KR20090026314A - 기판 프로세싱을 위한 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 기판은 척 위에 배치되고 에지링에 의해 둘어싸이며, 에지링은 척으로부터 절연된다. 이 방법은 척에 RF 전력을 제공하는 단계 및 에지링 DC 전압 제어 설비를 제공하는 단계를 포함한다. 에지링 DC 전압 제어 설비는 에지링에 커플링되어 에지링에 제 1 전압을 제공하고, 에지링 전위는 포지티브 전위, 네거티브 전위 및 접지 중 하나이다. 이 방법은 기판을 프로세싱하기 위해 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 단계를 더 포함한다. 에지링 DC 전압 제어 설비가 에지링 전위로 하여금 일 실시형태에서 기판의 DC 전위 보다 낮게 되도록 하고, 또 다른 실시형태에서 기판의 DC 전위와 실질적으로 동일하게 되도록 구성되는 동안 기판이 프로세싱된다.
Figure P1020087032054
기판, 플라즈마, 에칭, 증착

Description

기판 프로세싱을 위한 장치 및 방법{APPARATUS FOR SUBSTRATE PROCESSING AND METHODS THEREFOR}
본 발명의 배경
본 발명은 일반적으로 기판 제조 기술에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 이온 입사각 제어 및/또는 폴리머 제어를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
예를 들어, 평면 패널 디스플레이 제조에서 이용되는 것과 같은 반도체 기판 또는 유리 패널인 기판을 프로세싱함에 있어서 플라즈마가 종종 사용된다. 기판의 프로세싱의 일부로서, 예를 들어, 기판은 각각이 통합된 회로가 될 직각 영역 또는 복수의 다이 (die) 로 분할된다. 그 후, 기판은 재료들이 선택적으로 제거 (에칭) 되어 증착되는 일련의 단계로 프로세싱된다. 수 나노미터에 속하는 트랜지스터 게이트 임계 디멘젼 (CD) 의 제어가 최상의 우선순위이며, 타겟 게이트 길이로부터의 각각의 나노미터 편차가 이들 디바이스의 동작 속도로 직접 전환될 수도 있다.
그 후, 경화된 에멀젼의 영역이 선택적으로 제거되어, 기반 층의 컴포넌트가 노출되게 한다. 그 후, 기판은 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치되고, 기판은 척 또는 페디스털 (pedestal) 로 지칭되는 모노-폴라 또는 바이-폴라 전극을 포함하는 구조를 지원한다. 그 후, 적합한 에칭 가스가 챔버 내부로 흘러 충돌하여 기판의 노출 영역을 에칭하는 플라즈마를 형성한다.
보통의 에칭 방법은 RIE 또는 반응 이온 에칭이다. RIE 는 기판으로부터 (예를 들어, 포토레지스트, BARC, TiN, 산화물 등) 재료를 제거하기 위해 화학 프로세스 및 이온 프로세스 모두를 결합한다 . 그러나, 더욱 새로운 최적화된 기판 재료의 구현뿐만 아니라 기판 형상 사이즈를 더욱 감소시키기 위한 요구는 현재의 제조 기술을 변화시켰다. 예를 들어, 더 큰 기판의 중앙으로부터 에지까지 (예를 들어, 300 mm 보다 큰) 균일함과 프로세싱 결과를 유지하는 것은 더욱 어렵게 되었다. 일반적으로, 주어진 형상 사이즈에 대해, 기판의 사이즈가 더욱 커질수록, 에지 근처 기판 상의 디바이스 수가 더욱 증가한다. 마찬가지로, 주어진 기판 사이즈에 대해, 형상 사이즈가 더 작아질 수록, 에지 근처의 기판 상의 디바이스의 수가 더욱 증가한다. 예를 들어, 종종 기판 상의 디바이스의 총 수의 20% 를 초과하는 디바이스가 기판 주위의 근처에 위치한다.
