KR101155837B1 - 기판 프로세싱용 에지 링 배열 - Google Patents

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KR101155837B1
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 이 기판은 제 1 에지 링에 의해 둘러싸이며 척 위에 배치된다. 제 1 에지 링은 척으로부터 전기적으로 절연된다. 이 방법은 제 2 에지 링을 제공하는 단계를 포함한다. 제 2 에지 링은 기판의 에지 아래에 배치된다. 이 방법은 커플링 링을 제공하는 단계를 더 포함한다. 커플링 링은 ESC (electrostatic chuck) 어셈블리로부터 제 1 에지 링으로의 RF 커플링을 용이하게 하도록 구성됨으로써, 제 1 에지 링이 기판 프로세싱 동안에 에지 링 전위를 갖도록 하며, RF 커플링이 기판 프로세싱 동안에 제 1 에지 링에서 최대로 되고 제 2 에지 링에서 최소로 되게 한다.

Description

기판 프로세싱용 에지 링 배열{EDGE RING ARRANGEMENTS FOR SUBSTRATE PROCESSING}
플라즈마 프로세싱의 진보에 의해 반도체 산업의 성장이 이루어졌다. 반도체의 고도로 경쟁적인 성질로 인해, 디바이스 제조자는 수율을 최대화하며 기판 상의 이용가능한 면적 (real estate) 을 효율적으로 이용하기를 원할 수도 있다. 기판의 플라즈마 프로세싱 동안에, 프로세싱되는 디바이스의 높은 수율을 보장하기 위해 복수의 파라미터가 제어될 필요가 있을 수도 있다. 불량 디바이스의 일반적인 원인은 기판 프로세싱 동안의 균일성의 부족이다. 균일성에 영향을 미칠 수도 있는 팩터는 기판 에지 효과이다. 불량 디바이스의 다른 원인은 이송 중에 하나의 기판의 이면으로부터 다른 기판 상으로 플레이킹 (flake-off) 되는 폴리머 부산물로 인한 것일 수도 있다.
현재의 제조 기술은, 보다 고성능 디바이스, 기판 피처 사이즈를 더욱 감소시키는 압력뿐만 아니라, 더욱 새롭게 최적화된 기판 재료의 구현에 대한 요구를 과제로 하고 있다. 예를 들어, 큰 기판 (예를 들어, >300 mm) 의 중앙에서 에지까지 프로세스 결과 또는 균일성을 유지하는 것이 점점 더 어려워지고 있다. 일반적으로, 주어진 피처 사이즈에 대해, 에지에 가까운 기판 상의 디바이스의 수는 기판의 사이즈가 더욱 커질수록 증가한다. 마찬가지로, 주어진 기판 사이즈에 대해, 에지에 가까운 기판 상의 디바이스의 수는 디바이스의 피처 사이즈가 감소할수록 증가한다. 예를 들어, 종종 기판 상의 디바이스의 총수의 20% 를 넘는 디바이스가 기판의 주변 가까이에 위치한다.
도 1 은 단일 핫 에지 링을 갖는 용량 결합 플라즈마 프로세싱 시스템의 단순화된 도면을 도시한다. 일반적으로, 소스 RF 발생기 (112) 에 의해 발생된 소스 RF 는 용량 결합을 통해 플라즈마 밀도를 제어할 뿐만 아니라 플라즈마를 발생시키는데 보통 이용된다. 일정한 에칭 애플리케이션은 RF 전력 공급되는 하부 전극에 대하여 상부 전극이 접지될 것을 요구할 수도 있다. RF 전력은 2MHz, 27MHz, 및 60MHz 중 적어도 하나이다. 또 다른 에칭 애플리케이션은 상부 전극과 하부 전극 둘 다가 유사한 RF 주파수를 이용하여 RF 전력 공급될 것을 요구할 수도 있다.
일반적으로, 상부 전극 (102) 의 유입구를 통해 적절한 가스 세트가 흐른다. 이어서, 이 가스들을 이온화하여 플라즈마 (104) 를 형성함으로써, 전력 공급된 전극의 역할도 하는 정전척 (ESC: electrostatic chuck)(108) 상에 핫 에지 링 (HER; 116)(예를 들어, Si 등) 과 함께 위치하는 반도체 기판 또는 판유리와 같은 기판 (106) 의 노출된 영역을 프로세싱 (예를 들어, 에칭 또는 퇴적) 한다.
