JP4416601B2 - プラズマプロセス装置、及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
次に、本発明の作用について説明する。
図1〜図3は、本発明に係るプラズマプロセス装置及び液晶表示装置の製造方法の実施形態を示している。
次に、上記実施形態で説明したドライエッチング装置Sにより具体的にエッチング処理を行った実施例について説明する。
《その他の実施形態》
上記実施形態1では、遮蔽部材18を三角板状に形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、直角三角形の斜面が凸状に湾曲した扇形状や、凹状に湾曲した形状としてもよい。すなわち、遮蔽部材18の形状には特に限定が無く、例えば四角形状等の形状であってもよい。
K アクティブマトリクス基板
10 ガス供給部
11 上部電極(平板電極、プラズマ放電発生部)
12 処理室
14 ブロック
15 下部電極(平板電極、プラズマ放電発生部)
18 遮蔽部材
18a 遮蔽面
20 被処理基板
20a 被処理面
30 TFT(スイッチング素子)
31 プラズマ放電発生部
Claims (10)
- 矩形状の被処理基板が内部に配置される処理室と、
上記処理室の内部にプラズマ放電を発生させるプラズマ放電発生部と、
上記被処理基板の被処理面における中央領域に処理ガスを供給するガス供給部とを備え、
上記ガス供給部の処理ガスを上記被処理基板の被処理面へ供給した状態で、上記プラズマ放電発生部によってプラズマを発生させることにより、上記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置であって、
上記被処理基板の外形に沿って該被処理基板を矩形状に囲むように設けられ、上記被処理基板の被処理面よりも高い頂面を有するブロックと、
上記ブロックにより囲まれた矩形状領域の四つの隅部のみを覆うように該ブロックの頂面にそれぞれ設けられ、上記ガス供給部により上記被処理基板の被処理面に供給された処理ガスの流れを、上記矩形状領域の四隅において遮蔽する遮蔽部材とを備えている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。 - 請求項1において、
上記遮蔽部材は、上記被処理基板の被処理面に対向して配置された遮蔽面を有している
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。 - 請求項2において、
上記遮蔽部材の遮蔽面は、三角形状に形成され、
上記遮蔽面の二辺は、上記ブロックの長さ方向に沿って延びている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。 - 請求項1において、
上記プラズマ放電発生部は、平行に配置された一対の平板電極を備えている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。 - 請求項1において、
上記プラズマ処理は、ドライエッチングである
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。 - 請求項1のプラズマプロセス装置を用いて液晶表示装置を製造する方法であって、
上記液晶表示装置は、複数のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記対向基板とアクティブマトリクス基板との間に設けられた液晶層とを備え、
上記アクティブマトリクス基板を上記被処理基板とし、上記アクティブマトリクス基板のスイッチング素子をプラズマ処理して形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項6において、
上記遮蔽部材は、上記被処理基板の被処理面に対向して配置された遮蔽面を有している
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項7において、
上記遮蔽部材の遮蔽面は、三角形状に形成され、
上記遮蔽面の二辺は、上記ブロックの長さ方向に沿って延びている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項6において、
上記プラズマ放電発生部は、平行に配置された一対の平板電極を備えている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項6において、
上記プラズマ処理は、ドライエッチングである
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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