이러한 전기장, 플라즈마 온도, 및 프로세스 화학으로부터의 로딩 효과와 같은, 기판 에지 효과로 인해, 기판 에지 근처의 프로세스 결과는 기판의 나머지 (센터) 영역과 상이할 수도 있다. 예를 들어, 플라즈마 외장의 등가 라인들이 붕괴될 수도 있어, 기판 에지 주이에서 비균일 이온각 분포를 유발한다.
도 1 을 참조하면, 플라즈마 프로세싱 시스템에 용량적으로 커플링된 간단한 다이어그램이 도시된다. 일반적으로, 소스 RF 생성기 (110) 에 의해 생성된 소스 RF 가 통상적으로 이용되어 용량적인 커플링을 통해 플라즈마 밀도를 제어할 뿐만 아니라 플라즈마를 생성한다. 다른 구조에서는, 다수의 RF 생성기가 이용될 수도 있다.
일반적으로, 또한, 전원 전극으로서 기능하는 정전기 척 (108) 상에 에지링 (112) (예를 들어, Si 등) 과 함께 위치한 반도체 기판 또는 유리 패널과 같은 기판 (106) 의 노출된 영역을 프로세싱 (예를 들어, 에칭 또는 증착) 하기 위해, 적합한 가스 세트가 상부 전극 (102) 에서 입구을 통해 흐르고, 후속하여 이온화되어 플라즈마 (104) 를 형성한다. 특정 에칭 애플리케이션이 약 20KHz 내지 약 800KHz 내의 더 낮은 전극 주파수 RF 신호에 관해 접지될 상부 전극을 요구할 수도 있다. 다른 에칭 애플리케이션은 2MHz, 27MHz, 및 60MHz 중 적어도 하나인 더 낮은 전극 RF 신호에 관하여 접지될 상부 전극을 요구할 수도 있다. 또 다른 에칭 애플리케이션은 전술한 모든 RF 신호에 관하여 접지될 상부 전극을 요구할 수도 있다.
에지링 (112) 은 일반적으로 척 (108) 상에 기판 (106) 을 위치시키는 단계 및 기판 자체에 의해 플라즈마의 이온에 의한 공격으로부터 보호되지 않는 기반 컴포너트를 차폐하는 단계를 포함하는 다수의 기능을 수행한다. 또한, 에지링 (112) 은 척 (108) 으로부터 에지링 (112) 으로의 전류 경로를 제공하도록 일반적으로 구성된 커플링 (120) (예를 들어, 쿼즈 등) 상에 장착될 수도 있다.
일반적으로, 프로세스 균일성 및 수직 에칭 프로파일을 유지하기 위해, 전기장이 기판의 전체 표면 위에서 일정하게 유지되는 것이 바람직하다. 그러나, 플라즈마 챔버 조건 및/또는 구성으로 인해, 잠재적인 차이가 척 (108) 및 에지링 (112) 사이에서 존재할 수도 있다. 결과적으로, 이 잠재적인 차이는 플라즈마 외장 형상에서 비균일성 (122) 을 생성하여, 에칭 프로파일에 역효과를 미칠 수도 있다.
또한, 에칭 프로세스 동안, 폴리머 부산물 (예를 들어, 불소계 폴리머 등) 이 기판 이면 상에서 및/또는 기판 에지 주위에서 형성되는 것은 통상적이다. 불소계 폴리머들은 일반적으로 에칭 화학반응에 미리 노출된 포토레지스트 재료, 또는 플루오르화탄소 에칭 프로세스 동안 증착된 폴리머 부산물을 포함한다. 일반적으로, 불소계 폴리머는 CxHyFz 의 화학식을 갖는 물질이며, 여기서 x, z 는 0 보다 큰 정수이고, y 는 0 이상인 정수이다 (예를 들어, CF4, C2F6, CH2F2, C4F8, C5F8 등).