핫 에지 링 (116) 은 일반적으로 ESC (108) 상에 기판 (106) 을 위치시키는 것 및 기판 자체에 의해 보호되지 않는 기저 컴포넌트가 플라즈마의 이온에 의해 손상되지 않게 차폐하는 것을 비롯한 많은 기능을 수행한다. 도 1 에 도시된 것과 같은 핫 에지 링 (116) 은 기판 (106) 의 에지 둘레에 그리고 그 아래에 배치된다. 핫 에지 링 (116) 은, 척 (108) 으로부터 핫 에지 링 (116) 까지의 전류 경로를 제공하도록 일반적으로 구성된 커플링 링 (114)(예를 들어, 석영 등) 상에 또한 놓일 수도 있다.
도 1 의 실시예에서, 절연체 링 (118 및 120) 은 ESC (108) 와 접지 링 (122) 사이에 절연을 제공하도록 구성된다. 석영 커버 (124) 는 접지 링 (122) 의 상단 위에 배치된다. 커플링 링 (114) 의 재료는 석영, 또는 ESC (108) 로부터 HER (116) 로의 RF 커플링을 최적화하는데 적절한 재료일 수도 있다. 예를 들어, HER (116) 로의 RF 커플링을 최소화하기 위해 커플링 링 (114) 으로서 석영이 채용될 수도 있다. 다른 실시예에서, HER (116) 로의 RF 커플링을 증가시키기 위해 커플링 링 (114) 으로서 알루미늄이 채용될 수도 있다.
전계, 플라즈마 온도, 및 프로세스 화학작용으로부터의 로딩 효과와 같은 기판 에지 효과로 인해, 기판 에지 가까이의 프로세스 결과는 플라즈마 프로세싱 동안 기판의 나머지 (중앙) 영역과 상이할 수도 있다. 예를 들어, HER (116) 로의 RF 커플링으로부터의 변화로 인해 기판 (106) 에지 둘레의 전계가 변할 수도 있다. 플라즈마 쉬스의 등위선이 붕괴되어, 기판 에지 둘레의 비균일한 이온 각분포를 야기할 수도 있다.
일반적으로, 프로세스 균일성 및 수직 에칭 프로파일을 유지하기 위해 전계가 기판의 전체 표면 상에서 실질적으로 일정하게 유지되는 것이 바람직하다. 플라즈마 프로세싱 동안에, 기판 (106) 과 HER (116) 사이의 RF 커플링 밸런스는 프로세스 균일성 및 수직 에칭을 유지하도록 설계에 의해 최적화될 수도 있다. 예를 들어, HER (116) 로의 RF 커플링은 균일한 에칭을 얻기 위해 최대 RF 커플링에 최적화될 수도 있다. 그러나, 프로세스 균일성을 유지하기 위한 RF 커플링 밸런스는 베벨 에지 (beveled edge) 폴리머 퇴적에 대한 비용으로 될 수도 있다.
에칭 프로세스 중에, 폴리머 부산물 (예를 들어, 플루오르화 폴리머 등) 이 기판 이면 상에 및/또는 기판 에지 둘레에 형성되는 것이 일반적일 수도 있다. 플루오르화 폴리머는 일반적으로 플루오르화 탄소 에칭 프로세스 중에 퇴적된 폴리머 부산물, 또는 에칭 화학작용에 이전에 노출된 광레지스트 재료로 구성된다. 일반적으로, 플루오르화 폴리머는 CxHyFz 의 화학식을 갖는 물질인데, 여기서 x, z 는 0 보다 큰 정수이고, y 는 0 이상의 정수이다 (예를 들어, CF4, C2F6, CH2F2, C4F8, C5F8 등).
그러나, 수개의 상이한 에칭 프로세스의 결과로서 연속적인 폴리머층이 에지 영역 상에 퇴적됨에 따라, 정상적으로는 강력하고 접착성 있는 유기 결합은 결국에는 수송 중에 종종 다른 기판에 플레이킹되거나 박리되고 약해진다. 예를 들어, (종종 카세트로 불리는) 실질적으로 깨끗한 컨테이너를 통해 플라즈마 프로세싱 시스템들 사이에서 기판은 보통 세트로 이동된다. 더 높게 위치한 기판이 컨테이너에 재위치함에 따라, 폴리머층의 부분은 다이가 존재하는 하부 기판 상으로 떨어져서, 잠재적으로 디바이스 수율에 영향을 미칠 수도 있다.
도 2 는 평면 이면에 퇴적된 에지 폴리머의 세트가 도시된 기판의 단순화된 도면을 나타낸다. 이전에 언급한 바와 같이, 에칭 프로세스 중에, 폴리머 부산물 (에지 폴리머) 이 기판 상에 형성되는 것이 일반적일 수도 있다. 이 실시예에서, 폴리머 부산물은 평면 이면, 즉, 플라즈마로부터 떨어진 기판측 상에 퇴적되었다. 예를 들어, 폴리머 두께는 약 70°(202) 에서 약 250 nm, 약 45°(204) 에서 약 270 nm 이며, 0°(206) 에서 약 120 nm 일 수도 있다. 일반적으로, 폴리머의 두께가 클수록, 폴리머의 부분이 제거 (dislodge) 되어 다른 기판 또는 척으로 떨어질 수도 있는 확률이 더욱 높아져서, 잠재적으로 제조 수율에 영향을 미칠 수도 있다.
예를 들어, HER (116) 로의 RF 커플링은 베벨 에지 상의 폴리머 부산물 퇴적을 감소시키기 위해 최소 RF 커플링에 최적화될 수도 있다. 그러나, 베벨 에지 폴리머 퇴적을 최소화하기 위한 RF 커플링 밸런스는 기판 에지에서 프로세스 균일성을 유지하는 비용으로 될 수도 있다.
따라서, 전술한 종래 기술의 방법은 핫 에지 링과 기판 사이의 RF 커플링 밸런스가 베벨 에지 폴리머 퇴적 또는 에지 균일성의 최적화 사이에서 트레이드오프될 것을 요구한다. 또한, 웨이퍼 에지와 핫 에지 링 사이의 아크 (arcing) 는 기판 에지 상의 피팅 (pitting) 및 디바이스의 손상을 야기함으로써, 수율을 감소시킬 수도 있다.
발명의 개요
본 발명은 일 실시형태에 있어서, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법에 관한 것이다. 이 기판은 제 1 에지 링에 의해 둘러싸이며 척 위에 배치된다. 제 1 에지 링은 척으로부터 전기적으로 절연된다. 이 방법은 제 2 에지 링을 제공하는 단계를 포함한다. 제 2 에지 링은 기판의 에지 아래에 배치된다. 이 방법은 커플링 링을 제공하는 단계를 더 포함한다. 커플링 링은 ESC (electrostatic chuck) 어셈블리로부터 제 1 에지 링으로의 RF 커플링을 용이하게 하도록 구성됨으로써, 제 1 에지 링이 기판 프로세싱 동안에 에지 링 전위를 갖도록 하며, 이 RF 커플링이 기판 프로세싱 동안에 제 1 에지 링에서 최대로 되고 제 2 에지 링에서 최소로 되게 한다.
상기 개요는 본 명세서에서 개시된 본 발명의 많은 실시형태 중 단 하나의 실시형태에 관한 것이고 여기의 청구범위에서 개시된 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 본 발명의 이들 특징 및 다른 특징은 다음의 도면과 관련하여 본 발명의 상세한 설명에서 이하 더욱 상세히 설명될 것이다.
본 발명은 첨부 도면에서 제한적이 아니라, 예시적으로 설명되며, 첨부 도면에서는 동일한 참조부호가 유사한 요소를 지칭한다.
도 1 은 단일 핫 에지 링을 갖는 용량 결합 플라즈마 프로세싱 시스템의 단순화된 도면을 도시한다.
도 2 는 평면 이면에 퇴적된 에지 폴리머의 세트가 도시된 기판의 단순화된 도면을 나타낸다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 듀얼 에지 링으로 구성된 용량 결합 플라즈마 프로세싱 시스템의 단순화된 개략도를 도시한다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 복수의 핫 에지 링을 갖는 다중 주파수 용량 결합 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시한다.
본 발명은 첨부 도면에서 설명된 바와 같이 이의 몇 개의 실시형태를 참조하여 이하 상세히 설명될 것이다. 다음의 설명에서, 수많은 특정 세부사항이 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 개시된다. 그러나, 본 발명이 이들 특정 세부사항의 전부 또는 일부 없이도 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다. 다른 예에서, 공지의 프로세스 단계 및/또는 구조는 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않게 하기 위해 상세히 설명되지 않았다.
방법 및 기술을 포함하여, 이하 다양한 실시형태가 설명된다. 본 발명은 또한 독창적인 기술의 실시형태를 수행하는 컴퓨터-판독가능 명령이 저장된 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하는 제조물을 커버했을 수도 있다는 것을 명심하여야 한다. 컴퓨터 판독가능 매체는, 예를 들어, 컴퓨터 판독가능 코드를 저장하는 반도체 형태, 자기 형태, 광자기 형태, 광학 형태, 또는 다른 형태의 컴퓨터 판독가능 매체를 포함할 수도 있다. 또한, 본 발명은 본 발명의 실시형태를 실시하기 위한 장치도 커버할 수도 있다. 이러한 장치는 본 발명의 실시형태에 관한 태스크를 수행하는데 전용이고/이거나 프로그램가능한 회로를 포함할 수도 있다. 이러한 장치의 예에는 적절히 프로그래밍된 경우에 범용 컴퓨터 및/또는 전용 컴퓨팅 디바이스가 포함되고, 본 발명의 실시형태에 관한 다양한 태스크용으로 구성된 전용/프로그램가능 회로와 컴퓨터/컴퓨팅 디바이스의 조합이 포함될 수도 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 플라즈마 프로세싱 파라미터에 대한 제어를 향상시키도록 플라즈마 프로세싱 시스템을 구성하는 배열이 제공된다. 본 발명의 실시형태는 복수의 핫 에지 링으로의 독립적인 RF 커플링을 제공하여 기판과 각 에지 링 사이에 원하는 전기 전위차를 생성하는 것을 포함한다. 따라서, 주어진 플라즈마 프로세스용 플라즈마 쉬스의 등위선은 기판의 베벨 에지로부터의 폴리머 부산물의 세정의 희생 없이 기판 에지에서 균일한 에칭을 달성하도록 최적화될 수도 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시형태에서, 제 1 핫 에지 링은 기판의 에지 둘레에 배치된다. 일 실시형태에서, 제 1 HER 은 실리콘 (Si), 실리콘 질화물 (SiN), 및/또는 실리콘 이산화물 (SiO2) 로 이루어질 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 1 HER 은 기판과 제 1 HER 사이의 전위차를 최소화하기 위해 ESC 하부 전극으로부터 제 1 HER 로의 RF 커플링을 제공하도록 커플링 링 상에 또한 놓일 수도 있다. 따라서, 주어진 플라즈마 프로세스용 플라즈마 쉬스의 등위선은 기판의 에지에 대한 이온 충돌을 일직선으로 유지하도록 최적화된다. 기판의 에지에서의 수직 이온 충돌은 플라즈마 프로세싱 동안에 기판의 중앙에 대해 균일한 에칭을 보장할 수도 있다.
일 실시형태에서, 절연체 링에 의해 절연된 제 2 HER 은 기판의 에지 아래에 배치된다. 제 2 HER 은 일 실시형태에서 실리콘 (Si), 실리콘 질화물 (SiN), 및/또는 실리콘 이산화물 (SiO2) 로 이루어질 수도 있다. 제 2 HER 은 절연체 링에 의해 기판, 제 1 에지 링, ESC, 및 ESC 하위체로부터 절연된다. 절연체 링은 ESC 하부 전극으로부터의 RF 디커플링을 달성하기 위해 석영과 같은 절연체 재료로 이루어질 수도 있다. 본 발명의 실시형태는 기판과 제 2 HER 사이에 높은 전압 전위를 제공하여 기판의 베벨 에지 상의 아크가 기판의 베벨 에지 상에 퇴적된 폴리머 부산물을 제거하도록 한다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 제 2 HER 은 절연체 링의 상단 상에 그리고 기판의 아래에 바로 배치된다. 일 실시형태에서, 제 2 HER 은 SiN 또는 SiO2 로 이루어질 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 2 HER 로의 RF 커플링은 기판과 제 2 HER 사이에 최대 전위차를 제공하여, 폴리머 부산물의 세정을 위해 기판의 베벨 에지 상에 아크를 유도하도록 최적화될 수도 있다.
본 발명의 특징 및 이점은 다음의 논의 및 도면을 참조하여 더 잘 이해될 수도 있다. 도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 듀얼 에지 링으로 구성된 용량 결합 플라즈마 프로세싱 시스템 (300) 의 단순화된 개략도를 도시한다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (300) 은 단일, 2중, 또는 3중 주파수 RF 용량 방전 시스템일 수도 있다. 일 실시예에서, 무선 주파수는, 예를 들어, 2 MHz, 27MHz, 및 60 MHz 를 포함할 수도 있지만, 이에 제한되지 않는다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (300) 은 정전척 (ESC; 308) 위에 배치되는 기판 (306) 을 포함하도록 구성될 수도 있다. 전력 공급된 전극으로 기능하기도 하는 ESC (308) 는 ESC 하부 전극 (310) 위에 배치된다.
예를 들어, 기판 (306) 이 프로세싱되는 상황을 고려한다. 플라즈마 프로세싱 동안에, 접지까지의 경로 (도면을 단순화하기 위해서 도시되지 않음) 를 갖는 다중주파수 RF 발생기 (312) 는 RF 매치 네트워크 (도면을 단순화하기 위해서 도시되지 않음) 를 통해 ESC 하부 전극 (310) 으로 낮은 RF 바이어스 전력을 공급할 수도 있다. RF 발생기 (312) 로부터의 RF 전력은 가스 (도면을 단순화하기 위해서 도시되지 않음) 와 상호작용하여 상부 전극 (302) 과 기판 (306) 사이의 플라즈마 (304) 를 점화할 수도 있다. 플라즈마는 기판 (306) 에 재료를 퇴적 및/또는 에칭하여 전자 디바이스를 만드는데 채용될 수도 있다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 일정한 에칭 애플리케이션은 RF 전력 공급되는 하부 전극에 대하여 상부 전극이 접지될 것을 요구할 수도 있다. RF 전력은 2MHz, 27MHz, 및 60MHz 중 적어도 하나이다. 또 다른 에칭 애플리케이션은 상부 전극과 하부 전극 둘 다가 유사한 RF 주파수를 이용하여 RF 전력 공급될 것을 요구할 수도 있다.
단 하나의 핫 에지 링이 채용되는 종래 기술과 달리, 플라즈마 프로세싱 시스템 (300) 은 복수의 핫 에지 링 (HER), 예를 들어, 일 실시형태에서 제 1 HER (314) 및 제 2 HER (326) 로 구성된다. 제 1 HER (314) 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 기판 (306) 의 에지 둘레에 배치된다. 제 1 HER (314) 은 일 실시형태에서 실리콘 (Si), 실리콘 질화물 (SiN), 및/또는 실리콘 이산화물 (SiO2) 로 이루어질 수도 있다. 절연체 링 (324) 은 제 1 HER (314) 과 접지 링 (322) 사이에 절연을 제공할 수도 있다. 석영 커버 링 (324) 은 접지 링 (322) 의 상단 위에 배치된다. 제 1 HER (314) 은 커플링 링 (318) 상에 또한 놓일 수도 있다. 커플링 링 (318) 은 알루미늄 또는 그래파이트와 같은 전도성 재료로 이루어져서, ESC 어셈블리, 예를 들어, ESC (308) 및 ESC 하부 전극 (310) 으로부터 제 1 HER (314) 로의 RF 커플링을 제공할 수도 있다.
ESC 어셈블리로부터 HER (314) 로의 RF 커플링은 일 실시형태에 따라 최소 전기 전위차 (V1-V2) 를 생성하기 위해 기판 (332) 위의 RF 쉬스 전압 (V1) 의 영역에 대한 기판 에지 링 (330) 위의 RF 쉬스 전압 (V2) 의 영역 사이에 유사한 플라즈마 쉬스를 달성하도록 최적화될 수도 있다. 따라서, 주어진 플라즈마 프로세스용 플라즈마 쉬스의 등위선은 기판 (306) 의 에지에 대한 이온 충돌을 일직선으로 유지하도록 최적화된다. 기판 (306) 의 에지에서의 수직 이온 충돌은 플라즈마 프로세싱 동안에 기판의 중앙에 대해 균일한 에칭을 보장할 수도 있다.
도 3 의 구현예에서, 절연체 링 (316) 에 의해 절연된 제 2 HER (326) 은 일 실시형태에 따라 기판 (306) 의 에지 아래에 배치된다. 제 2 HER (326) 은 일 실시형태에서 실리콘 (Si), 실리콘 질화물 (SiN), 및/또는 실리콘 이산화물 (SiO2) 로 이루어질 수도 있다. 제 2 HER (326) 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 절연체 링 (316) 에 의해 기판 (306), 제 1 에지 링 (314), ESC (308), 및 ESC 하위체 (310) 로부터 절연된다. 절연체 링 (316) 은 ESC 어셈블리로부터의 RF 디커플링을 달성하기 위해 석영과 같은 절연체 재료로 이루어질 수도 있다.
제 2 HER (326) 로의 RF 커플링이 최소화될 수도 있으므로, 제 2 HER (326) 상의 유도된 전압 (V3) 은 기판 (306) 상의 전압 (V1) 과 비교하여 낮을 수도 있다. 기판 (306) 과 제 2 HER (326) 사이의 전압 전위 (V1-V3) 는 높을 수도 있다. 기판 (306) 과 제 2 HER (326) 사이의 높은 전압 전위로 인해, 기판 (306) 의 베벨 에지 상에 아크가 일어날 수도 있다. 보통, 아크는 바람직하지 않은 제어되지 않는 이벤트이다. 그러나, 기판의 베벨 에지 상에 디바이스가 없다. 따라서, 기판 (306) 의 베벨 에지 상의 아크 또는 미세폭발 (micro-explosion) 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 기판의 베벨 에지 상에 퇴적된 폴리머 부산물을 제거하기 위한 세정 메커니즘으로서 바람직할 수도 있다.
종래 기술에서, 단 하나의 HER 이 있고, 그 HER 로의 RF 커플링은 베벨 에지 상의 폴리머 부산물의 퇴적 또는 기판 에지에서의 균일한 에칭 사이에서 밸런싱하도록 최적화된다. 종래 기술의 방법과 달리, 각 핫 에지 링으로의 독립적인 RF 커플링과 함께 복수의 HER 이 채용되어, 폴리머 부산물 퇴적의 베벨 에지 세정 및 균일한 에칭 둘 다를 달성할 수도 있다.
도 3 에서 논의된 것과 같은 전술한 방법 및 배열에 더하여, 복수의 HER 이 개별 HER 로의 분리된 RF 커플링을 제공하는데 채용될 수도 있는 다른 실시형태가 제공될 수도 있다. 도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 복수의 핫 에지 링을 갖는 다중 주파수 용량 결합 플라즈마 프로세싱 시스템 (400) 을 도시한다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (400) 은 접지된 상부 전극 (402), 기판 (406), 정전척 (ESC; 408), ESC 하부 전극 (410), 절연체 링 (420), 접지 링 (422), 및 석영 커버 링 (424) 을 포함하도록 구성될 수도 있다.
예를 들어, 기판 (406) 이 프로세싱되는 상황을 고려한다. 플라즈마 (404) 는 가스 (도면을 단순화하기 위해서 도시되지 않음) 가 RF 전력 발생기 (412) 로부터의 RF 전력과 상호작용하는 경우에 스트라이킹될 수도 있다. 플라즈마 (404) 는 기판 (406) 에 재료를 퇴적하고/하거나 에칭하여 전자 디바이스를 만드는데 채용될 수도 있다.
전술한 바와 같이, 전계, 플라즈마 온도, 및 프로세스 화학작용으로부터의 로딩 효과와 같은 기판 에지 효과는 기판 에지 가까이의 프로세스 결과가 기판의 나머지 (중앙) 영역과 상이하게 할 수도 있다. 예를 들어, 플라즈마 쉬스의 등위선이 붕괴되어, 기판 에지 둘레의 비균일한 이온 각분포를 야기할 수도 있다.
도 4 의 구현예에서, 제 1 HER (414) 은 기판 (406) 의 에지 둘레에 그리고 커플링 링 (418) 위에 배치된다. 일 실시형태에서, 제 1 HER (414) 은 실리콘으로 이루어질 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 1 HER (414) 로의 RF 커플링은 기판 (406) 과 제 1 HER (414) 사이에 최소 전위차 (V1-V2) 를 제공하여 기판의 에지에서 균일한 에칭을 달성하도록 최적화될 수도 있다.
따라서, 기판 (432) 위의 플라즈마 쉬스에 대한 기판 에지 링 (430) 위의 플라즈마 쉬스의 등위선은 기판 (406) 의 에지에 대한 이온 충돌을 일직선으로 유지하도록 최적화된다. 기판 (406) 의 에지에서의 수직 이온 충돌은 플라즈마 프로세싱 동안에 기판의 중앙에 대해 균일한 에칭을 보장할 수도 있다.
도 4 에 도시된 바와 같이, 제 2 HER (426) 은 절연체 링 (416) 의 상단 상에 그리고 기판 (406) 의 아래에 바로 배치된다. 일 실시형태에서, 제 2 HER (426) 은 SiN 또는 SiO2 로 이루어질 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 2 HER (426) 로의 RF 커플링은 기판 (406) 과 제 2 HER (426) 사이에 최대 전위차 (V1-V3) 를 제공하여, 폴리머 부산물의 세정을 위해 기판의 베벨 에지 상에 아크를 유도하도록 최적화될 수도 있다.
전술한 것에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시형태는 외부 하드웨어 디바이스를 채용하지 않고 제공되는 복수의 HER 로부터 각 핫 에지 링의 독립적인 RF 커플링에 대한 배열 및 방법을 제공한다. 복수의 HER 로의 독립적인 RF 커플링을 채용함으로써, 베벨 에지에서의 폴리머 부산물의 세정을 트레이드오프하지 않고 기판 에지에서의 에칭 균일성이 달성될 수도 있다. 또한, 핫 에지 링 배열의 설계는 현재의 플라즈마 프로세싱 장비를 갱신하기에 비싸지 않고 단순하다.
본 발명이 수개의 바람직한 실시형태의 관점에서 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에서 변경, 치환, 균등물이 있다. 또한, 편의를 위해 발명의 명칭, 개요, 및 요약이 본 명세서에서 제공되지만, 여기의 청구항의 범위를 해석하는데 이용되어서는 안된다. 또한, 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 다른 방법이 많다는 것을 주목하여야 한다. 다양한 실시예가 본 명세서에서 제공되더라도, 이들 실시예는 본 발명에 대해 제한하려는 것이 아니라 예시하는 것으로 의도된다. 또한, 본 출원에서, "n" 개 아이템의 세트는 이 세트에서 0 개 이상의 아이템을 지칭한다. 따라서, 다음의 첨부된 청구항은 본 발명의 진정한 사상 및 범위 내에 있는 이러한 모든 변경, 치환, 및 균등물을 포함하는 것으로 해석되는 것으로 의도된다.

Claims (18)

  1. 플라즈마 프로세싱 챔버에서, 척으로부터 전기적으로 절연된 제 1 에지 링에 의해 둘러싸이며 상기 척 위에 배치되는 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    상기 기판의 에지 아래에 배치되는 제 2 에지 링을 제공하는 단계; 및
    커플링 링을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 커플링 링은 ESC (electrostatic chuck) 어셈블리로부터 상기 제 1 에지 링으로의 RF 커플링을 용이하게 하도록 구성됨으로써, 상기 제 1 에지 링이 기판 프로세싱 동안에 에지 링 전위를 갖도록 하며, 상기 RF 커플링이 상기 기판 프로세싱 동안에 상기 제 1 에지 링에서 최대로 되고 상기 제 2 에지 링에서 최소로 되게 하는, 기판 프로세싱 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 에지 링을 캡슐화하도록 구성되는 절연체 링을 제공하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    절연체 링을 제공하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제 2 에지 링은 상기 절연체 링 위에 배치되는, 기판 프로세싱 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 에지 링은 실리콘, 실리콘 질화물 및 실리콘 이산화물 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 기판 프로세싱 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 커플링 링은 전도성 재료, 알루미늄 및 그래파이트 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 기판 프로세싱 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 에지 링은 실리콘, 실리콘 질화물 및 실리콘 이산화물 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 기판 프로세싱 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연체 링은 절연체 재료 및 석영 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 기판 프로세싱 방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 절연체 링은 절연체 재료 및 석영 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 기판 프로세싱 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 척으로 전달되는 RF 전력은 2 MHz, 27 MHz, 및 60 MHz 중 적어도 하나를 포함하는 RF 주파수의 세트를 가지는, 기판 프로세싱 방법.
  10. 척으로부터 전기적으로 절연된 제 1 에지 링에 의해 둘러싸이며 상기 척 위에 배치되는 기판을 프로세싱하도록 구성된 플라즈마 프로세싱 챔버를 갖는 플라즈마 프로세싱 시스템으로서,
    상기 기판의 에지 아래에 배치되는 제 2 에지 링; 및
    커플링 링을 포함하고,
    상기 커플링 링은 ESC (electrostatic chuck) 어셈블리로부터 상기 제 1 에지 링으로의 RF 커플링을 용이하게 하도록 구성됨으로써, 상기 제 1 에지 링이 기판 프로세싱 동안에 에지 링 전위를 갖도록 하며, 상기 RF 커플링이 상기 기판 프로세싱 동안에 상기 제 1 에지 링에서 최대로 되고 상기 제 2 에지 링에서 최소로 되게 하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 에지 링을 캡슐화하도록 구성되는 절연체 링을 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  12. 제 10 항에 있어서,
    절연체 링을 더 포함하며,
    상기 제 2 에지 링은 상기 절연체 링 위에 배치되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 핫 에지 링은 실리콘, 실리콘 질화물 및 실리콘 이산화물 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 커플링 링은 전도성 재료, 알루미늄 및 그래파이트 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 핫 에지 링은 실리콘, 실리콘 질화물 및 실리콘 이산화물 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 절연체 링은 절연체 재료 및 석영 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 절연체 링은 절연체 재료 및 석영 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 척으로 전달되는 RF 전력은 2 MHz, 27 MHz, 및 60 MHz 중 적어도 하나를 포함하는 RF 주파수의 세트를 가지는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180052535A (ko) * 2016-11-10 2018-05-18 (주)아이씨디 플라즈마 처리장치
US10153137B2 (en) 2015-10-16 2018-12-11 Semes Co., Ltd. Support unit, substrate treating apparatus including the same, and method for treating a substrate

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8563619B2 (en) * 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8323481B2 (en) * 2009-02-12 2012-12-04 Red Leaf Resources, Inc. Carbon management and sequestration from encapsulated control infrastructures
WO2010101191A1 (ja) * 2009-03-03 2010-09-10 東京エレクトロン株式会社 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法
US9299539B2 (en) 2009-08-21 2016-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for measuring wafer bias potential
CN103165374B (zh) * 2011-12-08 2017-05-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理装置及应用于等离子处理装置的边缘环
CN103165380B (zh) * 2011-12-15 2016-07-06 中微半导体设备(上海)有限公司 一种降低射频耦合的等离子体处理装置及载置台
JP5970268B2 (ja) 2012-07-06 2016-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置および処理方法
US9449797B2 (en) 2013-05-07 2016-09-20 Lam Research Corporation Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface
CN103811247B (zh) * 2014-02-17 2016-04-13 清华大学 用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
US9852889B1 (en) 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
US10163642B2 (en) * 2016-06-30 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, method and tool of manufacture
US10032661B2 (en) 2016-11-18 2018-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, method, and tool of manufacture
KR102581226B1 (ko) 2016-12-23 2023-09-20 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US11404249B2 (en) * 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
CN110323117B (zh) * 2018-03-28 2024-06-21 三星电子株式会社 等离子体处理设备
US11584994B2 (en) * 2019-01-15 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Pedestal for substrate processing chambers
US11018046B2 (en) 2019-04-12 2021-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus including edge ring
US11450545B2 (en) * 2019-04-17 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitively-coupled plasma substrate processing apparatus including a focus ring and a substrate processing method using the same
CN112885690B (zh) * 2019-11-29 2023-10-20 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置
CN112992631B (zh) * 2019-12-16 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置
CN114695041A (zh) * 2020-12-25 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体反应器
CN114975056A (zh) * 2021-09-08 2022-08-30 北京屹唐半导体科技股份有限公司 用于清洁等离子体加工设备的聚焦环的导电构件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020187647A1 (en) * 2000-10-13 2002-12-12 Rajinder Dhindsa Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US6896765B2 (en) * 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US20070032081A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Jeremy Chang Edge ring assembly with dielectric spacer ring

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5625152A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Mks Instruments, Inc. Heated pressure transducer assembly
US5740009A (en) * 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection
JP4151749B2 (ja) * 1998-07-16 2008-09-17 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置およびその方法
US6344105B1 (en) * 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
US6363882B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
US6383931B1 (en) * 2000-02-11 2002-05-07 Lam Research Corporation Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch
US6632322B1 (en) * 2000-06-30 2003-10-14 Lam Research Corporation Switched uniformity control
JP3393118B2 (ja) * 2000-12-21 2003-04-07 株式会社半導体先端テクノロジーズ プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法
JP4676074B2 (ja) * 2001-02-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びプラズマ処理装置
US6896796B2 (en) * 2001-02-16 2005-05-24 W. R. Grace & Co.-Conn. Membrane separation for sulfur reduction
US6554954B2 (en) * 2001-04-03 2003-04-29 Applied Materials Inc. Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US7374636B2 (en) * 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
US6887340B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-03 Lam Research Corporation Etch rate uniformity
US20030106646A1 (en) * 2001-12-11 2003-06-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber insert ring
TW200626020A (en) * 2001-12-13 2006-07-16 Tokyo Electron Ltd Ring mechanism, and plasma processor using the ring mechanism
US20040000375A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Plasma etch chamber equipped with multi-layer insert ring
JP3881290B2 (ja) * 2002-08-20 2007-02-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US7252738B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
US7658816B2 (en) * 2003-09-05 2010-02-09 Tokyo Electron Limited Focus ring and plasma processing apparatus
JP4640922B2 (ja) * 2003-09-05 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7244336B2 (en) * 2003-12-17 2007-07-17 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift
US20060043067A1 (en) * 2004-08-26 2006-03-02 Lam Research Corporation Yttria insulator ring for use inside a plasma chamber
US7544270B2 (en) * 2005-11-14 2009-06-09 Infineon Technologies Ag Apparatus for processing a substrate
US7988814B2 (en) * 2006-03-17 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component
JP5846188B2 (ja) 2013-12-16 2016-01-20 コニカミノルタ株式会社 用紙処理装置及び画像形成システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020187647A1 (en) * 2000-10-13 2002-12-12 Rajinder Dhindsa Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US6896765B2 (en) * 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US20070032081A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Jeremy Chang Edge ring assembly with dielectric spacer ring

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10153137B2 (en) 2015-10-16 2018-12-11 Semes Co., Ltd. Support unit, substrate treating apparatus including the same, and method for treating a substrate
KR20180052535A (ko) * 2016-11-10 2018-05-18 (주)아이씨디 플라즈마 처리장치
KR101985601B1 (ko) * 2016-11-10 2019-06-03 (주)아이씨디 플라즈마 처리장치

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SG182965A1 (en) 2012-08-30
US9184074B2 (en) 2015-11-10
TW200910450A (en) 2009-03-01
US20110070743A1 (en) 2011-03-24

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