KR102214790B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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이사쿠 야마시나
도시히로 가사하라
히로키 츠카모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것.
[해결 수단] 플라즈마 처리 장치는, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과, 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 접속되고, 처리실의 내면에 배치된 복수의 판 형상 부재를 갖는다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 기판이 탑재되는 탑재대의 주위에, 플라즈마 처리를 행하는 처리 영역과 배기계로 이어지는 배기 영역으로 칸막이하도록, 도전성 재료로 이루어지고 접지 전위로 된 복수의 칸막이 부재를 마련한 플라즈마 처리 장치가 개시되어 있다.
일본 특허공개 2015-216260호 공보
본 개시는, 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 플라즈마 처리 장치는, 처리실과, 고주파 전원과, 복수의 판 형상 부재를 갖는다. 처리실은, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시된다. 고주파 전원은, 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가한다. 복수의 판 형상 부재는, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 접속되고, 처리실의 내면에 배치된다.
본 개시에 의하면, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.
도 1은, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 수직 단면도이다.
도 2는, 실시형태에 따른 처리실 내의 구성의 일례를 나타내는 수평 단면도이다.
도 3a는, 실시형태에 따른 핀의 구성의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 3b는, 실시형태에 따른 핀의 다른 구성의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 4a는, 실시형태에 따른 배기망부의 구성의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 4b는, 실시형태에 따른 배기망부의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5는, 처리실 내의 전기적인 상태의 일례를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6a는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 6b는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 6c는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 7a는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 7b는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 7c는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 8a는, 제 1 개구 배플판만을 마련한 경우의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8b는, 제 2 개구 배플판만을 마련한 경우의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8c는, 실시형태에 따른 배기망부를 마련한 경우의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조해서 본원이 개시하는 플라즈마 처리 장치의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 한편, 본 실시형태에 의해, 개시하는 플라즈마 처리 장치가 한정되는 것은 아니다.
그런데, 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 공정에서는, 유리 기판 등의 기판에 대하여 플라즈마 에칭이나 성막 처리 등의 플라즈마 처리를 행하는 공정이 존재한다. 플라즈마 처리에는, 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 성막 장치 등의 여러 가지의 플라즈마 처리 장치가 이용된다.
플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마 중의 이온을 효과적으로 인입하기 위해서, 기판을 탑재하는 탑재대에 고주파 바이어스를 인가한다. 대형의 기판의 경우, 플라즈마 처리 장치에서는, 탑재대에 고(高)파워의 고주파 바이어스를 인가한다. 그러나, 탑재대에 고파워의 고주파 전력을 인가한 경우, 배기계 등에 있어서, 불안정한 방전이 발생하는 경우가 있다. 그래서, 불안정한 방전을 억제하는 것이 기대되고 있다.
[플라즈마 처리 장치의 구성]
최초로, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 수직 단면도이다. 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는, 유도 결합 플라즈마를 생성해서, 예를 들면, FPD용 유리 기판과 같은 직사각형의 기판에 대하여 에칭 처리나 애싱 처리 등의 유도 결합 플라즈마 처리를 행하는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치로서 구성된다.
플라즈마 처리 장치(10)는, 도전성 재료, 예를 들면, 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상의 기밀한 본체 용기(1)를 갖는다. 본체 용기(1)는, 분해 가능하게 조립되어 있고, 접지선(1a)에 의해 접지되어 있다. 본체 용기(1)는, 유전체벽(2)에 의해 상하로 안테나실(3) 및 처리실(4)로 구획되어 있다. 유전체벽(2)은, 처리실(4)의 천장벽을 구성하고 있다. 유전체벽(2)은, Al2O3 등의 세라믹, 석영 등으로 구성되어 있다.
본체 용기(1)에 있어서의 안테나실(3)의 측벽(3a)과 처리실(4)의 측벽(4a) 사이에는 내측으로 돌출되는 지지 선반(5)이 마련되어 있다. 지지 선반(5) 위에는, 유전체벽(2)이 탑재된다.
유전체벽(2)의 하측 부분에는, 처리 가스 공급용의 샤워 하우징(11)이 끼워 넣어져 있다. 샤워 하우징(11)은, 십자 형상으로 마련되어 있고, 유전체벽(2)을 아래로부터 지지하는 구조, 예를 들면, 빔 구조로 되어 있다. 한편, 상기 유전체벽(2)을 지지하는 샤워 하우징(11)은, 복수개의 서스펜더(도시하지 않음)에 의해 본체 용기(1)의 천장에 매달린 상태로 되어 있다. 지지 선반(5) 및 샤워 하우징(11)은, 유전체 부재로 피복되어 있어도 된다.
샤워 하우징(11)은, 도전성 재료, 바람직하게는 금속, 예를 들면 오염물이 발생하지 않도록 내면 또는 외면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 샤워 하우징(11)에는, 수평으로 신장되는 가스 유로(12)가 형성되어 있다. 가스 유로(12)에는, 하방을 향하여 연장되는 복수의 가스 토출 구멍(12a)이 연통되어 있다. 한편, 유전체벽(2)의 상면 중앙에는, 가스 유로(12)에 연통되도록 가스 공급관(20a)이 마련되어 있다. 가스 공급관(20a)은, 본체 용기(1)의 천장으로부터 외측으로 관통하고, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급계(20)에 접속되어 있다. 따라서, 플라즈마 처리에 있어서, 처리 가스 공급계(20)로부터 공급된 처리 가스는, 가스 공급관(20a)을 통해서 샤워 하우징(11)의 가스 유로(12)에 공급되고, 샤워 하우징(11)의 하면에 형성된 가스 토출 구멍(12a)으로부터 처리실(4) 내로 토출된다.