그러나, 연속하는 폴리머 층들이 몇몇 상이한 에칭 프로세스의 결과로서 에지 영역 상에서 증착되기 때문에, 보통 강하고 고착적인 유기 결합이 이동 중에 또 다른 기판 상에서 종종 결국은 약해지고 박리되거나 얇은 조각이 될 것이다. 예를 들어, 기판은 보통 종종 카세트로 지칭되는 실질적으로 청결한 컨테이너를 통해 플라즈마 프로세싱 시스템들 사이에서 세트로 이동한다. 더 높이 위치한 기판이 컨테이너에서 재위치되기 때문에, 폴리머층의 일부가 다이가 존재하는 더 낮은 기판으로 내려 위치할 수도 있어, 디바이스 생산에 잠재적으로 영향을 미친다.
도 2 를 참조하면, 에지 폴리머 세트가 평면 이면 상에 증착된 기판의 간략화된 다이어그램이 도시된다. 전술한 바와 같이, 에칭 프로세스 동안, 폴리머 부산물 (에지 폴리머) 이 기판 상에서 형성되는 것이 통상적이다. 이러한 예에서, 폴리머 부산물들이 평면 이면 상에 증착되었고, 즉, 기판의 측면이 플라즈마로 부터 이격된다. 예를 들어, 폴리머 두께는 70˚ 에서 약 250 nm 이고 (202), 45˚ 에서 약 270 nm 이고 (204) 이며, 0˚ 에서 약 120 nm 이다 (206). 일반적으로, 폴리머의 두께가 두꺼울수록, 폴리머의 일부가 제거되어 또 다른 기판 또는 척 상에 내려 위치할 수도 있을 가능성이 커져서, 잠재적으로 생산성에 영향을 미친다.
본 발명의 요약
본 발명의 일 실시형태에서, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법에 관한 것이다. 기판은 기판은 척 위에 배치되고 에지링에 의해 둘러싸이며, 에지링은 척으로부터 절연된다. 이 방법은 척에 RF 전력을 공급하는 단계 및 에지링 DC 전압 제어 설비를 제공하는 단계를 포함한다. 에지링 DC 전압 제어 설비는 에지링에 커플링되어 제 1 전압을 에지링에 제공하여, 기판의 DC 전위에 비례하는 에지링 전위를 갖는 에지링을 생성한다. 이 방법은 기판을 프로세싱하는 플라즈마 프로세싱 챔버 내부에 플라즈마를 생성하는 단계를 더 포함한다. 에지링 DC 전압 제어 설비가, 에지링 전위를, 일 실시형태에서는 기판의 DC 전위보다 크게 하고, 또 다른 실시형태에서는 기판의 DC 전위와 실질적으로 동일하게 하고, 또 다른 실시형태에서는 기판의 DC 전위보다 낮게 하여, 기판 에지에서의 이온 방향성을 제어하도록 구성되면서, 기판이 프로세싱된다.
본 발명의 이들 특징들 및 다른 특징들이 본 발명의 상세한 설명 및 다음의 도면과 관련하여 이하 더욱 상세하게 설명된다.
도면의 간단한 설명
본 발명은 동일한 참조 번호는 동일한 엘리먼트를 나타내는 첨부된 도면에서 예시적이지만 제한적이지 않은 방식으로 설명된다.
도 1 은 플라즈마 프로세싱 시스템에 커플링된 용량성의 간단화된 다이어그램을 도시한다.
도 2 는 에지 폴리머 세트가 평면 이면 상에 증착되었던 기판의 간단화된 다이어그램을 도시한다.
도 3a 및 도 3b 는 본 발명의 실시형태에 따른 최적화된 각 분배를 갖는 용량적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시하는 간단화된 다이어그램 세트를 도시한다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
참조된 도면에서 도시된 바와 같이 본 발명의 몇몇 바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명이 상세히 설명된다. 다음의 설명에서, 다수의 특정 세부사항이 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 주어진다. 그러나, 본 발명이 이들 특정 세부사항 중 일부 또는 전부가 없이도 실행될 수도 있음이 당업자에게는 명백할 것이다. 또 다른 예에서, 널리 공지된 프로세스 단계 및/또는 구조는 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해서 설명하지 않았다.
