JP2009231687A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009231687A JP2009231687A JP2008077402A JP2008077402A JP2009231687A JP 2009231687 A JP2009231687 A JP 2009231687A JP 2008077402 A JP2008077402 A JP 2008077402A JP 2008077402 A JP2008077402 A JP 2008077402A JP 2009231687 A JP2009231687 A JP 2009231687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- power supply
- peripheral
- conductor
- central
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 124
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 120
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】このプラズマエッチング装置は、第1高周波電源34からの第1高周波(たとえば60MHz)をサセプタ中心電極12Aおよびサセプタ周辺電極12Bに所望の比率で分配供給し、第2高周波電源36からの第2高周波(たとえば2MHz)を主としてサセプタ中心電極12Aのみに供給するための下部2周波給電機構7を備えている。この下部2周波給電機構70は、中心給電棒32と、下部周辺給電導体72と、可動給電導体74と、この可動給電導体74を昇降移動させるアクチエータ76とを有している。
【選択図】 図1
Description
12 サセプタ(下部電極)
12A サセプタ中心電極(下部中心電極)
12B サセプタ周辺電極(下部周辺電極)
15 フォーカスリング
26 排気装置
32 中心給電棒(中心給電導体)
34 第1高周波電源
36 第2高周波電源
54 上部電極
64 処理ガス供給部
70 下部2周波給電機構
72 下部周辺給電導体
72a 周辺円筒部
72b 周辺ラジアル部
74 可動給電導体
74a 中心円筒部
74b 中心ラジアル部
78,80,82 誘電膜
86 高周波バイパス路
Claims (12)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する下部中心電極と、
前記下部中心電極から電気的に絶縁して前記下部中心電極の外周を環状に囲む下部周辺電極と、
前記下部中心電極および前記下部周辺電極と対向してその上方に配置される上部電極と、
前記下部中心電極および前記下部周辺電極と前記上部電極との間の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理ガスのプラズマを生成するための第1高周波を出力する第1高周波電源と、
主として前記プラズマ中のイオンを前記被処理体に引き込むための第2高周波を出力する第2高周波電源と、
前記第1高周波電源からの前記第1高周波および前記第2高周波電源からの前記第2高周波を前記下部中心電極に供給するために前記下部中心電極の背面に接続される中心給電導体と、
前記第1高周波電源からの前記第1高周波の一部をバイパスして前記下部周辺電極に供給するために前記下部周辺電極の背面に接続される周辺給電導体と、
一定範囲内で移動可能であり、前記第1高周波電源からの前記第1高周波に対して、前記中心給電導体と前記周辺給電導体とを容量結合で電気的に接続可能とする可動給電導体と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記可動給電導体の位置に応じて、前記中心給電導体と前記周辺給電導体との間の容量結合のインピーダンスを可変制御できる請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可動給電導体は、前記中心給電導体と前記周辺給電導体とを電気的に分離する位置まで移動可能である請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中心給電導体は円筒または円柱の形体を有し、
前記可動給電導体は、前記中心給電導体の外周を環状に囲む中心円筒部と、前記中心円筒部から前記周辺給電導体と容量結合で電気的に接続可能な位置まで半径方向外側に延びる中心ラジアル部とを有する請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記周辺給電導体が、前記下部周辺電極から下方に延びる周辺円筒部と、前記周辺円筒部から前記可動給電導体と容量結合で電気的に接続可能な位置まで半径方向内側に延びる周辺ラジアル部とを有する請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可動給電導体は、前記中心給電導体に沿って軸方向に移動可能である請求項4または請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可動給電導体は、前記中心給電導体を回転中心軸としてその回りに回転可能である請求項4〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中心給電導体の外周面と前記可動給電導体の中心円筒部の内周面との間に一定サイズの隙間を設ける請求項4〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記隙間を実質的に塞ぐ絶縁体を有する請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部周辺電極の上にフォーカスリングを設ける請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部中心電極および前記下部周辺電極の上にフォーカスリングが載る請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器内で高周波放電により処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器内の所定位置に配置された被処理基板に前記プラズマの下で所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
高周波電源より放電用の高周波を印加される高周波電極を構成する半径方向で2分割された中心電極および周辺電極と、
前記高周波電源からの前記高周波を所望の比率で前記中心電極および前記周辺電極に分配して供給するために前記中心電極および前記周辺電極の背面にそれぞれ接続される中心給電導体および周辺給電導体と、
一定範囲内で移動可能であり、前記高周波電源からの前記高周波に対して、前記中心給電導体と前記周辺給電導体とを容量結合で電気的に接続可能とする可動給電導体と
を有するプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008077402A JP5264238B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | プラズマ処理装置 |
US12/410,809 US8317969B2 (en) | 2008-03-25 | 2009-03-25 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008077402A JP5264238B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231687A true JP2009231687A (ja) | 2009-10-08 |
JP5264238B2 JP5264238B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=41246733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008077402A Active JP5264238B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5264238B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165798A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 |
JP2017512910A (ja) * | 2014-04-09 | 2017-05-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高周波(rf)および直流(dc)エネルギーを1つまたは複数の共通電極に結合させるためのキャパシタアセンブリ |
US9741546B2 (en) | 2011-10-05 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
WO2023223736A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002217171A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Sony Corp | エッチング装置 |