안테나실(3) 내에는, 고주파(RF) 안테나(13)가 배치되어 있다. 고주파 안테나(13)는, 구리나 알루미늄 등의 도전성이 좋은 금속으로 이루어지는 안테나선(13a)을 고리 형상이나 소용돌이 형상 등의 종래 이용되는 임의의 형상으로 배치해서 구성된다. 고주파 안테나(13)는, 복수의 안테나부를 갖는 다중 안테나여도 된다.
안테나선(13a)의 단자(22)에는, 안테나실(3)의 상방을 향하여 연장되는 급전 부재(16)가 접속되어 있다. 급전 부재(16)의 상단에는, 급전선(19)에 의해 고주파 전원(15)이 접속되어 있다. 또한, 급전선(19)에는, 정합기(14)가 마련되어 있다. 또, 고주파 안테나(13)는, 절연 부재로 이루어지는 스페이서(17)에 의해 유전체벽(2)으로부터 이간되어 있다. 플라즈마 처리 시, 고주파 안테나(13)에는, 고주파 전원(15)으로부터, 예를 들면, 주파수가 13.56MHz인 고주파 전력이 공급된다. 이에 의해, 처리실(4) 내에는, 유도 전계가 형성되고, 유도 전계에 의해 샤워 하우징(11)으로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화되어서, 유도 결합 플라즈마가 생성된다.
처리실(4) 내의 바닥벽(4b) 상에는, 유전체벽(2)을 사이에 두고 고주파 안테나(13)와 대향하도록, 직사각형 형상의 기판(G)을 탑재하기 위한 탑재면(23c)을 갖는 탑재대(23)가 마련되어 있다. 탑재대(23)는, 절연체 부재(24)를 통해서 고정되어 있다. 절연체 부재(24)는, 액자 형상을 이루고 있다. 탑재대(23)는, 도전성 재료, 예를 들면 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성된 본체(23a)와, 본체(23a)의 외주를 둘러싸도록 마련된 절연체 프레임(23b)을 갖고 있다. 탑재대(23)에 탑재된 기판(G)은, 정전 척(도시하지 않음)에 의해 흡착 유지된다.
탑재대(23)는, 기판(G)의 반입출을 위한 리프터 핀(도시하지 않음)이, 본체 용기(1)의 바닥벽(4b), 절연체 부재(24)를 통해서 삽입 통과되어 있다. 리프터 핀은, 본체 용기(1) 밖에 마련된 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 구동해서 기판(G)의 반입출을 행하도록 되어 있다. 한편, 탑재대(23)는, 승강 기구에 의해 승강 가능한 구조로 해도 된다.
탑재대(23)의 본체(23a)에는, 급전선(25)에 의해, 정합기(26)를 통해서 바이어스용의 고주파 전원(27)이 접속되어 있다. 고주파 전원(27)은, 플라즈마 처리 중에, 고주파 바이어스(바이어스용 고주파 전력)를 탑재대에 인가한다. 고주파 바이어스의 주파수는, 예를 들면 6MHz이다. 처리실(4) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온은, 바이어스용의 고주파 전력에 의해, 효과적으로 기판(G)으로 인입된다.
또한, 탑재대(23) 내에는, 기판(G)의 온도를 제어하기 위해, 세라믹 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등으로 이루어지는 온도 제어 기구와, 온도 센서가 마련되어 있다(모두 도시하지 않음).
또, 탑재대(23)는, 기판(G)이 탑재되었을 때에, 기판(G)의 이면측에 냉각 공간(도시하지 않음)이 형성된다. 냉각 공간에는, 열 전달용 가스로서의 He 가스를 소정의 압력으로 공급하기 위한 He 가스 유로(28)가 접속되어 있다. 이와 같이, 기판(G)의 이면측에 열 전달용 가스를 공급하는 것에 의해, 진공하에 있어서 기판(G)의 온도 제어성을 양호하게 할 수 있다.
처리실(4)의 바닥벽(4b)의 바닥부 중앙에는, 개구부(4c)가 형성되어 있다. 급전선(25), He 가스 유로(28), 및 온도 제어 기구의 배관이나 배선은, 개구부(4c)를 통해서 본체 용기(1) 밖에 도출된다.
처리실(4)의 4개의 측벽(4a) 중 1개에는, 기판(G)을 반입출하기 위한 반입 출구(29a) 및 그것을 개폐하는 게이트 밸브(29)가 마련되어 있다.
처리실(4)의 바닥벽(4b)에는, 탑재대(23)의 측부에 배기구(30)가 마련되어 있다. 배기구(30)는, 탑재대(23)의 탑재면(23c)보다도 낮은 위치가 되도록, 바닥벽(4b)에 마련되어 있다. 배기구(30)에는, 배기부(40)가 마련되어 있다. 배기부(40)는, 배기구(30)에 접속된 배기 배관(31)과, 배기 배관(31)의 개방도를 조정하는 것에 의해 처리실(4) 내의 압력을 제어하는 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)와, 처리실(4) 내를 배기 배관(31)을 통해서 배기하기 위한 진공 펌프(33)를 갖고 있다. 그리고, 진공 펌프(33)에 의해 처리실(4) 내가 배기되고, 플라즈마 처리 중, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)의 개방도를 조정해서 처리실(4) 내를 소정의 진공 분위기로 설정, 유지한다.
