JP2004022822A - プラズマ処理方法および装置 - Google Patents
プラズマ処理方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004022822A JP2004022822A JP2002175955A JP2002175955A JP2004022822A JP 2004022822 A JP2004022822 A JP 2004022822A JP 2002175955 A JP2002175955 A JP 2002175955A JP 2002175955 A JP2002175955 A JP 2002175955A JP 2004022822 A JP2004022822 A JP 2004022822A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- processed
- stage
- frequency
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】被処理物に高周波電圧を印加しながらプラズマ処理する場合に、被処理物の特に周縁付近におけるプラズマ処理の均一性を向上させ、被処理物の利用率を上げ、製品の歩留まりを向上させる。
【解決手段】チャンバ（１０）内に配設された電極台（２６）に被処理物（２８）を保持し、電極台（２６）にバイアス用高周波電圧（３８，３８Ａ）を印加しながらこの被処理物（２８）に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、電極台（２６）に被処理物（２８）の周囲を囲む絶縁性のマスクリング（３０）を保持し、被処理物（２８）とマスクリング（３０）とに異なる高周波電圧を印加することによって被処理物（２８）に導かれるプラズマを均一化する。
【選択図】 図２
【解決手段】チャンバ（１０）内に配設された電極台（２６）に被処理物（２８）を保持し、電極台（２６）にバイアス用高周波電圧（３８，３８Ａ）を印加しながらこの被処理物（２８）に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、電極台（２６）に被処理物（２８）の周囲を囲む絶縁性のマスクリング（３０）を保持し、被処理物（２８）とマスクリング（３０）とに異なる高周波電圧を印加することによって被処理物（２８）に導かれるプラズマを均一化する。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ＩＣなどの半導体素子の製造工程でエッチング、アッシング、薄膜形成などの処理を行うために用いるプラズマ処理方法と、装置とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の製造工程で、Ｓｉ（シリコン）ウェーハに施すエッチングや、アッシング（灰化）や、薄膜形成などの処理を、プラズマを用いて行うことがある。このようなプラズマ処理は、例えば反応ガスに高周波電圧を印加することにより反応ガスをプラズマ化し、このプラズマを被処理物であるウェーハに接触させて処理を行うものである。
【０００３】
ここにプラズマ処理を行うチャンバとウェーハとの間に高周波電圧を印加し、処理を行うものがある。エッチング処理については、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ， Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）、ヘリコン波などが知られている。
【０００４】
このようにウェーハに高周波電圧を印加する場合、円形のウェーハを載せる円形の電極台に高周波電圧を印加する。図５はこの電極台付近の側断面図である。この図において符号１はアルミニウムなどの金属製の電極台であり、平面視円形である。この電極台１の上には、円形のＳｉウェーハ２とマスクリング３が同心円上に保持されている。
【０００５】
電極台１の周縁には絶縁材４を挟んでアルミニウムのリング５が嵌められている。このリング５は接地されている。６は高周波電源であり、マッチング回路（整合回路）７を介して電極台１に高周波電圧を印加する。
【０００６】
通常電極台１はウェーハ２よりも大径であるため、電極台１のウェーハ２より外側に露出した部分にプラズマが接触し、この露出した部分の損傷が激しくなる。そこでこの露出部分をマスクリング３で覆うことによって保護するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ウェーハに高周波電圧を印加してプラズマ処理を行う場合は、特にウェーハの周縁付近でのエッチングレートが大きくなり（エッチング速度が速くなり）、ウェーハ全面を均一にプラズマ処理することが困難になることが解った。このためウェーハの周縁付近を製品の製作に利用することができなくなり、ウェーハの利用率が下がることになったり、製品の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００８】
この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、被処理物に高周波電圧を印加しながらプラズマ処理する場合に、被処理物の特に周縁付近におけるプラズマ処理の均一性を向上させ、被処理物の利用率を上げ、製品の歩留まりを向上させることができるプラズマ処理方法を提供することを第１の目的とする。
【０００９】
またこの発明の実施に直接使用するプラズマ処理装置を提供することを第２の目的とする。
【００１０】
【発明の構成】
この発明によれば第１の目的は、チャンバ内に配設された電極台に被処理物を保持し、前記電極台にバイアス用高周波電圧を印加しながらこの被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記電極台に前記被処理物の周囲を囲む絶縁性のマスクリングを保持し、前記被処理物と前記マスクリングとに異なる高周波電圧を印加することによって被処理物に導かれるプラズマを均一化することを特徴とするプラズマ処理方法、により達成される。
【００１１】
被処理物は、たとえば円板状のＳｉウェーハである。マスクリングはこのウェーハを僅かな間隙を介して囲む円環状の単一のリングであってもよいが、同心円で分割された複数のリングで形成してもよい。この場合同心円上に配列された各リングの間に僅かな間隙を設けて各リングにそれぞれ異なる高周波電圧を印加することにより、ウェーハのプラズマ処理の均一性を一層向上させることが可能になる。
【００１２】
ウェーハとマスクリングにはそれぞれ高周波電源およびマッチング回路で形成される異なるバイアス電源によって高周波電圧を印加するのが望ましい。隣接するウェーハとマスクリングとの印加電圧間で干渉が生じにくくするためである。
【００１３】
この発明によれば第２の目的は、チャンバ内に配設された被処理物にバイアス用高周波電圧を印加しながら前記被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記被処理物の周囲を囲む絶縁性のマスクリングと、前記被処理物を保持する内側ステージおよび前記マスクリングを保持する外側ステージを絶縁材を挟んで同心状に一体化した電極台と、前記内側ステージおよび外側ステージに異なる高周波電圧を印加することによって前記被処理物に導かれるプラズマを均一化するバイアス用高周波電源装置と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置、により達成される。
【００１４】
この装置は方向性加工を可能にした反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるプラズマ処理装置に好適である。ウェーハをＳｉ（シリコン）とした場合、マスクリングは石英板、アルミナ板、セラミック板などが使用可能である。しかしマスクリングはウェーハと同じ材料で作るのが最も望ましい。ウェーハと共にこのマスクリングがプラズマ処理されることにより処理ガスに不純物が混入されるのを防ぐことができるからである。
【００１５】
電極台の内側ステージと外側ステージには、別々の高周波電源およびマッチング回路により高周波電圧を印加するのがよい。両ステージ間の電圧の干渉が発生しにくくするための調整がし易くなるからである。なお両ステージの一方は他方の高電圧電源の出力の位相を変化させて他方のステージに印加するようにしてもよい。この場合他方のステージにはマッチング回路を用いる。このようにすれば高周波電源の数が少なくなり、構成が簡単になる。
【００１６】
【実施態様】
図１は、本発明の一実施態様である誘導結合型プラズマを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置の概略構成図である。図２は電極台付近の側断面図、図３はウェーハなどを一部断面した電極台の平断面図である。
【００１７】
この図１において符号１０はチャンバであり、このチャンバ１０はステンレスなどの金属製の垂直な円筒状に作られ、その上端面には誘電体である石英板１２が嵌め込まれている。この石英板１２の上面にはコイル（例えば多重の渦型のコイルからなるマルチスパイラルコイルなど、図示せず）が取付けられ、このコイルにはソース用（放電用）高周波電源１４からマッチング回路１６を介して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が供給される（Ｍｕｌｔｉ Ｓｐｉｒａｌ Ｃｏｉｌ方式）。
【００１８】
チャンバ１０の側壁上部には石英板１２の下方に反応ガス（エッチングガス）を導くガス流入口１８が設けられている。このガス流入口１８からは、エッチングする対象に対応して決めたガス、例えばＣＦ４、ＳＦ６やＡｒなどの成分のガスを、流量制御弁を介して供給する。チャンバ１０の底面の排気口２０は、圧力制御弁２２を介してドライポンプ２４に接続されている。
【００１９】
チャンバ１０内には円板状の電極台２６が配設されている。この電極台２６の上面には、被処理物であるＳｉウェーハ２８と、このウェーハ２８の外周を僅かな間隙をあけて囲むマスクリング３０とが同心に載せられている。
【００２０】
電極台２６は図２，３に示すように、ウェーハ２８と略同径の内側ステージ２６ａと、この内側ステージ２６ａの外周を絶縁材２６ｂを挟んで囲む外側ステージ２６ｃとを有する。外側ステージ２６ｃはマスクリング３０の下方に位置する。マスクリング３０はウェーハ２８と同じ材料（シリコン）で作るのが最も望ましいが、他の材料、例えば石英、アルミナ、セラミックスなどの絶縁材であってもよい。
【００２１】
ウェーハ２８は、図２に示す静電チャック３２で内側ステージ２６ａに保持される。この静電チャック３２は金属薄膜製の電極３２ａの全体をポリイミドなどの絶縁性薄膜３２ｂで被覆したものである。この電極３２ａには直流高電圧が印加され、絶縁性薄膜３２ｂを介してウェーハ２８に誘起される電荷と電極３２ａとの間に発生する主としてクーロン力によってウェーハ２８を吸着するものである。
【００２２】
電極台２６の外側ステージ２６ｃの外周には、絶縁材３４を介して導電性のリング３６が嵌め込まれ、このリング３６がチャンバ１０（図１）の内壁に保持される。
【００２３】
電極台２６にはバイアス用高周波電源装置３８によって高周波電圧が印加される。この高周波電源装置３８は、図２に示すように、内側ステージ２６ａと外側ステージ２６ｃとにそれぞれ接続されたマッチング回路（マッチングボックス、ＭＢ）４０（４０ａ、４０ｂ）および高周波電源４２（４２ａ、４２ｂ）を有する。この結果内側および外側のステージ２６ａ、２６ｃには、それぞれ別々のバイアス電源により電圧が印加される。
【００２４】
次にこの装置の作用を説明する。図１に示すガス導入口１８から反応ガスを供給する一方、放電用高周波電源１４を起動させることによって、石英板１２の下方にプラズマを生成する。このプラズマは、ウェーハ２８の表面に導かれると共にバイアス用高周波電源装置３８により電極台２６に印加される高周波電圧により、ウェーハ２８の表面に方向性をもって導かれウェーハ２８をエッチングする。
【００２５】
