JP5204673B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5204673B2 JP5204673B2 JP2009006000A JP2009006000A JP5204673B2 JP 5204673 B2 JP5204673 B2 JP 5204673B2 JP 2009006000 A JP2009006000 A JP 2009006000A JP 2009006000 A JP2009006000 A JP 2009006000A JP 5204673 B2 JP5204673 B2 JP 5204673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- annular member
- conductor
- movable
- focus ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
Description
前記処理室の外部に設けられ、前記円環状部材に接する第1の中間導電体を、前記給電体と電気的に接続又は非接続とすることで、高周波のパスを切り替え、前記処理室で発生するプラズマの分布を制御することを特徴とするプラズマ分布の制御方法である。
2 サセプタ(RF電極)
3 静電チャック(ESC)
4 内部電極
5 フォーカスリング
5a 外側フォーカスリング
5b 内側フォーカスリング
6 排気路
7 排気管
8 排気装置
9 ウエハの搬入出口
10 ゲートバルブ
11 押さえ部材
12a 第1高周波電源
12b 第2高周波電源
13 マッチングユニット
14 給電体
15 可動機構
16 中間導電体
17 可動導電体
18 筒状支持部の外壁(中間導電体)
19 可動導電体
20 上部電極
21 電極板
22 ガス噴出孔
23 ガス導入管
24 マルチコンタクト
26 排気ポート
27 電極支持体
28 ガス室
28a ガス導入口
29 処理ガス供給部
30 可動給電機構
Claims (14)
- 内部が真空に保持可能な処理室と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記処理室の外部に設けられ、前記円環状部材に接する第1の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第1の可動導電体を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記処理室を構成し、前記円環状部材に接し、接地電位に保持された第2の中間導電体と、前記第1の中間導電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第2の可動導電体を備えたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体と前記第2の可動導電体とが、前記給電体に沿って軸方向に移動可能であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体と前記第2の可動導電体とが、絶縁部材により電気的に分離された一体構造であることを特徴とする請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体と前記第2の可動導電体とを一体として可動せしめる可動機構を備えたことを特徴とする請求項2から4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体、及び/又は前記第2の可動導電体が、多点接触手段を備えていることを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向内側の円環状部材が2分割型のフォーカスリングであることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向外側の円環状部材がフォーカスリングの押さえ部材であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 内部が真空に保持可能な処理室と、該処理室に配されて基板を載置する載置台と、前記基板の周縁を囲むように配された円環状部材と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマを用いて、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置におけるプラズマ分布の制御方法であって、
前記処理室の外部に設けられ、前記円環状部材に接する第1の中間導電体を、前記給電体と電気的に接続又は非接続とすることで、高周波のパスを切り替え、前記処理室で発生するプラズマの分布を制御することを特徴とするプラズマ分布の制御方法。 - 前記処理室を構成し、前記円環状部材に接し、接地電位に保持された第2の中間導電体と、前記第1の中間導電体とを、電気的に接続又は非接続可能とすることにより高周波のパスを切り替え、前記処理室で発生するプラズマの分布を制御することを特徴とする請求項9に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向内側の円環状部材が2分割型のフォーカスリングであることを特徴とする請求項9又は10に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向外側の円環状部材がフォーカスリングの押さえ部材であることを特徴とする請求項9又は10に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記第1の中間導電体を接地電位に保持することにより、前記2分割型のフォーカスリングの経方向外側のフォーカスリングを加熱することを特徴とする請求項11に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記フォーカスリングの押さえ部材の一端を給電電位とし、他端を接地電位とすることにより、前記フォーカスリングの押さえ部材を加熱することを特徴とする請求項12に記載のプラズマ分布の制御方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009006000A JP5204673B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 |
US12/686,630 US8377255B2 (en) | 2009-01-14 | 2010-01-13 | Plasma processing apparatus and method of controlling distribution of a plasma therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009006000A JP5204673B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010165798A JP2010165798A (ja) | 2010-07-29 |
JP5204673B2 true JP5204673B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=42318303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009006000A Expired - Fee Related JP5204673B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8377255B2 (ja) |
JP (1) | JP5204673B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004095529A2 (en) * | 2003-03-21 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing |
US9171702B2 (en) * | 2010-06-30 | 2015-10-27 | Lam Research Corporation | Consumable isolation ring for movable substrate support assembly of a plasma processing chamber |
JP5654297B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2015-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5759718B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5690596B2 (ja) | 2011-01-07 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び該フォーカスリングを備える基板処理装置 |
JP5710318B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101926571B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2018-12-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 유도성 커플링된 플라즈마(icp) 반응기를 위한 동적인 이온 라디칼 시브 및 이온 라디칼 개구 |
US8847495B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-09-30 | Lam Research Corporation | Movable grounding arrangements in a plasma processing chamber and methods therefor |
US8911588B2 (en) * | 2012-03-19 | 2014-12-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for selectively modifying RF current paths in a plasma processing system |
US9287147B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with advanced edge control provisions |
JP2015053384A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US20150083042A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Applied Materials, Inc. | Rotatable substrate support having radio frequency applicator |
JP6396822B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2018-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法 |
KR20170127724A (ko) * | 2016-05-12 | 2017-11-22 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
JP7115942B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4454718B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2010-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびそれに用いられる電極 |
JP4472372B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2010-06-02 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
JP2006319043A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP4800044B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2011-10-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置および処理方法 |
US7967930B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
JP5264238B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5294669B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2009
- 2009-01-14 JP JP2009006000A patent/JP5204673B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-13 US US12/686,630 patent/US8377255B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010165798A (ja) | 2010-07-29 |
US20100176086A1 (en) | 2010-07-15 |
US8377255B2 (en) | 2013-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5204673B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 | |
KR101124811B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP4704088B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20080236492A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP5064707B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5348848B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20090126634A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2010278166A (ja) | プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置 | |
US8317969B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20180122295A (ko) | 수동 방식으로 동작되는 경우에 접지에 대한 제어가능한 임피던스를 가능하게 하고 능동적으로 전력공급되는 경우에 플라즈마로의 대칭적인 rf 전력 입력을 가능하게 하는 대칭적인 피드 구조 및 드라이브를 갖는 보조 전극을 사용하여 플라즈마 프로세싱 챔버에서 웨이퍼 에지 시스를 조절하기 위한 방법 | |
KR20170140926A (ko) | 정전척 어셈블리 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 | |
JP2019149422A (ja) | プラズマ処理装置及び載置台の製造方法 | |
CN110880443A (zh) | 等离子处理装置 | |
TW202130226A (zh) | 載置台及電漿處理裝置 | |
JP2023033282A (ja) | 基板支持体及び基板処理装置 | |
US8034213B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP2011018684A (ja) | プラズマ処理用基板載置台、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 | |
US20210098239A1 (en) | Substrate support and plasma processing apparatus | |
US20190043698A1 (en) | Electrostatic shield for substrate support | |
JP2001085415A (ja) | 基板の改良されたプラズマ処理のための装置および方法 | |
JP7333712B2 (ja) | 静電チャック、支持台及びプラズマ処理装置 | |
JP5264238B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5650281B2 (ja) | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 | |
KR20080060834A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
US20210159057A1 (en) | Substrate support and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120827 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5204673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |