方法（以下、「方法ＭＴ」という）は、基板に対して適用される。方法ＭＴのプラズマ処理は、例えば基板に対するプラズマエッチングである。方法ＭＴは、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２を含む。一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴｂを更に含んでいてもよい。
工程ＳＴ１では、プラズマ処理装置のチャンバ内において基板が準備される。基板は円盤形状を有し得る。基板は、チャンバ内で基板支持器上に略水平に配置される。一実施形態において、基板支持器は、下部電極及び静電チャックを含む。静電チャックは下部電極上に設けられている。基板は、静電チャックによって保持される。
方法ＭＴでは、基板に対するプラズマ処理のために、基板がチャンバ内に配置されている状態で、チャンバ内でプラズマが生成される。工程ＳＴｂは、チャンバ内においてプラズマが生成されているときに実行される。工程ＳＴｂでは、下部電極にバイアスが供給される。バイアスは、高周波バイアス電力又は下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧である。
工程ＳＴ２は、チャンバ内でプラズマが生成されているときに実行される。工程ＳＴ２では、導電性部材に正極性の電圧が印加される。導電性部材は、基板よりもチャンバの接地された側壁の近くで延在する。
導電性部材に正極性の電圧が印加されることにより、基板のエッジの近傍で負イオンの密度が増加する。プラズマ中の正イオンの密度は、負イオンの密度と電子密度の和で表される。したがって、導電性部材に正極性の電圧が印加されることにより、基板のエッジの近傍における正イオンの密度が調整され得る。
以下、方法ＭＴの実行において用いられ得る種々の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。また、種々の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の各々を用いて実行される工程ＳＴ２についても説明する。
図２は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図２に示すプラズマ処理装置１Ａは、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１Ａは、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供している。内部空間１０ｓの中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線ＡＸである。
一実施形態において、チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含んでいる。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。内部空間１０ｓは、チャンバ本体１２の中に提供されている。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ本体１２は電気的に接地されている。即ち、チャンバ本体１２は、接地されたチャンバ１０の側壁を提供している。チャンバ本体１２の内壁面、即ち内部空間１０ｓを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
チャンバ本体１２の側壁には通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。この通路１２ｐの開閉のために、ゲートバルブ１２ｇがチャンバ本体１２の側壁に沿って設けられている。
プラズマ処理装置１Ａは、基板支持器１６を更に備える。基板支持器１６は、チャンバ１０の中で、その上に載置された基板Ｗを支持するように構成されている。基板Ｗは、略円盤形状を有する。基板支持器１６は、支持部１７によって支持されている。支持部１７は、チャンバ１０の底部から上方に延在している。支持部１７は、略円筒形状を有している。支持部１７は、石英といった絶縁材料から形成されている。
基板支持器１６は、下部電極１８及び静電チャック２０を有する。下部電極１８及び静電チャック２０は、チャンバ１０の中に設けられている。下部電極１８は、アルミニウムといった導電性材料から形成されており、略円盤形状を有している。
下部電極１８内には、流路１８ｆが形成されている。流路１８ｆは、熱交換媒体用の流路である。熱交換媒体としては、液状の冷媒、或いは、その気化によって下部電極１８を冷却する冷媒（例えば、フロン）が用いられる。流路１８ｆには、熱交換媒体の供給装置（例えば、チラーユニット）が接続されている。この供給装置は、チャンバ１０の外部に設けられている。流路１８ｆには、供給装置から配管２３ａを介して熱交換媒体が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２３ｂを介して供給装置に戻される。
静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。基板Ｗは、内部空間１０ｓの中で処理されるときに、静電チャック２０上に載置され、静電チャック２０によって保持される。
静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２０の本体は、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムといった誘電体から形成されている。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有している。静電チャック２０の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。静電チャック２０の電極は、本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、膜形状を有している。静電チャック２０の電極には、直流電源がスイッチを介して電気的に接続されている。直流電源からの電圧が静電チャック２０の電極に印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは静電チャック２０に引き付けられ、静電チャック２０によって保持される。
