JP4675182B2 - 載置台およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
同図に表したように、プラズマ処理装置100は、減圧環境を維持可能なチャンバ110を備えている。チャンバ110内のプラズマPの発生部下方には、被処理物120を載置保持するための保持部130が設置され、保持部130に対向するように上部電極170が設置されている。保持部130には、図示しない静電チャックが内蔵され、当該静電チャックにより被処理物120が保持可能とされている。チャンバ110側壁部には、プラズマPの発生部に反応ガスGを導入するためのガス導入口140が設けられ、チャンバ110の底部にはチャンバ110内のガスを排気するためのガス排気口150が設けられている。ガス導入口140の他端には図示しないガス導入手段が接続され、ガス排気口150の他端には真空ポンプのような排気手段220が接続されている。保持部130には、ブロッキングコンデンサ230を介して高周波電源160が接続され、上部電極170は接地されている。そのため、保持部130と上部電極170とが平行平板電極を構成し、この間にプラズマPを発生するようになっている。
同図に表したように、静電チャックを内蔵した保持部130の大きさは、プラズマPからの照射による保持部の表面のダメージを避けるために、通常、載置される被処理物120よりも小さくなっている。そのため、後述するように被処理物120の周縁部裏側付近に堆積物200が堆積しやすくなる。
プラズマ処理される被処理物を載置する保持部と、
前記保持部の外周に設けられた絶縁性リングと、
前記絶縁性リングのさらに外周に設けられ、その上面にはホローカソード放電を生起させるための溝部が設けられた放電リングと、
を備え、
前記放電リングの上面は前記保持部の上面よりは下方に位置し、
前記溝部は、前記保持部に載置された前記被処理物の端部の略下方に設けられたことを特徴とする載置台が提供される。
大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入する手段と、
前記チャンバ内を排気する手段と、
前記チャンバ内に設けられた電極と、
前記電極に対向して前記チャンバ内に設けられた上記の載置台と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
図1は、本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の断面構造を例示する模式図である。
また、図2は図1のA−A線断面図であり、図3は図1のB部を拡大した図である。
まず、被処理物12が図示しない搬送装置により、これも図示しないチャンバ11の側壁に設けられた搬入搬出口からチャンバ11内に搬入される。搬入された被処理物12は、図示しない受け渡し装置により保持部13に受け渡される。受け渡された被処理物12は、保持部に内蔵された図示しない静電チャックにより保持される。図示しない搬送装置がチャンバ11外に退避した後、図示しない搬入搬出口が閉じられ、チャンバ11は密閉される。排気手段22を動作させ、チャンバ11内を所定圧力まで減圧する。所定量の反応ガスGをガス導入口15から、チャンバ内のプラズマPが発生する空間に向けて導入する。ここで、反応ガスGとしては、CF4、O2、Heやこれらの混合ガスがあるが、これらに限定されるわけではなく被処理物12やプロセス条件に合わせて適宜変更される。高周波電源16より100KHz〜100MHz程度の高周波電力を保持部13に供給する。保持部13と上部電極17とが平行平板電極を構成するため、電極間に放電が起こりプラズマPが発生する。発生したプラズマPにより反応ガスGが分解、活性化され中性活性種、プラスイオン、電子などが生成される。この生成された中性活性種やプラスイオンなどが被処理物12の表面に作用することで、所望のエッチング処理やアッシング処理が行われる。
図3に示すように、一般的に、保持部13の大きさは被処理物12より小さくされる。保持部13に内蔵された図示しない静電チャックを、プラズマPの照射によるダメージから守るためである。そのため、保持部13上に載置された被処理物12は、保持部13から外側にはみ出す(一般的には、2〜3mm程度)ことになる。
プラズマPの中で発生したプラスイオンと電子のうち、質量の軽い電子は動きが速く、保持部13と上部電極17にすぐに到達する。保持部13に到達した電子は、ブロッキングコンデンサ23により移動を阻止され保持部13を帯電させる。保持部13の帯電圧は400V〜1000V程度に達するが、これを「陰極降下」という。
一方、上部電極17は接地されているため、到達した電子は移動が阻止されず、上部電極17はほとんど帯電しない。
また、放電リング18も接地されているため、到達した電子は移動が阻止されず、放電リング18もほとんど帯電しない。
そして、陰極降下により発生する垂直な電界に沿ってプラスイオンが保持部13、被処理物12方向に移動し、被処理物12上に入射することで物理的なエッチング処理やアッシング処理が行われる。なお、中性活性種は、主に重力により下降して被処理物12上に到達し、化学的なエッチング処理やアッシング処理が行われる。
このようにプラズマPと保持部13、上部電極17、放電リング18の間に電位差があると、プラズマP中のプラスイオンが引き寄せられ、プラスイオンがたくさん集まった状態ができる。これが「イオンシース」と呼ばれるものである。イオンシースは、電子とプラスイオンの量が等しくなるような幅(イオンシース幅dS)に形成される。そのため、プラズマPとの電位差が一番大きい保持部13とその上に載置された被処理物12付近に形成されるイオンシースの幅が一番大きくなるが、放電リング18上にもイオンシースは形成される。なお、プラスイオンが入射しても電子とプラスイオンの速度の違いにより、陰極降下の電圧は一定に保たれる。
本発明者は、検討の結果、放電リング18の溝部20の幅Wと深さHのそれぞれを、イオンシース幅dSよりも大きく設定すると、溝部20付近でホローカソード放電を発生させることができるという知見を得た。このホローカソード放電によりプラズマを発生させることができれば、付近のガスを分解、活性化させることができるので、中性活性種やプラスイオンを生成することができる。そして、これら中性活性種やプラスイオンにより被処理物12の端部や裏面側に堆積した堆積物19を分解除去することができる。
この方法によれば、中性活性種やプラスイオンを、堆積物19のすぐ近くで発生させることができるので失活などがなく、迅速で効率の良い除去作業ができる。また、特許文献2のように被処理物12の下方の広い面積でホローカソード放電を生起させるのではなく、溝部を設けて堆積物19のすぐ近くの限定された範囲(溝部20付近)でホローカソード放電を生起させるため、ホローカソード放電を生起しやすく、除去の効率も高い。また、限定された範囲(溝部20付近)での放電であるため、不要部分での放電を抑え被処理物へのダメージを大幅に軽減できる。その上、ホローカソード放電が発生する部分(溝部20付近)の上方が解放されているため、分解、活性化がされるガスの供給にも有利である。
本実施形態は、溝部20の断面寸法が放電リング18の上面から遠ざかるに従い小さくなる場合を例示するものである。
図4(a)に示す溝部20の断面形状は半楕円型であり、図4(b)に示した溝部20の断面形状は三角形型であるが、これに限定されるものではなく、断面寸法が放電リング18の上面から遠ざかるに従い小さくなるものであればよい。例えば、半円型であったり任意の直線や曲線で構成されたものであればよい。ただし、溝部20の幅Wと深さHのそれぞれを、イオンシース幅dSよりも大きく設定することは必要である。
放電リング18の溝部20の幅Wと深さは、イオンシース幅dSよりも大きく設定すればよいので、幅Wと深さHとの比率を変えることができる。図5(a)に示した溝部20は、幅広く浅い形状を有する。すなわち前述した実施形態の幅Wと深さHとに比べて、図5(a)に示した溝部20の幅W1と深さH1は、W1>WかつH1<Hである。逆に、図5(b)に示した溝部20は、細長い形状である。すなわち前述した実施形態の幅Wと深さHとに比べて、図5(b)に示した溝部20の幅W2と深さH2は、W2<WかつH2>Hである。溝部20の表面積を増やし、強いホローカソード放電を生起させるためには、一般的には深さHが深い方が有利であり、広い範囲の除去処理を重視すれば、幅Wが広い方が有利である。そのため、限定的な範囲で強いホローカソード放電(高い除去能力)が必要な場合は、図5(b)の形態を、広い除去範囲やダメージを受けやすい被処理物12(弱めのホローカソード放電)には、図5(a)の形態を採用する方が有利である。
図6に示した溝部20は、放電リングの上面から底面まで溝が貫通しているものである。いいかえれば、本実施形態のものは、放電リング18が内側リング18aと外側リング18bから成る。そのため、部品形状が簡略となり製造時の経済性に優れるとともに、内側リング18a、あるいは外側リングリング18bのすくなくとも一方を交換することで、簡単に溝20の位置または幅Wを変えることができる。なお、溝20の位置または幅Wを変えたときの効果は、前述の通りである。
本実施形態のものは、底板18cと底板18cに接続された脚部25と昇降手段24を備えている。そして、底板18cは昇降手段24により昇降可能となっている。そのため、底板18cの昇降動作で溝部20の深さHを変えることができ、溝部20の表面積を変えることができる。その結果として、プロセス条件が変わりイオンシース幅dsが変わった場合の対応や、ホローカソード放電の強弱を調整することが必要な場合の対応をすることができる。また、底板18cを放電リング18の上面付近まで上げ、必要のないホローカソード放電を止めることもできるため、ホローカソード放電によるダメージを受けやすい被処理物12への対応に有利となる。なお、昇降手段24の具体例としては、電動モータ、エアシリンダ、油圧シリンダ、ソレノイド、手動などがあるがこれに限定されるわけではなく同様の機能を果たすものを適宜選択が可能である。また、昇降手段24を設けず、複数の底板18cを積み上げて溝部20の深さHを調整するようなものであっても良い。
本実施形態のものは、図6に示した実施形態の外側リング18bを分割し、それぞれの外側リング18bに接続されたロッド26と図示しない移動手段を備えている。本実施形態のものは、図示しない移動手段により外側リング18bを移動させることができる。そのため、溝部20の幅Wを変えることができ、溝部20の表面積と位置を変えることができる。その結果として、プロセス条件が変わりイオンシース幅dsが変わった場合の対応や、ホローカソード放電の強弱を調整することが必要な場合の対応をすることができる。なお、図6に示した分割数は例示にすぎず適宜変更が可能である。また、図示しない移動手段の具体例としては、電動モータ、エアシリンダ、油圧シリンダ、ソレノイド、手動などがあるがこれに限定されるわけではなく同様の機能を果たすものを適宜選択が可能である。また、移動手段を設けず、内側リング18aまたは外側リング18bに板状体を取り付けるなどして溝部20の幅Wを調整するようなものであっても良い。
プラズマ処理においては、イオン衝撃を用いた処理をおこなうため、高周波電源16からマイナスの電圧が印加される。高圧のマイナス電位が印加される場合、プラズマP中の電子はすべて反射されるのでイオンシース内に電子が無く、電子電流はゼロと近似できる。
これに対して、本発明においては、イオンシース電圧VSを変えることでイオンシース幅dSを、ひいてはホローカソード放電の強弱を調整することができる。
本実施形態のものは、図1に示した実施形態の放電リング18の接地部に電位調整手段27を備えている。この電位調整手段27によりイオンシース電位VSを調整し、イオンシース幅dSを、ひいてはホローカソード放電の強弱を調整する。電位調整手段27の具体的としては、例えば、可変抵抗があるがこれに限定されるわけではなく同様の機能を果たすものであればよい。図9の左側のグラフ図に示すように、電位調整手段27により、イオンシース電位VSをアノード電位Va(接地:ゼロ)からほぼカソード電位Vc(絶縁)まで調整することができる。そのため(1)式に示したようにイオンシース幅dSを調整することができ、ひいてはホローカソード放電の強弱をも調整することができる。
断続的な溝や複数の孔を設けるようにした場合、溝や孔の密集度を変えることにより、ホローカソード放電の強弱の調整や要否の選択をすることができる。すなわち、プロセス条件により堆積物が堆積しやすい部分があるときには、溝や孔の密集度を上げて除去処理能力を高め、逆に、堆積物が堆積しにくい部分では溝や孔の密集度を下げて被処理物に不必要なダメージを軽減することができる。
また、前述した実施形態では、溝部20の幅Wや深さHは、円周方向の各位置でほぼ一定であったが、これに限定されるわけではなく、円周方向の各位置でこれらの寸法を変えるようにしても良い。円周方向の各位置でこれらの寸法を変えるようにすれば、ホローカソード放電の強弱の調整や要否の選択をすることができるので、前述の密集度を変える場合と同様な効果を得ることができる。
また、溝部20の水平方向形状も円環状である必要はなく、種々の形状が選択可能である。ただし、溝部20の水平方向形状は、被処理物12と同形状または近似する形状であることが望ましい。
11 チャンバ
12 被処理物
13 保持部
16 高周波電源
17 上部電極
18 放電リング
19 堆積物
20 溝部
23 ブロッキングコンデンサ
31 絶縁性リング
dS イオンシース幅
W 溝部の幅
H 溝部の深さ
P プラズマ
Claims (10)
- プラズマ処理される被処理物を載置する保持部と、
前記保持部の外周に設けられた絶縁性リングと、
前記絶縁性リングのさらに外周に設けられ、その上面にはホローカソード放電を生起させるための溝部が設けられた放電リングと、
を備え、
前記放電リングの上面は前記保持部の上面よりは下方に位置し、
前記溝部は、前記保持部に載置された前記被処理物の端部の略下方に設けられたことを特徴とする載置台。 - 前記溝部の幅と深さとは、それぞれ、イオンシース幅よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の載置台。
- 前記溝部の深さを可変する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の載置台。
- 前記溝部の幅を可変する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の載置台。
- 大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入する手段と、
前記チャンバ内を排気する手段と、
前記チャンバ内に設けられた電極と、
前記電極に対向して前記チャンバ内に設けられた請求項1〜4のいずれか一つに記載の載置台と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記保持部に接続されたブロッキングコンデンサと、
前記ブロッキングコンデンサに接続された高周波電源と、
をさらに備え、
前記放電リングは接地されていることを特徴とする請求項5記載のプラズマ処理装置。 - 前記放電リングの電位を調整する電位調整手段をさらに備えたことを特徴とする請求項6記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電リングに接続された電源手段をさらに備えたことを特徴とする請求項5記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電リングに接続された前記電源手段は、
前記放電リングに接続されたブロッキングコンデンサと、
前記ブロッキングコンデンサに接続された高周波電源と、
を含むことを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。 - 前記放電リングに接続された前記電源手段は、前記放電リングに負極性出力を与えることを特徴とする請求項8または9に記載のプラズマ処理装置。
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JP2005229600A JP4675182B2 (ja) | 2005-08-08 | 2005-08-08 | 載置台およびプラズマ処理装置 |
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