도 2는, 실시형태에 따른 처리실 내의 구성의 일례를 나타내는 수평 단면도이다. 도 2에는, 처리실(4) 내의 탑재대(23) 부근을 상방에서 본 단면도가 나타내어져 있다. 처리실(4) 내에는, 중앙에 탑재대(23)가 배치되어 있다. 탑재대(23)의 탑재면(23c)은, 직사각형 형상의 기판(G)을 탑재하기 위해, 직사각형 형상으로 형성되어 있다. 배기구(30)는, 처리실(4)의 탑재대(23)의 주위에 복수 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 직사각형 형상의 탑재대(23)의 각 변의 양단 부근에 배기구(30)가 각각 마련되어 있다. 한편, 배기구(30)의 수나 위치는, 장치의 크기에 따라 적절히 설정된다. 예를 들면, 배기구(30)는, 처리실(4)의 각 측벽(4a)을 따라 1개씩 마련되어도 된다.
처리실(4)의 내벽(측벽(4a)의 내측 부분)과 탑재대(23) 사이에는, 칸막이 부재(50)가 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 탑재대(23)의 각 변의 측면측에, 1개의 칸막이 부재(50)로 2개의 배기구(30)를 덮도록, 4매의 칸막이 부재(50)가 마련되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 처리실(4)은, 칸막이 부재(50)에 의해, 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리를 행하는 처리 영역(41)과, 배기구(30)로 이어지는 배기 영역(42)으로 칸막이되어 있다. 처리 영역(41)은, 처리실(4) 중 칸막이 부재(50)보다도 위의 영역이고, 기판(G)을 플라즈마 처리하기 위한 유도 결합 플라즈마가 형성되는 영역이다. 배기 영역(42)은, 처리실(4) 중 칸막이 부재(50)보다도 아래의 영역이고, 처리 영역(41)으로부터의 처리 가스가 유도되고, 그것을 배기하기 위한 영역이다.
칸막이 부재(50)는, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지고, 개구부를 갖지 않는 직사각형의 판재로 형성되어 있다. 각 칸막이 부재(50)는, 상면이, 탑재대(23)의 탑재면(23c)보다도 낮은 위치가 되도록 탑재대(23)의 각 측면에 배치되어 있다. 각 칸막이 부재(50)는, 접지선(50a)에 의해 접지 전위에 접속되어 있다. 한편, 칸막이 부재(50)를 측벽(4a)과 전기적으로 접속시켜서, 본체 용기(1)를 통해서 접지하도록 해도 된다.
인접하는 칸막이 부재(50)끼리는, 그 사이에, 처리 영역(41)에 공급된 가스를 배기 영역(42)으로 유도하는 간구(間口)(60)가 형성되도록 이간되어 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 간구(60)는, 칸막이 부재(50)의 형성면의 네모서리에 존재하고 있다. 처리실(4)의 처리 영역(41)의 가스는, 각 간구(60)로부터 배기 영역(42)으로 흐르고, 각 배기구(30)로부터 배기된다.
배기 영역(42)에는, 핀(61)이 복수 배치되어 있다. 도 2에서는, 칸막이 부재(50)로 덮여진 부분에 핀(61)이 복수 병렬로 배치되어 있다. 핀(61)은, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지고, 직사각형의 판 형상 부재로서 형성되어 있다. 각 핀(61)은, 배기구(30)의 상부 이외의 부분에서, 처리실(4)의 바닥면(바닥벽(4b))과 접속되어 있고, 길이 방향이 탑재대(23)의 측면과 병행한 방향이 되도록 배치되어 있다. 즉, 각 핀(61)은, 배기 영역(42)에 있어서, 배기구(30)로의 배기의 흐름을 형성하도록 배치되어 있다. 각 핀(61)의 간격은, 10∼200mm로 하는 것이 바람직하다. 각 핀(61)은, 미도시된 접지 부재에 의해 접지 전위에 접속되어 있다. 한편, 각 핀(61) 중 적어도 일부를 칸막이 부재(50)와 전기적으로 접속시켜서, 칸막이 부재(50)를 통해서 접지하도록 해도 된다.
핀(61)은, 칸막이 부재(50)와 접속해도 된다. 도 3a는, 실시형태에 따른 핀의 구성의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 3a에 나타내는 바와 같이, 각 핀(61)은, 처리실(4)의 바닥면(바닥벽(4b))에 세운 상태로 고정되어 있고, 상부가 칸막이 부재(50)와 접속하고 있다. 이에 의해, 각 핀(61)은, 칸막이 부재(50)를 통해서 접지할 수 있다.