발명자는 이론에 의해 한계가 정해지는 것을 원하지 않으며, 이온 각 분배가 기판과 에지링 사이에서 DC 전위를 변경함으로써 제어되어, 주어진 플라즈마 프로세스에 대해 플라즈마 외장의 등전위 라인을 최적화시킬 수도 있음을 믿는다. 유리한 방법에 있어서, 에지링의 RF 커플링을 변경함으로써 기판 에지 주위의 전기 장에 변화가 이루어질 수도 있다. 일 실시형태에서는, 척이 에지링으로부터 실질적으로 절연된다.
예를 들어, 기판 에지의 DC 전위가 에지링의 DC 전위와 실질적으로 동일한 경우, 이온각 분배는 일반적으로 균일하다. 결과적으로, 기판 및 에지링 모두 위의 플라즈마 외장의 영역에서, 기판에 실질적으로 직각인 이온 벡터 세트가 형성된다.
그러나, 기판 에지의 DC 전위가 에지링의 DC 전위와 실질적으로 상이한 경우, 이온각 분배는 일반적으로 비균일하다. 결과적으로, 기판 및 에지링 모두 위의 플라즈마 외장의 영역에서, 기판으로 향하거나 멀어지는 경향이 있는 이온 벡터 세트가 형성된다.
이로운 방법에서, 에지링의 DC 전위는 기판의 DC 전위와 독립적일 수도 있다. 결과적으로, 에지링의 DC 전위에 대한 기판의 DC 전위 사이의 차이는, 기판의 에지 주위의 플라즈마에서 포지티브하게 충전된 이온의 각 분포를 제어하기 위해, 최적화될 수도 있다.
예를 들어, 에지링의 DC 전압이 네거티브이고 기판의 DC 전압과 실질적으로 유사한 경우 (예를 들어, V기판 - V에지링
Figure 112008090572634-PCT00001
0), 기판 및 에지링 모두 위의 플라즈마 외장의 영역에서, 기판에 실질적으로 수직인 벡터 세트에 의해 각이온 분포는 실질적으로 균일하다. 이 각 프로파일은 높은 종횡비 (high aspect ratios) 를 갖는 트랜치 및 에칭 접속과 같은 이방성 에칭 애플리케이션에 대해 유용할 수도 있 다.
또한, 특정 디바이스는 예를 들어, 특정 에칭 형상이 또 다른 기반 형상과 접속하도록 하기 위해 특정 양방향성을 소모하는 에칭 형상 (예를 들어, 높은 종횡비 접촉, 비아 (via) 또는 트랜치) 을 요구한다. 예를 들어, 비아가 기반 형상과 접속하도록 허용하기 위해 수직 비아 에칭이 요구되는 경우, 에칭 수직성으로부터의 편차는, 비아로 하여금 의도된 기반 형상을 누락하게 하여, 불비한 디바이스를 생성하여 생산량에 영향을 미칠 수도 있다. 이들 애플리케이션에 대해, 적합한 에칭 방향성을 달성하기 위한 기판에서의 이온 방향성의 섬세한 제어는 중요한 요구사항이다.
대조적으로, 에지링의 DC 전압이 기판의 DC 전압 보다 더 포지티브 (덜 네거티브) 한 경우 (예를 들어, V기판 - V에지링 ＜ 0), 각이온 분포 프로파일은 기판 에지로 향하는 경향이 있는 벡터 세트에 의해 실질적으로 비균일하다. 이 각 프로파일은 에지 폴리머 제거에 유용할 수도 있다. 습식 세정 프로세스와 상이하게, 본 발명은, 진공-호환가능한 재료 (예를 들어, 실리콘, 금속, 유리, 세라믹 등) 의 광범위한 종류에 걸쳐 최소한의 유출과 함께 모든 건조 (예를 들어, 프로세스 등) 에서 에지 폴리머 제거를 허용한다. 예를 들어, 보통의 건식 에칭 프로세스는 기판으로부터 재료 (예를 들어, 산화물 등) 를 제거하는데 이온이 이용되는 스퍼터링 또는 이온-어시스트 에칭을 포함한다. 일반적으로, 플라즈마의 이온들은, 기판의 표면에 충돌하고, 기판 표면 상의 원자들이 화학 프로세스의 분자들 과 더욱 잘 반응하도록 기판의 표면 상의 원자들의 화학 결합을 실질적으로 파괴함으로써 화학적 프로세스를 향상시킨다.
도 3a 및 도 3b 을 참조하면, 최적화된 이온각 분포를 갖는 용량적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시하는 간단화된 다이어그램이 본 발명의 실시형태에 따라 도시된다. 도 3a 는 에지링의 DC 전위가 기판의 DC 전위보다 실질적으로 큰 용량적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 시스템의 간단화된 다이어그램을 도시한다. 일반적으로, 소스 RF 생성기 (110) 에 의해 생성된 소스 RF 는 용량적인 커플링을 통해 플라즈마 밀도를 제어할 뿐만 아니라 플라즈마를 생성하는데 통상적으로 이용된다. 전술한 바와 같이, 특정 에칭 애플리케이션은 약 20KHz 내지 약 800KHz 내의 더 낮은 전극 주파수 RF 신호에 관해 접지될 상부 전극을 요구할 수도 있다. 다른 에칭 애플리케이션은 2MHz, 27MHz, 및 60MHz 중 적어도 하나인 RF 신호에 관하여 접지될 상부 전극을 요구할 수도 있다. 또 다른 에칭 애플리케이션은 전술한 모든 RF 신호에 관하여 접지될 상부 전극을 요구할 수도 있다.
일반적으로, 또한, 전원 전극으로서 기능하는 정전기 척 (108) 상에 에지링 (112) (예를 들어, Si 등) 과 함께 위치한 반도체 기판 또는 유리 패널과 같은 기판 (106) 의 노출된 영역을 프로세싱 (예를 들어, 에칭 또는 증착) 하기 위해, 적합한 가스 세트가 상부 전극 (102) 에서 입구을 통해 흐르고, 후속하여 이온화되어 플라즈마 (104) 를 형성한다.
에지링 (112) 은 일반적으로 척 (108) 상에 기판 (106) 을 위치시키는 단계 및 기판 자체에 의해 플라즈마의 이온에 의한 공격으로부터 보호되지 않는 기반 컴포너트를 실드하는 단계를 포함하는 다수의 기능을 수행한다. 에지링 (112) 은 척 (108) 으로부터 에지링 (112) 으로의 전류 경로를 제공하도록 일반적으로 구성된 커플링 (120) (예를 들어, 쿼즈 등) 상에 더욱 장착할 수도 있다. 일반적으로, 유리한 방법으로, 구성가능한 DC 전원 (316) 은 RF 필터 (314) 를 통해 에지링 (112) 에 커플링될 수도 있다.
RF 필터 (314) 는 DC 전원 (316) 에 손실을 발생시키지 않고 원치않는 고조파 RF 에너지의 감쇄를 제공하는데 이용된다. 일 실시형태에서, RF 필터 (314) 는 접지할 경로뿐만 아니라 선택될 포지티브 또는 네거티브 전류 극성을 허용하는 스위치 모듈을 포함한다. 일 실시형태에서, RF 필터 (314) 는 진공 릴레이를 포함한다. 고조파는 플라즈마 방전에서 생성되고 RF 필터에 의해 DC 전원으로 복귀하는 것이 방지될 수도 있다. 이러한 경우, DC 전원 (316) 이 포지티브 전압을 소싱하기 때문에, 에지링의 DC 전위는 통상적인 플라즈마 프로세스에서 기판의 DC 전위보다 실질적으로 더 크다. 그 결과, 각 이온 분포 프로파일은 기판 에지와 같은 더 낮은 전위의 영역으로 향하는 경향이 있는 벡터 세트에 의해 실질적으로 비균일하다. 이러한 애플리케이션은 전술한 바와 같이, 기판 에지로부터 폴리머 제거에 대해 상당히 유용하다.
