JP3123883U - プラズマ処理チャンバ内で使用されるプロセスキット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ壁に対して約0.8インチ〜約1.5インチの間のギャップ距離を持つ環状リングを含む。環状プラズマ閉じ込めリングに加えて、プラズマは、頂部電極に供給される電圧をプラズマ処理中に電圧比で低減し、かつ頂部電極に供給された残りの電圧を逆相で基板支持体および処理中に基板が存在するならば基板に供給する。電圧比は、基板支持体および頂部電極を包囲する誘電体シールのインピーダンスを変化させて調整する。頂部電極の電圧を電圧比で低下し、頂部電極に供給された残りの電圧を逆相で基板支持体に供給し、接地されたチャンバ壁に引き寄せられるプラズマの量を低減する。
【選択図】図5C
Description
[0009]別の実施形態では、プラズマ処理チャンバ内で基板の処理中にプラズマを基板処理領域内に閉じ込めるように構成された装置は、1つ以上の誘電体層を有する基板支持体と、頂部電極を包囲する誘電体シールとを備え、頂部電極、誘電体シール、基板と同様に基板支持体、およびプラズマのインピーダンスが、頂部電極に供給される電圧を電圧比で低減し、かつプラズマ処理中に頂部電極に供給される残りの電圧を逆相で基板および基板支持体に供給する。
P∝(Vs)2=Vs 2 (1)
[0059]下の方程式2は、頂部電極電圧がわずかVs/2であるときのP(電力)と頂部電極からチャンバ壁までの間の電圧差との間の関係を示す。
P∝(Vs/2)2=Vs 2/4 (2)
頂部電極電圧を二分の一に低下することにより、チャンバ壁に失われ得る電力は、当初の値の四分の一に低下される。
Z=R−jXc (1)
方程式2は、容量リアクタンス(Xc)とキャパシタンスCとの間の関係を示す。
Xc=1/(2πfC) (2)
式中、fは電源電力の周波数であり、Cはキャパシタンスである。
Ztotal=Z1+1/(1/(Z2+Z3+Z4+Z5)+1/Z6 (3)
[0068]頂部電極は典型的に導電性材料から作られるので、そのインピーダンスZ1は主として頂部電極の抵抗から構成される。Z2、Z3、およびZ4はプラズマによって影響される。しかし、インピーダンスZ5およびZ6は、基板支持体105の誘電体層および誘電体シール130の厚さおよび誘電率を変化させることによって、調整することができる。カソードのインピーダンスの大きさはカソードのキャパシタンスに影響を及ぼし得る。Z5およびZ6は、頂部電極125に従来の電源電圧のごく一部分fVsを供給しかつカソードを頂部電極の逆相の電圧−(1−f)Vsに維持することが可能となるように、調整される。
Claims (20)
- プラズマ処理チャンバ内で使用されるプロセスキットにおいて、
環状リングであって、上部外壁、下部外壁、前記上部外壁および前記下部外壁間に画成された階段部、前記上部外壁および前記下部外壁の反対側に配置された内壁を備える、前記環状リングを備える、前記プロセスキット。 - 前記階段部は、前記下部外壁より上方かつ外側に、前記上部外壁より内側かつ下方に形成される、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングは、導電性材料から製造される、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングは、シリコンカーバイド(SiC)を備える、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングは、アルミニウム(Al)を備える、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記下部外壁は、前記上部外壁の直径より小さい直径を有する、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングの前記上部外壁および前記内壁は、前記環状リングの頂部断面を画成する、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングの前記内壁は、基板支持体上に配置された基板およびリングを取り囲むように寸法が定められる、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記内壁は、約12.5インチから約15インチ間の直径を有する、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記上部外壁は、約15.5インチから約20.5インチの直径を有する、請求項1に記載のプロセスキット。
- プラズマ処理チャンバ内で使用されるプロセスキットにおいて、
導電性環状リングであって、上部外壁、下部外壁、前記下部外壁より上方かつ外側に伸びる階段部であって、前記上部外壁から内側かつ下方に配置される、前記階段部、前記上部外壁および下部外壁の反対側に配置される内壁を備える、前記導電性環状リングを備える、前記プロセスキット。 - 前記環状リングは、シリコンカーバイド(SiC)を備える、請求項11に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングは、アルミニウム(Al)を備える、請求項11に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングの前記内壁は、基板支持体上に配置された基板およびリングを取り囲むように寸法が定められる、請求項1に記載のプロセスキット。
- 前記内壁は、約12.5インチから約15インチ間の直径を有する、請求項11に記載のプロセスキット。
- 前記上部外壁は、約15.5インチから約20.5インチの直径を有する、請求項11に記載のプロセスキット。
- プラズマ処理チャンバ内で使用されるプロセスキットにおいて、
導電性環状リングであって、約15.5インチから約20.5インチの直径を有する上部外壁と、下部外壁と、前記下部外壁より上方かつ外側に、前記上部外壁より内側かつ下方に形成された階段部と、前記上部外壁及び下部外壁の反対側に配置され、約12.5インチから約15インチの直径を有する内壁と、を備える、前記導電性環状リングを備える、前記プロセスキット。 - 前記環状リングは、シリコンカーバイド(SiC)を備える、請求項17に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングは、アルミニウム(Al)を備える、請求項17に記載のプロセスキット。
- 前記環状リングの前記内壁は、基板支持体上に配置された基板およびリングを取り囲むように寸法が定められる、請求項17に記載のプロセスキット。
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US20060226003A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-10-12 | John Mize | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
US7595096B2 (en) * | 2003-07-30 | 2009-09-29 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method of manufacturing vacuum plasma treated workpieces |
US7430986B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics |
US9659758B2 (en) | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
US8157951B2 (en) * | 2005-10-11 | 2012-04-17 | Applied Materials, Inc. | Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control |
US8034180B2 (en) * | 2005-10-11 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor |
CN101150909B (zh) * | 2006-09-22 | 2010-05-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体约束装置 |
US7780866B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma confinement for enhancing magnetic control of plasma radial distribution |
US20080110567A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | Miller Matthew L | Plasma confinement baffle and flow equalizer for enhanced magnetic control of plasma radial distribution |
US7968469B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity |
KR101480738B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2015-01-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 환형 배플 |
US20090178763A1 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Applied Materials, Inc. | Showerhead insulator and etch chamber liner |
US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
TWI516175B (zh) * | 2008-02-08 | 2016-01-01 | 蘭姆研究公司 | 在電漿處理腔室中穩定壓力的方法及其程式儲存媒體 |
WO2010036707A2 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Lam Research Corporation | Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring |
JP5350043B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8597462B2 (en) * | 2010-05-21 | 2013-12-03 | Lam Research Corporation | Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses |
KR102045942B1 (ko) | 2011-05-31 | 2019-11-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들 |
US10170279B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding |
US9745663B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-08-29 | Applied Materials, Inc. | Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber |
US10249470B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding |
US9449794B2 (en) | 2012-07-20 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna |
US9082590B2 (en) | 2012-07-20 | 2015-07-14 | Applied Materials, Inc. | Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates |
US9928987B2 (en) | 2012-07-20 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed |
US10300450B2 (en) * | 2012-09-14 | 2019-05-28 | Carterra, Inc. | Method and device for depositing a substance on a submerged surface |
US10163606B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection |
CN108770167B (zh) * | 2013-08-16 | 2021-01-12 | 应用材料公司 | 用于高温低压力环境的细长的容性耦合的等离子体源 |
US10163610B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-12-25 | Lam Research Corporation | Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation |
US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
CN112951695B (zh) * | 2019-11-26 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备 |
CN113130284B (zh) * | 2019-12-31 | 2023-01-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体刻蚀设备 |
US20220084845A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | High conductance process kit |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP3343629B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2002-11-11 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3257741B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2002-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及び方法 |
US5685914A (en) * | 1994-04-05 | 1997-11-11 | Applied Materials, Inc. | Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor |
US5639334A (en) * | 1995-03-07 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Uniform gas flow arrangements |
JPH08250470A (ja) * | 1995-03-09 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び処理装置 |
TW323387B (ja) * | 1995-06-07 | 1997-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5534751A (en) * | 1995-07-10 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement |
US6284093B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
US6048403A (en) * | 1998-04-01 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | Multi-ledge substrate support for a thermal processing chamber |
KR100292410B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2001-06-01 | 윤종용 | 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버 |
US6159299A (en) * | 1999-02-09 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer pedestal with a purge ring |
US6525462B1 (en) * | 1999-03-24 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Conductive spacer for field emission displays and method |
US6257168B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-07-10 | Lam Research Corporation | Elevated stationary uniformity ring design |
US6853141B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-08 | Daniel J. Hoffman | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
US6528751B1 (en) * | 2000-03-17 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma |
US7141757B2 (en) * | 2000-03-17 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode having a resonance that is virtually pressure independent |
US6900596B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Capacitively coupled plasma reactor with uniform radial distribution of plasma |
JP3810248B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-08-16 | 信越化学工業株式会社 | プラズマ処理装置用シリコンリング |
US6872281B1 (en) * | 2000-09-28 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | Chamber configuration for confining a plasma |
US6602381B1 (en) * | 2001-04-30 | 2003-08-05 | Lam Research Corporation | Plasma confinement by use of preferred RF return path |
US20030029859A1 (en) * | 2001-08-08 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | Lamphead for a rapid thermal processing chamber |
US6652713B2 (en) | 2001-08-09 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with integral shield |
US6706138B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-03-16 | Applied Materials Inc. | Adjustable dual frequency voltage dividing plasma reactor |
US6744212B2 (en) * | 2002-02-14 | 2004-06-01 | Lam Research Corporation | Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions |
US7252738B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
US7972467B2 (en) * | 2003-04-17 | 2011-07-05 | Applied Materials Inc. | Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor |
US20040261712A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-12-30 | Daisuke Hayashi | Plasma processing apparatus |
KR100578129B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치 |
US7001482B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved focus ring |
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