또한, 핀(61)은, 칸막이 부재(50)와 간극이 형성되어도 된다. 도 3b는, 실시형태에 따른 핀의 다른 구성의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 3b에 나타내는 바와 같이, 각 핀(61)은, 처리실(4)의 바닥면(바닥벽(4b))에 세운 상태로 고정되어 있고, 상부가 칸막이 부재(50)와 접속하고 있지 않아, 간극을 갖고 있다. 칸막이 부재(50)는, 상면이 플라즈마에 노출되기 때문에, 플라즈마의 조건에 따라서는 고온이 되는 경우가 있다. 한편, 핀(61)은, 칸막이 부재(50)로 덮여져서 플라즈마에 노출되지 않기 때문에, 칸막이 부재(50)만큼 고온으로는 되지 않는다. 핀(61)과 칸막이 부재(50)를 접속하지 않고서 분리하는 것에 의해, 칸막이 부재(50)가 고온이 되는 경우에도 칸막이 부재(50)와 핀(61)에 열팽창의 차이에 의해 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
도 1로 되돌아간다. 배기구(30)에는, 각각 배기망부(70)가 마련되어 있다. 도 4a는, 실시형태에 따른 배기망부의 구성의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 4b는, 실시형태에 따른 배기망부의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다. 배기망부(70)는, 프레임(71)을 갖는다. 프레임(71)은, 배기구(30)에 대응한 사이즈의 개구를 갖고, 배기구(30)에 장착 가능하게 되어 있다. 프레임(71)의 개구에는, 제 1 개구 배플판(72)이 마련되어 있다. 또한, 프레임(71)에는, 제 1 개구 배플판(72)과 겹치도록, 제 2 개구 배플판(73)과 제 3 개구 배플판(74)이 간격을 두어 마련되어 있다. 즉, 배기망부(70)에는, 상하로 삼단의 개구 배플판이 마련되어 있다. 제 1 개구 배플판(72), 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)은, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지고, 다수의 개구를 갖고 있다. 예를 들면, 제 1 개구 배플판(72), 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)은, 다수의 슬릿이 형성된 부재나, 메시 부재, 다수의 펀칭 구멍을 갖는 부재에 의해 형성되어 있다.
제 1 개구 배플판(72)은, 프레임(71)의 개구에 장착되어 있고, 미도시된 접지 부재에 의해 접지되어 있다. 한편, 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)은, 절연성의 절연 부재(75)를 통해서, 제 1 개구 배플판(72)과 겹치도록 프레임(71)에 장착되어 있다. 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)은, 전기적으로 플로팅 상태로 되어 있다. 이들 삼단의 개구 배플판은, 서로 안정 방전이 가능한 간격으로 배치되어 있다. 제 1 개구 배플판(72)과 제 2 개구 배플판(73)의 간격 및 제 1 개구 배플판(72)과 제 2 개구 배플판(73)의 간격의 바람직한 범위는, 1∼20mm이다.
도 1로 되돌아간다. 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는, 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 제어부(100), 유저 인터페이스(101), 기억부(102)를 갖고 있다. 제어부(100)는, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부, 예를 들면 밸브, 고주파 전원, 진공 펌프 등에 지령을 보내고, 이들을 제어하도록 되어 있다. 또한, 유저 인터페이스(101)는, 오퍼레이터에 의한 플라즈마 처리 장치(10)를 관리하기 위한 커맨드 입력 등의 입력 조작을 행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등을 갖는다. 유저 인터페이스(101)는, 제어부(100)에 접속되어 있다. 기억부(102)는, 플라즈마 처리 장치(10)로 실행되는 각종 처리를 제어부(100)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉 처리 레시피가 저장되어 있다. 기억부(102)는, 제어부(100)에 접속되어 있다. 처리 레시피는, 기억부(102) 중의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는, 컴퓨터에 내장된 하드 디스크나 반도체 메모리여도 되고, CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대성(portability)의 것이어도 된다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 통해서 레시피를 적절히 전송시키도록 해도 된다. 그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(101)로부터의 지시 등으로 임의의 처리 레시피를 기억부(102)로부터 호출해서 제어부(100)에 실행시킴으로써, 제어부(100)의 제어하에서, 플라즈마 처리 장치(10)에서의 원하는 처리가 행해진다.
다음으로, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 처리 장치(10)를 이용해서 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리, 예를 들면 플라즈마 에칭이나 플라즈마 애싱을 실시할 때의 처리 동작에 대해서 설명한다.
우선, 플라즈마 처리 장치(10)는, 게이트 밸브(29)를 개방으로 한 상태로 한다. 기판(G)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 반입 출구(29a)로부터 처리실(4) 내로 반입되고, 탑재대(23)의 탑재면(23c)에 탑재된다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 정전 척(도시하지 않음)에 의해 기판(G)을 탑재대(23) 상에 고정한다. 다음으로, 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 가스 공급계(20)로부터 샤워 하우징(11)의 가스 토출 구멍(12a)을 통해서 처리 가스를 처리실(4) 내에 공급한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)에 의해 압력을 제어하면서 배기구(30)로부터 배기 배관(31)을 통해서 진공 펌프(33)에 의해 처리실(4) 내를 진공 배기하는 것에 의해, 처리실 내를 예를 들면 0.66∼26.6Pa 정도의 압력 분위기로 유지한다.
또한, 이때, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판(G)의 온도 상승이나 온도 변화를 회피하기 위해서, He 가스 유로(28)를 통해서, 기판(G)의 이면측의 냉각 공간에 열 전달용 가스로서의 He 가스를 공급한다.
이어서, 플라즈마 처리 장치(10)는, 고주파 전원(15)으로부터, 예를 들면, 13.56MHz의 고주파를 고주파 안테나(13)에 인가하고, 이에 의해 유전체벽(2)을 통해서 처리실(4) 내에 균일한 유도 전계를 형성한다. 이와 같이 해서 형성된 유도 전계에 의해, 처리실(4) 내에서 처리 가스가 플라즈마화되어, 고밀도의 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 이 플라즈마에 의해, 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리, 예를 들면 기판(G)의 소정의 막에 대하여 플라즈마 에칭이나 플라즈마 애싱이 행해진다. 이때 동시에, 플라즈마 처리 장치(10)는, 고주파 전원(27)으로부터 고주파 바이어스로서, 예를 들면 주파수가 6MHz인 고주파 전력을 탑재대(23)에 인가해서, 처리실(4) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온이 효과적으로 기판(G)으로 인입되도록 한다.