도 3b 를 참조하면, 에지링의 DC 전위가 기판의 DC 전위와 실질적으로 유사한 (예를 들어, V기판 - V에지링
Figure 112008090572634-PCT00002
0) 용량적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 시스템 의 간단화된 다이어그램이 도시된다. 일반적으로 설명하면, 프로세싱 동안 기판의 DC 전위는 접지에 관해 네거티브인 경향이 있고, 그 결과, 에지링이 네거티브 전위 (접지에 관함) 를 수신하도록 커플링되는 경우, 에지링의 DC 전위 및 기판의 DC 전위는 실질적으로 동일하다. 결과적으로, 각이온 분포는 기판 및 에지링 모두 위의 플라즈마 외장의 영역에서 기판에 실질적으로 수직한 벡터 세트에 의해 실질적으로 균일하다. 전술한 바와 같이, 이 수직각 프로파일은 높은 종횡비를 갖는 트랜치 및 에칭 접속과 같은 이방성 에칭 애플리케이션에 대해 유용할 수도 있다.
예를 들어, DC 전원의 접지 단자와 커플링하는 것도 가능하여, 이러하 경우에 에지링은 기판의 (일 실시형태에서 프로세싱 동안 일반적으로 네거티브인) DC 전위 보다 높은 전위 (접지에서임) 를 가질 수도 있다. 이러한 경우, 또한, 각이온 분포는, 에지링이 DC 전원의 포지티브 단자로부터 전압을 수신하기 위해 커플링된 경우보다 (도 3a 에 도시된 바와 같음) 더 낮은 각도 (degree) 에도 불구하고 기판 에지로 향하는 경향이 있다.
일 실시형태에서, 피드백 회로가 제공되어 (다양한 프로세스 단계 및 프로세스 하부단계 동안 변화하는) 기판의 DC 전압을 모니터링한다. 모니터링된 기판의 DC 전압은 적합한 제어 회로에서 피드백 신호로서 사용되어, 에지링에 전달된 DC 전압을 제어하고, 이에 의해 기판의 DC 전압이 변하는 경우에도 적합한 이온 방향성이 유지되도록 허용한다.
일 실시형태에서, 에지링의 DC 전압은 RF 전원 (예를 들어, 하부 전극으로 RF 전력을 전달하는 RF 전원으로부터 상이할 수도 있는 RF 전원) 에 의해 제공될 수도 있다. 그 결과, 기판의 DC 전위에 비례하는 에지링의 DC 전압 제어는 본 명세서에서 개시된 다양한 실시형태의 기술의 주제이며, 에지링으로 DC 전압을 제공/유지하는 실제 에지링 DC 전압 제어 설비는 구현에 의존하여 상이할 수도 있다.