ここに高周波電源装置３８は、ウェーハ２８の表面に導かれるプラズマの流れを均一化するように、両高周波電源４２ａ、４２ｂやマッチング回路４０ａ、４０ｂが調整される。このためウェーハ２８の表面のプラズマ処理を、その中央付近から周辺付近まで均一化することが可能になる。
【００２６】
図４は他の実施態様であるバイアス用高周波電源装置３８Ａを示す図である。この実施態様は、１つの高周波電源４２ａの出力をマッチング回路４０ａを介して内側ステージ２６ａに供給する一方、同じ電源４２ａの出力の位相を位相制御回路４４で移相した後マッチング回路４０ｂを介して外側ステージ２６ｃに供給する。
【００２７】
この実施態様によれば、１つの電源４２ａで足りるから電源装置３８Ａの構成が前記図２に示したものよりも簡単になる。また電源装置３８Ａからは両ステージ２６ａ、２６ｃまでの回路のとりまわし方により、両ステージ２６ａ、２６ｃの位相にずれが生じ得る。この位相を位相制御回路４４で揃えることにより、両ステージ２６ａ、２６ｃの電圧の干渉を防ぐことができる。
【００２８】
以上説明した実施態様は電極台２６を内側ステージ２６ａと外側ステージ２６ｃの２つのステージに分けたが、本発明は２以上のステージに分けてもよい。この場合分割した各ステージに別々の高周波電源で電圧を供給してもよいが、一部のステージに共通の電源電圧を印加したり、位相を変化させて印加してもよい。各ステージに印加する高周波電圧を制御することによって、ウェーハ２８の中央部および周縁部に導かれるプラズマを均一化し、ウェーハ２８の広い領域でプラズマ処理を均一に行えるようにすればよい。
【００２９】
【発明の効果】
請求項１〜３の発明によれば、電極台を複数のステージに分けるなどして被処理物とその周囲を囲むマスクリングとに異なる高周波電圧を印加することによって、被処理物に導かれるプラズマを均一化するから、被処理物の周縁付近まで均一な処理を行うことが可能になる。
【００３０】
このため被処理物の中央付近だけでなく周縁付近まで広い領域を利用することができ、被処理物の利用率が上がることになる。またウェーハ上に多数の半導体回路を形成する場合には、ウェーハの周縁付近に形成する回路の信頼性が向上することになるから、製品の歩留まりが向上することになる。
【００３１】
請求項４〜９の発明によれば、この方法の実施に直接使用するプラズマ処理装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様である装置の概略構成図
【図２】同じく電極台付近の断面図
【図３】同じく一部断面した平面図
【図４】他の実施態様である電極台付近の断面図
【図５】従来装置を示す図
【符号の説明】
１０ チャンバ
１２ 石英板
１４ 放電用高周波電源
２６ 電極台
２６ａ 内側ステージ
２６ｂ 絶縁材
２６ｃ 外側ステージ
２８ ウェーハ（被処理材）
３０ マスクリング
３２ 静電チャック
３８，３８Ａ バイアス用高周波電源装置
４０（４０ａ、４０ｂ） マッチング回路
４２（４２ａ、４２ｂ） 高周波電源
４４ 位相制御回路
【産業上の利用分野】
この発明は、ＩＣなどの半導体素子の製造工程でエッチング、アッシング、薄膜形成などの処理を行うために用いるプラズマ処理方法と、装置とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の製造工程で、Ｓｉ（シリコン）ウェーハに施すエッチングや、アッシング（灰化）や、薄膜形成などの処理を、プラズマを用いて行うことがある。このようなプラズマ処理は、例えば反応ガスに高周波電圧を印加することにより反応ガスをプラズマ化し、このプラズマを被処理物であるウェーハに接触させて処理を行うものである。
【０００３】
ここにプラズマ処理を行うチャンバとウェーハとの間に高周波電圧を印加し、処理を行うものがある。エッチング処理については、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ， Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）、ヘリコン波などが知られている。
【０００４】
このようにウェーハに高周波電圧を印加する場合、円形のウェーハを載せる円形の電極台に高周波電圧を印加する。図５はこの電極台付近の側断面図である。この図において符号１はアルミニウムなどの金属製の電極台であり、平面視円形である。この電極台１の上には、円形のＳｉウェーハ２とマスクリング３が同心円上に保持されている。
【０００５】
電極台１の周縁には絶縁材４を挟んでアルミニウムのリング５が嵌められている。このリング５は接地されている。６は高周波電源であり、マッチング回路（整合回路）７を介して電極台１に高周波電圧を印加する。
【０００６】
通常電極台１はウェーハ２よりも大径であるため、電極台１のウェーハ２より外側に露出した部分にプラズマが接触し、この露出した部分の損傷が激しくなる。そこでこの露出部分をマスクリング３で覆うことによって保護するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ウェーハに高周波電圧を印加してプラズマ処理を行う場合は、特にウェーハの周縁付近でのエッチングレートが大きくなり（エッチング速度が速くなり）、ウェーハ全面を均一にプラズマ処理することが困難になることが解った。このためウェーハの周縁付近を製品の製作に利用することができなくなり、ウェーハの利用率が下がることになったり、製品の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００８】
この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、被処理物に高周波電圧を印加しながらプラズマ処理する場合に、被処理物の特に周縁付近におけるプラズマ処理の均一性を向上させ、被処理物の利用率を上げ、製品の歩留まりを向上させることができるプラズマ処理方法を提供することを第１の目的とする。
【０００９】
またこの発明の実施に直接使用するプラズマ処理装置を提供することを第２の目的とする。
【００１０】
【発明の構成】