처리 가스는, 처리실(4) 내의 처리 영역(41)에서 플라즈마화되어서 플라즈마 처리에 제공된 후, 진공 펌프(33)에 의해 흡인되는 것에 의해, 인접하는 칸막이 부재(50)의 사이에 형성된 간구(60)로부터 배기 영역(42)에 이르러, 배기구(30)로부터 배기 배관(31)을 거쳐서 배기된다.
여기에서, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판(G)이 대형화될수록, 탑재대(23)에 고파워의 고주파 전력을 인가할 필요가 있다. 그러나, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)에 고파워의 고주파 전력을 인가하면, 아킹을 일으키거나 해서 전기적으로 불안정하게 된다. 예를 들면, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판(G)의 사이즈가 제 8 세대의 사이즈(2160mm×2460mm) 이상인 사이즈가 되면, 보다 고파워의 고주파 전력을 탑재대(23)에 인가할 필요가 있다. 그러나, 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 가능한 기판(G)의 사이즈가 커질수록, 기판(G)을 탑재하는 탑재대(23)의 면적에 비해서, 대향 전극으로서 기능하는 처리실(4)의 내벽(측벽(4a)의 내측 부분)의 면적의 비율이 저하된다. 이 결과, 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 가능한 기판(G)의 사이즈가 커질수록, 대향 전극에 대한 리턴 전류 밀도가 증가하고, 아킹을 일으키기 쉬워지는 등, 전기적으로 불안정하게 된다.
그래서, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리실(4)의 내벽과 탑재대(23) 사이의 위치에, 접지 전위로 한 복수의 핀(61)이나 칸막이 부재(50)를 마련하고 있다. 도 5는, 처리실 내의 전기적인 상태의 일례를 모식적으로 나타낸 도면이다. 핀(61) 및 칸막이 부재(50)는, 접지 전위로 한 것에 의해, 고주파 바이어스가 인가되는 탑재대(23)에 대한 대향 전극으로서 기능한다. 즉, 플라즈마 처리 장치(10)는, 핀(61) 및 칸막이 부재(50)를 배치하는 것에 의해, 대향 전극의 면적을 확대하고 있다. 예를 들면, 탑재대(23)의 면적에 비해서 대향 전극의 면적이, 아킹의 발생이 억제되는 소정 배(예를 들면, 3배) 이상이 되도록 핀(61)을 배치해서, 대향 전극의 면적을 확대한다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판(G)의 대형화에 수반해서 탑재대(23)를 대형화한 경우에도, 전기적 안정성을 확보할 수 있어, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.
또한, 핀(61)은, 배기구(30)로의 배기의 흐름의 상류측에 병렬로 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마화된 가스가 배기구(30)로 흘렀을 때에, 가스가 핀(61)에 접촉해서 비활성화한다. 이에 의해, 플라즈마화된 가스가 배기구(30)로 흘러서 배기부(40)의 내부에서 불안정한 방전이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
한편, 도 2의 예에서는, 핀(61)을 칸막이 부재(50)로 덮여진 부분에만 배치한 경우를 예로 설명했지만, 핀(61)의 배치는 이에 한정되는 것은 아니다. 핀(61)은, 대향 전극의 확대에 기여하게 하는 경우, 처리실(4)의 내면에 배치되어 있으면, 어느 위치에 마련해도 된다. 예를 들면, 핀(61)은, 측벽(4a)에 마련되어 있어도 된다. 한편, 핀(61)은, 부착된 데포 등의 부생성물이 탑재대(23)의 탑재면(23c)에 떨어지는 것을 억제하기 위해, 탑재대(23)의 탑재면(23c)보다도 낮은 위치에 배치하는 것이 바람직하다.
또한, 핀(61)은, 배기구(30)로 흐르는 플라즈마화된 가스를 비활성화시키는 경우, 배기구(30)로의 배기의 흐름에 대해서 배기구(30)보다도 상류측에 적어도 배치되어 있으면 된다. 또한, 핀(61)은, 간구(60)에 대응하는 부분에 배치되어도 된다. 도 6a는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 도 6a의 경우, 핀(61)은, 탑재대(23)의 주위를 둘러싸도록 병렬로 배치해도 된다. 이에 의해, 대향 전극의 면적을 보다 확대할 수 있다. 또한, 핀(61)은, 간구(60)로부터 배기구(30)의 사이에 대응하는 부분에 적어도 배치해도 된다. 또한, 핀(61)은, 배기 영역(42)에 있어서 배기구(30)에 대응하는 영역보다도 배기구(30) 이외의 영역(바닥벽(4b)에 배기구(30)를 마련하지 않은 영역)에 많이 배치해도 된다. 도 6b는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 도 6b의 경우, 핀(61)의 수는, 배기구(30)보다도 배기구(30)의 사이의 부분에 많이 배치하고 있다. 배기구(30)의 상방에 대응하는 부분의 핀(61)의 수를 줄이는 것에 의해, 배기구(30)로의 배기의 흐름을 순조롭게 할 수 있다. 또한, 핀(61)은, 배기구(30)까지의 배기의 흐름의 상류측에만 배치해도 된다. 도 6c는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 도 6c의 경우, 핀(61)은, 배기구(30)와 간구(60) 사이에 배치되어 있다.
또한, 핀(61)은, 플라즈마에 노출되어도 된다. 도 7a∼도 7c는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 도 7a∼도 7c의 경우, 칸막이 부재(50)는, 탑재대(23)의 각 변의 배기구(30)에 대응하는 부분에 마련되어 있다. 각 변의 배기구(30)의 사이의 부분은, 칸막이 부재(50)로 덮여 있지 않고, 핀(61a)이 복수 병렬로 마련되어 있다. 핀(61a)은, 칸막이 부재(50)로 덮여 있지 않기 때문에, 플라즈마에 노출된다. 칸막이 부재(50)로 덮여진 배기 영역(42)의 일방측(네모서리의 반대측)은, 봉지판(80)에 의해 봉지되어 있다. 이에 의해, 배기구(30)에는, 핀(61a)측으로부터 배기가 흐르지 않는다. 한편, 배기 영역(42)의 네모서리측에는, 봉지되어 있지 않고, 핀(61b)이 복수 병렬로 마련되어 있다. 처리실(4)의 처리 영역(41)의 가스는, 간구(60)로부터 핀(61b)의 사이를 통해서 배기 영역(42)으로 흐르고, 각 배기구(30)로부터 배기된다. 이 경우, 핀(61a)이 탑재대(23)에 대한 대향 전극으로서 직접 기능하므로, 대향 전극의 확대의 효과를 높일 수 있다.
그런데, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 복수의 핀(61)을 마련해도, 처리 조건에 따라서는, 진공 펌프(33)로 흡인하는 것에 의해 플라즈마가 배기구(30) 근방에 끌어당겨져서 배기부(40)의 내부에 침입하는 경우가 있다. 그리고, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 침입한 플라즈마에 의해, 예를 들면, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32) 근방에서 방전에 의한 발광(아킹)이 생기고, 그 표면의 양극 산화 피막 등이 소모되어 버리는 경우가 있다.
이에 비해서, 예를 들면, 배기구(30)에, 접지된 제 1 개구 배플판(72)만을 마련한다. 도 8a는, 제 1 개구 배플판만을 마련한 경우의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다. 이 경우, 플라즈마는, 제 1 개구 배플판(72)에서 비활성화하기 때문에, 배기부(40)로의 플라즈마의 침입이 억제되고, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32) 근방에서의 방전에 의한 발광(아킹)을 억제할 수 있다. 그러나, 처리실(4)에서 접지 전위에 치우침이 생기고, 그 상방 영역에 불안정한 글로 방전이 발생해서, 방전이 돌아다니는 플리커(flicker)가 발생하여, 처리실(4) 내의 플라즈마가 불안정하게 되어 버린다.
또한, 예를 들면, 배기구(30)에, 플로팅 상태의 제 2 개구 배플판(73)만을 마련한다. 도 8b는, 제 2 개구 배플판만을 마련한 경우의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다. 이 경우, 제 2 개구 배플판(73)은, 플라즈마 전위이기 때문에, 그 상방 영역에 불안정한 글로 방전이 발생하는 것은 아니다. 그러나, 플로팅 상태의 제 2 개구 배플판(73)에서는, 플라즈마는 비활성화하지 않으므로, 배기부(40)로의 플라즈마의 침입을 유효하게 방지하지 못하고, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)의 근방에서의 방전에 의한 발광(아킹)을 충분히 억제할 수 없다.
그래서, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 배기구(30)에, 상하로 삼단의 개구 배플판을 겹친 배기망부(70)를 마련하고 있다. 도 8c는, 실시형태에 따른 배기망부를 마련한 경우의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다. 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 하단측이 접지된 제 1 개구 배플판(72)을 마련하고, 그 상단측(배기 경로의 상류측)에 플로팅 상태의 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)을 겹쳐서 마련하고 있다. 즉, 플로팅 상태의 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)은 플라즈마 전위가 되어, 접지된 제 1 배플판과의 사이에서 전위차를 일으킨다. 이 때문에, 이들 개구 배플 사이의 간격을 적절히 조정하는 것에 의해 이들 사이에 안정적인 방전이 형성되어 플라즈마가 유지된다. 그리고, 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)을 투과한 이온이나 전자는, 플라즈마에 의해 트랩된다. 이에 의해, 제 3 개구 배플판(74)부터 제 1 개구 배플판(72) 사이에서 플리커가 없는 안정적인 글로 방전이 형성되는 것이라고 추측된다. 또한, 배기구(30)에 끌어당겨진 플라즈마는, 하단측의 제 1 개구 배플판(72)에서 비활성화하기 때문에, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)의 근방에서의 방전에 의한 발광(아킹)을 억제할 수 있다. 또, 상단측의 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)은 플라즈마 전위이기 때문에 처리실(4)의 접지 전위의 치우침이 완화된다. 그리고, 이들에 의해서 처리실(4) 내에 안정적인 플라즈마를 생성할 수 있다. 또한, 플로팅 상태의 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)을 겹쳐서 마련함으로써, 흘러들어온 플라즈마가 수평 방향으로 확산된다. 이 때문에, 배기망부(70)의 면내에서의 플라즈마의 국소 집중이 완화되므로, 불안정한 글로 방전이 억제되어, 처리실(4) 내에 안정적인 플라즈마를 생성할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리실(4)과, 고주파 전원(15)과, 복수의 핀(61)을 갖는다. 처리실(4)은, 기판(G)이 탑재되는 탑재대(23)가 내부에 마련되고, 기판(G)에 대한 플라즈마 처리가 실시된다. 고주파 전원(15)은, 탑재대(23)에 바이어스용의 고주파 전력을 인가한다. 복수의 핀(61)은, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 접속되고, 처리실(4)의 내면에 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기구(30)와, 칸막이 부재(50)를 더 갖는다. 배기구(30)는, 탑재대(23)의 주위의, 탑재대(23)의 기판(G)이 탑재되는 탑재면(23c)보다도 낮은 위치에 마련되고, 처리실(4) 내를 배기한다. 칸막이 부재(50)는, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 접속되고, 배기구(30)를 덮도록 배치되고, 처리실(4)을, 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리를 행하는 처리 영역(41)과, 배기구(30)로 이어지는 배기 영역(42)으로 칸막이한다. 핀(61)은, 배기 영역(42) 내의, 배기구(30)로의 배기의 흐름에 대해서 배기구(30)보다도 상류측에 적어도 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기구(30)로 흐르는 플라즈마화된 가스를 핀(61)으로 비활성화시킬 수 있기 때문에, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.