이 발명은 몇몇 바람직한 실시형태의 관점에서 개시되었지만, 본 발명의 범위 내에 속하는 변경들, 수정들, 및 균등물이 존재한다. 본 발명의 바업 및 장치를 구현하는 다수의 또 다른 다양한 방법이 존재한다. 다양한 예들이 본 명세서에 개시되었지만, 이들 예들은 본 발명에 관하여 예시적인 것이며 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 또한, 요약은 청구항에 표현된 전체 발명을 제한하거나 한정하기 위해 사용되어서는 안된다. 따라서, 다음에 첨부된 청구항은 본 발명의 진정한 사상에 속하도록 모든 이러한 변경, 수정, 및 균등물을 포함하는 것으로 해석되도록 의도된다. 예를 들어, 본 발명이 램 리써치 프로세싱 시스템 (예를 들어, ExelanTM, ExelanTM HP, ExelanTM HPT, 2300TM, VersysTM Star 등) 에 관해 개시되었지만, (예를 들어, 용량적으로 커플링된, 유도적으로 커플링된) 다른 플라즈마 프로세싱 시스템이 이용될 수도 있다. 또한, 이 발명은 다양한 다이어그램 (예를 들어, 200mm, 300mm, LCD 등) 의 토대로 이용될 수도 있다. 또한, 본 명세서에 이용된 바와 같이 세팅된 용어는 하나 이상의 이름이 붙여진 엘리먼트 세트를 포함한다. 예를 들어, "X" 세트는 하나 이상의 "X" 를 지칭한다.
본 발명의 이점은 기판 에지 주위의 이온각 분포의 실질적인 제어를 포함한 다. 추가적인 이점은 시투 (situ) 스트립 프로세스 동안 베벨 (bsvel) 폴리머를 세정하는 단계, 플라즈마 프로세스를 최적화하는 단계, 및 기판 생산을 개선하는 단계를 포함한다.
예시적인 실시형태 및 최상의 모드를 개시하였지만, 다음의 청구항에 의해 규정된 바와 같은 본 발명의 주제 및 사상 내에서 유지되며 개시된 실시형태에 대해 수정 및 변경들이 이루어질 수도 있다.

Claims (30)

  1. 플라즈마 프로세싱 챔버에서, 척 위에 배치되고 상기 척으로부터 절연된 에지링에 의해 둘러싸인 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    상기 척에 RF 전력을 제공하는 단계;
    상기 에지링에 제 1 전압을 제공하기 위해 상기 에지링에 커플링되어, 상기 에지링이 에지링 전위를 가지게 하는 에지링 DC 전압 제어 설비를 제공하는 단계; 및
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 생성하여 상기 기판을 프로세싱하는 단계를 포함하며,
    상기 기판을 프로세싱하는 동안 상기 에지링 DC 전압 제어 설비가 상기 에지링 전위로 하여금 상기 기판의 DC 전위와 실질적으로 동일하게 되도록 구성되면서, 상기 기판이 프로세싱되는, 기판 프로세싱 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 RF 필터 설비 및 DC 전원을 포함하며, 상기 RF 필터 설비는 상기 에지링과 상기 DC 전원 사이에 배치되는, 기판 프로세싱 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 RF 필터 설비는 원치 않는 고조파 RF 에너지가 상기 DC 전원에 도달하지 않게 감쇠시키도록 구성되는, 기판 프로세싱 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 전력은 약 20 KHz 내지 약 800 KHz 의 범위의 RF 주파수를 가지는, 기판 프로세싱 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 전력은 2 MHz, 27 MHz, 및 60 MHz 중 적어도 하나를 포함하는 RF 주파수 세트를 가지는, 기판 프로세싱 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버는 용량적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 기판 프로세싱 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버는 유도적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 기판 프로세싱 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 RF 전원을 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 DC 전원을 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 DC 전위를 모니터링하여, 상기 기판의 상기 DC 전위가 변하는 경우, 상기 제 1 전압을 변화시키기 위해 상기 기판의 상기 DC 전위가 피드백 신호로서 이용되도록 구성된 피드백 회로를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  11. 플라즈마 프로세싱 챔버에서, 척 위에 배치되고 상기 척으로부터 절연된 에지링에 의해 둘러싸인 기판의 에지 주위의 폴리머 증착을 감소시키는 방법으로서,
    상기 척에 RF 전력을 제공하는 단계;
    상기 에지링에 제 1 전압을 제공하기 위해 상기 에지링에 커플링되어, 상기 에지링이 에지링 전위를 가지게 하는 에지링 DC 전압 제어 설비를 제공하는 단계; 및
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 생성하여 상기 기판을 프로세싱하는 단계를 포함하며,