この発明によれば第１の目的は、チャンバ内に配設された電極台に被処理物を保持し、前記電極台にバイアス用高周波電圧を印加しながらこの被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記電極台に前記被処理物の周囲を囲む絶縁性のマスクリングを保持し、前記被処理物と前記マスクリングとに異なる高周波電圧を印加することによって被処理物に導かれるプラズマを均一化することを特徴とするプラズマ処理方法、により達成される。
【００１１】
被処理物は、たとえば円板状のＳｉウェーハである。マスクリングはこのウェーハを僅かな間隙を介して囲む円環状の単一のリングであってもよいが、同心円で分割された複数のリングで形成してもよい。この場合同心円上に配列された各リングの間に僅かな間隙を設けて各リングにそれぞれ異なる高周波電圧を印加することにより、ウェーハのプラズマ処理の均一性を一層向上させることが可能になる。
【００１２】
ウェーハとマスクリングにはそれぞれ高周波電源およびマッチング回路で形成される異なるバイアス電源によって高周波電圧を印加するのが望ましい。隣接するウェーハとマスクリングとの印加電圧間で干渉が生じにくくするためである。
【００１３】
この発明によれば第２の目的は、チャンバ内に配設された被処理物にバイアス用高周波電圧を印加しながら前記被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記被処理物の周囲を囲む絶縁性のマスクリングと、前記被処理物を保持する内側ステージおよび前記マスクリングを保持する外側ステージを絶縁材を挟んで同心状に一体化した電極台と、前記内側ステージおよび外側ステージに異なる高周波電圧を印加することによって前記被処理物に導かれるプラズマを均一化するバイアス用高周波電源装置と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置、により達成される。
【００１４】
この装置は方向性加工を可能にした反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるプラズマ処理装置に好適である。ウェーハをＳｉ（シリコン）とした場合、マスクリングは石英板、アルミナ板、セラミック板などが使用可能である。しかしマスクリングはウェーハと同じ材料で作るのが最も望ましい。ウェーハと共にこのマスクリングがプラズマ処理されることにより処理ガスに不純物が混入されるのを防ぐことができるからである。
【００１５】
電極台の内側ステージと外側ステージには、別々の高周波電源およびマッチング回路により高周波電圧を印加するのがよい。両ステージ間の電圧の干渉が発生しにくくするための調整がし易くなるからである。なお両ステージの一方は他方の高電圧電源の出力の位相を変化させて他方のステージに印加するようにしてもよい。この場合他方のステージにはマッチング回路を用いる。このようにすれば高周波電源の数が少なくなり、構成が簡単になる。
【００１６】
【実施態様】
図１は、本発明の一実施態様である誘導結合型プラズマを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置の概略構成図である。図２は電極台付近の側断面図、図３はウェーハなどを一部断面した電極台の平断面図である。
【００１７】
この図１において符号１０はチャンバであり、このチャンバ１０はステンレスなどの金属製の垂直な円筒状に作られ、その上端面には誘電体である石英板１２が嵌め込まれている。この石英板１２の上面にはコイル（例えば多重の渦型のコイルからなるマルチスパイラルコイルなど、図示せず）が取付けられ、このコイルにはソース用（放電用）高周波電源１４からマッチング回路１６を介して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が供給される（Ｍｕｌｔｉ Ｓｐｉｒａｌ Ｃｏｉｌ方式）。
【００１８】
チャンバ１０の側壁上部には石英板１２の下方に反応ガス（エッチングガス）を導くガス流入口１８が設けられている。このガス流入口１８からは、エッチングする対象に対応して決めたガス、例えばＣＦ４、ＳＦ６やＡｒなどの成分のガスを、流量制御弁を介して供給する。チャンバ１０の底面の排気口２０は、圧力制御弁２２を介してドライポンプ２４に接続されている。
【００１９】
チャンバ１０内には円板状の電極台２６が配設されている。この電極台２６の上面には、被処理物であるＳｉウェーハ２８と、このウェーハ２８の外周を僅かな間隙をあけて囲むマスクリング３０とが同心に載せられている。
【００２０】
電極台２６は図２，３に示すように、ウェーハ２８と略同径の内側ステージ２６ａと、この内側ステージ２６ａの外周を絶縁材２６ｂを挟んで囲む外側ステージ２６ｃとを有する。外側ステージ２６ｃはマスクリング３０の下方に位置する。マスクリング３０はウェーハ２８と同じ材料（シリコン）で作るのが最も望ましいが、他の材料、例えば石英、アルミナ、セラミックスなどの絶縁材であってもよい。
【００２１】
ウェーハ２８は、図２に示す静電チャック３２で内側ステージ２６ａに保持される。この静電チャック３２は金属薄膜製の電極３２ａの全体をポリイミドなどの絶縁性薄膜３２ｂで被覆したものである。この電極３２ａには直流高電圧が印加され、絶縁性薄膜３２ｂを介してウェーハ２８に誘起される電荷と電極３２ａとの間に発生する主としてクーロン力によってウェーハ２８を吸着するものである。
【００２２】
電極台２６の外側ステージ２６ｃの外周には、絶縁材３４を介して導電性のリング３６が嵌め込まれ、このリング３６がチャンバ１０（図１）の内壁に保持される。
【００２３】
電極台２６にはバイアス用高周波電源装置３８によって高周波電圧が印加される。この高周波電源装置３８は、図２に示すように、内側ステージ２６ａと外側ステージ２６ｃとにそれぞれ接続されたマッチング回路（マッチングボックス、ＭＢ）４０（４０ａ、４０ｂ）および高周波電源４２（４２ａ、４２ｂ）を有する。この結果内側および外側のステージ２６ａ、２６ｃには、それぞれ別々のバイアス電源により電圧が印加される。
【００２４】
次にこの装置の作用を説明する。図１に示すガス導入口１８から反応ガスを供給する一方、放電用高周波電源１４を起動させることによって、石英板１２の下方にプラズマを生成する。このプラズマは、ウェーハ２８の表面に導かれると共にバイアス用高周波電源装置３８により電極台２６に印加される高周波電圧により、ウェーハ２８の表面に方向性をもって導かれウェーハ２８をエッチングする。
