JP5082338B2 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Description
また、これと同時に、各種の積層膜も、より薄膜化されており、例えば層間絶縁膜もその例外ではなく、従来の半導体デバイスで用いた厚さよりも薄くても、同等の絶縁特性を有する、いわゆるLow−k(低誘電率)の特性を有する材料膜、例えばポーラス系のSiOC膜やSiOCH膜、あるいはCF膜(フッ素添加カーボン膜、アモルファスカーボン膜等とも呼ばれる)等が新たに提案されている。従来、層間絶縁膜として一般的に用いられていたSiO2 膜は誘電率(比誘電率)が3.8程度であるのに対して、上記SiOC膜、SiOCH膜、CF膜の誘電率は上記SiO2 膜よりも小さくて、例えば2.0〜2.8程度である。以下、このような誘電率が小さい材料をLow−k材料とも称す。
この場合、例えば請求項3に記載のように、前記第1及び第2の周波数は、2MHz以下、2MHzより大きい周波数より選択される2種類の組み合わせである。
また例えば請求項4に記載のように前記第1及び第2の周波数は、400kHz、2MHz、13.56MHzよりなる群より選択される2種類の組み合わせであって、該組み合わせの中には前記400kHzが必ず含まれている。
また例えば請求項5に記載のように、前記第1の工程と前記第2の工程の内のいずれか一方の工程が先に行われ、他方の工程が後で行われる。
また例えば請求項7に記載のように、前記エッチングガスはCF系ガスであり、ガス種としてはCF4 、C2 F6 、C3 F8 、CHF3 よりなる群より選択される1以上のガスが用いられる。
また例えば請求項10に記載のように、前記エッチングストッパ膜はSiC膜よりなる。
エッチングに際して、形成される細長い溝状の凹部である溝部(トレンチ)と穴状の凹部である穴部(ホール)の各底部を実質的に同時にエッチングストッパ膜に到達させることができる。
図1は本発明に係るエッチング装置の一例を示す構成図である。図示するように、このエッチング装置10は、例えば側壁や底部がアルミニウム等の導体により構成されて、全体が筒体状に成形された処理容器12を有しており、内部は密閉された処理空間14として構成され、この処理空間14にプラズマが形成される。この処理容器12自体は接地されている。
まず、一般的な動作について説明すると、ゲートバルブ32を介して半導体ウエハSを搬送アーム(図示せず)により処理容器12内に収容し、図示しない昇降ピンを上下動させることによりウエハSを載置台16の上面の載置面に載置し、そして、このウエハSを静電チャック20により静電吸着する。このウエハSの上面には、図8(A)に示すようにパターン化されたマスク6がすでに形成されている。すなわち、層間絶縁膜4はLow−k材料よりなり、エッチングストッパ膜2はSiC膜よりなり、溝パターン6Aの幅や穴パターン6Bの直径は、例えば65nm以下にそれぞれ設定されている。
図2(A)に示すように本発明方法では、第1ステップではエッチングガスとして例えばCF4 ガスを用い、バイアス電力の周波数は13.56MHzとして第1の工程のエッチングを行う。この時、ホールとトレンチの深さ比H/Lは”H/L>1”(以下、この状態を「逆Lag」とも称す)となる。
従って、前述したように、バイアス電力の周波数の切り替えはエッチング途中で必ず行って2ステップとし、且つ400kHzのバイアス電力は必ず第1或いは第2のステップで使用するようにエッチングを行う。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
4 層間絶縁膜
6 マスク
8A 溝部(トレンチ)
8B 穴部(ホール)
10 エッチング装置
12 処理容器
16 載置台
26 バイアス用高周波供給手段
26A 第1の高周波電源
26B 第2の高周波電源
28 切替スイッチ
30 加熱手段
50 プラズマ形成手段
52 平板アンテナ部材
64 マイクロ波発生器
68 ガス供給手段
70 ガス噴射部
76A,76B,76C ガス源
92 制御手段
94 記憶媒体
S 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (12)
- 真空排気可能になされた処理容器内の載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に所定のエッチングガスを供給しつつプラズマの存在下にて前記載置台に所定の周波数の高周波電力をバイアス電力として印加し、表面にエッチングストッパ膜とSiO 2 膜よりも誘電率が小さいエッチング対象膜である層間絶縁膜と前記層間絶縁膜に細長い溝状の凹部と穴状の凹部とを形成するためのパターン化されたマスクとが順次設けられた被処理体に対してエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、
前記バイアス電力として前記溝状の凹部より前記穴状の凹部のエッチング量が大きくなるような第1の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第1の工程と、
前記バイアス電力として前記穴状の凹部より前記溝状の凹部のエッチング量が大きくなるようにするために前記第1の周波数よりも小さい周波数である第2の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第2の工程とを備え、