또한, 칸막이 부재(50)는, 탑재대(23)의 주위에, 인접하는 칸막이 부재(50)와의 사이에 간구(60)가 형성되도록 이간되어 복수 배치된다. 핀(61)은, 칸막이 부재(50)에 의해 덮여진 부분에 적어도 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 핀(61)이 플라즈마에 노출되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 칸막이 부재(50)에 의해 덮여진 부분에 배치된 핀(61)에 의해 배기구(30)로의 배기의 흐름을 형성함과 함께 플라즈마화된 가스를 비활성화시킬 수 있다.
또한, 칸막이 부재(50)는, 탑재대(23)의 주위에, 인접하는 칸막이 부재(50)와의 사이에 간구(60)가 형성되도록 이간되어 복수 배치된다. 핀(61)은, 배기구(30)로부터 간구(60)의 부분에 적어도 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 핀(61)이 플라즈마에 노출되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기구(30)로부터 간구(60)의 부분에 배치된 핀(61)에 의해 배기구(30)로의 배기의 흐름을 형성함과 함께 플라즈마화된 가스를 비활성화시킬 수 있다.
또한, 핀(61)은, 탑재대(23)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 대향 전극의 면적을 크게 할 수 있고, 전기적 안정성을 확보할 수 있다.
또한, 칸막이 부재(50)는, 배기구(30)보다도 배기구(30) 이외에 많이 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기구(30)로의 배기의 흐름을 순조롭게 할 수 있다.
또한, 핀(61)과 칸막이 부재(50)는, 접속되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 칸막이 부재(50)를 통해서 핀(61)을 접지시킬 수 있다.
또한, 핀(61)과 칸막이 부재(50) 사이에는, 간극이 형성된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 칸막이 부재(50)와 핀(61)에 열팽창의 차이에 의해 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 핀(61)은, 길이 방향이 탑재대(23)의 측면과 병행한 방향으로 복수 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기의 흐름을 차단하지 않고 핀(61)을 설치할 수 있다.
또한, 핀(61)은, 처리실(4)의 바닥면과 접속되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 핀(61)을 수직 방향으로 배치할 수 있고, 다수의 핀(61)을 적은 배치 스페이스에서 배치할 수 있기 때문에, 적은 배치 스페이스에서 대향 전극의 면적을 크게 할 수 있다.
또한, 핀(61)의 단부에는, 탑재대(23)의 측면과 교차하는 교차 방향으로 봉지판(80)이 마련된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 봉지판(80)에 의해 배기의 흐름을 조정할 수 있다.
또한, 배기구(30)에는, 배기 경로의 하류로부터 상류를 향하여, 도전성 재료로 이루어지고, 복수의 개구를 갖는 제 1 개구 배플판(72), 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)이 마련되어 있다. 제 1 개구 배플판(72)은, 접지되어 있다. 제 2 개구 배플판(73) 및 제 3 개구 배플판(74)은, 전기적으로 플로팅 상태로 되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 제 3 개구 배플판(74)부터 제 1 개구 배플판(72) 사이에서 플리커가 없는 안정적인 글로 방전을 발생시킬 수 있어, 처리실(4) 내에 안정적인 플라즈마를 생성할 수 있다.
이상, 실시형태에 대해서 설명해 왔지만, 이번 개시된 실시형태는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시형태는, 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는, 청구의 범위 및 그 취지를 일탈함이 없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는, 핀(61)을 처리실(4)의 바닥면(바닥벽(4b))에 세운 상태로 배치하는 경우를 예로 설명했지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 핀(61)은, 탑재대(23)의 측면 및 처리실(4)의 측면(측벽(4a))으로부터 수직으로 복수 병렬로 마련해도 된다. 이 경우, 핀(61)은, 탑재대(23)의 측면 및 처리실(4)의 측면으로부터 교대로, 엇갈리도록 배치해도 된다. 각 핀(61)의 선단측은, 평면뷰(view)한 경우에, 겹쳐도 된다. 또한, 핀(61)은, 적어도 배기구(30) 부근에서는, 배기구(30)에 가까운 하측일수록, 탑재대(23)의 측면 및 처리실(4)의 측면으로부터의 높이를 작게 하는 것이 바람직하다. 도 9는, 핀의 배치의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 4개의 핀(61)은, 탑재대(23)의 측면 및 처리실(4)의 측면으로부터 교대로, 엇갈리도록 배치되어 있다. 상측의 2개의 핀(61)의 선단측은, 상방에서 평면뷰한 경우에, 겹쳐져 있다. 또한, 4개의 핀(61)은, 배기구(30)에 가까운 하측일수록, 탑재대(23)의 측면 및 처리실(4)의 측면으로부터의 높이가 작아지고 있다. 이에 의해, 각 핀(61)의 사이의 배기를 배기구(30)에 순조롭게 흘릴 수 있다. 이와 같이, 핀(61)을 마련하는 것에 의해, 플라즈마가 배기구(30)에 끌어당겨지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 핀(61)을 탑재대(23)와 병렬로 배치한 경우에 대해서 나타냈지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 핀(61)은, 탑재대(23)와 병렬로 되지 않아도 된다. 예를 들면, 핀(61)은, 간구(60)과 배기구(30)의 위치에 따라서는 탑재대(23)와 병렬로 되지 않아도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치(10)로서 처리실의 상부에 유전체창(유전체벽(2))을 통해서 고주파 안테나가 마련된 경우에 대해서 나타냈지만, 유전체창이 아니고 금속창을 통해서 고주파 안테나가 마련된 경우에 대해서도 적용할 수 있다. 이 경우, 처리 가스의 공급은, 빔 구조 등의 십자 형상의 샤워 하우징으로부터가 아니고 금속창에 가스 샤워를 마련해서 공급해도 된다.
나아가 또한, 상기 실시형태에서는, 간구(60)를 처리실의 네모서리에 형성한 예에 대해서 나타냈지만, 이에 한정하는 것은 아니다.
나아가 또한, 상기 실시형태에서는, 배기망부(70)를, 배기 기구의 구멍 부분에 적용한 예에 대해서 나타냈지만, 뷰포트나 기판 반입 출구 등, 플라즈마 처리 장치(10)의 처리 용기에 마련된 개구이면 적용할 수 있다.
나아가 또한, 상기 실시형태는, 플라즈마 에칭이나 플라즈마 애싱을 행하는 장치로서 설명했지만, CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치(10)에 적용할 수 있다. 또, 상기 실시형태에서는, 기판으로서 FPD용의 직사각형 기판을 이용한 예를 나타냈지만, 다른 직사각형 기판을 처리하는 경우에도 적용 가능하고, 직사각형에 한정하지 않고 예를 들면 반도체 웨이퍼 등의 원형의 기판에도 적용 가능하다.
1: 본체 용기
2: 유전체벽(유전체 부재)
3: 안테나실
4: 처리실
13: 고주파 안테나
14: 정합기
15: 고주파 전원
16: 급전 부재
19: 급전선
20: 처리 가스 공급계
23: 탑재대
23c: 탑재면
27: 고주파 전원
30: 배기구
31: 배기 배관
32: 자동 압력 제어 밸브(APC)
33: 진공 펌프
40: 배기부
41: 처리 영역
42: 배기 영역
50: 칸막이 부재
60: 간구
61, 61a, 61b: 핀
70: 배기망부
72: 제 1 개구 배플판
73: 제 2 개구 배플판
74: 제 3 개구 배플판
100: 제어부
G: 기판

Claims (12)

  1. 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과,
    상기 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과,
    도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 접속되고, 상기 처리실의 내면에 배치된 복수의 판 형상 부재를 갖고,
    상기 복수의 판 형상 부재는, 길이 방향이 상기 탑재대의 측면과 병행한 방향으로 병렬로 배치되어, 상기 복수의 판 형상 부재의 사이로 상기 처리실로부터의 처리 가스가 배기되는 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 탑재대의 주위의, 상기 탑재대의 기판이 탑재되는 탑재면보다도 낮은 위치에 마련되고, 상기 처리실 내를 배기하는 배기구와,
    도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 접속되고, 상기 배기구를 덮도록 배치되고, 상기 처리실을, 상기 기판에 대해서 플라즈마 처리를 행하는 처리 영역과, 상기 배기구로 이어지는 배기 영역으로 칸막이하는 칸막이 부재를 더 갖고,
    상기 판 형상 부재는, 상기 배기 영역 내의, 상기 배기구로의 배기의 흐름에 대해서 상기 배기구보다도 상류측에 적어도 배치된 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 칸막이 부재는, 상기 탑재대의 주위에, 인접하는 상기 칸막이 부재와의 사이에 간구(間口)가 형성되도록 이간되어 복수 배치되고,
    상기 판 형상 부재는, 상기 칸막이 부재에 의해 덮여진 부분에 적어도 배치된 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 칸막이 부재는, 상기 탑재대의 주위에, 인접하는 상기 칸막이 부재와의 사이에 간구가 형성되도록 이간되어 복수 배치되고,
    상기 판 형상 부재는, 상기 배기구로부터 상기 간구의 부분에 적어도 배치된 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판 형상 부재는, 상기 탑재대의 주위를 둘러싸도록 배치된 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판 형상 부재는, 상기 배기구보다도 상기 배기구 이외에 많이 배치된 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판 형상 부재와 상기 칸막이 부재는, 접속되어 있는 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판 형상 부재와 상기 칸막이 부재 사이에는, 간극이 형성되는 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판 형상 부재는, 상기 처리실의 바닥면과 접속되어 있는 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판 형상 부재의 단부에는, 상기 탑재대의 측면과 교차하는 교차 방향으로 봉지판이 마련되는 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배기구에는, 배기 경로의 하류로부터 상류를 향하여, 도전성 재료로 이루어지고, 복수의 개구를 갖는 제 1 개구 배플판, 제 2 개구 배플판 및 제 3 개구 배플판이 마련되고,
    상기 제 1 개구 배플판은, 접지되고,
    상기 제 2 개구 배플판 및 상기 제 3 개구 배플판은, 전기적으로 플로팅 상태로 된 것을
    특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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