CN108321101B - 一种电极组件和蚀刻设备 - Google Patents

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Abstract

本申请属于蚀刻技术领域，提供一种电极组件和蚀刻设备，蚀刻设备包括腔体、第一电极板和第二电极板；第一电极板设置在腔体内靠近腔体的顶部，包括第一中心区域和环绕第一中心区域的第一边缘区域，第一中心区域贯通开设有第一进气孔，第一边缘区域贯通开设有第二进气孔，第二进气孔环绕设置在第一进气孔的外围，第一进气孔的横截面积小于第二进气孔的横截面积；第二电极板设置在腔体内靠近腔体的底部，包括放置区和围绕放置区的第二边缘区域；待加工基板设于放置区上，第一电极板的位置与待加工基板的位置相对应；腔体上还开设有与抽气装置连接的出气口，出气口设置在腔体内的下方且出气口的位置低于第二电极板的位置。

Description

一种电极组件和蚀刻设备
技术领域
本申请属于蚀刻技术领域，更具体地说，是涉及一种电极组件和蚀刻设备。
背景技术
随着科学技术的发展，电子设备(例如智能手机、笔记本电脑、数码相机等)越来越普及，使得作为电子设备的重要部件的液晶显示器的需求量也大大提升，从而推动了液晶显示面板行业的快速发展。
液晶显示面板制造过程中的一个重要步骤就是蚀刻工艺，其中干蚀刻工艺是目前最常用的蚀刻方式，其利用蚀刻气体进行蚀刻。在利用干蚀刻工艺进行阵列基板制造的过程中，蚀刻气体(Process Gas)在进气系统的吹力、抽气系统的吸力、电极板之间的电压等因素的作用下吹向待加工基板面。在蚀刻工艺中，通常使用制程均一性来描述在某一制程下工件整体的蚀刻程度；同一工件加工面上不同位置的蚀刻程度越接近，则其制程均一性越高。为了保证待加工基板面各部分能够同时完成蚀刻加工，保证加工良品率以及工件品质，需要对待加工基板面各部分的蚀刻程度进行控制，尽量保证待加工基板面各部分以相同的速率被蚀刻。
然而，现有技术中由于腔体内部设计结构以及排气系统设计等因素，导致在实际操作中蚀刻气体会向腔体内部的角落流动，四角落与其他位置蚀刻程度有落差，使得待加工基板各部分的蚀刻程度不同，造成待加工基板各部分的加工均一性不佳，导致产品报废。
以上不足，有待改进。
申请内容
本申请的目的在于提供一种电极组件，以解决现有技术中存在的待加工基板各部分的加工均一性不佳的技术问题。
为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：
一种电极组件，包括：
第一电极板，包括第一中心区域和环绕所述第一中心区域的第一边缘区域；
第一进气孔，与进气装置连接，贯通开设在所述第一中心区域；
第二进气孔，与所述进气装置连接，贯通开设在所述第一边缘区域，且环绕设置在多个所述第一进气孔的外围，所述第一进气孔的横截面积小于所述第二进气孔的横截面积。
在一个实施例中，多个所述第一进气孔以均匀、不均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一中心区域；
多个所述第二进气孔以均匀、不均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一边缘区域。
在一个实施例中，多个所述第一进气孔的形状与大小相同、局部相同或不同；
多个所述第二进气孔的形状与大小相同、局部相同或不同。
本申请提供的一种电极组件中，由于开设于第一中心区域的第一进气孔的横截面积小于开设于第一边缘区域的第二进气孔的横截面积，因此当蚀刻气体通过第一进气孔和第二进气孔进入蚀刻设备中时，通过第二进气孔的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔的蚀刻气体的流速，进而可以降低待加工基板上与第一边缘区域对应的部分的蚀刻速率，使得待加工基板上与第一中心区域对应部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘区域对应的部分的蚀刻速率更接近，从而有效提高待加工基板的各个部分的加工均一性。
本申请的目的还在于提供一种蚀刻设备，包括：
腔体；
第一电极板，设置在所述腔体内的上方，包括第一中心区域和环绕所述第一中心区域的第一边缘区域；
第二电极板，设置在所述腔体内的下方，并与所述第一电极板相对设立，包括放置区和围绕所述放置区的第二边缘区域，待加工基板设置在所述放置区；
第一进气孔，与进气装置连接，贯通开设在所述第一中心区域，多个所述第一进气孔正对所述待加工基板；
第二进气孔，与所述进气装置连接，贯通开设在所述第一边缘区域，且环绕设置在多个所述第一进气孔的外围，所述第一进气孔的横截面积小于所述第二进气孔的横截面积；
出气口，与抽气装置连接，设置在所述腔体内的下方且所述出气口的位置低于所述第二电极板的位置。
在一个实施例中，多个所述第一进气孔以均匀、不均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一中心区域；
