JP2003229410A - 誘導結合プラズマ処理装置 - Google Patents
誘導結合プラズマ処理装置Info
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- Electromagnetism (AREA)
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- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型基板に対して容量結合成分によるプラズ
マ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度
の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプ
ラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装
置を提供すること。 【解決手段】 高周波アンテナ１３に高周波電力を供給
することにより処理室４内に誘導結合プラズマを形成し
て基板Ｇにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置におい
て、高周波アンテナ１３は、アンテナ線４６，４７，４
８，４９，５０，５１，５２の存在密度が疎になる部分
６３と密になる部分６１，６２を有するとともに、その
中心部分６０にアンテナ線が存在しないように構成され
ている。
マ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度
の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプ
ラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装
置を提供すること。 【解決手段】 高周波アンテナ１３に高周波電力を供給
することにより処理室４内に誘導結合プラズマを形成し
て基板Ｇにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置におい
て、高周波アンテナ１３は、アンテナ線４６，４７，４
８，４９，５０，５１，５２の存在密度が疎になる部分
６３と密になる部分６１，６２を有するとともに、その
中心部分６０にアンテナ線が存在しないように構成され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対してエッ
チング等の処理を施す誘導結合プラズマ処理装置に関す
る。
チング等の処理を施す誘導結合プラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置（ＬＣＤ）等の製造工程に
おいては、ガラス基板に所定の処理を施すために、プラ
ズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等の種々
のプラズマ処理装置が用いられる。このようなプラズマ
処理装置としては従来、容量結合プラズマ処理装置が多
用されていたが、近時、高真空度で高密度のプラズマを
得ることができるという大きな利点を有する誘導結合プ
ラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐ
ｌａｓｍａ：ＩＣＰ）処理装置が注目されている。
おいては、ガラス基板に所定の処理を施すために、プラ
ズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等の種々
のプラズマ処理装置が用いられる。このようなプラズマ
処理装置としては従来、容量結合プラズマ処理装置が多
用されていたが、近時、高真空度で高密度のプラズマを
得ることができるという大きな利点を有する誘導結合プ
ラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐ
ｌａｓｍａ：ＩＣＰ）処理装置が注目されている。
【０００３】誘導結合プラズマ処理装置は、被処理基板
を収容する処理容器の誘電体窓の外側に高周波アンテナ
を配置し、処理容器内に処理ガスを供給するとともにこ
の高周波アンテナに高周波電力を供給することにより、
処理容器内に誘導結合プラズマを生じさせ、この誘導結
合プラズマによって被処理基板に所定のプラズマ処理を
施すものである。誘導結合プラズマ処理装置の高周波ア
ンテナとしては、渦巻き状の平面アンテナが多用されて
いる。
を収容する処理容器の誘電体窓の外側に高周波アンテナ
を配置し、処理容器内に処理ガスを供給するとともにこ
の高周波アンテナに高周波電力を供給することにより、
処理容器内に誘導結合プラズマを生じさせ、この誘導結
合プラズマによって被処理基板に所定のプラズマ処理を
施すものである。誘導結合プラズマ処理装置の高周波ア
ンテナとしては、渦巻き状の平面アンテナが多用されて
いる。
【０００４】ところで、近時、ＬＣＤガラス基板の大型
化が進み、そのため誘導結合プラズマ処理装置も大型化
せざるを得ず、それに対応して高周波アンテナも大型化
している。
化が進み、そのため誘導結合プラズマ処理装置も大型化
せざるを得ず、それに対応して高周波アンテナも大型化
している。
【０００５】しかし、うずまき状の高周波アンテナをそ
のまま大型化すると、アンテナ長が長くなり、アンテナ
インピーダンスが高くなって、高周波アンテナに供給す
る高周波電力の整合がとりにくくなるとともに、アンテ
ナ電位が高くなるという問題がある。アンテナ電位が高
くなると、高周波アンテナとプラズマとの間の容量結合
が強まって、誘導結合プラズマを効果的に形成すること
ができないとともに、電界分布に偏りが生じてプラズマ
密度が不均一になり、処理が不均一になるという問題が
発生する。
のまま大型化すると、アンテナ長が長くなり、アンテナ
インピーダンスが高くなって、高周波アンテナに供給す
る高周波電力の整合がとりにくくなるとともに、アンテ
ナ電位が高くなるという問題がある。アンテナ電位が高
くなると、高周波アンテナとプラズマとの間の容量結合
が強まって、誘導結合プラズマを効果的に形成すること
ができないとともに、電界分布に偏りが生じてプラズマ
密度が不均一になり、処理が不均一になるという問題が
発生する。
【０００６】アンテナインピーダンスを低下させる技術
としては、高周波アンテナを平面内にて多重化してイン
ダクタンスを低減することによるものが知られている
（特開平８−８３６９６号公報等）。
としては、高周波アンテナを平面内にて多重化してイン
ダクタンスを低減することによるものが知られている
（特開平８−８３６９６号公報等）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
多重化アンテナは中央に分岐部があるため、多重化が進
むと分岐部が平板化して容量結合成分が増加して十分な
プラズマ密度が得られなくなってしまい、また、上述の
ように基板が大型化した場合、このようなアンテナの多
重化による電界分布の偏りを防止する効果にも限界があ
る。このため、容量結合成分をより減少させ、かつ電界
分布の偏りによる処理の不均一をさらに改善して、より
高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を実現すること
が強く望まれている。
多重化アンテナは中央に分岐部があるため、多重化が進
むと分岐部が平板化して容量結合成分が増加して十分な
プラズマ密度が得られなくなってしまい、また、上述の
ように基板が大型化した場合、このようなアンテナの多
重化による電界分布の偏りを防止する効果にも限界があ
る。このため、容量結合成分をより減少させ、かつ電界
分布の偏りによる処理の不均一をさらに改善して、より
高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を実現すること
が強く望まれている。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、大型基板に対して容量結合成分によるプラズ
マ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度
の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプ
ラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
であって、大型基板に対して容量結合成分によるプラズ
マ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度
の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプ
ラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、被処理基板を収容してプラズマ処理を施
す処理室と、前記処理室内で被処理基板が載置される基
板載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガ
ス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処
理室の上部壁を構成する誘電体壁と、前記処理室外の前
記誘電体壁に対応する部分にアンテナ線を所定のパター
ンに形成して設けられ、所定の高周波電力が供給される
ことにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高
周波アンテナと、前記高周波アンテナの中心部付近に高
周波電力を供給する給電部材とを具備し、前記高周波ア
ンテナに高周波電力を供給することにより前記処理室内
に誘導結合プラズマを形成して被処理基板にプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置であって、前記高周波アンテ
ナは、前記アンテナ線の存在密度が疎になる部分と密に
なる部分を有するとともに、その中心部分にアンテナ線
が存在しないように構成されていることを特徴とする誘
導結合プラズマ処理装置が提供される。
に、本発明は、被処理基板を収容してプラズマ処理を施
す処理室と、前記処理室内で被処理基板が載置される基
板載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガ
ス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処
理室の上部壁を構成する誘電体壁と、前記処理室外の前
記誘電体壁に対応する部分にアンテナ線を所定のパター
ンに形成して設けられ、所定の高周波電力が供給される
ことにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高
周波アンテナと、前記高周波アンテナの中心部付近に高
周波電力を供給する給電部材とを具備し、前記高周波ア
ンテナに高周波電力を供給することにより前記処理室内
に誘導結合プラズマを形成して被処理基板にプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置であって、前記高周波アンテ
ナは、前記アンテナ線の存在密度が疎になる部分と密に
なる部分を有するとともに、その中心部分にアンテナ線
が存在しないように構成されていることを特徴とする誘
導結合プラズマ処理装置が提供される。
【００１０】このように、高周波アンテナを、アンテナ
線の存在密度が疎になる部分と密になる部分を有するこ
とによって、誘導電界の均一化（誘導電界分布の偏りの
解消）が図れ、均一なプラズマを生成することができ、
給電部分に対応する中心部分にアンテナ線が存在しない
ことによって、大型基板であっても、アンテナとプラズ
マの容量結合を低減し、プラズマ密度の低下を抑えるこ
とができる。
線の存在密度が疎になる部分と密になる部分を有するこ
とによって、誘導電界の均一化（誘導電界分布の偏りの
解消）が図れ、均一なプラズマを生成することができ、
給電部分に対応する中心部分にアンテナ線が存在しない
ことによって、大型基板であっても、アンテナとプラズ
マの容量結合を低減し、プラズマ密度の低下を抑えるこ
とができる。
【００１１】上記誘導結合型プラズマ処理装置におい
て、前記高周波アンテナは、前記給電部材から前記アン
テナ線が複数分岐して多重化されていることが好まし
い。このように多重化することにより、インダクタンス
を低減してアンテナインピーダンスを低下させ、アンテ
ナ電位を低下させることができ、上記電界分布の不均一
をより一層有効に解消することができるとともに、容量
結合を生じ難くすることができる。このアンテナ線の数
を８本として８重化することにより、このような効果を
極めて高いものとすることができる。
て、前記高周波アンテナは、前記給電部材から前記アン
テナ線が複数分岐して多重化されていることが好まし
い。このように多重化することにより、インダクタンス
を低減してアンテナインピーダンスを低下させ、アンテ
ナ電位を低下させることができ、上記電界分布の不均一
をより一層有効に解消することができるとともに、容量
結合を生じ難くすることができる。このアンテナ線の数
を８本として８重化することにより、このような効果を
極めて高いものとすることができる。
【００１２】アンテナ線には１個または複数個のコンデ
ンサが直列に介在されていることが好ましい。これによ
りアンテナインピーダンスを低下させ、アンテナ電位を
低下させることができる。また、多重化したアンテナに
おいては、複数のアンテナ線のいずれにも１個または複
数個のコンデンサを直列に介在させることにより、多重
化との相乗作用によりアンテナインピーダンスを低下さ
せる効果を一層高めることができる。
ンサが直列に介在されていることが好ましい。これによ
りアンテナインピーダンスを低下させ、アンテナ電位を
低下させることができる。また、多重化したアンテナに
おいては、複数のアンテナ線のいずれにも１個または複
数個のコンデンサを直列に介在させることにより、多重
化との相乗作用によりアンテナインピーダンスを低下さ
せる効果を一層高めることができる。
【００１３】高周波アンテナは、その一部または全部が
誘電体壁から離間していることが好ましい。このよう
に、高周波アンテナを誘電体壁から適度に離間させるこ
とで高周波アンテナとプラズマ間の容量結合を低下させ
ることができる。また、高周波アンテナにおいて、中央
部分が周縁部分よりも誘電体壁からの距離が大きくなる
ようにしてもよい。これにより、アンテナの最も電位の
高い給電部近傍部分を誘電体壁からより離隔させて容量
結合成分を有効に低減させることができる。この場合
に、アンテナの周縁部分を誘電体壁に接触させ、中央部
分のみを誘電体壁から離間するようにしてもよい。
誘電体壁から離間していることが好ましい。このよう
に、高周波アンテナを誘電体壁から適度に離間させるこ
とで高周波アンテナとプラズマ間の容量結合を低下させ
ることができる。また、高周波アンテナにおいて、中央
部分が周縁部分よりも誘電体壁からの距離が大きくなる
ようにしてもよい。これにより、アンテナの最も電位の
高い給電部近傍部分を誘電体壁からより離隔させて容量
結合成分を有効に低減させることができる。この場合
に、アンテナの周縁部分を誘電体壁に接触させ、中央部
分のみを誘電体壁から離間するようにしてもよい。
【００１４】また、アンテナ線が８本ある場合に、高周
波アンテナは、その中心部の周囲に、中心から略同一半
径位置でかつ９０°ずつずれた位置に配された前記給電
部材に接続された４つの給電部を有し、各給電部から２
つずつのアンテナ線が外側に延びて構成されており、各
給電部から延びる２つのアンテナ線は、互いに近接して
平行に設けられ、給電部からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部と、前記第１の直線部の終端位置
で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの中間位置ま
で延びる第２の直線部と、第２の直線部の終端位置で斜
め外側に屈曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線
部と、第３の直線部の終端位置で屈曲して前記第１の直
線部と略平行に延びる第４の直線部とを有し、隣接する
給電部から延びるアンテナ線の第１の直線部は順次９０
°ずつずれており、４つの給電部から２つずつ延びるア
ンテナ線の第１の直線部および第２の直線部により、ア
ンテナ線が密に配置された中央部が形成され、第４の直
線部によりアンテナ線が密に配置された周縁部が形成さ
れ、前記第３の直線部によりアンテナ線が疎に配置され
た中間部が形成され、前記４つの給電部の内側の中心部
にはアンテナ線が存在しないように構成されていること
が好ましい。
波アンテナは、その中心部の周囲に、中心から略同一半
径位置でかつ９０°ずつずれた位置に配された前記給電
部材に接続された４つの給電部を有し、各給電部から２
つずつのアンテナ線が外側に延びて構成されており、各
給電部から延びる２つのアンテナ線は、互いに近接して
平行に設けられ、給電部からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部と、前記第１の直線部の終端位置
で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの中間位置ま
で延びる第２の直線部と、第２の直線部の終端位置で斜
め外側に屈曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線
部と、第３の直線部の終端位置で屈曲して前記第１の直
線部と略平行に延びる第４の直線部とを有し、隣接する
給電部から延びるアンテナ線の第１の直線部は順次９０
°ずつずれており、４つの給電部から２つずつ延びるア
ンテナ線の第１の直線部および第２の直線部により、ア
ンテナ線が密に配置された中央部が形成され、第４の直
線部によりアンテナ線が密に配置された周縁部が形成さ
れ、前記第３の直線部によりアンテナ線が疎に配置され
た中間部が形成され、前記４つの給電部の内側の中心部
にはアンテナ線が存在しないように構成されていること
が好ましい。
【００１５】このように構成することにより、高周波ア
ンテナにアンテナ線の適正な疎密が形成されて電界分布
を均一化することができ、かつアンテナ線を８重化した
のでアンテナインピーダンスを低減することができ、し
かも給電部を中心部の周囲に設けて多重化にともなう容
量結合成分の増加を生じさせないようにしたので、大型
基板であっても容量結合成分によるプラズマ密度の低下
および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一が生
じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を
行うことができる。
ンテナにアンテナ線の適正な疎密が形成されて電界分布
を均一化することができ、かつアンテナ線を８重化した
のでアンテナインピーダンスを低減することができ、し
かも給電部を中心部の周囲に設けて多重化にともなう容
量結合成分の増加を生じさせないようにしたので、大型
基板であっても容量結合成分によるプラズマ密度の低下
および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一が生
じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を
行うことができる。
【００１６】この場合に、８本のアンテナ線は、１本お
きに４本の長さが等しい２組からなることが好ましい。
これにより、全く同じアンテナ線のペアが９０°ずつず
れて４つ配置されることとなるためアンテナ線の配置が
対称的となり、電界強度均一化効果が高いものとなる。
また、８本のアンテナ線は等しい長さを有していてもよ
い。さらに、各給電部から延びる２つのアンテナ線のう
ち内側部分のものが、第４の直線部の終端位置で内側に
９０°屈曲して延びる第５の直線部を有していてもよ
い。これにより８本のアンテナ線を容易に等しい長さと
することができる。また、前記８本のアンテナ線の周縁
側端部は、コンデンサを介して接地されていることが好
ましい。これによりアンテナインピーダンスを低減する
ことができる。
きに４本の長さが等しい２組からなることが好ましい。
これにより、全く同じアンテナ線のペアが９０°ずつず
れて４つ配置されることとなるためアンテナ線の配置が
対称的となり、電界強度均一化効果が高いものとなる。
また、８本のアンテナ線は等しい長さを有していてもよ
い。さらに、各給電部から延びる２つのアンテナ線のう
ち内側部分のものが、第４の直線部の終端位置で内側に
９０°屈曲して延びる第５の直線部を有していてもよ
い。これにより８本のアンテナ線を容易に等しい長さと
することができる。また、前記８本のアンテナ線の周縁
側端部は、コンデンサを介して接地されていることが好
ましい。これによりアンテナインピーダンスを低減する
ことができる。
【００１７】さらに、高周波アンテナが、その中心部の
周囲に、中心から略同一半径位置でかつ９０°ずつずれ
た位置に配された前記給電部材に接続された４つの給電
部を有し、各給電部から１本ずつ合計４本のアンテナ線
が外側に延びて構成されており、各給電部から延びるア
ンテナ線は、給電部からアンテナ周縁の中間位置まで延
びる第１の直線部と、前記第１の直線部の終端位置で内
側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの中間位置まで延
びる第２の直線部と、第２の直線部の終端位置で斜め外
側に屈曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部
と、第３の直線部の終端位置で屈曲して前記第１の直線
部と略平行に延びる第４の直線部とを有し、隣接する給
電部から延びるアンテナ線の第１の直線部は順次９０°
ずつずれており、４つの給電部から１つずつ延びるアン
テナ線の第１の直線部および第２の直線部により、アン
テナ線が密に配置された中央部が形成され、第４の直線
部によりアンテナ線が密に配置された周縁部が形成さ
れ、前記第３の直線部によりアンテナ線が疎に配置され
た中間部が形成され、前記４つの給電部の内側の中心部
にはアンテナ線が存在しないように構成することも好ま
しい。
周囲に、中心から略同一半径位置でかつ９０°ずつずれ
た位置に配された前記給電部材に接続された４つの給電
部を有し、各給電部から１本ずつ合計４本のアンテナ線
が外側に延びて構成されており、各給電部から延びるア
ンテナ線は、給電部からアンテナ周縁の中間位置まで延
びる第１の直線部と、前記第１の直線部の終端位置で内
側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの中間位置まで延
びる第２の直線部と、第２の直線部の終端位置で斜め外
側に屈曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部
と、第３の直線部の終端位置で屈曲して前記第１の直線
部と略平行に延びる第４の直線部とを有し、隣接する給
電部から延びるアンテナ線の第１の直線部は順次９０°
ずつずれており、４つの給電部から１つずつ延びるアン
テナ線の第１の直線部および第２の直線部により、アン
テナ線が密に配置された中央部が形成され、第４の直線
部によりアンテナ線が密に配置された周縁部が形成さ
れ、前記第３の直線部によりアンテナ線が疎に配置され
た中間部が形成され、前記４つの給電部の内側の中心部
にはアンテナ線が存在しないように構成することも好ま
しい。
【００１８】この構成は、上記８本のアンテナ線による
高周波アンテナと同様４つの給電部を有し、これら給電
部から上述と同じ構成のアンテナ線が１本ずつ延びた構
成であり、上記構成と同様、高周波アンテナにアンテナ
線の適正な疎密が形成されて電界分布を均一化すること
ができ、かつ、アンテナ線を４重化したので８重化の場
合ほどではないがアンテナインピーダンスを低減するこ
とができ、しかも給電部を中心部の周囲に設けて多重化
にともなう容量結合成分の増加を生じさせないようにし
たので、大型基板であっても容量結合成分によるプラズ
マ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度
の不均一が生じずに、高密度なプラズマで均一なプラズ
マ処理を行うことができる。
高周波アンテナと同様４つの給電部を有し、これら給電
部から上述と同じ構成のアンテナ線が１本ずつ延びた構
成であり、上記構成と同様、高周波アンテナにアンテナ
線の適正な疎密が形成されて電界分布を均一化すること
ができ、かつ、アンテナ線を４重化したので８重化の場
合ほどではないがアンテナインピーダンスを低減するこ
とができ、しかも給電部を中心部の周囲に設けて多重化
にともなう容量結合成分の増加を生じさせないようにし
たので、大型基板であっても容量結合成分によるプラズ
マ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度
の不均一が生じずに、高密度なプラズマで均一なプラズ
マ処理を行うことができる。
【００１９】この場合に、前記各アンテナ線の周縁側端
部および前記第３の直線部にコンデンサが介在されてい
ることが好ましい。これによりアンテナインピーダンス
をさらに低減し、アンテナの電位を途中で低下すること
ができる。また前記第３の直線部に介在されたコンデン
サをアンテナ線の長さの中心に位置させることにより、
このような効果をさらに高めることができる。
部および前記第３の直線部にコンデンサが介在されてい
ることが好ましい。これによりアンテナインピーダンス
をさらに低減し、アンテナの電位を途中で低下すること
ができる。また前記第３の直線部に介在されたコンデン
サをアンテナ線の長さの中心に位置させることにより、
このような効果をさらに高めることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施
形態に係る誘導結合プラズマエッチング装置を示す断面
図である。この装置は、例えばＬＣＤの製造においてＬ
ＣＤガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際
に、メタル膜、ＩＴＯ膜、酸化膜等をエッチングするた
めに用いられる。
の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施
形態に係る誘導結合プラズマエッチング装置を示す断面
図である。この装置は、例えばＬＣＤの製造においてＬ
ＣＤガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際
に、メタル膜、ＩＴＯ膜、酸化膜等をエッチングするた
めに用いられる。
【００２１】このプラズマエッチング装置は、導電性材
料、例えば、内壁面が陽極酸化処理されたアルミニウム
からなる角筒形状の気密な本体容器１を有する。この本
体容器１は分解可能に組み立てられており、接地線１ａ
により接地されている。本体容器１は、誘電体壁２によ
り上下にアンテナ室３および処理室４に区画されてい
る。したがって、誘電体壁２は処理室４の天井壁を構成
している。誘電体壁２は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス、
石英等で構成されている。
料、例えば、内壁面が陽極酸化処理されたアルミニウム
からなる角筒形状の気密な本体容器１を有する。この本
体容器１は分解可能に組み立てられており、接地線１ａ
により接地されている。本体容器１は、誘電体壁２によ
り上下にアンテナ室３および処理室４に区画されてい
る。したがって、誘電体壁２は処理室４の天井壁を構成
している。誘電体壁２は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス、
石英等で構成されている。
【００２２】誘電体壁２の下側部分には、処理ガス供給
用のシャワー筐体１１が嵌め込まれている。シャワー筐
体１１は十字状に設けられており、誘電体壁２を下から
支持する構造となっている。なお、上記誘電体壁２を支
持するシャワー筐体１１は、複数本のサスペンダ（図示
せず）により本体容器１の天井に吊された状態となって
いる。
用のシャワー筐体１１が嵌め込まれている。シャワー筐
体１１は十字状に設けられており、誘電体壁２を下から
支持する構造となっている。なお、上記誘電体壁２を支
持するシャワー筐体１１は、複数本のサスペンダ（図示
せず）により本体容器１の天井に吊された状態となって
いる。
【００２３】このシャワー筐体１１は導電性材料、望ま
しくは金属、例えば汚染物が発生しないようにその内面
が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。
このシャワー筐体１１には水平に伸びるガス流路１２が
形成されており、このガス流路１２には、下方に向かっ
て延びる複数のガス吐出孔１２ａが連通している。一
方、誘電体壁２の上面中央には、このガス流路１２に連
通するようにガス供給管２０ａが設けられている。ガス
供給管２０ａは、本体容器１の天井からその外側へ貫通
し、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理
ガス供給系２０に接続されている。したがって、プラズ
マ処理においては、処理ガス供給系２０から供給された
処理ガスがガス供給管２０ａを介してシャワー筐体１１
内に供給され、その下面のガス供給孔１２ａから処理室
４内へ吐出される。
しくは金属、例えば汚染物が発生しないようにその内面
が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。
このシャワー筐体１１には水平に伸びるガス流路１２が
形成されており、このガス流路１２には、下方に向かっ
て延びる複数のガス吐出孔１２ａが連通している。一
方、誘電体壁２の上面中央には、このガス流路１２に連
通するようにガス供給管２０ａが設けられている。ガス
供給管２０ａは、本体容器１の天井からその外側へ貫通
し、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理
ガス供給系２０に接続されている。したがって、プラズ
マ処理においては、処理ガス供給系２０から供給された
処理ガスがガス供給管２０ａを介してシャワー筐体１１
内に供給され、その下面のガス供給孔１２ａから処理室
４内へ吐出される。
【００２４】本体容器１におけるアンテナ室３の側壁３
ａと処理室４の側壁４ａとの間には内側に突出する支持
棚５が設けられており、この支持棚５の上に誘電体壁２
が載置される。
ａと処理室４の側壁４ａとの間には内側に突出する支持
棚５が設けられており、この支持棚５の上に誘電体壁２
が載置される。
【００２５】アンテナ室３内には誘電体壁２の上に誘電
体壁２に面するように高周波（ＲＦ）アンテナ１３が配
設されている。この高周波アンテナ１３は絶縁部材から
なるスペーサ１３ａにより誘電体壁２から５０ｍｍ以下
の範囲で離間している。アンテナ室３の中央部付近に
は、鉛直に延びる４つの給電部材１６が設けられてお
り、これら給電部材１６には整合器１４を介して高周波
電源１５が接続されている。給電部材１６は、上記ガス
供給管２０ａの周囲に設けられている。なお、高周波ア
ンテナ１３の詳細については後述する。
体壁２に面するように高周波（ＲＦ）アンテナ１３が配
設されている。この高周波アンテナ１３は絶縁部材から
なるスペーサ１３ａにより誘電体壁２から５０ｍｍ以下
の範囲で離間している。アンテナ室３の中央部付近に
は、鉛直に延びる４つの給電部材１６が設けられてお
り、これら給電部材１６には整合器１４を介して高周波
電源１５が接続されている。給電部材１６は、上記ガス
供給管２０ａの周囲に設けられている。なお、高周波ア
ンテナ１３の詳細については後述する。
【００２６】プラズマ処理中、高周波電源１５からは、
誘導電界形成用の例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高
周波電力が高周波アンテナ１３へ供給される。このよう
に高周波電力が供給された高周波アンテナ１３により、
処理室４内に誘導電界が形成され、この誘導電界により
シャワー筐体１１から供給された処理ガスがプラズマ化
される。この際の高周波電源１５の出力は、プラズマを
発生させるのに十分な値になるように適宜設定される。
誘導電界形成用の例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高
周波電力が高周波アンテナ１３へ供給される。このよう
に高周波電力が供給された高周波アンテナ１３により、
処理室４内に誘導電界が形成され、この誘導電界により
シャワー筐体１１から供給された処理ガスがプラズマ化
される。この際の高周波電源１５の出力は、プラズマを
発生させるのに十分な値になるように適宜設定される。
【００２７】処理室４内の下方には、誘電体壁２を挟ん
で高周波アンテナ１３と対向するように、ＬＣＤガラス
基板Ｇを載置するための載置台としてのサセプタ２２が
設けられている。サセプタ２２は、導電性材料、例えば
表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されてい
る。サセプタ２２に載置されたＬＣＤガラス基板Ｇは、
静電チャック（図示せず）によりサセプタ２２に吸着保
持される。
で高周波アンテナ１３と対向するように、ＬＣＤガラス
基板Ｇを載置するための載置台としてのサセプタ２２が
設けられている。サセプタ２２は、導電性材料、例えば
表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されてい
る。サセプタ２２に載置されたＬＣＤガラス基板Ｇは、
静電チャック（図示せず）によりサセプタ２２に吸着保
持される。
【００２８】サセプタ２２は絶縁体枠２４内に収納さ
れ、さらに、中空の支柱２５に支持される。支柱２５は
本体容器１の底部を気密状態を維持しつつ貫通し、本体
容器１外に配設された昇降機構（図示せず）に支持さ
れ、基板Ｇの搬入出時に昇降機構によりサセプタ２２が
上下方向に駆動される。なお、サセプタ２２を収納する
絶縁体枠２４と本体容器１の底部との間には、支柱２５
を気密に包囲するベローズ２６が配設されており、これ
により、サセプタ２２の上下動によっても処理容器４内
の気密性が保証される。また処理室４の側壁４ａには、
基板Ｇを搬入出するための搬入出口２７ａおよびそれを
開閉するゲートバルブ２７が設けられている。
れ、さらに、中空の支柱２５に支持される。支柱２５は
本体容器１の底部を気密状態を維持しつつ貫通し、本体
容器１外に配設された昇降機構（図示せず）に支持さ
れ、基板Ｇの搬入出時に昇降機構によりサセプタ２２が
上下方向に駆動される。なお、サセプタ２２を収納する
絶縁体枠２４と本体容器１の底部との間には、支柱２５
を気密に包囲するベローズ２６が配設されており、これ
により、サセプタ２２の上下動によっても処理容器４内
の気密性が保証される。また処理室４の側壁４ａには、
基板Ｇを搬入出するための搬入出口２７ａおよびそれを
開閉するゲートバルブ２７が設けられている。
【００２９】サセプタ２２には、中空の支柱２５内に設
けられた給電棒２５ａにより、整合器２８を介して高周
波電源２９が接続されている。この高周波電源２９は、
プラズマ処理中に、バイアス用の高周波電力、例えば周
波数が６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ２２に印加す
る。このバイアス用の高周波電力により、処理室４内に
生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Ｇに引き
込まれる。
けられた給電棒２５ａにより、整合器２８を介して高周
波電源２９が接続されている。この高周波電源２９は、
プラズマ処理中に、バイアス用の高周波電力、例えば周
波数が６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ２２に印加す
る。このバイアス用の高周波電力により、処理室４内に
生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Ｇに引き
込まれる。
【００３０】さらに、サセプタ２２内には、基板Ｇの温
度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷
媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設
けられている（いずれも図示せず）。これらの機構や部
材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱２５を通
して本体容器１外に導出される。
度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷
媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設
けられている（いずれも図示せず）。これらの機構や部
材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱２５を通
して本体容器１外に導出される。
【００３１】処理室４の底部には、排気管３１を介して
真空ポンプ等を含む排気装置３０が接続される、この排
気装置３０により、処理室４が排気され、プラズマ処理
中、処理室４内が所定の真空雰囲気（例えば１．３３Ｐ
ａ）に設定、維持される。
真空ポンプ等を含む排気装置３０が接続される、この排
気装置３０により、処理室４が排気され、プラズマ処理
中、処理室４内が所定の真空雰囲気（例えば１．３３Ｐ
ａ）に設定、維持される。
【００３２】次に、上記高周波アンテナ１３の詳細な構
成について説明する。図２は高周波アンテナ１３を示す
平面図である。図２に示すように、高周波アンテナ１３
は、外形が正方形状の８重アンテナである。以下、便宜
的に高周波アンテナ１３の中心を原点ＯとするＸＹ座標
系によりこの高周波アンテナ１３について説明する。
成について説明する。図２は高周波アンテナ１３を示す
平面図である。図２に示すように、高周波アンテナ１３
は、外形が正方形状の８重アンテナである。以下、便宜
的に高周波アンテナ１３の中心を原点ＯとするＸＹ座標
系によりこの高周波アンテナ１３について説明する。
【００３３】この高周波アンテナ１３は、その中心部の
周囲に、中心から略同一半径位置でかつ略９０°ずつず
れた位置に給電部材１６に接続する４つの給電部４１，
４２，４３，４４を有し、この各給電部から２つずつの
アンテナ線が外側に延びて構成されている。具体的に
は、給電部４１からは２つのアンテナ線４５および４６
が延びており、給電部４２からはアンテナ線４７および
４８が延びており、給電部４３からはアンテナ線４９お
よび５０が延びており、給電部４４からはアンテナ線５
１および５２が延びている。そして、各給電部から延び
る２つのアンテナ線は、互いに近接して平行に設けられ
ている。
周囲に、中心から略同一半径位置でかつ略９０°ずつず
れた位置に給電部材１６に接続する４つの給電部４１，
４２，４３，４４を有し、この各給電部から２つずつの
アンテナ線が外側に延びて構成されている。具体的に
は、給電部４１からは２つのアンテナ線４５および４６
が延びており、給電部４２からはアンテナ線４７および
４８が延びており、給電部４３からはアンテナ線４９お
よび５０が延びており、給電部４４からはアンテナ線５
１および５２が延びている。そして、各給電部から延び
る２つのアンテナ線は、互いに近接して平行に設けられ
ている。
【００３４】給電部４１から延びるアンテナ線４５およ
び４６は、それぞれ、Ｙ軸負方向に向かって給電部４１
からアンテナ周縁の中間位置まで延びる第１の直線部４
５ａ，４６ａと、第１の直線部の終端位置で内側に９０
°屈曲してアンテナ周縁までの中間位置まで延びる第２
の直線部４５ｂ，４６ｂと、第２の直線部の終端位置で
斜め外側に略４５°の角度で屈曲してアンテナ周縁部ま
で延びる第３の直線部４５ｃ，４６ｃと、第３の直線部
４５ｃ，４６ｃの終端位置で屈曲して前記第１の直線部
４５ａ，４６ａと略平行に延びる第４の直線部４５ｄ，
４６ｄとを有している。また、内側のアンテナ線４６は
外側のアンテナ線４５と同じ長さになるように、第４の
直線部４６ｄの終端位置で９０°内側に屈曲した第５の
直線部４６ｅを有している。そしてアンテナ線４５は第
４の直線部４５ｄの終端で直列に接続されたコンデンサ
１８を介して接地されており、アンテナ線４６は第５の
直線部４６ｅの終端で直列に接続されたコンデンサ１８
を介して接地されている。
び４６は、それぞれ、Ｙ軸負方向に向かって給電部４１
からアンテナ周縁の中間位置まで延びる第１の直線部４
５ａ，４６ａと、第１の直線部の終端位置で内側に９０
°屈曲してアンテナ周縁までの中間位置まで延びる第２
の直線部４５ｂ，４６ｂと、第２の直線部の終端位置で
斜め外側に略４５°の角度で屈曲してアンテナ周縁部ま
で延びる第３の直線部４５ｃ，４６ｃと、第３の直線部
４５ｃ，４６ｃの終端位置で屈曲して前記第１の直線部
４５ａ，４６ａと略平行に延びる第４の直線部４５ｄ，
４６ｄとを有している。また、内側のアンテナ線４６は
外側のアンテナ線４５と同じ長さになるように、第４の
直線部４６ｄの終端位置で９０°内側に屈曲した第５の
直線部４６ｅを有している。そしてアンテナ線４５は第
４の直線部４５ｄの終端で直列に接続されたコンデンサ
１８を介して接地されており、アンテナ線４６は第５の
直線部４６ｅの終端で直列に接続されたコンデンサ１８
を介して接地されている。
【００３５】給電部４１の時計回り方向に隣接する給電
部４２から延びるアンテナ線４７および４８は、それぞ
れ、上記アンテナ線４５，４６の第１の直線部４５ａ，
４６ａの方向から９０°ずれた方向、すなわちＸ軸負方
向に向かって給電部４２からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部４７ａ，４８ａと、第１の直線部
の終端位置で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの
中間位置まで延びる第２の直線部４７ｂ，４８ｂと、第
２の直線部の終端位置で斜め外側に略４５°の角度で屈
曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部４７ｃ，
４８ｃと、第３の直線部４７ｃ，４８ｃの終端位置で屈
曲して前記第１の直線部４７ａ，４８ａと略平行に延び
る第４の直線部４７ｄ，４８ｄとを有している。また、
内側のアンテナ線４８は外側のアンテナ線４７と同じ長
さになるように、第４の直線部４８ｄの終端位置で９０
°内側に屈曲した第５の直線部４８ｅを有している。そ
してアンテナ線４７は第４の直線部４７ｄの終端で直列
に接続されたコンデンサ１８を介して接地されており、
アンテナ線４８は第５の直線部４８ｅの終端で直列に接
続されたコンデンサ１８を介して接地されている。
部４２から延びるアンテナ線４７および４８は、それぞ
れ、上記アンテナ線４５，４６の第１の直線部４５ａ，
４６ａの方向から９０°ずれた方向、すなわちＸ軸負方
向に向かって給電部４２からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部４７ａ，４８ａと、第１の直線部
の終端位置で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの
中間位置まで延びる第２の直線部４７ｂ，４８ｂと、第
２の直線部の終端位置で斜め外側に略４５°の角度で屈
曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部４７ｃ，
４８ｃと、第３の直線部４７ｃ，４８ｃの終端位置で屈
曲して前記第１の直線部４７ａ，４８ａと略平行に延び
る第４の直線部４７ｄ，４８ｄとを有している。また、
内側のアンテナ線４８は外側のアンテナ線４７と同じ長
さになるように、第４の直線部４８ｄの終端位置で９０
°内側に屈曲した第５の直線部４８ｅを有している。そ
してアンテナ線４７は第４の直線部４７ｄの終端で直列
に接続されたコンデンサ１８を介して接地されており、
アンテナ線４８は第５の直線部４８ｅの終端で直列に接
続されたコンデンサ１８を介して接地されている。
【００３６】給電部４２の時計回り方向に隣接する給電
部４３から延びるアンテナ線４９および５０は、それぞ
れ、上記アンテナ線４７，４８の第１の直線部４７ａ，
４８ａの方向から９０°ずれた方向、すなわちＹ軸正方
向に向かって給電部４３からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部４９ａ，５０ａと、第１の直線部
の終端位置で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの
中間位置まで延びる第２の直線部４９ｂ，５０ｂと、第
２の直線部の終端位置で斜め外側に略４５°の角度で屈
曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部４９ｃ，
５０ｃと、第３の直線部４９ｃ，５０ｃの終端位置で屈
曲して前記第１の直線部４９ａ，５０ａと略平行に延び
る第４の直線部４９ｄ，５０ｄとを有している。また、
内側のアンテナ線５０は外側のアンテナ線４９と同じ長
さになるように、第４の直線部５０ｄの終端位置で９０
°内側に屈曲した第５の直線部５０ｅを有している。そ
してアンテナ線４９は第４の直線部４９ｄの終端で直列
に接続されたコンデンサ１８を介して接地されており、
アンテナ線５０は第５の直線部５０ｅの終端で直列に接
続されたコンデンサ１８を介して接地されている。
部４３から延びるアンテナ線４９および５０は、それぞ
れ、上記アンテナ線４７，４８の第１の直線部４７ａ，
４８ａの方向から９０°ずれた方向、すなわちＹ軸正方
向に向かって給電部４３からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部４９ａ，５０ａと、第１の直線部
の終端位置で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの
中間位置まで延びる第２の直線部４９ｂ，５０ｂと、第
２の直線部の終端位置で斜め外側に略４５°の角度で屈
曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部４９ｃ，
５０ｃと、第３の直線部４９ｃ，５０ｃの終端位置で屈
曲して前記第１の直線部４９ａ，５０ａと略平行に延び
る第４の直線部４９ｄ，５０ｄとを有している。また、
内側のアンテナ線５０は外側のアンテナ線４９と同じ長
さになるように、第４の直線部５０ｄの終端位置で９０
°内側に屈曲した第５の直線部５０ｅを有している。そ
してアンテナ線４９は第４の直線部４９ｄの終端で直列
に接続されたコンデンサ１８を介して接地されており、
アンテナ線５０は第５の直線部５０ｅの終端で直列に接
続されたコンデンサ１８を介して接地されている。
【００３７】給電部４３の時計回り方向に隣接する給電
部４４から延びるアンテナ線５１および５２は、それぞ
れ、上記アンテナ線４９，５０の第１の直線部４９ａ，
５０ａの方向から９０°ずれた方向、すなわちＸ軸正方
向に向かって給電部４４からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部５１ａ，５２ａと、第１の直線部
の終端位置で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの
中間位置まで延びる第２の直線部５１ｂ，５２ｂと、第
２の直線部の終端位置で斜め外側に略４５°の角度で屈
曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部５１ｃ，
５２ｃと、第３の直線部５１ｃ，５２ｃの終端位置で屈
曲して前記第１の直線部５１ａ，５２ａと略平行に延び
る第４の直線部５１ｄ，５２ｄとを有している。また、
内側のアンテナ線５２は外側のアンテナ線５１と同じ長
さになるように、第４の直線部５２ｄの終端位置で９０
°内側に屈曲した第５の直線部５２ｅを有している。そ
してアンテナ線５１は第４の直線部５１ｄの終端で直列
に接続されたコンデンサ１８を介して接地されており、
アンテナ線５２は第５の直線部５２ｅの終端で直列に接
続されたコンデンサ１８を介して接地されている。
部４４から延びるアンテナ線５１および５２は、それぞ
れ、上記アンテナ線４９，５０の第１の直線部４９ａ，
５０ａの方向から９０°ずれた方向、すなわちＸ軸正方
向に向かって給電部４４からアンテナ周縁の中間位置ま
で延びる第１の直線部５１ａ，５２ａと、第１の直線部
の終端位置で内側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの
中間位置まで延びる第２の直線部５１ｂ，５２ｂと、第
２の直線部の終端位置で斜め外側に略４５°の角度で屈
曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部５１ｃ，
５２ｃと、第３の直線部５１ｃ，５２ｃの終端位置で屈
曲して前記第１の直線部５１ａ，５２ａと略平行に延び
る第４の直線部５１ｄ，５２ｄとを有している。また、
内側のアンテナ線５２は外側のアンテナ線５１と同じ長
さになるように、第４の直線部５２ｄの終端位置で９０
°内側に屈曲した第５の直線部５２ｅを有している。そ
してアンテナ線５１は第４の直線部５１ｄの終端で直列
に接続されたコンデンサ１８を介して接地されており、
アンテナ線５２は第５の直線部５２ｅの終端で直列に接
続されたコンデンサ１８を介して接地されている。
【００３８】そして、４つの給電部４１，４２，４３，
４４の間のアンテナ線が存在しない中心部分６０の外側
部分に、アンテナ線４５，４６，４７，４８，４９，５
０，５１，５２の第１の直線部４５ａ，４６ａ，４７
ａ，４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａ，５２ａおよび第
２の直線部４５ｂ，４６ｂ，４７ｂ，４８ｂ，４９ｂ，
５０ｂ，５１ｂ，５２ｂが配置されたアンテナ線が密に
存在する略正方形の中央部６１が形成され、第４の直線
部４５ｄ，４６ｄ，４７ｄ，４８ｄ，４９ｄ，５０ｄ，
５１ｄ，５２ｄが配置されたアンテナ線が密に存在する
略正方形の周縁部６２が形成され、中央部６１と周縁部
６２との間には第３の直線部４５ｃ，４６ｃ，４７ｃ，
４８ｃ，４９ｃ，５０ｃ，５１ｃ，５２ｃが配置された
アンテナ線が疎に存在する中間部６３が形成されてい
る。
４４の間のアンテナ線が存在しない中心部分６０の外側
部分に、アンテナ線４５，４６，４７，４８，４９，５
０，５１，５２の第１の直線部４５ａ，４６ａ，４７
ａ，４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａ，５２ａおよび第
２の直線部４５ｂ，４６ｂ，４７ｂ，４８ｂ，４９ｂ，
５０ｂ，５１ｂ，５２ｂが配置されたアンテナ線が密に
存在する略正方形の中央部６１が形成され、第４の直線
部４５ｄ，４６ｄ，４７ｄ，４８ｄ，４９ｄ，５０ｄ，
５１ｄ，５２ｄが配置されたアンテナ線が密に存在する
略正方形の周縁部６２が形成され、中央部６１と周縁部
６２との間には第３の直線部４５ｃ，４６ｃ，４７ｃ，
４８ｃ，４９ｃ，５０ｃ，５１ｃ，５２ｃが配置された
アンテナ線が疎に存在する中間部６３が形成されてい
る。
【００３９】アンテナ線４５，４６，４７，４８，４
９，５０，５１，５２はいずれも同じ長さを有してお
り、かつ各アンテナ線に接続されているコンデンサ１８
は全て同一の容量を有している。したがって、各アンテ
ナ線に流れる電流値は等しくなる。
９，５０，５１，５２はいずれも同じ長さを有してお
り、かつ各アンテナ線に接続されているコンデンサ１８
は全て同一の容量を有している。したがって、各アンテ
ナ線に流れる電流値は等しくなる。
【００４０】次に、以上のように構成される誘導結合プ
ラズマエッチング装置を用いてＬＣＤガラス基板Ｇに対
してプラズマエッチング処理を施す際の処理動作につい
て説明する。
ラズマエッチング装置を用いてＬＣＤガラス基板Ｇに対
してプラズマエッチング処理を施す際の処理動作につい
て説明する。
【００４１】まず、ゲートバルブ２７を開にした状態で
そこから搬送機構（図示せず）により基板Ｇを処理室４
内に搬入し、サセプタ２２の載置面に載置した後、静電
チャック（図示せず）により基板Ｇをサセプタ２２上に
固定する。次に、処理室４内に処理ガス供給系２０から
エッチングガスを含む処理ガスをシャワー筐体１１のガ
ス吐出孔１２ａから処理室４内に吐出させるとともに、
排気装置３０により排気管３１を介して処理室４内を真
空排気することにより、処理室内を例えば１．３３Ｐａ
程度の圧力雰囲気に維持する。
そこから搬送機構（図示せず）により基板Ｇを処理室４
内に搬入し、サセプタ２２の載置面に載置した後、静電
チャック（図示せず）により基板Ｇをサセプタ２２上に
固定する。次に、処理室４内に処理ガス供給系２０から
エッチングガスを含む処理ガスをシャワー筐体１１のガ
ス吐出孔１２ａから処理室４内に吐出させるとともに、
排気装置３０により排気管３１を介して処理室４内を真
空排気することにより、処理室内を例えば１．３３Ｐａ
程度の圧力雰囲気に維持する。
【００４２】次いで、高周波電源１５から１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波を高周波アンテナ１３に印加し、これによ
り誘電体壁２を介して処理室４内に均一な誘導電界を形
成する。このようにして形成された誘導電界により、処
理室４内で処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合
プラズマが生成される。
Ｈｚの高周波を高周波アンテナ１３に印加し、これによ
り誘電体壁２を介して処理室４内に均一な誘導電界を形
成する。このようにして形成された誘導電界により、処
理室４内で処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合
プラズマが生成される。
【００４３】この場合に、高周波アンテナ１３は、上述
のように、アンテナ線を密に配置した中央部６１および
周縁部６２、アンテナ線を疎に配置した中間部６３を形
成し、アンテナ線が密に存在する部分と疎に存在する部
分とが交互になるように構成されており、かつ給電部分
に対応する中心部分６０にアンテナ線が存在しないの
で、基板Ｇが一辺１ｍ以上の超大型のものであっても電
界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一および容量結
合成分によるプラズマ密度の低下が生じない。
のように、アンテナ線を密に配置した中央部６１および
周縁部６２、アンテナ線を疎に配置した中間部６３を形
成し、アンテナ線が密に存在する部分と疎に存在する部
分とが交互になるように構成されており、かつ給電部分
に対応する中心部分６０にアンテナ線が存在しないの
で、基板Ｇが一辺１ｍ以上の超大型のものであっても電
界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一および容量結
合成分によるプラズマ密度の低下が生じない。
【００４４】アンテナ線の中央部分から給電するタイプ
のものは、容量電界強度が処理容器の中心部分で大き
く、周辺部分で小さい傾向があるが、このように中心部
分にアンテナ線が存在せず、かつアンテナ線の存在密度
に疎密を形成することにより、処理室４内の高周波アン
テナ１３直下部分に図３に示すような誘導電界強度分布
が形成され、処理室４内の基板Ｇの配置部分において誘
導電界強度分布がならされて電界強度分布を均一とする
ことができる。
のものは、容量電界強度が処理容器の中心部分で大き
く、周辺部分で小さい傾向があるが、このように中心部
分にアンテナ線が存在せず、かつアンテナ線の存在密度
に疎密を形成することにより、処理室４内の高周波アン
テナ１３直下部分に図３に示すような誘導電界強度分布
が形成され、処理室４内の基板Ｇの配置部分において誘
導電界強度分布がならされて電界強度分布を均一とする
ことができる。
【００４５】また、高周波アンテナ１３は、給電部材か
ら８本のアンテナ線が分岐して多重化されているので、
アンテナ線１本の場合に比較してインダクタンスを１／
８に低減してアンテナインピーダンスを低下させること
ができる。したがって、これによってアンテナ電位を有
効に低下させることができ、これによっても電界分布の
不均一や容量結合成分の増加を生じ難くすることができ
る。
ら８本のアンテナ線が分岐して多重化されているので、
アンテナ線１本の場合に比較してインダクタンスを１／
８に低減してアンテナインピーダンスを低下させること
ができる。したがって、これによってアンテナ電位を有
効に低下させることができ、これによっても電界分布の
不均一や容量結合成分の増加を生じ難くすることができ
る。
【００４６】さらに、アンテナ線４５，４６，４７，４
８，４９，５０，５１，５２の終端部分にコンデンサ１
８が直列に介在されているので、これによってもアンテ
ナインピーダンスを低下させ、アンテナ電位を低下させ
ることができる。
８，４９，５０，５１，５２の終端部分にコンデンサ１
８が直列に介在されているので、これによってもアンテ
ナインピーダンスを低下させ、アンテナ電位を低下させ
ることができる。
【００４７】さらにまた、高周波アンテナ１３は、スペ
ーサー１３ａにより誘電体壁２から離間しているので、
これによっても高周波アンテナ１３とプラズマ間の容量
結合を低下させることができる。なお、この際の離間距
離は、高周波電力の周波数、出力、得ようとするプラズ
マ密度に応じて５０ｍｍ以下の範囲で適宜設定すること
ができる。
ーサー１３ａにより誘電体壁２から離間しているので、
これによっても高周波アンテナ１３とプラズマ間の容量
結合を低下させることができる。なお、この際の離間距
離は、高周波電力の周波数、出力、得ようとするプラズ
マ密度に応じて５０ｍｍ以下の範囲で適宜設定すること
ができる。
【００４８】さらにまた、アンテナ線４５，４６，４
７，４８，４９，５０，５１，５２はいずれも同じ長さ
を有しており、かつ各アンテナ線に接続されているコン
デンサ１８は全て同一の容量を有しているので、各アン
テナ線に流れる電流値は等しくなり、電界強度均一化効
果が高いものとなる。ただし、８本のアンテナ線を１本
おきに４本の長さが等しい２組からなるように構成すれ
ば、全く同じアンテナ線のペアが９０°ずつずれて４つ
配置されることとなるためアンテナ線の配置が対称的と
なり、電界強度均一化効果を得ることができる。
７，４８，４９，５０，５１，５２はいずれも同じ長さ
を有しており、かつ各アンテナ線に接続されているコン
デンサ１８は全て同一の容量を有しているので、各アン
テナ線に流れる電流値は等しくなり、電界強度均一化効
果が高いものとなる。ただし、８本のアンテナ線を１本
おきに４本の長さが等しい２組からなるように構成すれ
ば、全く同じアンテナ線のペアが９０°ずつずれて４つ
配置されることとなるためアンテナ線の配置が対称的と
なり、電界強度均一化効果を得ることができる。
【００４９】以上のようにプラズマ密度の不均一および
容量結合成分によるプラズマ密度の低下が防止されるの
で、基板Ｇが一辺１ｍ以上の超大型のものであっても、
より高密度なプラズマでより均一なプラズマエッチング
処理を行うことができる。
容量結合成分によるプラズマ密度の低下が防止されるの
で、基板Ｇが一辺１ｍ以上の超大型のものであっても、
より高密度なプラズマでより均一なプラズマエッチング
処理を行うことができる。
【００５０】以上のようにしてエッチング処理を施した
後、高周波電源１５および２９からの高周波電力の印加
を停止し、処理室４内の圧力を所定の圧力まで昇圧して
ゲートバルブ２７を開いた状態とし、搬入出口２７ａを
介して処理室４内から図示しないロードロック室に基板
Ｇを搬出することにより、基板Ｇのエッチング処理は終
了する。
後、高周波電源１５および２９からの高周波電力の印加
を停止し、処理室４内の圧力を所定の圧力まで昇圧して
ゲートバルブ２７を開いた状態とし、搬入出口２７ａを
介して処理室４内から図示しないロードロック室に基板
Ｇを搬出することにより、基板Ｇのエッチング処理は終
了する。
【００５１】次に、高周波アンテナの他の例について説
明する。図４は、高周波アンテナの他の例の構造を示す
平面図である。この高周波アンテナ１３′は、図２の高
周波アンテナ１３の給電部４１，４２，４３，４４と同
様に設けられた４つの給電部４１′，４２′，４３′，
４４′を有し、これら給電部からそれぞれアンテナ線が
１本ずつ延びた４重化アンテナである。具体的には、給
電部４１′からはアンテナ線４５′が、給電部４２′か
らはアンテナ線４７′が、給電部４３′からはアンテナ
線４９′が、給電部４４′からはアンテナ線５１′が延
びている。
明する。図４は、高周波アンテナの他の例の構造を示す
平面図である。この高周波アンテナ１３′は、図２の高
周波アンテナ１３の給電部４１，４２，４３，４４と同
様に設けられた４つの給電部４１′，４２′，４３′，
４４′を有し、これら給電部からそれぞれアンテナ線が
１本ずつ延びた４重化アンテナである。具体的には、給
電部４１′からはアンテナ線４５′が、給電部４２′か
らはアンテナ線４７′が、給電部４３′からはアンテナ
線４９′が、給電部４４′からはアンテナ線５１′が延
びている。
【００５２】これらアンテナ線４５′，４７′，４
９′，５１′は、それぞれ第１の直線部４５ａ′，４７
ａ′，４９ａ′，５１ａ′、第２の直線部４５ｂ′，４
７ｂ′，４９ｂ′，５１ｂ′、第３の直線部４５ｃ′，
４７ｃ′，４９ｃ′，５１ｃ′、第４の直線部４５
ｄ′，４７ｄ′，４９ｄ′，５１ｄ′を有しており、こ
れらアンテナ線４５′，４７′，４９′，５１′は第３
の直線部４５ｃ′，４７ｃ′，４９ｃ′，５１ｃ′にコ
ンデンサ１９が介在されている以外は、図２のアンテナ
線４５，４７，４９，５１と同じ構造および配置を有し
ている。
９′，５１′は、それぞれ第１の直線部４５ａ′，４７
ａ′，４９ａ′，５１ａ′、第２の直線部４５ｂ′，４
７ｂ′，４９ｂ′，５１ｂ′、第３の直線部４５ｃ′，
４７ｃ′，４９ｃ′，５１ｃ′、第４の直線部４５
ｄ′，４７ｄ′，４９ｄ′，５１ｄ′を有しており、こ
れらアンテナ線４５′，４７′，４９′，５１′は第３
の直線部４５ｃ′，４７ｃ′，４９ｃ′，５１ｃ′にコ
ンデンサ１９が介在されている以外は、図２のアンテナ
線４５，４７，４９，５１と同じ構造および配置を有し
ている。
【００５３】したがって、この高周波アンテナ１３′は
図２の高周波アンテナ１３と同様、４つの給電部４
１′，４２′，４３′，４４′の間のアンテナ線が存在
しない中心部分６０′の外側部分に、アンテナ線４
５′，４７′，４９′，５１′の第１の直線部４５
ａ′，４７ａ′，４９ａ′，５１ａ′および第２の直線
部４５ｂ′，４７ｂ′，４９ｂ′５１ｂ′が配置された
アンテナ線が密に存在する略正方形の中央部６１′が形
成され、第４の直線部４５ｄ′，４７ｄ′，４９ｄ′，
５１ｄ′が配置されたアンテナ線が密に存在する略正方
形の周縁部６２′が形成され、中央部６１′と周縁部６
２′との間には第３の直線部４５ｃ′，４７ｃ′，４９
ｃ′，５１ｃ′が配置されたアンテナ線が疎に存在する
中間部６３′が形成されている。
図２の高周波アンテナ１３と同様、４つの給電部４
１′，４２′，４３′，４４′の間のアンテナ線が存在
しない中心部分６０′の外側部分に、アンテナ線４
５′，４７′，４９′，５１′の第１の直線部４５
ａ′，４７ａ′，４９ａ′，５１ａ′および第２の直線
部４５ｂ′，４７ｂ′，４９ｂ′５１ｂ′が配置された
アンテナ線が密に存在する略正方形の中央部６１′が形
成され、第４の直線部４５ｄ′，４７ｄ′，４９ｄ′，
５１ｄ′が配置されたアンテナ線が密に存在する略正方
形の周縁部６２′が形成され、中央部６１′と周縁部６
２′との間には第３の直線部４５ｃ′，４７ｃ′，４９
ｃ′，５１ｃ′が配置されたアンテナ線が疎に存在する
中間部６３′が形成されている。
【００５４】アンテナ線４５′，４７′，４９′，５
１′はいずれも同じ長さを有しており、かつ各アンテナ
線に接続されている終端コンデンサ１８および第３の直
線部に設けられたコンデンサ１９はそれぞれ全て同一の
容量を有しており、したがって、各アンテナ線に流れる
電流値は等しくなる。
１′はいずれも同じ長さを有しており、かつ各アンテナ
線に接続されている終端コンデンサ１８および第３の直
線部に設けられたコンデンサ１９はそれぞれ全て同一の
容量を有しており、したがって、各アンテナ線に流れる
電流値は等しくなる。
【００５５】このように、図４の高周波アンテナ１３′
も、図２の高周波アンテナと同様、アンテナ線を密に配
置した中央部６１′および周縁部６２′、アンテナ線を
疎に配置した中間部６３′を形成し、アンテナ線が密に
存在する部分と疎に存在する部分とが交互になるように
構成されており、かつ給電部分に対応する中心部分６
０′にアンテナ線が存在しないので、基板Ｇが一辺１ｍ
以上の超大型のものであっても電界分布の偏りによるプ
ラズマ密度の不均一および容量結合成分によるプラズマ
密度の低下が生じない。
も、図２の高周波アンテナと同様、アンテナ線を密に配
置した中央部６１′および周縁部６２′、アンテナ線を
疎に配置した中間部６３′を形成し、アンテナ線が密に
存在する部分と疎に存在する部分とが交互になるように
構成されており、かつ給電部分に対応する中心部分６
０′にアンテナ線が存在しないので、基板Ｇが一辺１ｍ
以上の超大型のものであっても電界分布の偏りによるプ
ラズマ密度の不均一および容量結合成分によるプラズマ
密度の低下が生じない。
【００５６】また、高周波アンテナ１３′は、給電部材
から４本のアンテナ線が分岐して多重化されているの
で、アンテナ線１本の場合に比較してインダクタンスを
１／４に低減してアンテナインピーダンスを低下させる
ことができる。したがって、アンテナ電位を有効に低下
させることができ、これによっても電界分布の不均一や
容量結合成分の増加を生じ難くすることができる。
から４本のアンテナ線が分岐して多重化されているの
で、アンテナ線１本の場合に比較してインダクタンスを
１／４に低減してアンテナインピーダンスを低下させる
ことができる。したがって、アンテナ電位を有効に低下
させることができ、これによっても電界分布の不均一や
容量結合成分の増加を生じ難くすることができる。
【００５７】アンテナ線４５′，４７′，４９′，５
１′の終端部分および第３の直線部にそれぞれコンデン
サ１８および１９が各アンテナ線に対し直列に介在され
ているので、これによってもアンテナインピーダンスを
低下させ、アンテナ電位を低下させることができる。な
お、この高周波アンテナ１３′は４重化アンテナである
から図２の８重化した高周波アンテナに比較して本質的
にアンテナインピーダンス低減効果は小さいが、各アン
テナ線に２つのコンデンサ１８，１９が介在されている
ため、アンテナインピーダンス低減効果およびアンテナ
電位を途中で低下させる効果を得ることができ、図２の
高周波アンテナ１３に近い効果を得ることができる。こ
の場合に、コンデンサ１９を各アンテナ線の長さの中心
に位置させることにより、上記効果を一層高めることが
できる。
１′の終端部分および第３の直線部にそれぞれコンデン
サ１８および１９が各アンテナ線に対し直列に介在され
ているので、これによってもアンテナインピーダンスを
低下させ、アンテナ電位を低下させることができる。な
お、この高周波アンテナ１３′は４重化アンテナである
から図２の８重化した高周波アンテナに比較して本質的
にアンテナインピーダンス低減効果は小さいが、各アン
テナ線に２つのコンデンサ１８，１９が介在されている
ため、アンテナインピーダンス低減効果およびアンテナ
電位を途中で低下させる効果を得ることができ、図２の
高周波アンテナ１３に近い効果を得ることができる。こ
の場合に、コンデンサ１９を各アンテナ線の長さの中心
に位置させることにより、上記効果を一層高めることが
できる。
【００５８】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態
では、高周波アンテナを図２に示すパターンとしたが、
これに限らず、被処理基板配置部分の電界が均一になる
ようにアンテナ線の疎密が形成されていればよい。例え
ば、図２の例では給電部を４つ設けたが、３つ以下でも
５以上であってもよく、また各給電部から延びるアンテ
ナ線の数も１つまたは２つに限らず３つ（アンテナの総
数は１２本）以上でもよい。また、各アンテナ線を正方
形を形成するように屈曲させたが、これに限らず、基板
形状等に応じて曲線を含む等他の形状に屈曲していても
よい。アンテナ線の本数が増加するほどインピーダンス
低下効果は大きくなるが、多重化が進むとアンテナ線の
配置が困難となり、かつ容量結合成分が増加しやすくな
る傾向にあるので、このような不都合が生じずにインピ
ーダンス低下効果を有効に発揮させる観点から、図２に
示すような８重アンテナが好ましい。
ることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態
では、高周波アンテナを図２に示すパターンとしたが、
これに限らず、被処理基板配置部分の電界が均一になる
ようにアンテナ線の疎密が形成されていればよい。例え
ば、図２の例では給電部を４つ設けたが、３つ以下でも
５以上であってもよく、また各給電部から延びるアンテ
ナ線の数も１つまたは２つに限らず３つ（アンテナの総
数は１２本）以上でもよい。また、各アンテナ線を正方
形を形成するように屈曲させたが、これに限らず、基板
形状等に応じて曲線を含む等他の形状に屈曲していても
よい。アンテナ線の本数が増加するほどインピーダンス
低下効果は大きくなるが、多重化が進むとアンテナ線の
配置が困難となり、かつ容量結合成分が増加しやすくな
る傾向にあるので、このような不都合が生じずにインピ
ーダンス低下効果を有効に発揮させる観点から、図２に
示すような８重アンテナが好ましい。
【００５９】上記実施形態では、高周波アンテナ全部を
一様な距離で誘電体壁から離間させたが、図５に示すよ
うに、中央部分が周縁部分よりも前記誘電体壁からの距
離が大きくなるようにしてもよい。これにより、アンテ
ナの最も電位の高い給電部近傍部分を誘電体壁からより
離隔させて容量結合成分を有効に低減させることができ
る。また、同様の理由からアンテナの中央部分のみを離
間させるようにしてもよい。他の対策で容量結合成分が
十分に低減されている場合には、高周波アンテナを誘電
体壁から離間させないようにしてもよい。
一様な距離で誘電体壁から離間させたが、図５に示すよ
うに、中央部分が周縁部分よりも前記誘電体壁からの距
離が大きくなるようにしてもよい。これにより、アンテ
ナの最も電位の高い給電部近傍部分を誘電体壁からより
離隔させて容量結合成分を有効に低減させることができ
る。また、同様の理由からアンテナの中央部分のみを離
間させるようにしてもよい。他の対策で容量結合成分が
十分に低減されている場合には、高周波アンテナを誘電
体壁から離間させないようにしてもよい。
【００６０】上記実施形態では、各アンテナ線にコンデ
ンサを１個または２個ずつ設けたが、３個以上であって
もよい。また、コンデンサを設ける位置も上記実施形態
に限るものではない。
ンサを１個または２個ずつ設けたが、３個以上であって
もよい。また、コンデンサを設ける位置も上記実施形態
に限るものではない。
【００６１】さらに、上記実施の形態では、本発明をエ
ッチング装置に適用した場合について示したが、エッチ
ング装置に限らず、スパッタリングや、ＣＶＤ成膜等の
他のプラズマ処理装置に適用することができる。さらに
また、被処理基板としてＬＣＤ基板を用いたが、本発明
はこれに限らず半導体ウエハ等他の基板を処理する場合
にも適用可能である。
ッチング装置に適用した場合について示したが、エッチ
ング装置に限らず、スパッタリングや、ＣＶＤ成膜等の
他のプラズマ処理装置に適用することができる。さらに
また、被処理基板としてＬＣＤ基板を用いたが、本発明
はこれに限らず半導体ウエハ等他の基板を処理する場合
にも適用可能である。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
略平面的に配置された高周波アンテナを、アンテナ線の
存在密度が疎になる部分と密になる部分を有し、かつ給
電部分に対応する中心部分にアンテナ線が存在しないよ
うに構成して容量結合成分が増加しないようにしたの
で、大型基板であっても容量結合成分によるプラズマ密
度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不
均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズ
マ処理を行うことができる。
略平面的に配置された高周波アンテナを、アンテナ線の
存在密度が疎になる部分と密になる部分を有し、かつ給
電部分に対応する中心部分にアンテナ線が存在しないよ
うに構成して容量結合成分が増加しないようにしたの
で、大型基板であっても容量結合成分によるプラズマ密
度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不
均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズ
マ処理を行うことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る誘導結合プラズマエ
ッチング装置を示す断面図。
ッチング装置を示す断面図。
【図２】図１に示した装置に設けられた高周波アンテナ
の構造を示す平面図。
の構造を示す平面図。
【図３】図２の高周波アンテナの直下位置における電子
密度分布を示す図。
密度分布を示す図。
【図４】高周波アンテナの他の例の構造を示す平面図。
【図５】高周波アンテナの他の配置状態を示す断面図。
１；本体容器
２；誘電体壁
３；アンテナ室
４；処理室
１３；高周波アンテナ
１５；高周波電源
１６；給電部材
２０；処理ガス供給系
２２；サセプタ
３０；排気装置
４１，４２，４３，４４；給電部
４５，４６，４７，４８，４９，５０，５１，５２；ア
ンテナ線 ４５ａ，４６ａ，４７ａ，４８ａ，４９ａ，５０ａ，５
１ａ，５２ａ；第１の直線部 ４５ｂ，４６ｂ，４７ｂ，４８ｂ，４９ｂ，５０ｂ，５
１ｂ，５２ｂ；第２の直線部 ４５ｃ，４６ｃ，４７ｃ，４８ｃ，４９ｃ，５０ｃ，５
１ｃ，５２ｃ；第３の直線部 ４５ｄ，４６ｄ，４７ｄ，４８ｄ，４９ｄ，５０ｄ，５
１ｄ，５２ｄ；第４の直線部 ６０；中心部分 ６１；中央部 ６２；周縁部 ６３；中間部
ンテナ線 ４５ａ，４６ａ，４７ａ，４８ａ，４９ａ，５０ａ，５
１ａ，５２ａ；第１の直線部 ４５ｂ，４６ｂ，４７ｂ，４８ｂ，４９ｂ，５０ｂ，５
１ｂ，５２ｂ；第２の直線部 ４５ｃ，４６ｃ，４７ｃ，４８ｃ，４９ｃ，５０ｃ，５
１ｃ，５２ｃ；第３の直線部 ４５ｄ，４６ｄ，４７ｄ，４８ｄ，４９ｄ，５０ｄ，５
１ｄ，５２ｄ；第４の直線部 ６０；中心部分 ６１；中央部 ６２；周縁部 ６３；中間部
Claims (14)
- 【請求項１】 被処理基板を収容してプラズマ処理を施
す処理室と、 前記処理室内で被処理基板が載置される基板載置台と、 前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、 前記処理室内を排気する排気系と、 前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、 前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分にアンテナ
線を所定のパターンに形成して設けられ、所定の高周波
電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を
形成するための高周波アンテナと、 前記高周波アンテナの中心部付近に高周波電源からの高
周波電力を供給する給電部材とを具備し、前記高周波ア
ンテナに高周波電力を供給することにより前記処理室内
に誘導結合プラズマを形成して被処理基板にプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置であって、 前記高周波アンテナは、前記アンテナ線の存在密度が疎
になる部分と密になる部分を有するとともに、その中心
部分にアンテナ線が存在しないように構成されているこ
とを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記高周波アンテナは、前記給電部材か
ら前記アンテナ線が複数分岐して多重化されていること
を特徴とする請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装
置。 - 【請求項３】 前記アンテナ線が８本であることを特徴
とする請求項２に記載の誘導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記アンテナ線には１個または複数個の
コンデンサが直列に接続されていることを特徴とする請
求項１から請求項３のいずれか１項に記載の誘導結合プ
ラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記複数のアンテナ線には、いずれも１
個または複数個のコンデンサが直列に介在されているこ
とを特徴とする請求項２または請求項３に記載の誘導結
合プラズマ処理装置。 - 【請求項６】 前記高周波アンテナは、その一部または
全部が前記誘電体壁から離間していることを特徴とする
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の誘導結合
プラズマ処理装置。 - 【請求項７】 前記高周波アンテナは、中央部分が周縁
部分よりも前記誘電体壁からの距離が大きいことを特徴
とする請求項６に記載の誘導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項８】 前記高周波アンテナは、その中心部の周
囲に、中心から略同一半径位置でかつ９０°ずつずれた
位置に配された前記給電部材に接続された４つの給電部
を有し、各給電部から２つずつアンテナ線が外側に延び
て構成されており、各給電部から延びる２つのアンテナ
線は、互いに近接して平行に設けられ、給電部からアン
テナ周縁の中間位置まで延びる第１の直線部と、前記第
１の直線部の終端位置で内側に９０°屈曲してアンテナ
周縁までの中間位置まで延びる第２の直線部と、第２の
直線部の終端位置で斜め外側に屈曲してアンテナ周縁部
まで延びる第３の直線部と、第３の直線部の終端位置で
屈曲して前記第１の直線部と略平行に延びる第４の直線
部とを有し、隣接する給電部から延びるアンテナ線の第
１の直線部は順次９０°ずつずれており、４つの給電部
から２つずつ延びるアンテナ線の第１の直線部および第
２の直線部により、アンテナ線が密に配置された中央部
が形成され、第４の直線部によりアンテナ線が密に配置
された周縁部が形成され、前記第３の直線部によりアン
テナ線が疎に配置された中間部が形成され、前記４つの
給電部の内側の中心部にはアンテナ線が存在しないよう
に構成されていることを特徴とする請求項３に記載の誘
導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項９】 前記８本のアンテナ線は、１本おきに４
本の長さが等しい２組からなることを特徴とする請求項
８に記載の誘導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 前記各給電部から延びる２つのアンテ
ナ線のうち内側部分のものが、前記第４の直線部の終端
位置で内側に９０°屈曲して延びる第５の直線部を有す
ることを特徴とする請求項８に記載の誘導結合プラズマ
処理装置。 - 【請求項１１】 前記各アンテナ線の周縁側端部は、コ
ンデンサを介して接地されていることを特徴とする請求
項８から請求項１０のいずれか１項に記載の誘導結合プ
ラズマ処理装置。 - 【請求項１２】 前記高周波アンテナは、その中心部の
周囲に、中心から略同一半径位置でかつ９０°ずつずれ
た位置に配された前記給電部材に接続された４つの給電
部を有し、各給電部から１本ずつ合計４本のアンテナ線
が外側に延びて構成されており、各給電部から延びるア
ンテナ線は、給電部からアンテナ周縁の中間位置まで延
びる第１の直線部と、前記第１の直線部の終端位置で内
側に９０°屈曲してアンテナ周縁までの中間位置まで延