    상기 기판을 프로세싱하는 동안 상기 에지링 DC 전압 제어 설비가 상기 에지링 전위로 하여금 상기 기판의 DC 전위와 상이하게 되도록 구성되어 상기 기판의 상기 에지의 근처에 배치된 이온들의 이온 입사각이 상기 에지링으로부터 떨어져 상기 기판의 상기 에지쪽으로 바이어스되도록 하면서 상기 기판이 프로세싱되는, 폴리머 증착 감소 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 RF 필터 설비 및 DC 전원을 포함하며, 상기 RF 필터 설비는 상기 에지링과 상기 DC 전원 사이에 배치되는, 폴리머 증착 감소 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 RF 필터 설비는 원치 않는 고조파 RF 에너지를 감쇠시키도록 구성되는, 폴리머 증착 감소 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버는 용량적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 폴리머 증착 감소 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 RF 전력은 약 20 KHz 내지 약 800 KHz 의 범위의 RF 주파수를 가지는, 폴리머 증착 감소 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 RF 전력은 2 MHz, 27 MHz, 및 60 MHz 중 적어도 하나를 포함하는 RF 주파수 세트를 가지는, 폴리머 증착 감소 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버는 유도적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 폴리머 증착 감소 방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 RF 전원을 포함하는, 폴리머 증착 감소 방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 DC 전원을 포함하는, 폴리머 증착 감소 방법.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 DC 전위를 모니터링하여, 상기 기판의 상기 DC 전위가 변하는 경우, 상기 제 1 전압을 변화시키기 위해 상기 기판의 상기 DC 전위가 피드백 신호로서 이용되도록 구성된 피드백 회로를 더 포함하는, 폴리머 증착 감소 방법.
  21. 플라즈마 프로세싱 챔버에서, 척 위에 배치되고 상기 척으로부터 절연된 에지링에 의해 둘러싸인 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    상기 척에 RF 전력을 제공하는 단계;
    상기 에지링에 제 1 전압을 제공하기 위해 상기 에지링에 커플링되어, 상기 에지링이 에지링 전위를 가지게 하는 에지링 DC 전압 제어 설비를 제공하는 단계; 및
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 생성하여 상기 기판을 프로세싱하는 단계를 포함하며,
    상기 기판을 프로세싱하는 동안 상기 에지링 DC 전압 제어 설비가 상기 에지링 전위로 하여금 상기 기판의 DC 전위보다 낮게 되도록 구성되면서, 상기 기판이 프로세싱되는, 기판 프로세싱 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 RF 필터 설비 및 DC 전원을 포함하며, 상기 RF 필터 설비는 상기 에지링과 상기 DC 전원 사이에 배치되는, 기판 프로세싱 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 RF 필터 설비는 원치 않는 고조파 RF 에너지를 감쇠시키도록 구성되는, 기판 프로세싱 방법.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 RF 전력은 약 20 KHz 내지 약 800 KHz 의 범위의 RF 주파수를 가지는, 기판 프로세싱 방법.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 RF 전력은 2 MHz, 27 MHz, 및 60 MHz 중 적어도 하나를 포함하는 RF 주파수 세트를 가지는, 기판 프로세싱 방법.
  26. 제 21 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버는 용량적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 기판 프로세싱 방법.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버는 유도적으로 커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 기판 프로세싱 방법.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 RF 전원을 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  29. 제 21 항에 있어서,
    상기 에지링 DC 전압 제어 설비는 DC 전원을 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  30. 제 31 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 DC 전위를 모니터링하여, 상기 기판의 상기 DC 전위가 변하는 경우, 상기 제 1 전압을 변화시키기 위해 상기 기판의 상기 DC 전위가 피드백 신호로서 이용되도록 구성된 피드백 회로를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
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