静電チャック２０は、基板載置領域を含んでいる。基板載置領域は、略円盤形状を有する領域である。基板載置領域の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。基板Ｗは、チャンバ１０内で処理されるときには、基板載置領域上に載置される。
一実施形態において、静電チャック２０は、エッジリング載置領域を更に含んでいてもよい。エッジリング載置領域は、静電チャック２０の中心軸線の周りで基板載置領域を囲むように周方向に延在している。エッジリング載置領域の上面の上にはエッジリングＥＲが搭載される。エッジリングＥＲは、略板状をなしており、環形状を有している。エッジリングＥＲは、軸線ＡＸにその中心軸線が一致するように、エッジリング搭載領域上に載置される。基板Ｗは、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内に配置される。即ち、エッジリングＥＲは、基板Ｗのエッジを囲むように配置される。エッジリングＥＲは、導電性を有し得る。エッジリングＥＲは、例えばシリコン又は炭化ケイ素からから形成されている。
プラズマ処理装置１Ａは、ガス供給ライン２５を更に備え得る。ガス供給ライン２５は、ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面（下面）との間に供給する。
プラズマ処理装置１Ａは、絶縁領域２７を更に備え得る。絶縁領域２７は、基板支持器１６を囲むように基板支持器１６に対して径方向外側で周方向に延在している。絶縁領域２７は、支持部１７を囲むように支持部１７に対して径方向外側で周方向に延在していてもよい。絶縁領域２７は、石英といった絶縁体から形成されている。エッジリングＥＲは、絶縁領域２７及び静電チャック２０のエッジリング載置領域上に載置される。
プラズマ処理装置１Ａは、上部電極３０を更に備えている。上部電極３０は、基板支持器１６の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２と共にチャンバ本体１２の上部開口を閉じている。部材３２は、絶縁性を有している。上部電極３０は、この部材３２を介してチャンバ本体１２の上部に支持されている。
上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含んでいる。天板３４の下面は、内部空間１０ｓを画成している。天板３４には、複数のガス吐出孔３４ａが形成されている。複数のガス吐出孔３４ａの各々は、天板３４を板厚方向（鉛直方向）に貫通している。この天板３４は、限定されるものではないが、例えばシリコンから形成されている。或いは、天板３４は、アルミニウム製の部材の表面に耐プラズマ性の膜を設けた構造を有し得る。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持している。支持体３６は、例えばアルミニウムといった導電性材料から形成されている。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。ガス拡散室３６ａからは、複数のガス孔３６ｂが下方に延びている。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入ポート３６ｃが形成されている。ガス導入ポート３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入ポート３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
ガス供給管３８には、ガスソース群４０が、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３を介して接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４１及びバルブ群４３の各々は、複数のバルブ（例えば開閉バルブ）を含んでいる。流量制御器群４２は、複数の流量制御器を含んでいる。流量制御器群４２の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４１の対応のバルブ、流量制御器群４２の対応の流量制御器、及びバルブ群４３の対応のバルブを介して、ガス供給管３８に接続されている。プラズマ処理装置１Ａは、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、内部空間１０ｓに供給することが可能である。
基板支持器１６又は支持部１７とチャンバ１０の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられている。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウム製の部材に酸化イットリウム等のセラミックを被覆することにより構成され得る。このバッフルプレート４８には、多数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方においては、排気管５２がチャンバ１０の底部に接続されている。この排気管５２には、排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、自動圧力制御弁といった圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、内部空間１０ｓの圧力を減圧することができる。
