JP2019057547A5 - - Google Patents
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- 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料を静電吸着させるための第１の電極と第２の電極を具備し前記試料が載置される試料台と、前記第１の電極に第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記第２の電極に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源と、前記第１の高周波電力の位相と前記第２の高周波電力の位相の差である位相差を制御する制御装置とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第１の高周波電力を前記第１の電極に供給する第１の伝送路と前記第２の高周波電力を前記第２の電極に供給する第２の伝送路の間に配置された電極間回路部をさらに備え、
前記電極間回路部の一方の接続部が前記試料台と前記第１の高周波電源の整合器との間に接続され、
前記電極間回路部の他方の接続部が前記試料台と前記第２の高周波電源の整合器との間に接続され、
前記制御装置は、前記第１の電極に印加された高周波電圧のピーク・トウ・ピーク電圧と前記第２の電極に印加された高周波電圧のピーク・トウ・ピーク電圧の差である電圧差が所定の値となるように前記位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記電極間回路部はインダクタンスを有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記一方の接続部と前記試料台との間における前記第１の高周波電力の位相をモニタする第１のモニタ部と、前記他方の接続部と前記試料台との間における前記第２の高周波電力の位相をモニタする第２のモニタ部と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記第１のモニタ部によりモニタされた位相と前記第２のモニタ部によりモニタされた位相と前記所定の値に基づいて前記位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記位相差が前記電圧差と前記位相差の相関関係に基づいて求められた前記所定の値に対応する位相差となるように前記位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料を静電吸着させるための第１の電極と第２の電極を具備し前記試料が載置される試料台と、前記第１の電極に第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記第２の電極に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源と、前記第１の高周波電力の位相と前記第２の高周波電力の位相の差である位相差を制御する制御装置と、前記第１の高周波電力を前記第１の電極に供給する第１の伝送路と前記第２の高周波電力を前記第２の電極に供給する第２の伝送路の間に配置された電極間回路部とを備え、前記電極間回路部の一方の接続部が前記試料台と前記第１の高周波電源の整合器との間に接続され、前記電極間回路部の他方の接続部が前記試料台と前記第２の高周波電源の整合器との間に接続されたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
前記第１の電極に印加された高周波電圧のピーク・トウ・ピーク電圧と前記第２の電極に印加された高周波電圧のピーク・トウ・ピーク電圧の差である電圧差が所定の値となるように前記位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記一方の接続部と前記試料台との間における前記第１の高周波電力の位相をモニタする第１のモニタ部によりモニタされた位相と、前記他方の接続部と前記試料台との間における前記第２の高周波電力の位相をモニタする第２のモニタ部によりモニタされた位相と、前記所定の値と、に基づいて前記位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記位相差が前記電圧差と前記位相差の相関関係に基づいて求められた前記所定の値に対応する位相差となるように前記位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の高周波電力の周波数は、前記第２の高周波電力の周波数と同じであることを特徴とするプラズマ処理装置。
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