JP2004363552A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-12-24 | Okutekku:Kk | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板及び電極板製造方法 |
JP2005175503A (ja) * | 1999-04-28 | 2005-06-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2005223367A (ja) * | 1998-06-24 | 2005-08-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2006286813A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2007005491A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
JP2007523470A (ja) * | 2003-12-16 | 2007-08-16 | ラム リサーチ コーポレーション | 均一性制御のための分割高周波電極装置および方法 |
-
2008
- 2008-03-25 JP JP2008077402A patent/JP5264238B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223367A (ja) * | 1998-06-24 | 2005-08-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2005175503A (ja) * | 1999-04-28 | 2005-06-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2002217171A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Sony Corp | エッチング装置 |
JP2004363552A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-12-24 | Okutekku:Kk | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板及び電極板製造方法 |
JP2007523470A (ja) * | 2003-12-16 | 2007-08-16 | ラム リサーチ コーポレーション | 均一性制御のための分割高周波電極装置および方法 |
JP2006286813A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2007005491A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165798A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 |
US9741546B2 (en) | 2011-10-05 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
US10453656B2 (en) | 2011-10-05 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
US10535502B2 (en) | 2011-10-05 | 2020-01-14 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
US10546728B2 (en) | 2011-10-05 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
US10580620B2 (en) | 2011-10-05 | 2020-03-03 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
US10615006B2 (en) | 2011-10-05 | 2020-04-07 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
US11315760B2 (en) | 2011-10-05 | 2022-04-26 | Applied Materials, Inc. | Symmetric plasma process chamber |
JP2017512910A (ja) * | 2014-04-09 | 2017-05-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高周波(rf)および直流(dc)エネルギーを1つまたは複数の共通電極に結合させるためのキャパシタアセンブリ |
CN109712809A (zh) * | 2014-04-09 | 2019-05-03 | 应用材料公司 | 用于将射频(rf)与直流(dc)能量耦合至一或多个公共电极的电容组件 |
CN109712809B (zh) * | 2014-04-09 | 2021-04-27 | 应用材料公司 | 用于将射频(rf)与直流(dc)能量耦合至一或多个公共电极的电容组件 |
WO2023223736A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5264238B2 (ja) | 2013-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5294669B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US8317969B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP5496568B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5264231B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5348848B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5064707B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2009123934A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US8377255B2 (en) | Plasma processing apparatus and method of controlling distribution of a plasma therein | |
US8261691B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2018110216A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW201119524A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US7153387B1 (en) | Plasma processing apparatus and method of plasma processing | |
TWI661465B (zh) | Plasma processing device | |
WO2014013863A1 (ja) | 下部電極、及びプラズマ処理装置 | |
US20220328329A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20160372306A1 (en) | Method for Controlling Plasma Uniformity in Plasma Processing Systems | |
JP2012253349A (ja) | アンテナユニット、それを含む基板処理装置、及び前記装置を利用する基板処理方法 | |
JP5264238B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4753306B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5367000B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2000331996A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2023053335A (ja) | 載置台及び基板処理装置 | |
JP2021097065A (ja) | リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5264238 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |