TWI455204B - 基板處理用之邊緣環裝置 - Google Patents

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TWI455204B
TWI455204B TW097123837A TW97123837A TWI455204B TW I455204 B TWI455204 B TW I455204B TW 097123837 A TW097123837 A TW 097123837A TW 97123837 A TW97123837 A TW 97123837A TW I455204 B TWI455204 B TW I455204B
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Rajinder Dhindsa
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Description

基板處理用之邊緣環裝置 SUBSTRATE PROCESSING
本發明係關於處理基板的方法，尤其係關於在電漿處理室中利用具有邊緣環的設備來處理基板的方法。
電漿處理的進步已驅使半導體產業的成長。由於半導體的高度競爭性質，所以裝置製造者會想要將良率最大化，並且有效利用基板上有用的區域。在基板的電漿處理期間，複數個參數必須被控制以確保被處理裝置的高良率。缺陷裝置的共同起因係在基板處理期間缺乏均勻性。會影響均勻性的因素為基板邊緣效應。缺陷裝置的另一個起因係由於在運送時聚合的副產物從一基板的背側剝落到另一個基板上。
現今的製造技術因更高性能裝置的需求、進一步降低基板特徵部尺寸的壓力、以及實現更新的最佳化基板材料而倍受挑戰。例如，逐漸變得難以維持從較大基板(例如>300mm)之中央至邊緣的均勻性或處理結果。一般而言，就一已知的特徵部尺寸而論，隨著基板的尺寸變得更大，基板上靠近邊緣的裝置數量會增加。同樣地，就一已知的基板尺寸而論，隨著裝置的特徵部尺寸降低，基板上靠近邊緣的裝置數量會增加。舉例而言，基板上通常有超過裝置總數量20%的裝置位於基板周圍附近。
圖1顯示具有單一熱邊緣環之電容耦合式電漿處理系統的簡化示意圖。一般而言，由來源無線射頻(RF，radio frequency)產生器112所產生的來源無線射頻通常用以產生電漿，並且經由電容耦合而控制電漿密度。某些蝕刻應用可能需要將以無線射頻供電的上部電極相對於下部電極接地。無線射頻功率為2 MHz、27 MHz、以及60 MHz至少其中之一。還有其他蝕刻應用可能需要使用相同的無線射頻頻率，對上部電極與下部電極兩者供以無線射頻。
通常，吾人使一適當的氣體組流過上部電極102中的入口。這些氣體隨後被游離而形成電漿104，以處理(例如蝕刻或沉積)基板106(例如半導體基板或玻璃格板)的曝露區域，吾人係利用熱邊緣環(HER，hot edge ring)116(例如Si等等)而將此基板設置在靜電夾頭(ESC，electrostatic chuck)108上，此靜電夾頭亦作為供電電極(powered electrode)，並且被配置在靜電夾頭下部電極110的上方。
熱邊緣環116通常可執行許多功能，其包含將基板106設置在靜電夾頭108上，並且保護不被基板本身所保護的下層部件免於受到電漿離子的損壞。如圖1所示，熱邊緣環116被配置在基板106的邊緣下方並且在此基板邊緣附近。熱邊緣環116可進一步座落在耦合環114(例如石英等等)上，此耦合環通常用以提供從夾頭108至熱邊緣環116的電流路徑。
在圖1的範例中，絕緣環118與120用以在靜電夾頭108與接地環122之間提供絕緣作用。石英覆層124被配置在接地環122的頂端上。用於耦合環114的材料可為石英或適當的材料，以將從靜電夾頭108至熱邊緣環116的無線射頻耦合最佳化。例如，石英可被利用作為耦合環114，以將到熱邊緣環116的無線射頻耦合最小化。在另一範例中，可利用鋁作為耦合環114，以增加到熱邊緣環116的無線射頻耦合。
由於基板邊緣效應，例如電場、電漿溫度、以及來自處理化學品的負載效應，所以靠近基板邊緣的處理結果在電漿處理期間會不同於基板的其餘(中央)區域。例如，在基板106之邊緣周圍的電場會因為來自於到熱邊緣環116之無線射頻耦合的變化而改變。電漿鞘層的等位線會變成中斷，而在基板邊緣附近引起不均勻的離子角分佈。
通常，吾人期望電場可在基板的整個表面上保持實質上固定，以維持處理均勻性以及垂直蝕刻輪廓。在電漿處理期間，基板106與熱邊緣環116之間的無線射頻耦合平衡可藉由維持處理 均勻性以及垂直蝕刻的設計而被最佳化。舉例而言，到熱邊緣環116的無線射頻耦合可針對最大無線射頻耦合加以最佳化，以獲得均勻蝕刻。然而，犧牲了用以維持處理均勻性的無線射頻耦合平衡會付出邊緣聚合物沉積傾斜的代價。
在蝕刻處理期間，常見聚合物副產物(例如氟化聚合物等等)形成在基板背側上及/或基板邊緣附近。氟化聚合物通常係由先前曝露於蝕刻化學品的光阻材料所組成，或由在氟碳蝕刻處理期間所沉積的聚合物副產物所組成。一般而言，氟化聚合物為具有Cx Hy Fz 化學方程式的物質，此處的x、z為大於0的整數，而y為大於或等於0的整數(例如CF4 、C2 F6 、CH2 F2 、C4 F8 、C5 F8 等等)。
然而，當連續的聚合物層因為數個不同蝕刻處理而沉積在邊緣區域上時，正常為強烈以及具附著性的有機鍵結最終會變弱，並且通常會在運送時剝離或剝落到另一個基板上。例如，基板通常係經由實質上清潔的容器(通常稱為晶舟盒)而成組地在電漿處理系統之間移動。當在容器中處於較高位置的基板被改變位置時，一部分的聚合物層可能會掉落在存在有晶粒的較低基板上，如此極可能影響裝置良率。
圖2顯示基板的簡化圖，於其中顯示一批邊緣聚合物已沉積在平面的背側上。如上所述，在蝕刻處理期間，常見：聚合物副產物(邊緣聚合物)形成於基板上。在本範例中，聚合物副產物已沉積在平面的背側上，亦即，基板的側面遠離電漿。例如，聚合物厚度在約70∘時可約為250nm(202)、在45∘時可約為270nm(204)、在0∘時可約為120nm(206)。一般而言，聚合物的厚度愈大，一部分聚合物會脫離並掉落在另一個基板或夾頭上的可能性就愈高，如此極可能影響製造良率。
例如，為了用以降低位於傾斜邊緣上之聚合物副產物沉積的最小無線射頻耦合，可將到熱邊緣環116的無線射頻耦合最佳化。然而，用以將傾斜邊緣聚合物沉積最小化的無線射頻耦合平衡會犧牲掉維持基板邊緣之處理均勻性。
因此，上述先前技術的方法需要熱邊緣環與基板之間的無線射頻耦合平衡，以在邊緣均勻性或傾斜邊緣聚合物沉積的最佳化之間作取捨。此外，晶圓邊緣與熱邊緣環之間的電弧作用會在基板邊緣上引起孔蝕並且損壞裝置，因而降低良率。
在一實施例中，本發明係關於在電漿處理室中處理基板的方法。此基板被配置在夾頭的上方並且被第一邊緣環所圍繞。第一邊緣環與此夾頭電性隔離。此方法包含設置第二邊緣環。第二邊緣環被配置在基板的邊緣下方。此方法亦包含設置耦合環。此耦合環用以促進從靜電夾頭(ESC)組件至第一邊緣環的無線射頻耦合，因此使第一邊緣環在基板處理期間具有邊緣環電位，以及在此基板處理期間，使在第一邊緣環的無線射頻耦合被最大化，並且使在第二邊緣環的無線射頻耦合被最小化。
以上總結係僅關於在此所揭露之本發明之許多實施例的其中之一，並且不用以限制本發明的範圍，此發明之範圍在此被提出在請求項中。將在以下本發明之詳細說明中並結合隨附圖式，詳述本發明之這些以及其他特徵。
以下，本發明將參考隨附圖式所示之若干其實施例而進行說明。在以下說明中，提出許多特定細節以提供對本發明的整體瞭解。然而，熟習本項技藝者可明白在不具某些或所有這些特定細節的情況下，可實施本發明。在其他情況下，為了不對本發明造成不必要的混淆，已不詳述熟知的處理步驟及/或結構。
各種不同的實施例被說明於下，其包含方法以及技術。吾人應瞭解本發明亦可涵蓋包含於其上儲存電腦可讀取指令人電腦可讀取媒體的製造技術，此電腦可讀取指令係用以實現本發明技術的實施例。此電腦可讀取媒體可例如包含：半導體、磁、光磁、 光學、或其他形式之用以儲存電腦可讀取碼的電腦可讀取媒體。又，本發明亦可涵蓋用以實施本發明之實施例的設備。此種設備可包含專用及/或可程式的電路，以實現與本發明之實施例相關的工作。此種設備的範例包含通用電腦及/或經適當編寫的專用計算裝置，並且可包含電腦/計算裝置與專用/可程式電路的組合，此專用/可程式電路係用於與本發明實施例相關的各種工作。
依照本發明之實施例，提供用以設置電漿處理系統以增強在電漿處理參數上之控制的方法與裝置。本發明之實施例包含將獨立的無線射頻(RF，radio frequency)功率耦合至複數個熱邊緣環，以在基板與每一個邊緣環之間產生期望的電位差。因此，已知電漿處理之電漿鞘層(plasma sheath)的等位線可被最佳化，以在基板邊緣達到均勻蝕刻而不犧牲從基板傾斜邊緣之聚合物副產物的清理。
在本發明之一或更多實施例中，第一熱邊緣環被配置在基板邊緣的周圍。在一實施例中，第一熱邊緣環可由矽(Si)、氮化矽(SiN)、及/或二氧化矽(SiO2 )所製造。在一實施例中，第一熱邊緣環可進一步座落在耦合環上，以提供從靜電夾頭下部電極至第一熱邊緣環的無線射頻耦合，而將基板與第一熱邊緣環之間的電位差降至最低。因此，已知電漿處理之電漿鞘層的等位線可被最佳化，以保持對基板邊緣的筆直離子撞擊。在基板邊緣的垂直離子撞擊可確保在電漿處理期間相對於基板中央的均勻蝕刻。
在一實施例中，以絕緣環所隔離的第二熱邊緣環被配置在基板邊緣的下方。在一實施例中，第二熱邊緣環可由矽(Si)、氮化矽(SiN)、及/或二氧化矽(SiO2 )所製造。第二熱邊緣環藉由絕緣環而與基板、第一邊緣環、靜電夾頭、以及靜電夾頭下部電極隔離。絕緣環可由例如石英的絕緣材料所製造，以達到與靜電夾頭下部電極的無線射頻去耦合。本發明之實施例可在基板與第二熱邊緣環之間提供高電壓電位，以在基板的傾斜邊緣上引起電弧作用，而移除沉積在基板之傾斜邊緣上的聚合物副產物。
在本發明之另一實施例中，第二熱邊緣環被直接配置在基板的下方以及絕緣環的頂端。在一實施例中，第二熱邊緣環可由SiN或SiO2 所製造。在一實施例中，到第二熱邊緣環的無線射頻耦合可被最佳化，以在基板與第二熱邊緣環之間提供最大電位差，以在基板的傾斜邊緣上誘導電弧作用，用以清理聚合物副產物。
本發明之特徵以及優點可參考隨後的圖式以及說明而更顯明白。圖3顯示依照本發明之一實施例之設有雙邊緣環之電容耦合式電漿處理系統300的簡化示意圖。
電漿處理系統300可為單、雙、或三頻無線射頻電容放電系統。在一範例中，無線射頻可包含但不限於例如2 MHz、27 MHz、以及60 MHz。電漿處理系統300可被設置成包含基板306，此基板被配置在靜電夾頭(ESC)308的上方，此靜電夾頭亦作為動力電極(powered electrode)並且被配置在靜電夾頭下部電極310的上方。
考量例如基板306被處理的情況。在電漿處理期間，具有接地路徑(為簡化此圖式而沒有顯示)的多頻無線射頻產生器312可透過無線射頻匹配網路(為簡化此圖式而沒有顯示)，將低無線射頻偏壓功率供應至靜電夾頭下部電極310。來自無線射頻產生器312的無線射頻功率可與氣體(為簡化此圖式而沒有顯示)產生交互作用，而在上部電極302與基板306之間激發電漿304。電漿可用以蝕刻材料及/或沉積材料於基板306上，而製造電子裝置。
如圖3所示，某些蝕刻應用可能需要被供以無線射頻的上部電極302相對於下部電極而接地。此無線射頻功率為2 MHz、27 MHz、以及60 MHz至少其中之一。還有其他蝕刻應用可能需要使用相同的無線射頻頻率，對上部電極與下部電極兩者供以無線射頻。
相較於僅利用一熱邊緣環的先前技術，在一實施例中，電漿處理系統300設有複數個熱邊緣環(HER)，例如第一熱邊緣環314以及第二熱邊緣環326。依照本發明之一實施例，第一熱邊緣環314被配置而圍繞基板306的邊緣。在一實施例中，第一熱邊緣環 314可由矽(Si)、氮化矽(SiN)、及/或二氧化矽(SiO2 )所製造。絕緣環320可在第一熱邊緣環314與接地環322之間提供絕緣作用。石英覆蓋環324被配置在接地環322的頂端。第一熱邊緣環314可進一步座落在耦合環318上。耦合環318可由例如鋁或石墨的導電材料所製造，以提供從例如靜電夾頭308與靜電夾頭下部電極310之靜電夾頭組件至第一熱邊緣環314的無線射頻耦合。
依照一實施例，從靜電夾頭組件至第一熱邊緣環314的無線射頻耦合可被最佳化，以相對於基板332上之無線射頻鞘層電壓(V1)的範圍，而在基板邊緣環330上之無線射頻鞘層電壓(V2)的範圍之間達到類似的電漿鞘層，以產生最小電位差(V1-V2)。因此，已知電漿處理之電漿鞘層的等位線可被最佳化，而保持對基板306之邊緣的筆直離子撞擊。在基板306之邊緣的垂直離子撞擊可確保在電漿處理期間相對於基板中央的均勻蝕刻。
在圖3的實現中，依照一實施例，藉由絕緣環316所隔離的第二熱邊緣環326被配置在基板306的邊緣下方。在一實施例中，第二熱邊緣環326可由矽(Si)、氮化矽(SiN)、及/或二氧化矽(SiO2 )所製成。依照本發明之一實施例，第二熱邊緣環326藉由絕緣環316而與基板306、第一邊緣環314、靜電夾頭308、以及靜電夾頭下部電極310隔離。絕緣環316可由例如石英的絕緣材料所製造，以達到與靜電夾頭組件的無線射頻去耦合。
由於到第二熱邊緣環326的無線射頻耦合可被最佳化，所以第二熱邊緣環326上的感應電壓(V3)可能比基板306上的電壓(V1)低，而基板306與第二熱邊緣環326之間的電壓電位(V1-V3)則較高。由於基板306與第二熱邊緣環326之間的高電壓電位，所以電弧作用可發生在基板306的傾斜邊緣上。通常，電弧作用為不良的未控制現象。然而，在基板的傾斜邊緣上並無裝置。因此，依照本發明之一實施例，可能期望以在基板306之傾斜邊緣上的電弧作用或微爆作為用以移除沉積在基板傾斜邊緣上之聚合物副產物的清理機制。
在先前技術中，僅存在有一熱邊緣環，並且可將到熱邊緣環的無線射頻耦合最佳化，以平衡基板邊緣處的均勻蝕刻或傾斜邊緣上之聚合物副產物的沉積。不像先前技術的方法，複數個熱邊緣環可與到每一熱邊緣環的獨立無線射頻耦合一起被利用，以同時達到均勻蝕刻以及聚合物副產物沉積的傾斜邊緣清理。
除了上述如圖3所述的方法與裝置之外，可提供利用複數個熱邊緣環來提供到個別熱邊緣環的獨立無線射頻耦合之其他實施例。圖4顯示依照本發明一實施例之具有複數個熱邊緣環的多頻電容耦合式電漿處理系統400。電漿處理系統400可被設置成包含：接地上部電極402、基板406、靜電夾頭(ESC)408、靜電夾頭下部電極410、絕緣環420、接地環422、以及石英覆蓋環424。
考量例如基板406被處理的情況。當氣體(為簡化此圖式而沒有顯示)與來自無線射頻產生器412的無線射頻功率產生交互作用時，可激發出電漿404。可利用電漿404來蝕刻材料及/或沉積材料於基板406上，以製造電子裝置。
如上所述，基板邊緣效應，例如電場、電漿溫度、以及來自處理化學品的負載效應，會使靠近基板邊緣的處理結果不同於基板的其餘(中央)區域。例如，電漿鞘層的等位線會變成中斷，而在基板邊緣附近造成不均勻的離子角分佈。
在圖4的實現中，第一熱邊緣環414被配置在耦合環418的上方並且圍繞基板406的邊緣。在一實施例中，第一熱邊緣環414可由矽所製造。在一實施例中，到第一熱邊緣環414的無線射頻耦合可被最佳化，以在基板406與第一熱邊緣環414之間提供最小電位差(V1-V2)，而在基板邊緣達到均勻蝕刻。
因此，相對於基板432上的電漿鞘層，基板邊緣環430上之電漿鞘層的等位線被最佳化，以保持對基板406的筆直離子撞擊。在基板406之邊緣的垂直離子撞擊可確保在電漿處理期間相對於基板中央的均勻蝕刻。
如圖4所示，第二熱邊緣環426被直接配置在基板406的下 方以及絕緣環416的頂端。在一實施例中，第二熱邊緣環可SiN或SiO2 由所製造。在一實施例中，到第二熱邊緣環426的無線射頻耦合可被最佳化，以在基板406與第二熱邊緣環426之間提供最大電位差(V1-V3)，以在基板的傾斜邊緣上誘導電弧作用，用以清理聚合物副產物。
此可從上述內容得知，本發明之實施例可在沒有利用外部硬體裝置的情況下，提供用於從設置之複數個熱邊緣環之每一個熱邊緣環之獨立無線射頻耦合的方法與裝置。藉由利用到複數個熱邊緣環的獨立無線射頻耦合，吾人可達到在基板邊緣的蝕刻均勻性，而不必取捨在傾斜邊緣之聚合物副產物的清理。此外，熱邊緣環裝置的設計係簡易且廉價，可對現有電漿處理設備作翻新改進。
雖然本發明已就數個較佳實施例進行說明，但存在有落入本發明之範圍的替代、變更、以及等效設計。同樣地，在此以簡便方式提供本發明的標題、內容、以及摘要，並且其不應被用以限制請求項的範圍。吾人亦應注意到存在有許多實現本發明之方法與設備的替代方式。雖然在此提供各種不同的範例，但此意指這些範例為與本發明相關的示例而非限制。又，在本申請案中，一項目「n」組係指在此組中有零個以上的項目。因此，此意指隨後所附的請求項被視為包含落入本發明之精神與範圍的所有此種替代、變更、以及等效設計。
102‧‧‧上部電極
104‧‧‧電漿
106‧‧‧基板
108‧‧‧靜電夾頭
110‧‧‧靜電夾頭下部電極
112‧‧‧來源無線射頻產生器
114‧‧‧耦合環
116‧‧‧熱邊緣環
118‧‧‧絕緣環
120‧‧‧絕緣環
122‧‧‧接地環
124‧‧‧石英覆層
202‧‧‧聚合物厚度
204‧‧‧聚合物厚度
206‧‧‧聚合物厚度
300‧‧‧電漿處理系統
302‧‧‧上部電極
304‧‧‧電漿
306‧‧‧基板
308‧‧‧靜電夾頭
310‧‧‧靜電夾頭下部電極
312‧‧‧無線射頻產生器
314‧‧‧第一熱邊緣環
316‧‧‧絕緣環
318‧‧‧耦合環
320‧‧‧絕緣環
322‧‧‧接地環
324‧‧‧石英覆蓋環
326‧‧‧第二熱邊緣環
330‧‧‧基板邊緣環
332‧‧‧基板
400‧‧‧電漿處理系統
402‧‧‧接地上部電極
404‧‧‧電漿
406‧‧‧基板
408‧‧‧靜電夾頭
410‧‧‧靜電夾頭下部電極
412‧‧‧無線射頻產生器
414‧‧‧第一熱邊緣環
416‧‧‧絕緣環
418‧‧‧耦合環
420‧‧‧絕緣環
422‧‧‧接地環
424‧‧‧石英覆蓋環
426‧‧‧第二熱邊緣環
430‧‧‧基板邊緣環
432‧‧‧基板
在隨附圖式的圖式中，本發明係經由範例而加以說明，而非經由限制，並且相同的參考符號係指相同的元件，其中：圖1顯示具有單一熱邊緣環之電容耦合式電漿處理系統的簡化圖；圖2顯示基板的簡化圖，其中顯示一批邊緣聚合物已沉積在平面的背側上； 圖3顯示依照本發明之一實施例之設有雙邊緣環之電容耦合式電漿處理系統的簡化示意圖；及圖4顯示依照本發明之一實施例之具有複數個熱邊緣環的多頻電容耦合式電漿處理系統。
300‧‧‧電漿處理系統
302‧‧‧上部電極
304‧‧‧電漿
306‧‧‧基板
308‧‧‧靜電夾頭
310‧‧‧靜電夾頭下部電極
312‧‧‧無線射頻產生器
314‧‧‧第一熱邊緣環
316‧‧‧絕緣環
318‧‧‧耦合環
320‧‧‧絕緣環
322‧‧‧接地環
324‧‧‧石英覆蓋環
326‧‧‧第二熱邊緣環
330‧‧‧基板邊緣環
332‧‧‧基板

Claims (24)

  1. 一種在電漿處理室中處理基板的方法，該基板被配置在一夾頭的上方並且被一第一邊緣環所圍繞，該第一邊緣環與該夾頭電性隔離，該方法包含：設置一第二邊緣環，該第二邊緣環被配置在該基板的邊緣下方；設置一耦合環，其中該耦合環用以促進從一靜電夾頭(ESC，electrostatic chuck)組件至該第一邊緣環的無線射頻(RF，radio frequency)耦合，藉以使該第一邊緣環在基板處理期間具有邊緣環電位，以及在該基板處理期間，使在該第一邊緣環的無線射頻耦合被最大化，並且使在該第二邊緣環的無線射頻耦合被最小化，該ESC組件包括該夾頭；以及使該第二邊緣環與該ESC組件之間無線射頻去耦合。
  2. 如申請專利範圍第1項之在電漿處理室中處理基板的方法，更包含：設置一絕緣環於該第一邊緣環下方，以封住該第二邊緣環；以及利用該絕緣環使該第二邊緣環與該第一邊緣環絕緣。
  3. 如申請專利範圍第1項之在電漿處理室中處理基板的方法，更包含設置一絕緣環，其中該第二邊緣環被配置在該絕緣環的上方。
  4. 如申請專利範圍第1項之在電漿處理室中處理基板的方法，更包含利用該第二邊緣環以導致該基板之該邊緣處的爆開。
  5. 如申請專利範圍第1項之在電漿處理室中處理基板的方法，其中該耦合環係由一包含導電材料、鋁以及石墨至少其中之一的材料所形成。
  6. 如申請專利範圍第1項之在電漿處理室中處理基板的方法，其中該第二邊緣環係由一包含矽、氮化矽以及二氧化矽至少其中之一的材料所形成。
  7. 如申請專利範圍第2項之在電漿處理室中處理基板的方法，其中該絕緣環係由一包含絕緣材料以及石英至少其中之一的材料所形成。
  8. 如申請專利範圍第3項之在電漿處理室中處理基板的方法，其中該絕緣環係由一包含絕緣材料以及石英至少其中之一的材料所形成。
  9. 如申請專利範圍第1項之在電漿處理室中處理基板的方法，更包含：將該第二邊緣環封在一絕緣環內；將該絕緣環設置在該第一邊緣環下方；以及利用該絕緣環使該第二邊緣環與該ESC組件之間無線射頻去耦合，該ESC組件更包括一電極。
  10. 一種電漿處理系統，具有用於處理一基板的一電漿處理室，該基板被配置在一夾頭的上方並且被一第一邊緣環所圍繞，該第一邊緣環與該夾頭電性隔離，該電漿處理系統包含：一第二邊緣環，配置在該基板的邊緣下方，該第二邊緣環與該夾頭之間無線射頻(RF)去耦合；及一耦合環，其中該耦合環用以促進從一靜電夾頭(ESC)組件至該第一邊緣環的無線射頻耦合，藉以使該第一邊緣環在基板處理期間具有邊緣環電位，以及在該基板處理期間，使在該第一邊緣環的無線射頻耦合被最大化，並且使在該第二邊緣環的無線射頻 耦合被最小化，該ESC組件包括該夾頭。
  11. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，更包含一封住該第二邊緣環之絕緣環，該絕緣環使該第二邊緣環與該ESC組件之間無線射頻去耦合。
  12. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，更包含一絕緣環，其中該第二邊緣環被配置在該絕緣環的上方。
  13. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，其中該第一邊緣環係由一包含矽、氮化矽以及二氧化矽至少其中之一的材料所形成。
  14. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，其中該耦合環係由一包含導電材料、鋁以及石墨至少其中之一的材料所形成。
  15. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，其中該第二邊緣環係由一包含矽、氮化矽以及二氧化矽至少其中之一的材料所形成。
  16. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該絕緣環係由一包含絕緣材料以及石英至少其中之一的材料所形成。
  17. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該絕緣環係由一包含絕緣材料以及石英至少其中之一的材料所形成。
  18. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，其中輸送至該夾頭的該無線射頻功率具有一無線射頻頻率組，該無線射頻頻率組包含約2MHz、約27MHz、以及約60MHz至少其中之一。
  19. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，更包含一封住該第二 邊緣環之絕緣環，該絕緣環使該第二邊緣環與該第一邊緣環絕緣。
  20. 如申請專利範圍第19項之電漿處理系統，其中該絕緣環係設置在該第一邊緣環的下方。
  21. 如申請專利範圍第19項之電漿處理系統，其中該絕緣環係設置在該夾頭與該耦合環之間，且該第二邊緣環係設置在該夾頭與該耦合環之間。
  22. 如申請專利範圍第19項之電漿處理系統，更包含一電極，其中該ESC組件更包括該電極，該絕緣環係設置在該第一邊緣環與該電極之間，且該第二邊緣環係設置在該第一邊緣環與該電極之間。
  23. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，更包含一電極，其中該ESC組件更包括該電極，且該第二邊緣環與該電極絕緣。
  24. 如申請專利範圍第10項之電漿處理系統，更包含一電極，其中該ESC組件更包括該電極，且該第一邊緣環係經由該耦合環及該電極而與該夾頭無線射頻耦合。
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