プラズマ処理装置１Ａは、高周波電源６１を更に備えている。高周波電源６１は、高周波電力ＨＦを発生する電源である。高周波電力ＨＦは、チャンバ１０内のガスからプラズマを生成するために用いられる。高周波電力ＨＦは、第１の周波数を有する。第１の周波数は、２７〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数、例えば４０ＭＨｚ又は６０ＭＨｚである。高周波電源６１は、高周波電力ＨＦを下部電極１８に供給するために、整合回路６３を介して下部電極１８に接続されている。整合回路６３は、高周波電源６１の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるよう構成されている。なお、高周波電源６１が下部電極１８に電気的に接続されている実施形態では、上部電極３０は電気的に接地される。
プラズマ処理装置１Ａは、バイアス電源６２を更に備えている。バイアス電源６２は、基板Ｗに対するプラズマ処理のためにチャンバ１０内においてプラズマが生成されているときに、下部電極１８にバイアスＢＥを供給するように構成されている。バイアス電源６２は、整合回路６４を介して下部電極１８に電気的に接続されている。整合回路６４は、バイアス電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるよう構成されている。
バイアスＢＥは、基板Ｗにイオンを引き込むために用いられる。バイアスＢＥは、第２の周波数を有する。バイアスＢＥは、第２の周波数で規定される周期内で静電チャック２０上に載置された基板Ｗの電位を変動させるように設定されている。第２の周波数は、第１の周波数よりも低い。第２の周波数は、例えば５０ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの範囲内の周波数である。
図３の（ａ）はバイアスの一例を示す図である。図３の（ａ）に示すようにん、バイアスＢＥは、第２の周波数を有する高周波バイアス電力であってもよい。図４は、バイアスの別の一例を示す図である。図４に示すように、バイアスＢＥは、下部電極１８に第２の周波数で周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であってもよい。
プラズマ処理装置１Ａは、電源装置７０を更に備えている。電源装置７０は、導電性部材に正極性の電圧を印加するように構成されている。導電性部材は、基板支持器１６上に載置される基板Ｗよりもチャンバ１０の側壁の近くで延在する。一実施形態において、導電性部材は、エッジリングＥＲである。
図３の（ｂ）は、基板の電位と導電性部材の電位の一例を示すタイミングチャートである。図３の（ｂ）に示すように、バイアスＢＥが下部電極１８に供給されると、基板Ｗの電位は第２の周波数で規定される周期内で変動する。即ち、第２の周波数で規定される周期は、基板Ｗの電位が負である期間と基板Ｗの電位が０以上である期間を含む。基板Ｗの電位が負である期間と基板Ｗの電位が正である期間は交互に繰り返す。
電源装置７０は、基板Ｗの電位が０以上である期間において正極性の電圧をエッジリングＥＲに印加して、当該期間におけるエッジリングＥＲの電位を基板Ｗの電位ＶＷよりも高い電位ＶＡ（＞ＶＷ）に設定するように構成されている。一実施形態において、電源装置７０は、直流電源７０ａ及びスイッチ７０ｂを有する。直流電源７０ａは、可変直流電源であり得る。直流電源７０ａは、スイッチ７０ｂを介してエッジリングＥＲに接続されている。スイッチ７０ｂが導通状態になると、直流電源７０ａからの電圧がエッジリングＥＲに印加される。エッジリングＥＲに印加される正極性の電圧のレベルと正極性の電圧のエッジリングＥＲへの印加期間は、制御部ＭＣによって指定される。エッジリングＥＲに印加される正極性の電圧のレベルと正極性の電圧のエッジリングＥＲへの印加期間は、予め定められていてもよい。
プラズマ処理装置１Ａは、制御部ＭＣを更に備え得る。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１Ａの各部を制御する。制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいてプラズマ処理装置１Ａの各部を制御する。制御部ＭＣによる制御により、レシピデータによって指定されたプロセスがプラズマ処理装置１Ａにおいて実行される。プラズマ処理装置１Ａが用いられる場合に、方法ＭＴは、制御部ＭＣによるプラズマ処理装置１Ａの各部の制御により実行され得る。
工程ＳＴ２は、チャンバ１０内でプラズマが生成されている状態で実行される。プラズマを生成するために、ガスがガス供給部からチャンバ１０内に供給される。また、チャンバ１０内の圧力を指定された圧力に設定するよう、排気装置５０が作動する。また、高周波電力ＨＦが供給される。その結果、チャンバ１０内のガスが励起されて当該ガスからプラズマが生成される。このようにプラズマが生成されている状態で、工程ＳＴｂは実行される。工程ＳＴｂでは、バイアス電源６２からバイアスＢＥが下部電極１８に供給される。その結果、図３の（ｂ）に示すように基板Ｗの電位が周期的に変動する。プラズマ処理装置１Ａが用いられる場合に、工程ＳＴ２では、正極性の電圧が電源装置７０からエッジリングＥＲに印加される。具体的に、正極性の電圧は、基板Ｗの電位が０以上である期間においてエッジリングＥＲに印加される。正極性の電圧は、基板Ｗの電位が０以上である期間において、エッジリングＥＲの電位ＶＡを基板Ｗの電位ＶＷよりも高い電位に設定する。
以下、図５を参照する。図５は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、プラズマ処理装置１Ａと異なる点に関して、図５に示すプラズマ処理装置１Ｂを説明する。プラズマ処理装置１Ｂは、電源装置７０を有していない。プラズマ処理装置１Ｂでは、バイアス電源６２がエッジリングＥＲに電圧を印加する電源装置を兼ねている。プラズマ処理装置１Ｂでは、バイアス電源６２は高周波バイアス電力を下部電極１８に供給する。下部電極１８は、可変インピーダンス回路７２を介してエッジリングＥＲに接続されている。可変インピーダンス回路７２は、例えば可変容量コンデンサを含み得る。
プラズマ処理装置１Ｂでは、下部電極１８に供給される高周波バイアス電力が、下部電極１８から静電チャック２０を介して基板Ｗに至る第１のパスと下部電極１８から可変インピーダンス回路７２を介してエッジリングＥＲに至る第２のパスとに分岐される。したがって、基板Ｗの電位が０以上である期間内では、エッジリングＥＲに印加される電圧も正極性を有し得る。また、プラズマ処理装置１Ｂでは、可変インピーダンス回路７２のインピーダンスを調整することにより、第１のパスと第２のパスとの間での高周波バイアス電力の分配比率が調整される。可変インピーダンス回路７２のインピーダンスは、基板Ｗの電位が０以上である期間内でエッジリングＥＲの電位ＶＡが基板Ｗの電位ＶＷよりも高くなるように設定される。可変インピーダンス回路７２のインピーダンスは、制御部ＭＣによって指定され得る。可変インピーダンス回路７２のインピーダンスは、予め設定されていてもよい。
以下、図６を参照する。図６は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、プラズマ処理装置１Ａと異なる点に関して、図６に示すプラズマ処理装置１Ｃを説明する。プラズマ処理装置１Ｃは、導電性部材７４を更に備えている。導電性部材７４は、エッジリングＥＲとは別の部材である。導電性部材７４は、シリコンといった導電性を有する材料から形成されている。導電性部材７４は、リング形状を有している。導電性部材７４は、基板支持器１６上に載置される基板Ｗよりもチャンバ１０の側壁の近くで延在する。具体的には、導電性部材７４は、エッジリングＥＲに対して径方向外側で周方向に延在している。導電性部材７４は、絶縁領域２７上に搭載されている。プラズマ処理装置１Ａでは、導電性部材７４の上面の高さ方向の位置とエッジリングＥＲの上面の高さ方向の位置は、略同一である。導電性部材７４は、エッジリングＥＲから離間している。即ち、導電性部材７４は、エッジリングＥＲから電気的に分離されている。
プラズマ処理装置１Ｃは、電源装置７０に代えて、電源装置７６を備えている。電源装置７６は、導電性部材７４に正極性の電圧を印加するように構成されている。図７は、基板の電位と導電性部材の電位の一例を示すタイミングチャートである。電源装置７６は、基板Ｗの電位が負である期間において、導電性部材７４に、正極性の電圧を印加するように構成されている。したがって、基板Ｗの電位が負である期間においては、導電性部材７４の電位は、正の電位ＶＣとなる。一実施形態において、電源装置７６は、直流電源７６ａ及びスイッチ７６ｂを有する。直流電源７６ａは、可変直流電源であり得る。直流電源７６ａは、スイッチ７６ｂを介して導電性部材７４に接続されている。スイッチ７６ｂが導通状態になると、直流電源７６ａからの電圧が導電性部材７４に印加される。導電性部材７４に印加される正極性の電圧のレベルと正極性の電圧の導電性部材７４への印加期間は、制御部ＭＣによって指定される。導電性部材７４に印加される正極性の電圧のレベルと正極性の電圧の導電性部材７４への印加期間は、予め定められていてもよい。
上述したように、工程ＳＴｂ及び工程ＳＴ２は、チャンバ１０内でプラズマが生成されている状態で実行される。工程ＳＴｂでは、バイアス電源６２からバイアスＢＥが下部電極１８に供給される。その結果、図７に示すように基板Ｗの電位が周期的に変動する。プラズマ処理装置１Ｃが用いられる場合に、工程ＳＴ２では、正極性の電圧が電源装置７６から導電性部材７４に印加される。具体的に、正極性の電圧は、基板Ｗの電位が負である期間において導電性部材７４に印加される。
図８は、基板の電位と導電性部材の電位の別の一例を示すタイミングチャートである。図８に示すように、一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｃの電源装置７６は、基板Ｗの電位が負である期間と基板Ｗの電位が０以上である期間の双方において、正極性の電圧を導電性部材７４に印加してもよい。工程ＳＴ２の実行において、プラズマ処理装置１Ｃの電源装置７６は、基板Ｗの電位が負である期間と基板Ｗの電位が０以上である期間の双方において、例えば正極性の直流電圧を連続的に導電性部材７４に印加してもよい。
図９は、基板の電位と導電性部材の電位の更に別の一例を示すタイミングチャートである。図９に示すように、一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｃの電源装置７６は、基板Ｗの電位が０以上である期間内で導電性部材７４に印加する正極性の電圧よりも高い正極性の電圧を、基板Ｗの電位が負である期間内で導電性部材７４に印加してもよい。この例では、基板Ｗの電位が負である期間内での導電性部材７４の正の電位ＶＣは、基板Ｗの電位が０以上である期間内での導電性部材７４の正の電位ＶＤよりも高くなる。
図１０は、基板の電位と導電性部材の電位の更に別の一例を示すタイミングチャートである。図１０に示すように、一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｃの電源装置７６は、基板Ｗの電位が負である期間内で、パルス状の正極性の電圧を周期的に又は断続的に導電性部材７４に印加してもよい。
以下、図１１を参照する。図１１は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、プラズマ処理装置１Ｃと異なる点に関して、図１１に示すプラズマ処理装置１Ｄを説明する。プラズマ処理装置１Ｄは、別の電源装置として電源装置７０を更に備えている。電源装置７０は、プラズマ処理装置１Ａの電源装置７０と同じ構成を有する。具体的に、プラズマ処理装置１Ｄの電源装置７０は、基板Ｗの電位が０以上である期間においてエッジリングＥＲに正極性の電圧を印加して、当該期間においてエッジリングＥＲの電位ＶＡを基板Ｗの電位ＶＷよりも高い電位に設定する。
図１２は、基板の電位、導電性部材の電位、及びエッジリングの電位の一例を示すタイミングチャートである。プラズマ処理装置１Ｄを用いて方法ＭＴが実行される場合には、図１２に示すように、工程ＳＴ２において、電源装置７６から導電性部材７４に正極性の電圧が印加される。プラズマ処理装置１Ｄが用いられる場合にも、電源装置７６からの正極性の電圧は、図７〜図１０を参照して説明した正極性の電圧と同様に、導電性部材７４に印加される。即ち、電源装置７６からの正極性の電圧は、少なくとも基板Ｗの電位が負である期間内で導電性部材７４に印加される。その結果、基板Ｗの電位が負である期間内では、導電性部材７４の電位は正の電位ＶＣとなる。また、プラズマ処理装置１Ｄが用いられる場合には、工程ＳＴ２において、電源装置７０からの正極性の電圧がエッジリングＥＲに印加される。電源装置７０からの正極性の電圧は、基板Ｗの電位が０以上である期間においてエッジリングＥＲに印加される。エッジリングＥＲに印加される正極性の電圧は、基板Ｗの電位が０以上である期間において、エッジリングＥＲの電位ＶＡを基板Ｗの電位ＶＷよりも高い電位に設定する。
以下、図１３を参照する。図１３は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、プラズマ処理装置１Ｃと異なる点に関して、図１３に示すプラズマ処理装置１Ｅを説明する。プラズマ処理装置１Ｅでは、絶縁領域２７は、エッジリングＥＲに対して径方向外側で、エッジリングＥＲに対して上方に隆起した隆起部を有する。導電性部材７４は、この隆起部上に搭載されている。したがって、導電性部材７４の高さ方向の位置は、エッジリングＥＲの高さ方向の位置及び基板Ｗの高さ方向の位置よりも高い。
以下、図１４を参照する。図１４は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、プラズマ処理装置１Ｃと異なる点に関して、図１４に示すプラズマ処理装置１Ｆを説明する。プラズマ処理装置１Ｆでは、導電性部材７４は、上部電極３０の径方向外側で周方向に延在している。導電性部材７４は、部材３２の中に埋め込まれている。部材３２は、上部電極３０とチャンバ１０の側壁との間で延在している。
なお、プラズマ処理装置１Ｅ及びプラズマ処理装置１Ｆの各々は、プラズマ処理装置１Ｄと同様に、別の電源装置として電源装置７０を有していてもよい。電源装置７０は、基板Ｗの電位が０以上である期間において、エッジリングＥＲに正極性の電圧を印加して、エッジリングＥＲの電位ＶＡを基板Ｗの電位ＶＷよりも高い電位に設定する。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、高周波電源６１は、下部電極１８に接続されていなくてもよく、整合回路６３を介して上部電極３０に接続されていてもよい。また、別の実施形態において、プラズマ処理装置は、上述したようにエッジリングＥＲ及び／又は導電性部材７４に正極性の電圧を印加可能であれば、誘導結合型のプラズマ処理装置といった任意のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。また、プラズマが生成されているときにエッジリングＥＲ及び／又は導電性部材７４に印加される正極性の電圧としてパルス状の又は連続的な正極性の直流電圧を例示したが、当該正極性の電圧は特に限定されるものではない。例えば、当該正極性の電圧は、正極性の直流電圧に三角波などを合成することにより得られる波形といった任意の波形を有する電圧であってもよい。また、プラズマが生成されていないときには、負極性の電圧が、エッジリングＥＲ及び／又は導電性部材７４に印加されてもよい。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１Ａ…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１６…基板支持器、１８…下部電極、２０…静電チャック、ＥＲ…エッジリング、７０…電源装置、Ｗ…基板。

Claims (15)

  1. プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程であり、前記基板は、前記チャンバ内で基板支持器上に配置され、該基板支持器は、下部電極及び該下部電極上に設けられた静電チャックを含む、該工程と、
    前記基板に対するプラズマ処理のために前記チャンバ内においてプラズマが生成されているときに、前記基板よりも前記チャンバの接地された側壁の近くで延在する導電性部材に、正極性の電圧を印加する工程と、
    を含むプラズマ処理方法。
  2. 前記基板は、前記基板支持器上且つエッジリングによって囲まれた領域内に配置され、
    該プラズマ処理方法は、前記基板に対する前記プラズマ処理のために前記チャンバ内において前記プラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給する工程を更に含み、
    前記エッジリングは前記導電性部材であり、
    前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
    前記正極性の電圧は、前記基板の電位が０以上である期間において前記エッジリングに印加され、該期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定する、
    請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 前記基板は、基板支持器上且つエッジリングによって囲まれた領域内に配置され、
    前記導電性部材は、前記エッジリングから電気的に分離されており、前記エッジリングよりも前記チャンバの前記側壁の近くで延在しており、
    該プラズマ処理方法は、前記基板に対する前記プラズマ処理のために前記チャンバ内において前記プラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給する工程を更に含み、
    前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
    前記正極性の電圧は、前記基板の電位が負である期間において前記導電性部材に印加される、
    請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  4. 前記正極性の電圧は、前記基板の電位が０以上である期間においても前記導電性部材に印加される、請求項３に記載のプラズマ処理方法。
  5. 前記正極性の電圧は、前記基板の電位が負である前記期間及び前記基板の電位が０以上である前記期間の双方において前記導電性部材に連続的に印加される直流電圧である、請求項４に記載のプラズマ処理方法。
  6. 前記基板の電位が負である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧は、前記基板の電位が０以上である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧よりも高い、請求項４に記載のプラズマ処理方法。
  7. 前記基板の電位が０以上である期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定するように、正極性の電圧が、前記エッジリングに印加される、請求項３に記載のプラズマ処理方法。
  8. 前記プラズマ処理は、前記基板に対するプラズマエッチングである、請求項１〜７の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  9. チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられた基板支持器であり、下部電極及び該下部電極上に設けられた静電チャックを含む、該基板支持器と、
    前記基板支持器上に載置される基板よりも前記チャンバの接地された側壁の近くで延在する導電性部材に正極性の電圧を印加するように構成された電源装置と、
    を備える、プラズマ処理装置。
  10. 基板に対するプラズマ処理のために前記チャンバ内においてプラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給するように構成されたバイアス電源を更に備え、
    前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
    前記導電性部材は、前記基板を囲むように延在するエッジリングであり、
    前記電源装置は、前記基板の電位が０以上である期間において前記エッジリングに前記正極性の電圧を印加して、該期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定するように構成されている、
    請求項９に記載のプラズマ処理装置。
  11. 前記基板支持器上に載置された基板を囲むように延在するエッジリングよりも前記チャンバの側壁の近くで延在する前記導電性部材と、
    基板に対するプラズマ処理のために前記チャンバ内においてプラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給するように構成されたバイアス電源と、
    を更に備え、
    前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
    前記電源装置は、前記基板の電位が負である期間において、前記導電性部材に前記正極性の電圧を印加するように構成されている、
    請求項９に記載のプラズマ処理装置。
  12. 前記電源装置は、前記基板の電位が０以上である期間においても前記正極性の電圧を前記導電性部材に印加するように構成されている、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
  13. 前記電源装置は、前記基板の電位が負である前記期間及び前記基板の電位が０以上である前記期間の双方において前記正極性の電圧として直流電圧を前記導電性部材に連続的に印加するように構成されている、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
  14. 前記基板の電位が負である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧は、前記基板の電位が０以上である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧よりも高い、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
  15. 前記基板の電位が０以上である期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定するように、前記基板の電位が０以上である該期間において前記エッジリングに正極性の電圧を印加するように構成された別の電源装置を更に備える、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
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TW109122539A TW202107950A (zh) 2019-07-16 2020-07-03 電漿處理方法及電漿處理裝置
CN202010640097.8A CN112242290A (zh) 2019-07-16 2020-07-06 等离子体处理方法及等离子体处理装置
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064460A (ja) * 2003-04-24 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、フォーカスリング及び被処理体の載置装置
JP2007250967A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング
JP2015522938A (ja) * 2012-04-26 2015-08-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板の均一性を制御するための方法及び装置
JP2019102521A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用の部品及び半導体製造装置
JP2019114612A (ja) * 2017-12-21 2019-07-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4047616B2 (ja) 2002-04-03 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN100418187C (zh) * 2003-02-07 2008-09-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法
US7544270B2 (en) * 2005-11-14 2009-06-09 Infineon Technologies Ag Apparatus for processing a substrate
US20070224709A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and apparatus, control program and storage medium
JP4838736B2 (ja) * 2007-01-25 2011-12-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5281309B2 (ja) * 2008-03-28 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5227264B2 (ja) * 2009-06-02 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，プログラム
JP5719599B2 (ja) * 2011-01-07 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102222902B1 (ko) * 2014-05-12 2021-03-05 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP6869034B2 (ja) * 2017-01-17 2021-05-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7045152B2 (ja) * 2017-08-18 2022-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2019169635A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び処理装置
KR102600003B1 (ko) * 2018-10-30 2023-11-09 삼성전자주식회사 반도체 공정 챔버 및 반도체 소자의 제조 방법
US10879052B2 (en) * 2018-11-21 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Plasma processing apparatus and manufacturing method using the same
US11328893B2 (en) * 2018-12-13 2022-05-10 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Plasma processing system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064460A (ja) * 2003-04-24 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、フォーカスリング及び被処理体の載置装置
JP2007250967A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング
JP2015522938A (ja) * 2012-04-26 2015-08-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板の均一性を制御するための方法及び装置
JP2019102521A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用の部品及び半導体製造装置
JP2019114612A (ja) * 2017-12-21 2019-07-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

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