JP6305825B2 - プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造 - Google Patents
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Description
ここでは、仕切り部材を設けた誘導結合型のプラズマ処理装置を用い、バイアス用高周波電力のパワー(バイアスパワー)を変化させてO2アッシングを行った際における自動圧力制御バルブ(APC)でのアーキング発生の有無を把握した。ここでは、プラズマ処理装置として、フローティング状態の仕切り部材を設けたもの、接地した仕切り部材を設けたもの(図1および2に示す実施形態)、接地した仕切り部材の他に接地した遮蔽部材を設けたもの(図4および5に示す実施形態)の3種類を用い、ベースとなる条件をO2ガス流量:1000sccm、圧力:20mTorr、プラズマ生成用高周波電力パワーを40kWとして実験を行った。
2;誘電体壁(誘電体部材)
3;アンテナ室
4;処理室
13;高周波アンテナ
14;整合器
15;高周波電源
16;給電部材
19;給電線
20;処理ガス供給系
22;端子
23;載置台
30;排気口
31;排気配管
32;自動圧力制御バルブ(APC)
33;真空ポンプ
41;処理領域
42;排気領域
50;仕切り部材
50a,52a;接地線
52;遮蔽部材
60;間口
100;制御部
101;ユーザーインターフェース
102;記憶部
G;基板
Claims (12)
- 矩形状ガラス基板を収容してプラズマ処理を施す、平面形状が矩形状の処理室と、
前記処理室内で矩形状ガラス基板が載置される載置面を有し、平面形状が矩形状をなす載置台と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記載置台に載置された矩形状ガラス基板に対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加するための高周波電源と、
前記載置面の下方位置に設けられ、前記処理室を、基板に対してプラズマ処理を行う処理領域と前記排気系に繋がる排気領域とに仕切る、導電性材料からなり開口部を有さない複数の仕切り部材とを有し、
前記複数の仕切り部材は、接地電位に接続されて前記バイアス用高周波電力の対向電極として機能し、前記処理室の内壁とそれに対向する前記載置台の側壁との間に、前記載置台の各側壁に対応して設けられ、前記複数の仕切り部材の隣接するものどうしが、それらの間に、前記処理領域に供給された処理ガスを前記排気領域に導く間口が形成されるように離間して配置され、前記間口は前記矩形状の空間の隅部に形成されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記仕切り部材と異なる高さ位置に、平面視した場合に前記間口の少なくとも一部を遮蔽するように設けられ、導電性材料からなるとともに開口部を有さず、かつ接地電位に接続された遮蔽部材をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮蔽部材は、前記仕切り部材の下方位置に設けられることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮蔽部材は、平面視した場合に前記間口の全部を遮蔽するように設けられていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ生成機構は、前記処理領域に誘導結合プラズマを生成するため高周波アンテナを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナは、前記処理室の上部に誘電体窓を介して設置されることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナは、前記処理室の上部に金属窓を介して設置されることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 矩形状ガラス基板を収容してプラズマ処理を施す、平面形状が矩形状の処理室と、前記処理室内で矩形状ガラス基板が載置される載置面を有し、平面形状が矩形状をなす載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記載置台に載置された矩形状ガラス基板に対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加するための高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記処理室に供給された処理ガスを前記排気系に導く排気構造であって、
前記載置面の下方位置に設けられ、前記処理室を、基板に対してプラズマ処理を行う処理領域と前記排気系に繋がる排気領域とに仕切る、導電性材料からなり開口部を有さない複数の仕切り部材を有し、
前記複数の仕切り部材は、接地電位に接続されて前記バイアス用高周波電力の対向電極として機能し、前記処理室の内壁とそれに対向する前記載置台の側壁との間に、前記載置台の各側壁に対応して設けられ、前記複数の仕切り部材の隣接するものどうしが、それらの間に、前記処理領域に供給された処理ガスを前記排気領域に導く間口が形成されるように離間して配置され、前記間口は前記矩形状の空間の隅部に形成されることを特徴とする排気構造。 - 前記仕切り部材と異なる高さ位置に、平面視した場合に前記間口の少なくとも一部を遮蔽するように設けられ、導電性材料からなるとともに開口部を有さず、かつ接地電位に接続された遮蔽部材をさらに有することを特徴とする請求項8に記載の排気構造。
- 前記遮蔽部材は、前記仕切り部材の下方位置に設けられることを特徴とする請求項9に記載の排気構造。
- 前記遮蔽部材は、平面視した場合に前記間口の全部を遮蔽するように設けられていることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の排気構造。
- 前記プラズマ生成機構は、前記処理領域に誘導結合プラズマを生成するため高周波アンテナを有することを特徴とする請求項8から請求項11のいずれか1項に記載の排気構造。
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JP7418285B2 (ja) * | 2020-05-27 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置とその製造方法、及び排気構造 |
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Family Cites Families (17)
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---|---|---|---|---|
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KR100557843B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2006-03-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 드라이 현상 방법 |
JP4330315B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4255747B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20080110567A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | Miller Matthew L | Plasma confinement baffle and flow equalizer for enhanced magnetic control of plasma radial distribution |
CN101207001B (zh) * | 2006-12-22 | 2010-05-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 排气装置及包含该排气装置的反应腔室 |
JP5168907B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
KR20090024522A (ko) * | 2007-09-04 | 2009-03-09 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
JP5256866B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP5230225B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置 |
JP5217569B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5350043B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101083448B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2011-11-14 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 다중 기판처리챔버 |
JP2012182349A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Japan Steel Works Ltd:The | プラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法 |
JP2013105664A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 高周波アンテナ回路及び誘導結合プラズマ処理装置 |
JP5593418B2 (ja) * | 2013-05-08 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理容器およびプラズマ処理装置 |
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