JP4838736B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
まず、図1に、本発明の第1の実施形態になるプラズマ処理装置の断面図を示す。プラズマ処理装置は、真空処理室1と、この真空処理室内に設けられウエハ3を保持するウエハ載置面を備えた下部電極2と、この下部電極に対向して設けられプラズマと接する部分が導電性材料からなる上部電極9と、この上下の電極に対する高周波電源部と、磁場形成手段と、処理ガス供給系等を有している。下部電極2のウエハ載置面の周縁には、フォーカスリング4が設けられている。磁場形成手段はヨーク5と、コイル6で構成されている。処理ガス供給手段はガス供給系10と、ガス分散板8とを有している。真空処理室1にはこの真空処理室を減圧排気する真空ポンプが接続されている。高周波電源部は、アンテナ7と、第1高周波電源11と、第1整合器12と、第2高周波電源13と、第2整合器14と、フィルタ回路15と、第3高周波電源16と、第3整合器17と、位相調節ユニット18と、アンテナ外周リング19と、シリコン板支持リング20と、アンテナ蓋部21と、フィルタ回路22と、フィルタ回路25とを有している。また、下部電極2にはフィルタ回路23を介して、静電チャック電源24が接続されている。さらに、真空処理室1には、真空処理室壁部のプラズマ電位を制御するプラズマ電位制御ユニットが設けられている。プラズマと接する真空処理室1の側壁部は内外の二重壁構造となっており、側壁部の外壁は金属材料例えばアルミニウムで構成され、側壁部の内壁は耐プラズマ性保護膜で構成されている。すなわち、内壁は、導体部品(環状導体)26と、この環状導体を挟んでその上下に配置された絶縁膜31とで構成されている。プラズマ電位制御ユニットは、この内壁の環状導体26とアース間に接続され直流アースを構成し、環状導体26にプラズマ空間電位未満の電圧を与える機能を有している。プラズマ電位制御ユニットは、直流バイアス電源28と、電流モニタ29及び制御系30で構成されている。
図2に示すように、プラズマからの直流電流が真空処理室1の側壁を経て直流アースに流入するのを可能にするために、環状導体26は処理室内のプラズマと直接接触する位置に設置される。
まず、第1の実施例の課題について説明する。図6、図7に示すように環状導体26等の導体部品を導入することにより、導体部品付近のイオンシースの厚みが変化する。これには、図6のように導体部品に対するイオンシースが壁に対するイオンシースに対して厚くなる場合と、図7のように薄くなる場合がある。
上記各実施例では導体部品を真空処理室の側壁に設けたが、導体部品の設置位置はこれに限定されるものではない。導体部品の位置は、プラズマと接触する位置にあれば良い。処理中に磁場が印加される場合、導体26は上部電極9と障害物に遮られることなく磁力線で繋がれている位置にあれば良い。その為、必ずしも真空容器内の側壁面に設置する必要はない。
既に述べた各実施例は、試料の処理中に磁場が印加されるプラズマ処理装置を前提としていたが、本発明はこれに限定されるものではない。無磁場の装置においても、プラズマと接触する位置に導体部品を設置すれば、プラズマの空間電位の上昇を抑制する効果は得られる。すなわち、本発明は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内に電磁波を放射することによって真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置されたウエハを処理するプラズマ処理装置全般において、真空容器の内壁等の一部に接地された導体部品を直流アースとして設け、この導体部品からアースへ流れる電流を0A付近になるように制御するものである。
図12の例では、環状の導体部品からなるプラズマ接触導電体40が真空処理室内の下部電極2の側部外方に設置されている。プラズマ電位制御ユニットの構成、機能は、前記実施例のものと同じである。本実施例でも、電子が直流アースに流れ、電子とイオンのアンバランスが解消されることでプラズマの空間電位の上昇が抑制され、プラズマ空間電位Vs未満に維持される。すなわち、プラズマの空間電位の大幅な上昇が避けられ、ひいては異常放電の低減及びプラズマの安定化が図れる。
図13の例では、環状の導体部品からなるプラズマ接触導電体40が真空処理室の内壁に設置されている。プラズマ電位制御ユニットの構成、機能は、前記実施例のものと同じである。第2の実施例で述べたと同様に、交換可能な絶縁体を環状の導体部品の周囲に設けても良い。本実施例でも、電子が直流アースに流れ、電子電子とイオンのアンバランスが解消されることでプラズマの空間電位の上昇が抑制され、プラズマ空間電位Vs未満に維持される。すなわち、プラズマの空間電位の大幅な上昇が避けられ、ひいては異常放電の低減及びプラズマの安定化が図れる。
Claims (15)
- プラズマと接する壁面に耐プラズマ性保護膜が形成された真空処理室を有し、該真空処理室内にプラズマを生成してウエハを処理するプラズマ処理装置において、
前記真空処理室内のプラズマと接する位置に設けられた導体部品と、
前記導体部品の電位を前記生成したプラズマ空間電位未満の電位に制御するプラズマ電位制御ユニットとを備え、
該プラズマ電位制御ユニットは前記導体部品に接続された直流電源を含み、