びる第２の直線部と、第２の直線部の終端位置で斜め外
側に屈曲してアンテナ周縁部まで延びる第３の直線部
と、第３の直線部の終端位置で屈曲して前記第１の直線
部と略平行に延びる第４の直線部とを有し、隣接する給
電部から延びるアンテナ線の第１の直線部は順次９０°
ずつずれており、４つの給電部から１つずつ延びるアン
テナ線の第１の直線部および第２の直線部により、アン
テナ線が密に配置された中央部が形成され、第４の直線
部によりアンテナ線が密に配置された周縁部が形成さ
れ、前記第３の直線部によりアンテナ線が疎に配置され
た中間部が形成され、前記４つの給電部の内側の中心部
にはアンテナ線が存在しないように構成されていること
を特徴とする請求項２に記載の誘導結合プラズマ処理装
置。 - 【請求項１３】 前記各アンテナ線の周縁側端部および
前記第３の直線部には、コンデンサが介在されているこ
とを特徴とする請求項１２に記載の誘導結合プラズマ処
理装置。 - 【請求項１４】 前記第３の直線部に介在されたコンデ
ンサは、アンテナ線の長さの中心に位置していることを
特徴とする請求項１３に記載の誘導結合プラズマ処理装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002028415A JP3880864B2 (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| TW091133055A TW589927B (en) | 2002-02-05 | 2002-11-11 | Inductively coupled plasma processing device |
| CNB021566690A CN1231097C (zh) | 2002-02-05 | 2002-12-17 | 电感耦合等离子体处理装置 |
| KR1020030006909A KR100556983B1 (ko) | 2002-02-05 | 2003-02-04 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 |
| KR1020050107786A KR20050121649A (ko) | 2002-02-05 | 2005-11-11 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002028415A JP3880864B2 (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006237396A Division JP2006344998A (ja) | 2006-09-01 | 2006-09-01 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229410A true JP2003229410A (ja) | 2003-08-15 |
| JP3880864B2 JP3880864B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=27654654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002028415A Expired - Fee Related JP3880864B2 (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3880864B2 (ja) |
| KR (2) | KR100556983B1 (ja) |
| CN (1) | CN1231097C (ja) |
| TW (1) | TW589927B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100625319B1 (ko) | 2005-02-03 | 2006-09-20 | 세메스 주식회사 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 |
| KR100845890B1 (ko) | 2006-09-14 | 2008-07-16 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 대면적 유도 결합 플라즈마 반응기 |
| KR100845885B1 (ko) | 2006-09-14 | 2008-07-16 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 대면적 유도 결합 플라즈마 반응기 |
| JP2010118324A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Semes Co Ltd | プラズマアンテナおよびこれを含むプラズマ処理装置 |
| CN102056394A (zh) * | 2009-10-27 | 2011-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| JP2012059762A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7273533B2 (en) * | 2003-11-19 | 2007-09-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling |
| KR100520400B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2005-10-11 | 위순임 | 이중 안테나를 구비하는 대기압 플라즈마 발생장치 |
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| CN100372075C (zh) * | 2005-04-15 | 2008-02-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种电感耦合等离子体装置 |
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| KR100753868B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-09-03 | 최대규 | 복합형 플라즈마 반응기 |
| TWI435663B (zh) * | 2006-05-22 | 2014-04-21 | Gen Co Ltd | 電漿反應器 |
| KR100824974B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2008-04-28 | (주)아이씨디 | 플라즈마 처리장치의 안테나 |
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| JP5551343B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| KR101017101B1 (ko) * | 2008-11-12 | 2011-02-25 | 세메스 주식회사 | 유도결합 플라즈마 안테나 |
| JP5479867B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| CN102115879B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-06-26 | 丽佳达普株式会社 | 基板处理装置 |
| JP5666991B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 |
| JP5712889B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び基板処理装置 |
| KR101468656B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-12-04 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 |
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| KR102592940B1 (ko) | 2016-08-03 | 2023-10-23 | 에이피시스템 주식회사 | 견시창 재생장치 및 견시창 재생방법 |
| TWI667642B (zh) * | 2018-04-30 | 2019-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JP2023003828A (ja) * | 2021-06-24 | 2023-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
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-
2002
- 2002-02-05 JP JP2002028415A patent/JP3880864B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-11 TW TW091133055A patent/TW589927B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-17 CN CNB021566690A patent/CN1231097C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-04 KR KR1020030006909A patent/KR100556983B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-11-11 KR KR1020050107786A patent/KR20050121649A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200303156A (en) | 2003-08-16 |
| JP3880864B2 (ja) | 2007-02-14 |
| KR20030066452A (ko) | 2003-08-09 |
| TW589927B (en) | 2004-06-01 |
| CN1437433A (zh) | 2003-08-20 |
| CN1231097C (zh) | 2005-12-07 |
| KR20050121649A (ko) | 2005-12-27 |
| KR100556983B1 (ko) | 2006-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050106 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060608 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061108 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3880864 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151117 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |