JP5264238B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
12 サセプタ(下部電極)
12A サセプタ中心電極(下部中心電極)
12B サセプタ周辺電極(下部周辺電極)
15 フォーカスリング
26 排気装置
32 中心給電棒(中心給電導体)
34 第1高周波電源
36 第2高周波電源
54 上部電極
64 処理ガス供給部
70 下部2周波給電機構
72 下部周辺給電導体
72a 周辺円筒部
72b 周辺ラジアル部
74 可動給電導体
74a 中心円筒部
74b 中心ラジアル部
78,80,82 誘電膜
86 高周波バイパス路
Claims (12)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する下部中心電極と、
前記下部中心電極から電気的に絶縁して前記下部中心電極の外周を環状に囲む下部周辺電極と、
前記下部中心電極および前記下部周辺電極と対向してその上方に配置される上部電極と、
前記下部中心電極および前記下部周辺電極と前記上部電極との間の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理ガスのプラズマを生成するための第1高周波を出力する第1高周波電源と、
主として前記プラズマ中のイオンを前記被処理基板に引き込むための第2高周波を出力する第2高周波電源と、
前記第1高周波電源からの前記第1高周波および前記第2高周波電源からの前記第2高周波を前記下部中心電極に供給するために前記下部中心電極の背面に接続される中心給電導体と、
前記第1高周波電源からの前記第1高周波の一部をバイパスして前記下部周辺電極に供給するために前記下部周辺電極の背面に接続される周辺給電導体と、
一定範囲内で移動可能であり、前記第1高周波電源からの前記第1高周波に対して、前記中心給電導体と前記周辺給電導体とを容量結合で電気的に接続可能とする可動給電導体と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記可動給電導体の位置に応じて、前記中心給電導体と前記周辺給電導体との間の容量結合のインピーダンスを可変制御できる、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可動給電導体は、前記中心給電導体と前記周辺給電導体とを電気的に分離する位置まで移動可能である、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中心給電導体は円筒または円柱の形体を有し、
前記可動給電導体は、前記中心給電導体の外周を環状に囲む中心円筒部と、前記中心円筒部から前記周辺給電導体と容量結合で電気的に接続可能な位置まで半径方向外側に延びる中心ラジアル部とを有する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記周辺給電導体が、前記下部周辺電極から下方に延びる周辺円筒部と、前記周辺円筒部から前記可動給電導体と容量結合で電気的に接続可能な位置まで半径方向内側に延びる周辺ラジアル部とを有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可動給電導体は、前記中心給電導体に沿って軸方向に移動可能である、請求項4または請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可動給電導体は、前記中心給電導体を回転中心軸としてその回りに回転可能である、請求項4〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中心給電導体の外周面と前記可動給電導体の中心円筒部の内周面との間に一定サイズの隙間を設ける、請求項4〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記隙間を実質的に塞ぐ絶縁体を有する、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部周辺電極の上にフォーカスリングを設ける、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部中心電極および前記下部周辺電極の上にフォーカスリングが載る、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器内で高周波放電により処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器内の所定位置に配置された被処理基板に前記プラズマの下で所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
高周波電源より放電用の高周波を印加される高周波電極を構成する半径方向で2分割された中心電極および周辺電極と、
前記高周波電源からの前記高周波を所望の比率で前記中心電極および前記周辺電極に分配して供給するために前記中心電極および前記周辺電極の背面にそれぞれ接続される中心給電導体および周辺給電導体と、
一定範囲内で移動可能であり、前記高周波電源からの前記高周波に対して、前記中心給電導体と前記周辺給電導体とを容量結合で電気的に接続可能とする可動給電導体と
を有するプラズマ処理装置。
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