【００２５】
ここに高周波電源装置３８は、ウェーハ２８の表面に導かれるプラズマの流れを均一化するように、両高周波電源４２ａ、４２ｂやマッチング回路４０ａ、４０ｂが調整される。このためウェーハ２８の表面のプラズマ処理を、その中央付近から周辺付近まで均一化することが可能になる。
【００２６】
図４は他の実施態様であるバイアス用高周波電源装置３８Ａを示す図である。この実施態様は、１つの高周波電源４２ａの出力をマッチング回路４０ａを介して内側ステージ２６ａに供給する一方、同じ電源４２ａの出力の位相を位相制御回路４４で移相した後マッチング回路４０ｂを介して外側ステージ２６ｃに供給する。
【００２７】
この実施態様によれば、１つの電源４２ａで足りるから電源装置３８Ａの構成が前記図２に示したものよりも簡単になる。また電源装置３８Ａからは両ステージ２６ａ、２６ｃまでの回路のとりまわし方により、両ステージ２６ａ、２６ｃの位相にずれが生じ得る。この位相を位相制御回路４４で揃えることにより、両ステージ２６ａ、２６ｃの電圧の干渉を防ぐことができる。
【００２８】
以上説明した実施態様は電極台２６を内側ステージ２６ａと外側ステージ２６ｃの２つのステージに分けたが、本発明は２以上のステージに分けてもよい。この場合分割した各ステージに別々の高周波電源で電圧を供給してもよいが、一部のステージに共通の電源電圧を印加したり、位相を変化させて印加してもよい。各ステージに印加する高周波電圧を制御することによって、ウェーハ２８の中央部および周縁部に導かれるプラズマを均一化し、ウェーハ２８の広い領域でプラズマ処理を均一に行えるようにすればよい。
【００２９】
【発明の効果】
請求項１〜３の発明によれば、電極台を複数のステージに分けるなどして被処理物とその周囲を囲むマスクリングとに異なる高周波電圧を印加することによって、被処理物に導かれるプラズマを均一化するから、被処理物の周縁付近まで均一な処理を行うことが可能になる。
【００３０】
このため被処理物の中央付近だけでなく周縁付近まで広い領域を利用することができ、被処理物の利用率が上がることになる。またウェーハ上に多数の半導体回路を形成する場合には、ウェーハの周縁付近に形成する回路の信頼性が向上することになるから、製品の歩留まりが向上することになる。
【００３１】
請求項４〜９の発明によれば、この方法の実施に直接使用するプラズマ処理装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様である装置の概略構成図
【図２】同じく電極台付近の断面図
【図３】同じく一部断面した平面図
【図４】他の実施態様である電極台付近の断面図
【図５】従来装置を示す図
【符号の説明】
１０ チャンバ
１２ 石英板
１４ 放電用高周波電源
２６ 電極台
２６ａ 内側ステージ
２６ｂ 絶縁材
２６ｃ 外側ステージ
２８ ウェーハ（被処理材）
３０ マスクリング
３２ 静電チャック
３８，３８Ａ バイアス用高周波電源装置
４０（４０ａ、４０ｂ） マッチング回路
４２（４２ａ、４２ｂ） 高周波電源
４４ 位相制御回路
Claims (9)
- チャンバ内に配設された電極台に被処理物を保持し、前記電極台にバイアス用高周波電圧を印加しながらこの被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、
前記電極台に前記被処理物の周囲を囲む絶縁性のマスクリングを保持し、前記被処理物と前記マスクリングとに異なる高周波電圧を印加することによって被処理物に導かれるプラズマを均一化することを特徴とするプラズマ処理方法。 - マスクリングは同心円で分割された複数のリングで形成され、各リングに異なる高周波電圧が印加される請求項１のプラズマ処理方法。
- 被処理物とマスクリングには、それぞれ高周波電源およびマッチング回路で形成される異なるバイアス電源によって高周波電圧が印加される請求項１または２のプラズマ処理方法。
- チャンバ内に配設された被処理物にバイアス用高周波電圧を印加しながら前記被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記被処理物の周囲を囲む絶縁性のマスクリングと、前記被処理物を保持する内側ステージおよび前記マスクリングを保持する外側ステージを絶縁材を挟んで同心状に一体化した電極台と、前記内側ステージおよび外側ステージに異なる高周波電圧を印加することによって前記被処理物に導かれるプラズマを均一化するバイアス用高周波電源装置と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマ処理装置は反応性イオンエッチングを行う請求項４のプラズマ処理装置。
- 被処理物はシリコンウェーハであり、マスクリングは石英板、アルミナ板、セラミックス板のいずれかである請求項４のプラズマ処理装置。
- マスクリングは被処理物と同じ材質で作られている請求項４のプラズマ処理装置。
- 高周波電源装置は、電極台の内側ステージおよび外側ステージに別々に高周波電圧を印加する複数の高周波電源および複数のマッチング回路を備える請求項４〜７のいずれかのプラズマ処理装置。
- 高周波電源装置は、内側ステージおよび外側ステージの一方に高周波電圧を印加する高周波電源およびマッチング回路と、前記高周波電源の出力を移相して前記内側ステージおよび外側ステージの他方に印加する位相制御回路およびマッチング回路とを備える請求項４〜６のいずれかのプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002175955A JP2004022822A (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | プラズマ処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002175955A JP2004022822A (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | プラズマ処理方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004022822A true JP2004022822A (ja) | 2004-01-22 |
