JP5086192B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
先ず,本発明を複数のプラズマ処理装置を備えるマルチチャンバータイプの基板処理装置に適用した場合の実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は,本実施形態にかかる基板処理装置100の外観斜視図である。同図に示す基板処理装置100は,フラットパネルディスプレイ用基板(FPD用基板)Gに対してプラズマ処理を施すための3つのプラズマ処理装置を備える。
次に,このような各プラズマ処理装置の処理室200の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは,本発明のプラズマ処理装置を,例えばガラス基板などのFPD用の絶縁基板(以下,単に「基板」とも称する)Gをエッチングする容量結合型プラズマ(CCP)エッチング装置に適用した場合の処理室の構成例について説明する。図2は,処理室200の概略構成を示す断面図である。
以下,このような上流側バッフル板350と下流側バッフル板360の具体的構成例について図面を参照しながら詳細に説明する。図4は上流側バッフル板350の構成例を示す図であり,図5は下流側バッフル板360の構成例を示す図である。図4は上流側バッフル板350を取り付けた状態で載置台300を上方から見た図であり,図5は上流側バッフル板350を取り外した状態で下流側バッフル板360を上方から見た図である。
次に,本実施形態におけるバッフル板340を設けた場合の排気の流れについて図面を参照しながら説明する。図7A〜図10A,図7B〜図10Bは排気の流れの概略を説明するための図である。図7B〜図10Bは,図7A〜図10Aに示すA−A断面を横方向から見た場合の概略図である。図7A,図7Bはバッフル板340をまったく設けない場合,図8A,図8Bは下流側バッフル板360だけを設けた場合,図9A,図9Bは下流側バッフル板360と上流側バッフル板350を両方設けた場合,図10A,図10Bは本実施形態の比較例としてスリットのない下流側バッフル板363を1枚だけ設けた場合である。
102,104,106 ゲートバルブ
110 搬送室
120 ロードロック室
130 基板搬出入機構
140 インデクサ
142 カセット
200 処理室
204 基板搬入出口
208 排気口
209 取付枠体
209a 孔
210 シャワーヘッド
222 バッファ室
224 処理ガス吐出孔
226 処理ガス導入口
230 処理ガス供給機構
232 処理ガス供給源
233 処理ガス供給配管
234 マスフローコントローラ(MFC)
235 開閉バルブ
300 載置台
302 ベース部材
310 サセプタ
312 整合器
314 高周波電源
315 電源
316 スイッチ
317 冷媒流路
318 ガス流路
320 静電保持部
322 電極板
330 外枠部
340 バッフル板
350 上流側バッフル板
352,354 板状部材
356 円孔状開口
358 開度調整部材
360 下流側バッフル板
362 板状部材
363 開口がない下流側バッフル板
364(364a〜364c) スリット状開口
368 開度調整部材
402 排気管
410 ターボ分子ポンプ(TMP)
420 ドライポンプ(DP)
G FPD基板
Claims (8)
- 被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と,
前記処理室にプラズマを生起するための処理ガスを供給する処理ガス供給部と,
前記処理室内に設けられ,前記被処理基板を載置する載置台と,
前記処理室内のプラズマ生成領域と前記処理室内を排気する排気経路を隔てるバッフル部と,
前記排気経路において前記バッフル部よりも下流側に,前記載置台の周囲に配置された複数の排気口と,を備え,
前記バッフル部は,前記載置台の周囲を囲むように離間して配置された上流側バッフル板とこの上流側バッフル板の下流側に配置された下流側バッフル板とからなり,前記各バッフル板にはそれぞれ前記プラズマ生成領域と前記排気経路とを連通する複数の開口が形成され,
前記上流側バッフル板の複数の開口は,全体に一様に配置されるように形成し,前記下流側バッフル板の複数の開口は,前記各排気口から遠ざかるほど数が多くなるように又は形状が大きくなるように形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記上流側バッフル板の前記複数の開口は円孔状に形成し,前記下流側バッフル板の前記複数の開口はスリット状に形成したことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下流側バッフル板の前記スリット状の各開口は,前記各排気口から遠ざかるほど広くなるように形成したことを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記上流側バッフル板と前記下流側バッフル板の前記複数の開口はともに円孔状に形成したことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下流側バッフル板の前記円孔状の開口の数は,前記各排気口から遠ざかるほど多くなるように形成したことを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記上流側バッフル板は,前記載置台から外側に向けて水平になるように形成し,前記下流側バッフル板は,前記載置台から外側に向けて傾斜するように形成したことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記排気口は,前記処理室の側壁に形成されており,
前記下流側バッフル板は,前記載置台の下方から前記処理室の側壁に向けて上方に傾斜するように形成したことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。 - 前記上流側バッフル板及び前記下流側バッフル板にはそれぞれ,これらの開口の開度を調整する開度調整部材を設けたことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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JP4087674B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2008-05-21 | 株式会社ユーテック | 半導体製造装置 |
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JP2006060073A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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