JP5580512B2 - プラズマ放射分布の磁気コントロール増強のためのプラズマ閉じ込めバッフルおよび流量平衡器 - Google Patents
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims description 72
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 32
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 193
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 2
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32633—Baffles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
Description
[0063]一実施形態では、プラズマイオン密度の放射分布が磁気ステアリングによってコントロールされて、放射プラズマイオン密度分布の均一性、および同等にウェーハまたはワークピース全体のエッチングレートの放射分布の均一性を増強する。このために、図1Aに描かれている内部コイルおよび外部コイル60、65は反応器の天井電極125の上方に置かれる。(プラズマイオンの放射分布のこのようなコントロールの一例が、本譲受人に譲渡された米国特許第6,853,141号に見られ、これは全体が参照により本明細書に組み込まれる。)各コイル60、65はそれぞれ独立直流(DC)サプライ70、75によって駆動される。2つのDCサプライ70、75はプラズマ分布/ステアリングコントローラ90によってコントロールされる。コントローラは、同一または反対の極性のDC電流によってサプライ70、75のいずれか一方または両方を同時に駆動するようにプログラミングされてもよい。コントローラ90は、プラズマイオン密度の放射分布を補正してこの均一性を改良するために用いられてもよい。
[0084]一実施形態では、プラズマの放射閉じ込めはインピーダンス閉じ込めを用いることによって達成され、これは、上部電極の電圧を低下させて、上部電極125とチャンバ壁128間の電圧低下を削減することを含んでいる。典型的に、VHFソース電力は主に、VHFソース電圧VSで上部電極125を介して供給される。インピーダンス閉じ込めを実施する際に、上部電極の電圧はソース電圧の比率f、つまりfVSに削減され、ここでfは1未満の数である。陰極の電圧は−(1−f)VSの相補電圧に変更されるため、電極・陰極間電圧はVSの全ソース電力電圧のままであり、プラズマイオン密度は妥協されない。(陰極は基板処理中に基板サポート105およびウェーハ110を備えている点が想起されるであろう。ウェーハ110が処理中にチャンバにない場合、基板サポート105が陰極を形成する。)従って、上部電極125と陰極間の電圧差はVHFソース電圧VSにキープされるが、上部電極125と接地チャンバ壁128間の電圧差は好都合なことにfVSに削減される。上部電極125と接地チャンバ側壁128間の電圧差のこの削減は、側壁128付近、ひいてはウェーハ周縁に生成されるプラズマ量を削減する。より低い上部電極の電圧fVSでソース電力を供給し、かつ−(1−f)VSの上部電極から逆相に陰極を維持する方法は、上部電極125、陰極(つまり、ペデスタル105とウェーハ110の組み合わせ)および側壁128と関連したチャンバコンポーネントのインピーダンスを調整することによるものである。
P〜(Vs)2=Vs2 …(1)
[0090]以下の式(2)は、上部電極の電圧がわずかVS/2の場合のP(電力)と、上部電極とチャンバ壁間の電圧差との関係を示している:
P〜(Vs/2)2=Vs2 /4 …(2)
[0091]上部電極の電圧を係数2だけ削減することによって、チャンバ壁に対して損失の可能性がある電力は係数4だけ削減される。
Z=R−jXc …(1)
[0099]式(2)は、キャパシタンスリアクタンス(XC)とキャパシタンスCの関係を示している。
Xc=1/(2πfC) …(2)
ここでfはソース電力の周波数であり、Cはキャパシタンスである。
Ztotal=Z1+1/(1/(Z2+Z3+Z4+Z5)+1/Z6)…(3)
[00101]上部電極は典型的に導電性材料からなるため、このインピーダンスZ1は主に上部電極の抵抗からなる、Z2、Z3およびZ4はプラズマに影響される。しかしながら、インピーダンスZ5およびZ6は、基板サポート105の誘電層および誘電シール130の厚さおよび誘電定数を変更することによって調整可能である。陰極インピーダンスの大きさは陰極キャパシタンスによって影響される可能性がある。Z5およびZ6は調整可能であり、従来のソース電圧比率fVSで上部電極125を供給し、かつ上部電極から逆相への電圧−(1−f)VSに陰極を維持することを可能にする。陰極インピーダンスZ5および陽極インピーダンスZ6は調整されて、陽極125および陰極105/110のVHF電圧間に所望の位相シフトを導入して所望の比率fを達成する。陽極インピーダンスの選択または調整は、例えば絶縁リング130の誘電定数および厚さを選択することによってなされてもよい。陰極インピーダンスの選択または調整は、例えば絶縁層5510の誘電定数および厚さを選択することによってなされてもよい。上記例において、f=0.5および必要な位相シフトは約180度であったであろう。この状況は、図16の極めて簡略化された概略図に概念的に描かれており、ここでは調整可能な陽極および陰極インピーダンスZ5およびZ6が、それぞれ電極125および陰極105の対接地キャパシタンスとしてモデリングされ、コンデンサZ5、Z6は中央タップポイント480で接地接続されている。図16の比喩的回路において、陽極および陰極は接地に対して浮遊し、接地中央タップ480ゆえに接地全体に電圧差が分岐される。比率fは2つのコンデンサZ5およびZ6の異なるインピーダンスによって決まり、これらは上記新規の教示に従って所望の比率の値fを達成するために当業者によって容易に選ばれる。
Claims (19)
- チャンバ側壁、天井およびフロアを備えるチャンバと、
前記チャンバ側壁に面しかつ前記チャンバフロアから延びているワークピースサポート表面およびペデスタル側壁を有し、前記チャンバ側壁と前記ペデスタル側壁間にポンプ環状部を定義する前記チャンバ内のワークピースサポートペデスタルと、
前記チャンバフロアのポンプポートと、
前記ペデスタル側壁から延び、かつ外縁と前記チャンバ側壁間にガス流ギャップを定義する前記外縁を有する環状プラズマ閉じ込めバッフルであって、前記ワークピースサポートペデスタルの周縁の削減されたプラズマイオン密度に対応する0.5インチ(1.27cm)を超える距離だけ前記ワークピースサポート表面の下方に押圧されている環状プラズマ閉じ込めバッフルと、
前記バッフルの下方にブロックプレートを備え、前記ポンプ環状部を介するガス流をブロックするガス流平衡器であって、前記ブロックプレートが、前記ポンプポートに隣接す
る側の最小ガスコンダクタンスおよび前記ポンプポートに対向する側の最大ガスコンダクタンスの前記ウェーハサポートペデスタル周辺に偏心開口を定義し、前記ブロックプレートが前記バッフルから間隔をあけられて、最小ガス流抵抗をもたらすのに十分な長さのギャップを定義するガス流平衡器と、
磁気プラズマステアリング装置であって、
前記天井の上にあり、かつ相互に同心である内部コイルおよび外部コイルと、
前記内部および外部コイルのそれぞれに結合されているそれぞれの直流サプライと、
前記直流サプライからの電流の大きさおよび極性を規定するコントローラを含む磁気プ
ラズマステアリング装置と、
を備えるプラズマ反応器。
- 前記ガス流平衡器がさらに、前記ブロックプレートの外縁から前記バッフルに延びる軸壁を備えており、前記軸壁が前記偏心開口にガス流を向ける、請求項1に記載の反応器。
- 前記バッフルと前記チャンバ側壁間の前記ガス流ギャップが、前記ポンプ環状部へのプラズマの流れを防止または削減するのに十分小さい、請求項1に記載の反応器。
- 前記バッフルが導電性材料から形成される、請求項1に記載の反応器。
- 前記バッフルが陽極酸化アルミニウムから形成される、請求項1に記載の反応器。
- 前記バッフルがシリコンカーバイドから形成される、請求項1に記載の反応器。
- 前記磁気プラズマステアリング装置が、縁部が高いプラズマイオン密度分布バイアスを提示する、請求項1に記載の反応器。
- 前記バッフルが前記ワークピースサポート平面の下方に押圧される前記距離が、前記磁気ステアリング装置の前記縁部が高いプラズマイオン密度分布バイアスを補償する量だけ前記ペデスタルの前記縁部のプラズマ密度を下げるのに十分である、請求項7に記載の反応器。
- 前記コントローラが、前記直流サプライをコントロールして、プラズマイオン密度の放
射分布の均一性を改良するようにプログラミングされている、請求項1に記載の反応器。 - プラズマ反応器チャンバにおいてワークピースを処理するための方法であって、前記チャンバが天井、フロアおよび側壁と、前記チャンバ内のワークピースサポート表面を具備するワークピースサポートペデスタルと、前記ペデスタルと前記側壁間にポンプポートを具備するポンプ環状部と、前記ペデスタルと前記天井間に提供されたプラズマ処理領域とを含む方法であって、
前記ポンプ環状部の前記フロアから離れた前記チャンバにプラズマを拘束するステップであって、導体又は半導体表面を具備し、前記ペデスタルから前記ポンプ環状部に延び、前記側壁によって円形ギャップを形成する環状バッフルを提供する工程と、前記ポンプ環状部を介するガスおよびプラズマの流れを、前記円形ギャップを介して抑える工程とを含むステップと、
前記ポンプポートに起因するガス流の非対称性を補償するステップであって、前記バッフルの下方にガス流平衡器を提供する工程と、前記ペデスタルを囲むガス流開口を偏心的に分布させる工程とを含むステップと、
前記ペデスタルのプラズマイオン密度の放射分布を修正するステップであって、縁部が高いプラズマイオン密度分布傾向を有する磁気プラズマステアリングフィールドのコントロールを提供する工程を含むステップと、
前記ワークピースサポート表面の下方の0.5インチ(1.27cm)を超える距離に前記バッフルを配置するステップであって、前記距離が、前記磁気プラズマステアリングフィールドの前記縁部が高いプラズマイオン密度分布傾向を補償する縁部が低いプラズマイオン密度分布傾向を提供するステップと、
を備える方法。
- 前記側壁から離れた前記チャンバにプラズマを拘束するステップと、インピーダンス閉じ込め条件を提供するステップとをさらに備えており、前記側壁が、それぞれ前記ワークピースおよび前記天井電極のVHF電圧間にあるVHF電圧を有する、請求項10に記載の方法。
- 前記ワークピースサポート表面の下方の前記バッフルの前記距離が、前記ワークピースサポートペデスタルの周縁全体、またはこの付近のプラズマイオン密度を削減するための前記インピーダンス閉じ込め条件に対して十分である、請求項11に記載の方法。
- インピーダンス閉じ込め条件を提供する前記ステップが、(a)前記天井電極の対接地
キャパシタンスおよび(b)前記ワークピースサポート表面の対接地キャパシタンスを別
個に選択または調整する工程を備える、請求項12に記載の方法。 - 前記側壁の前記VHF電圧はゼロであり、前記天井電極および前記ワークピースの前記VHF電圧は位相が異なる、請求項13に記載の方法。
- 前記天井電極およびワークピースの前記VHF電圧は位相が反対である、請求項13に記載の方法。
- 前記天井電極および前記ワークピースの前記VHF電圧が前記サプライからの前記VHF電圧の比率fおよび(1−f)であり、fが前記天井電極および前記ウェーハサポート
表面の対接地キャパシタンスによって決まるものよりも小さい数である、請求項15に記
載の方法。 - 磁気ステアリングフィールドをコントロールする前記ステップが、前記天井の上にある
内部コイルおよび前記天井の上にある外部コイルのうちのいずれか一方のDC電流の大きさおよび方向を別個にコントロールする工程を備える、請求項10に記載の方法。 - 前記バッフルが、導電性材料から形成された環状ディスクを備え、前記方法がさらに、
前記環状ディスクを接地させるステップを備える、請求項10に記載の方法。 - 前記ガス流平衡器が導電性プレートを備え、前記方法がさらに、前記導電性プレートを接地させるステップを備える、請求項10に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US85955806P | 2006-11-15 | 2006-11-15 | |
US60/859,558 | 2006-11-15 | ||
US11/751,575 US20080110567A1 (en) | 2006-11-15 | 2007-05-21 | Plasma confinement baffle and flow equalizer for enhanced magnetic control of plasma radial distribution |
US11/751,575 | 2007-05-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008135739A JP2008135739A (ja) | 2008-06-12 |
JP5580512B2 true JP5580512B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=39047970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007293601A Expired - Fee Related JP5580512B2 (ja) | 2006-11-15 | 2007-11-12 | プラズマ放射分布の磁気コントロール増強のためのプラズマ閉じ込めバッフルおよび流量平衡器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080110567A1 (ja) |
EP (1) | EP1923901A3 (ja) |
JP (1) | JP5580512B2 (ja) |
KR (1) | KR100938635B1 (ja) |
SG (1) | SG143167A1 (ja) |
TW (1) | TWI388242B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090178763A1 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Applied Materials, Inc. | Showerhead insulator and etch chamber liner |
US8398814B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-03-19 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas flow equalizer |
TWI539517B (zh) * | 2010-02-12 | 2016-06-21 | 應用材料股份有限公司 | 使用於處理腔室之套件及使用用於氣流改良之套件之處理腔室 |
US9443753B2 (en) * | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
JP4844697B1 (ja) * | 2011-06-24 | 2011-12-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20130240147A1 (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-19 | Sang Ki Nam | Methods and apparatus for selectively modulating azimuthal non-uniformity in a plasma processing system |
JP5951324B2 (ja) * | 2012-04-05 | 2016-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2015023435A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors |
US20150162169A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Etching apparatus and method |
JP6305825B2 (ja) | 2014-05-12 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造 |
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Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2007
- 2007-05-21 US US11/751,575 patent/US20080110567A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-12 KR KR1020070114882A patent/KR100938635B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-11-12 JP JP2007293601A patent/JP5580512B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-13 SG SG200717717-3A patent/SG143167A1/en unknown
- 2007-11-14 EP EP07022127A patent/EP1923901A3/en not_active Withdrawn
- 2007-11-15 TW TW096143295A patent/TWI388242B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080044169A (ko) | 2008-05-20 |
US20080110567A1 (en) | 2008-05-15 |
TWI388242B (zh) | 2013-03-01 |
KR100938635B1 (ko) | 2010-01-22 |
EP1923901A2 (en) | 2008-05-21 |
SG143167A1 (en) | 2008-06-27 |
TW200833178A (en) | 2008-08-01 |
JP2008135739A (ja) | 2008-06-12 |
EP1923901A3 (en) | 2010-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100618 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130814 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130904 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140218 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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