多个所述第二进气孔以均匀、不均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一边缘区域。
在一个实施例中，多个所述第一进气孔的形状与大小相同、局部相同或不同；
多个所述第二进气孔的形状与大小相同、局部相同或不同。
在一个实施例中，所述蚀刻设备还包括：
电浆，设于所述第一电极板和所述待加工基板之间，且与所述待加工基板的位置相对应。
在一个实施例中，所述蚀刻设备还包括：
阻挡环，设置在所述第二边缘区域，并环绕设置在所述放置区的外围；
隔板，环绕设置在所述第二电极板的外侧，并与所述阻挡环的外围邻接，所述隔板上贯通设有隔板开口。
在一个实施例中，所述出气口开设于所述腔体的底部，且所述出气口与所述隔板开口的位置相对应；
或者，
所述出气口开设于所述腔体的侧边，且所述出气口靠近所述隔板开口。
在一个实施例中，所述待加工基板包括玻璃基板和覆盖在所述玻璃基板表面的薄膜，所述薄膜设有与待蚀刻的图案对应的镂空区域。
本申请提供的一种蚀刻设备中，由于开设于第一中心区域的第一进气孔的横截面积小于开设于第一边缘区域的第二进气孔的横截面积，因此当蚀刻气体通过第一进气孔和第二进气孔进入腔体中时，通过第二进气孔的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔的蚀刻气体的流速，进而可以降低基板边缘区域蚀刻速率，使得基板边缘区域与基板中心区域的蚀刻速率更接近，从而有效提高待加工基板的各个部分的加工均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的蚀刻设备的第一电极板结构示意图一；
图2为本申请实施例提供的蚀刻设备的第一电极板结构示意图二；
图3为一个范例的电极板结构示意图；
图4为本申请实施例提供的蚀刻设备的横截面结构示意图一；
图5为本申请实施例提供的蚀刻设备的横截面结构示意图二；
图6为本申请实施例提供的蚀刻设备的横截面结构示意图三；
图7为本申请实施例提供的蚀刻设备的结构示意的俯视图。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
请参阅图1，一种电极组件，应用于蚀刻设备，包括第一电极板1，第一电极板1包括第一中心区域11和环绕第一中心区域11的第一边缘区域12；第一中心区域11贯通开设有与进气装置连接的第一进气孔111，第一边缘区域12 贯通开设有与进气装置连接的第二进气孔121，第二进气孔121环绕设置在第一进气孔111的外围；第一进气孔111的横截面积小于第二进气孔121的横截面积。
本实施例提供的一种电极组件中，由于开设于第一中心区域11的第一进气孔111的横截面积小于开设于第一边缘区域12的第二进气孔121的横截面积，因此当蚀刻气体通过第一进气孔111和第二进气孔121进入蚀刻设备中时，通过第二进气孔121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔111的蚀刻气体的流速，进而可以降低待加工基板上与第一边缘区域12对应的部分的蚀刻速率，使得待加工基板上与第一中心区域11对应部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘区域12对应的部分的蚀刻速率更接近，从而有效提高待加工基板的各个部分的加工均一性。
在一个实施例中，位于第一电极板1的中心区域的进气孔110的横截面积最小，位于第一电极板1的边缘区域的进气孔110的横截面积最大，位于第一电极板1上的所有进气孔110的横截面积可以成等差数列排列，从而使得第一电极板1上的所有进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心区域向第一电极板1的边缘区域增大。
应当理解的是，位于第一电极板1上的进气孔110的横截面积可以以其他方式排列，保证进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心区域向第一电极板1的边缘区域增大即可。进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心与向第一电极板1的边缘区域增大的变化方式可以是线性变化、阶梯性变化或其他任意变化方式，此处不做限制，保证进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心区域向第一电极板1的边缘区域增大即可。
请参阅图2，在一个实施例中，多个第一进气孔111均匀分布在第一中心区域11，从而使得第一中心区域11的蚀刻气体的流速相同，进而使得待加工基板上与第一中心区域11相对应的部分的蚀刻速率相同，从而有效提高待加工基板上与第一中心区域11相对应的部分的加工均一性；多个第二进气孔121 均匀分布在第一边缘区域12，从而使得第一边缘区域12的蚀刻气体的流速相同，进而使得待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的蚀刻速率相同，从而有效提高待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的加工均一性。
在一个实施例中，多个第一进气孔111以不均匀或局部均匀的方式分布在第一中心区域11，多个第二进气孔121以不均匀或局部均匀的方式分布在第一边缘区域12，只要使得待加工基板上与第一中心区域11相对应的部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的蚀刻速率相同即可。
在一个实施例中，多个第一进气孔111的形状与大小相同，从而多个第一进气孔111的横截面积相同，使得第一中心区域11的蚀刻气体的流速相同，进而使得待加工基板上与第一中心区域11相对应的部分的蚀刻速率相同，从而有效提高待加工基板上与第一中心区域11相对应的部分的加工均一性；
多个第二进气孔121的形状与大小相同，从而使得第一边缘区域12的蚀刻气体的流速相同，进而使得待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的蚀刻速率相同，从而有效提高待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的加工均一性；
且第一进气孔111的横截面积和第二进气孔121的横截面积经过精心设计，从而使得待加工基板的中心区域蚀刻速率(即待加工基板上与第一中心区域11 相对应的部分的蚀刻速率)与边缘区域蚀刻速率(即待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的蚀刻速率)相同，提高待加工基板的各个部分的加工均一性。
在一个实施例中，多个第一进气孔111的大小和形状局部相同，多个第二进气孔121的大小和形状局部相同，只要使得待加工基板上与第一中心区域11 相对应的部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的蚀刻速率相同即可。
在一个实施例中，多个第一进气孔111的大小和形状不同，多个第二进气孔121的大小和形状不同，只要使得待加工基板上与第一中心区域11相对应的部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘区域12相对应的部分的蚀刻速率相同即可。
请参阅图1和图4，本实施例的目的还在于提供一种蚀刻设备，包括用于对待加工基板3进行蚀刻的腔体100、第一电极板1和第二电极板2；第一电极板1设置在腔体100内的上方、靠近腔体100的顶部101，包括第一中心区域 11和环绕第一中心区域11的第一边缘区域12，第一中心区域11贯通开设有与进气装置连接的第一进气孔111，第一边缘区域12贯通开设有与进气装置连接的第二进气孔121，第二进气孔121环绕设置在第一进气孔111的外围，第一进气孔111的横截面积小于第二进气孔121的横截面积；第二电极板2设置在腔体100内的下方、靠近腔体100的底部102、并与第一电极板1相对设立，包括放置区和围绕放置区的第二边缘区域；待加工基板3设于放置区上，第一电极板1的位置与待加工基板3的位置相对应；腔体100上还开设有用于与抽气装置连接的出气口103，出气口103设置在腔体100内的下方且出气口103 的位置低于第二电极板2的位置。
本实施例的提供的一种蚀刻设备的工作原理如下：首先将待加工基板3设置在第二电极板2上；然后将进气装置与第一进气孔111和第二进气孔121连接，将抽气装置与出气口103连接；启动抽气装置和进气装置，从而使得蚀刻气体通过第一进气孔111和第二进气孔121进入到腔体100内，并对待加工基板3进行蚀刻；蚀刻气体最后通过出气口排出到腔体100外。
具体地，请参阅图3，在一个范例中，在未对进气孔的横截面积进行调整时，由于蚀刻气体会向腔体100内部的角落流动，而待加工基板3的基板边缘区域更靠近腔体100的四个角落，因此基板边缘区域的蚀刻速率要高于基板中心区域的蚀刻速率，造成待加工基板3各部分的蚀刻程度不同，因此待加工基板3各部分的加工均一性不佳。
请参阅图4，在本实施例中，第二进气孔121的横截面积大于第一进气孔 111的横截面积，使得经过第二进气孔121的蚀刻气体的气压要小于经过第一进气孔111的蚀刻气体的气压，因此第二进气孔121中的蚀刻气体的流速要小于第一进气孔111中的蚀刻气体的流速，从而使得流向腔体100的四个角落的蚀刻气体会减少，从而可以降低基板边缘区域的蚀刻速率，使得基板边缘区域的蚀刻速率与基板中心区域的蚀刻速率更接近，从而提高待加工基板3的各部分的加工均一性。
本实施例提供的一种蚀刻设备中，由于开设于第一中心区域11的第一进气孔111的横截面积小于开设于第一边缘区域12的第二进气孔121的横截面积，因此当蚀刻气体通过第一进气孔111和第二进气孔121进入腔体100中时，通过第二进气孔121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔111的蚀刻气体的流速，进而可以降低基板边缘区域蚀刻速率，使得基板边缘区域与基板中心区域的蚀刻速率更接近，从而有效提高待加工基板的各个部分的加工均一性。
在一个实施例中，位于第一电极板1的中心区域的进气孔110的横截面积最小，位于第一电极板1的边缘区域的进气孔110的横截面积最大，位于第一电极板1上的所有进气孔110的横截面积可以成等差数列排列，从而使得第一电极板1上的所有进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心区域向第一电极板1的边缘区域增大。
应当理解的是，位于第一电极板1上的进气孔110的横截面积可以以其他方式排列，保证进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心区域向第一电极板1的边缘区域增大即可。进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心与向第一电极板1的边缘区域增大的变化方式可以是线性变化、阶梯性变化或其他任意变化方式，此处不做限制，保证进气孔110的横截面积从第一电极板1的中心区域向第一电极板1的边缘区域增大即可。
请参阅图2和图5，在一个实施例中，多个第一进气孔111均匀分布在第一中心区域11，从而使得蚀刻气体的流速在各个第一进气孔111中均相同，从而使得进入第一中心区域11内的蚀刻气体的流速相同，进而使得基板中心区域的蚀刻速率相同，从而有效提高待加工基板3的基板中心区域的加工均一性；多个第二进气孔121均匀分布在第一边缘区域12，从而使得蚀刻气体的流速在各个第二进气孔121中均相同，从而使得进入第一边缘区域12内的蚀刻气体的流速相同，进而使得基板边缘区域的蚀刻速率相同，从而有效提高待加工基板 3的基板边缘区域的加工均一性。
在一个实施例中，多个第一进气孔111以不均匀或局部均匀的方式分布在第一中心区域11，多个第二进气孔121以不均匀或局部均匀的方式分布在第一边缘区域12，只要使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀刻速率相同即可。
在一个实施例中，多个第一进气孔111的形状与大小相同，从而多个第一进气孔111的横截面积相同，使得第一中心区域11的蚀刻气体的流速相同，进而使得基板中心区域的蚀刻速率相同，从而有效提高基板中心区域的加工均一性；多个第二进气孔121的形状与大小相同，从而使得第一边缘区域12的蚀刻气体的流速相同，进而使得基板边缘区域的蚀刻速率相同，从而有效提高基板边缘区域的加工均一性；且第一进气孔111的横截面积和第二进气孔121的横截面积经过精心设计，从而使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀刻速率相同，提高待加工基板的各个部分的加工均一性。
在一个实施例中，多个第一进气孔111的大小和形状局部相同，多个第二进气孔121的大小和形状局部相同，基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀刻速率相同即可。
在一个实施例中，多个第一进气孔111的大小和形状不同，多个第二进气孔121的大小和形状不同，基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀刻速率相同即可。
请参阅图6和图7，在一个实施例中，蚀刻设备还包括电浆4，电浆4设于第一电极板1和待加工基板3之间，且与待加工基板3的位置相对应。可选地，电浆4位于靠近待加工基板3的一侧。在工作时，蚀刻气体通过第一进气孔111 和第二进气孔121进入腔体100后到达电浆4；电浆4将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去待加工基板3的材料的高活性分子，同时电浆4也会将这些高活性分子离子化；离子化的高活性分子到达待加工基板3后将待蚀刻材料从固相转化为气相，并在抽气装置的作用下通过出气口103从腔体100中移除。
通过设置电浆4，使得蚀刻气体能够更好地对待加工基板3进行蚀刻，可有效提高蚀刻效果。由于通过第二进气孔121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔111的蚀刻气体的流速，因此电浆4的各个部分的消耗也更加均匀，进而对待加工基板3的各部分的蚀刻速率也更加均匀，从而提高待加工基板3的各个部分的加工均一性。
在一个实施例中，蚀刻设备还包括阻挡环5和隔板6，阻挡环5设置在第二电极板2的第二边缘区域，并环绕设置在放置区的外围，隔板6环绕设置在第二电极板2的外侧，并与阻挡环5的外围邻接，隔板6上贯通设有隔板开口。当待加工基板3放置到第二电极2的放置区时，放置区的外围环绕设置的阻挡环5可以对待加工基板3起到稳定和固定的作用；而在第二电极板2的外侧环绕设置隔板6，一方面可以防止待加工基板3破裂后的碎渣直接掉进出气口103 中进入到抽气装置，引起抽气装置的损坏，另一方面也可以对蚀刻气体起到一定的阻隔作用，从而对蚀刻气体的流动速率及流动方向起到控制作用，使得蚀刻气体能够通过隔板6上开设的隔板开口进入出气口103。
可选地，隔板6上相应于出气口103的位置开设有多个隔板通孔，从而可以进一步对蚀刻气体的流动速率、流动方向以及蚀刻气体分布的均匀程度进行调节，从而进一步提高待加工基板3的各个部分的加工均一性。
在一个实施例中，待加工基板3包括玻璃基板31和覆盖在玻璃基板31表面的薄膜32，薄膜32设有与待蚀刻的图案对应的镂空区域。薄膜32可以对玻璃基板31起到保护作用，从而保证蚀刻气体对玻璃基板31上需要蚀刻的部分进行蚀刻，而不需要蚀刻的部分则由于薄膜32的覆盖而无法接触到蚀刻气体。
在一个实施例中，出气口103开设于腔体100的底部102，且出气口103 与隔板开口的位置相对应。具体地，底部102的每侧与隔板6相对应的位置的两侧均开设有出气口103，即出气口103的数量为8个，腔体100的四个角落的每个角落附近均设有两个出气口103。这样设置，一方面有助于蚀刻气体在经过隔板开口后能够在抽气装置的作用下迅速通过出气口103从腔体100中排出，另一方面出气口103位置与隔板开口的位置相配合、同时出气口103的位置与第一电极板1上开设的第一进气孔111、第二进气孔121相配合，有助于蚀刻气体在待加工基板3上的分布更均匀，从而使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀刻速率相同，进一步提高待加工基板3的各个部分的加工均一性。
在一个实施例中，出气口103开设于腔体100的侧边，且出气口103的位置低于第二电极板2的位置，从而使得蚀刻气体在经过待加工基板3后再进入出气口103；出气口103靠近隔板开口，一方面有助于蚀刻气体在经过隔板开口后能够在抽气装置的作用下迅速通过出气口103从腔体100中排出，另一方面出气口103位置与隔板开口的位置相配合、同时出气口103的位置与第一电极板1上开设的第一进气孔111、第二进气孔121相配合，有助于蚀刻气体在待加工基板3上的分布更均匀，从而使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀刻速率相同，进一步提高待加工基板3的各个部分的加工均一性。应当理解的是，出气口103的数量和位置可以根据需要进行设定。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种蚀刻设备，其特征在于，包括：
腔体；
第一电极板，设置在所述腔体内的上方，包括第一中心区域和环绕所述第一中心区域的第一边缘区域；
第二电极板，设置在所述腔体内的下方，并与所述第一电极板相对设立，包括放置区和围绕所述放置区的第二边缘区域，待加工基板设置在所述放置区；所述第二电极板的外侧还环绕设置有隔板，所述隔板上贯通设有隔板开口；
第一进气孔，与进气装置连接，贯通开设在所述第一中心区域，多个所述第一进气孔正对所述待加工基板；
第二进气孔，与所述进气装置连接，贯通开设在所述第一边缘区域，且环绕设置在多个所述第一进气孔的外围，所述第一进气孔的横截面积小于所述第二进气孔的横截面积，所述第二进气孔中的蚀刻气体的气压和流速均小于所述第一进气孔中的蚀刻气体的气压和流速；
出气口，与抽气装置连接，设置在所述腔体内的下方且所述出气口的位置低于所述第二电极板的位置；所述出气口开设于所述腔体的底部，且所述出气口与所述隔板开口的位置相对应。
2.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，多个所述第一进气孔以均匀、不均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一中心区域；
多个所述第二进气孔以均匀、不均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一边缘区域。
3.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，多个所述第一进气孔的形状与大小相同、局部相同或不同；
多个所述第二进气孔的形状与大小相同、局部相同或不同。
4.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备还包括：
电浆，设于所述第一电极板和所述待加工基板之间，且与所述待加工基板的位置相对应。
5.如权利要求1～4任一项所述的蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备还包括：
阻挡环，设置在所述第二边缘区域，并环绕设置在所述放置区的外围；
所述阻挡环的外围邻接有所述隔板。
6.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述待加工基板包括玻璃基板和覆盖在所述玻璃基板表面的薄膜，所述薄膜设有与待蚀刻的图案对应的镂空区域。
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