前記プラズマ電位制御ユニットは、前記導体部品に負の直流電圧を印加する前記直流電源と、前記導体部品からアースに流れる電流を計測する電流モニタと、該電流のモニタ値が0A付近の電流値になるように前記直流電源の電圧を制御する制御系で構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1において、前記プラズマ電位制御ユニットは、前記導体部品の電位を前記生成したプラズマの浮動電位以下の電位に制御する機能を有する、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1において、前記プラズマ電位制御ユニットは、前記導体部品をアースに接続する直流アースを構成する、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1において、前記プラズマ電位制御ユニットは、飽和イオン電流Iiの飽和領域Iisの絶対値を用い、前記0A付近の電流値が該絶対値以下になるように前記直流電源の電圧を制御する、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記真空処理室の耐プラズマ性保護膜が形成された側壁に、前記導体部品を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記真空処理室に設けられたウエハ載置用の下部電極を有し、該下部電極の外周部に前記導体部品を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記真空処理室に設けられたウエハ載置用の下部電極を有し、該下部電極の外周部と前記真空処理室の側壁との間に前記導体部品を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 側壁にイットリア保護膜が形成された真空処理室と、プラズマと接する部分が導電性材料からなる上部電極と、下部電極と、前記下部電極にウエハを静電吸着する静電吸着電源とを有し、前記真空処理室内にプラズマを生成してウエハを処理するプラズマ処理装置において、
前記真空処理室の側壁でかつプラズマと接する位置に設けられた導体部品と、
前記導体部品の電位を前記プラズマ空間電位未満の電位に制御するプラズマ電位制御ユニットとを備え、
該プラズマ電位制御ユニットは前記導体部品に負の直流電圧を印加する直流電源を含み、
前記プラズマ電位制御ユニットは、前記導体部品からアースに流れる電流を計測する電流モニタと、該電流のモニタ値が0A付近の電流値になるように前記直流電源の電圧を制御する制御系で構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項8において、前記プラズマ電位制御ユニットは、前記導体部品の電位を前記プラズマの浮動電位以下の電位に制御する機能を有する、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項8のプラズマ処理装置において、
前記側壁に設けられた前記導体部品を挟んで上下に絶縁体部品を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 側壁にイットリア保護膜が形成された真空処理室と、プラズマと接する部分が導電性材料からなる上部電極と、下部電極と、前記下部電極に載置されたウエハを静電吸着する静電吸着電源と、磁場形成手段と、前記真空処理室内にプラズマを生成してウエハを処理するプラズマ処理装置において、
前記真空処理室の側壁でかつプラズマと接する位置に設けられた導体部品と、前記導体部品に負の直流電圧を印加する直流電源とを有し、
前記導体部品を、前記磁場形成手段により形成された磁力線上であって、かつ、前記磁力線が前記上部電極から前記導体部品までの間、他の部品に遮られることのない位置に設置し、
前記プラズマ電位制御ユニットは、前記導体部品からアースに流れる電流を計測する電流モニタと、該電流のモニタ値が0A付近の電流値になるように前記直流電源の電圧を制御する制御系で構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項11において、
前記導体部品の電位を前記プラズマ空間電位未満の電位に制御する電位制御ユニットを備え、
該電位制御ユニットは前記導体部品に負の直流電圧を印加する前記直流電源を含む、ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項11において、前記プラズマ電位制御ユニットは、前記導体部品の電位を前記プラズマの浮動電位以下の電位に制御する、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項12に記載のプラズマ処理装置において、
前記導体部品の周辺に、前記側壁がイオンによりスパッタされるのを低減するための絶縁体部品を有する、ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項14に記載のプラズマ処理装置において、
前記導体部品の材料は、Si、SiC、導電性セラミック、Al、Al化合物のいずれかであり、
前記絶縁体部品の材料は、Y2O3、SiC、ボロンカーバイト、アルマイトのいずれかである、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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