前記溝状の凹部と穴状の凹部の各底部が同時に前記エッチングストッパ膜に到達するように条件が設定されていることを特徴とするエッチング方法。 - 真空排気可能になされた処理容器内の載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に所定のエッチングガスを供給しつつプラズマの存在下にて前記載置台に所定の周波数の高周波電力をバイアス電力として印加し、表面にエッチングストッパ膜とSiO 2 膜よりも誘電率が小さいエッチング対象膜である層間絶縁膜と前記層間絶縁膜に細長い溝状の凹部と穴状の凹部とを形成するためのパターン化されたマスクとが順次設けられた被処理体に対してエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、
前記バイアス電力として第1の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第1の工程と、
前記バイアス電力として前記第1の周波数とは異なる第2の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第2の工程とを備え、
前記溝状の凹部と前記穴状の凹部の各底部が同時に前記エッチングストッパ膜に到達するように条件が設定されていることを特徴とするエッチング方法。 - 前記第1及び第2の周波数は、2MHz以下、2MHzより大きい周波数より選択される2種類の組み合わせであることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチング方法。
- 前記第1及び第2の周波数は、400kHz、2MHz、13.56MHzよりなる群より選択される2種類の組み合わせであって、該組み合わせの中には前記400kHzが必ず含まれていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記第1の工程と前記第2の工程の内のいずれか一方の工程が先に行われ、他方の工程が後で行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記高周波電力は300ワット以下の範囲内であり、且つ前記第1及び第2の周波数の高周波電力のVpp(peak−to−peak)電圧は560ボルト以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記エッチングガスはCF系ガスであり、ガス種としてはCF4 、C2 F6 、C3 F8 、CHF3 よりなる群より選択される1以上のガスが用いられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記溝状の凹部の幅及び前記穴状の凹部の直径は、それぞれ65nm以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記層間絶縁膜は、SiOC膜、SiOCH膜、CF膜よりなる群より選択される膜よりなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記エッチングストッパ膜はSiC膜よりなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に載のエッチング方法。
- 表面にエッチングストッパ膜とSiO 2 膜よりも誘電率が小さいエッチング対象膜である層間絶縁膜と前記層間絶縁膜に細長い溝状の凹部と穴状の凹部とを形成するためのパターン化されたマスクとが順次設けられた被処理体を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記処理容器内を真空排気する排気系と、
前記処理容器内へエッチングガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器内にプラズマを発生させるためのプラズマ形成手段と、
前記載置台にバイアス電力として第1の周波数の高周波電力と該第1の周波数とは異なる第2の周波数の高周波電力とを印加するバイアス用高周波供給手段と、
装置全体の動作を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載のエッチング方法を実行するように制御することを特徴とするエッチング装置。 - 表面にエッチングストッパ膜とSiO 2 膜よりも誘電率が小さいエッチング対象膜である層間絶縁膜と前記層間絶縁膜に細長い溝状の凹部と穴状の凹部とを形成するためのパターン化されたマスクとが順次設けられた被処理体を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記処理容器内を真空排気する排気系と、
前記処理容器内へエッチングガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器内にプラズマを発生させるためのプラズマ形成手段と、
前記載置台にバイアス電力として第1の周波数の高周波電力と該第1の周波数とは異なる第2の周波数の高周波電力とを印加するバイアス用高周波供給手段と、
装置全体の動作を制御する制御手段とを備えたエッチング装置を用いて前記被処理体にエッチング処理を施すに際して、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載のエッチング方法を実行するように前記エッチング装置を制御するプログラムを記憶する記憶媒体。
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