Family
ID=31174460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002175955A Pending JP2004022822A (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | プラズマ処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004022822A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260011A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置およびウエハ処理方法 |
| JP2007048826A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 載置台およびプラズマ処理装置 |
| JP2008177194A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| WO2010011521A2 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Applied Materials, Inc. | Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring |
| JP2010532099A (ja) * | 2007-06-28 | 2010-09-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 基材処理のための方法および装置 |
| US8734664B2 (en) | 2008-07-23 | 2014-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method of differential counter electrode tuning in an RF plasma reactor |
| KR20170008138A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-23 | 램 리써치 코포레이션 | 에지-국부화된 이온 궤적 제어 및 플라즈마 동작을 통한 선단 에지 시스 및 웨이퍼 프로파일 튜닝 |
| JP2017120847A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| KR20180084647A (ko) * | 2017-01-17 | 2018-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| CN109524288A (zh) * | 2017-09-20 | 2019-03-26 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| KR20190092219A (ko) | 2018-01-30 | 2019-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
| JP2020004780A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| CN110828274A (zh) * | 2018-08-10 | 2020-02-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下电极装置及反应腔室 |
| JP2022188063A (ja) * | 2018-07-27 | 2022-12-20 | イーグル ハーバー テクノロジーズ，インク． | 空間変動型ウェハバイアス電力システム |
| US11561089B2 (en) | 2019-07-04 | 2023-01-24 | Hitachi High-Tech Corporation | Three-dimensional shape detection apparatus, three-dimensional shape detection method and plasma processing apparatus |
-
2002
- 2002-06-17 JP JP2002175955A patent/JP2004022822A/ja active Pending
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260011A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置およびウエハ処理方法 |
| JP2007048826A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 載置台およびプラズマ処理装置 |
| JP4675182B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2011-04-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 載置台およびプラズマ処理装置 |
| JP2008177194A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP2010532099A (ja) * | 2007-06-28 | 2010-09-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 基材処理のための方法および装置 |
| WO2010011521A2 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Applied Materials, Inc. | Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring |
| WO2010011521A3 (en) * | 2008-07-23 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring |
| JP2011529273A (ja) * | 2008-07-23 | 2011-12-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセスキットリングへの制御されたｒｆ電力配分を有するプラズマリアクタ用ワークピースサポート |
| US8734664B2 (en) | 2008-07-23 | 2014-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method of differential counter electrode tuning in an RF plasma reactor |
| KR101481377B1 (ko) | 2008-07-23 | 2015-01-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 키트 링으로의 ｒｆ 전력의 할당이 제어되는 플라즈마 반응기를 위한 워크피스 지지체 |
| TWI494028B (zh) * | 2008-07-23 | 2015-07-21 | Applied Materials Inc | 具有可控制分配ｒｆ功率至製程套組環之電漿反應器的工件支撐件 |
| KR102570642B1 (ko) * | 2015-07-13 | 2023-08-23 | 램 리써치 코포레이션 | 에지-국부화된 이온 궤적 제어 및 플라즈마 동작을 통한 선단 에지 시스 및 웨이퍼 프로파일 튜닝 |
| JP7177200B2 (ja) | 2015-07-13 | 2022-11-22 | ラム リサーチ コーポレーション | エッジに限局されたイオン軌道制御及びプラズマ動作を通じた、最端エッジにおけるシース及びウエハのプロフィール調整 |
| TWI753436B (zh) * | 2015-07-13 | 2022-01-21 | 美商蘭姆研究公司 | 透過邊緣局部的離子軌跡控制與電漿操作之極限邊緣鞘及晶圓輪廓調整 |
| JP2021100141A (ja) * | 2015-07-13 | 2021-07-01 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | エッジに限局されたイオン軌道制御及びプラズマ動作を通じた、最端エッジにおけるシース及びウエハのプロフィール調整 |
| JP2017055100A (ja) * | 2015-07-13 | 2017-03-16 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | エッジに限局されたイオン軌道制御及びプラズマ動作を通じた、最端エッジにおけるシース及びウエハのプロフィール調整 |
| TWI810752B (zh) * | 2015-07-13 | 2023-08-01 | 美商蘭姆研究公司 | 透過邊緣局部的離子軌跡控制與電漿操作之極限邊緣鞘及晶圓輪廓調整 |
| KR20170008138A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-23 | 램 리써치 코포레이션 | 에지-국부화된 이온 궤적 제어 및 플라즈마 동작을 통한 선단 에지 시스 및 웨이퍼 프로파일 튜닝 |
| JP2017120847A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP2018117024A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR102430205B1 (ko) * | 2017-01-17 | 2022-08-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| KR20180084647A (ko) * | 2017-01-17 | 2018-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| TWI778005B (zh) * | 2017-01-17 | 2022-09-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
| KR102594442B1 (ko) * | 2017-01-17 | 2023-10-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| KR20220112235A (ko) * | 2017-01-17 | 2022-08-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| KR20190032981A (ko) | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| CN109524288A (zh) * | 2017-09-20 | 2019-03-26 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| US10699884B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-06-30 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2019057547A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| CN109524288B (zh) * | 