JP2010165798A - プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第1の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第1の可動導電体を有している。
【選択図】図1
Description
2 サセプタ(RF電極)
3 静電チャック(ESC)
4 内部電極
5 フォーカスリング
5a 外側フォーカスリング
5b 内側フォーカスリング
6 排気路
7 排気管
8 排気装置
9 ウエハの搬入出口
10 ゲートバルブ
11 押さえ部材
12a 第1高周波電源
12b 第2高周波電源
13 マッチングユニット
14 給電体
15 可動機構
16 中間導電体
17 可動導電体
18 筒状支持部の外壁(中間導電体)
19 可動導電体
20 上部電極
21 電極板
22 ガス噴出孔
23 ガス導入管
24 マルチコンタクト
26 排気ポート
27 電極支持体
28 ガス室
28a ガス導入口
29 処理ガス供給部
30 可動給電機構
Claims (16)
- 内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第1の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第1の可動導電体を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記円環状部材の他端を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在し接地電位に保持された第2の中間導電体と、前記第1の中間導電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第2の可動導電体を備えたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体と前記第2の可動導電体とが、前記処理室外にあって前記処理容器内に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体と前記第2の可動導電体とが、前記給電体に沿って軸方向に移動可能であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体と前記第2の可動導電体とが、絶縁部材により電気的に分離された一体構造であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体と前記第2の可動導電体とを一体として可動せしめる可動機構を備えたことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の可動導電体、及び/又は前記第2の可動導電体が、多点接触手段を備えていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向内側の円環状部材が2分割型のフォーカスリングであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向外側の円環状部材がフォーカスリングの押さえ部材であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室に配されて基板を載置する載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマを用いて、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置におけるプラズマ分布の制御方法であって、
前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第1の中間導電体を、前記処理室外にあって前記処理容器内に設けた第1の可動導電体により、前記給電体と電気的に接続又は非接続とし、高周波のパスを切り替え、前記処理室で発生するプラズマの分布を制御することを特徴とするプラズマ分布の制御方法。 - 前記円環状部材の他端を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在し接地電位に保持された第2の中間導電体と、前記第1の中間導電体とを、前記処理室外にあって前記処理容器内に設けた第2の可動導電体により電気的に接続又は非接続可能とすることにより高周波のパスを切り替え、前記処理室で発生するプラズマの分布を制御することを特徴とする請求項10に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向内側の円環状部材が2分割型のフォーカスリングであることを特徴とする請求項10又は11に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記円環状部材が2つの部材からなり、前記円環状部材の中間から径方向外側の円環状部材がフォーカスリングの押さえ部材であることを特徴とする請求項10又は11に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記第1の中間導電体を接地電位に保持することにより、前記2分割型のフォーカスリングの径方向外側のフォーカスリングを加熱することを特徴とする請求項12に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記フォーカスリングの押さえ部材の一端を給電電位とし、他端を接地電位とすることにより、前記フォーカスリングの押さえ部材を加熱することを特徴とする請求項13に記載のプラズマ分布の制御方法。
- 前記第1の可動導電体及び/又は前記第2の可動導電体が、多点接触手段により電気的に接続することを特徴とする請求項10から15のいずれかに記載のプラズマ分布の制御方法。
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