2017-09-20 | 2021-01-05 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| US11094512B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-08-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2019134021A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP6997642B2 (ja) | 2018-01-30 | 2022-01-17 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US10755897B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-08-25 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR20190092219A (ko) | 2018-01-30 | 2019-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
| JP7101546B2 (ja) | 2018-06-26 | 2022-07-15 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2020004780A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2022188063A (ja) * | 2018-07-27 | 2022-12-20 | イーグル ハーバー テクノロジーズ，インク． | 空間変動型ウェハバイアス電力システム |
| CN110828274B (zh) * | 2018-08-10 | 2022-06-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下电极装置及反应腔室 |
| CN110828274A (zh) * | 2018-08-10 | 2020-02-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下电极装置及反应腔室 |
| US11561089B2 (en) | 2019-07-04 | 2023-01-24 | Hitachi High-Tech Corporation | Three-dimensional shape detection apparatus, three-dimensional shape detection method and plasma processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5294626B2 (ja) | 半導体基板処理チャンバ内のガス流を制御するための装置 | |
| JP5215875B2 (ja) | プラズマエッチングチャンバのための統合型の容量および誘導電源 | |
| JP5470421B2 (ja) | プラズマ処理チャンバ | |
| EP1446825B1 (en) | Apparatus and method for improving etch rate uniformity | |
| TWI524820B (zh) | Plasma processing device | |
| JP5219479B2 (ja) | 弾道電子ビーム促進プラズマ処理システムにおける均一性制御方法及びシステム | |
| CN100345257C (zh) | 等离子体处理装置 | |
| US7767055B2 (en) | Capacitive coupling plasma processing apparatus | |
| JP2004022822A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| US8343309B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20030074833A (ko) | 반도체 처리용 포커스링 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2011035266A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| CN111261511B (zh) | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | |
| KR100781474B1 (ko) | 산화막 에칭 방법 | |
| TWI591684B (zh) | 使用分布型非同心狀多區域電漿源的處理腔室、電漿產生方法及電漿處理系統 | |
| KR20190002326A (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 | |
| KR20050011349A (ko) | 바이어스 제어 장치 | |
| JP5264238B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TWI759348B (zh) | 被處理體之處理方法 | |
| KR102358480B1 (ko) | 대면적 건식 식각처리 장치 | |
| JP2006114933A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| JP2003309107A (ja) | 積層膜のエッチング方法 | |
| KR100404723B1 (ko) | 낮은 종횡비를 갖는 유도결합형 플라즈마 발생장치 | |
| WO2022259793A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000299306A (ja) | 誘導結合型プラズマエッチング装置 |