TWI568318B

TWI568318B - Inductive coupling plasma antenna unit and inductively coupled plasma processing device

Info

Publication number: TWI568318B
Application number: TW101148071A
Authority: TW
Inventors: Toshihiro Tojo
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2011-12-19
Filing date: 2012-12-18
Publication date: 2017-01-21
Also published as: CN103167717B; KR20140022453A; JP5894785B2; CN103167717A; KR20130070545A; KR101432907B1; JP2013128054A; TW201340789A

Description

感應耦合電漿用天線單元及感應耦合電漿處理裝置

本發明係關於對平面顯示器(FPD)製造用之玻璃基板等之被處理基板施予感應耦合電漿處理之時所使用之感應耦合電漿用天線單元及使用此之感應耦合電漿處理裝置。

在液晶顯示裝置(LCD)等之平面顯示器(FPD)製造工程中，存在對玻璃製之基板進行電漿蝕刻或成膜處理等之電漿處理的工程，為了進行如此之電漿處理，使用電漿蝕刻裝置或電漿CVD裝置等之各種之電漿處理裝置。就以電漿處理裝置而言，以往多使用電容耦合電漿處理裝置，但是近來具有可以取得高真空度且高密度之電漿的大優點的感應耦合電漿(Inductive Coupled Plasma：ICP)處理裝置受到注目。

感應耦合電漿處理裝置係在構成收容被處理基板之處理容器之天壁的介電體窗之上側配置高頻天線，對處理容器內供給處理氣體，並且對該高頻天線供給高頻電力，依此使處理容器內產生感應耦合電漿，並藉由該感應耦合電漿，對被處理基板施予特定電漿處理。作為高頻天線，大多使用構成螺旋狀之環狀天線。

在使用平面環狀天線之感應耦合電漿處理裝置中，雖然在處理容器內之平面天線正下方之空間生成電漿，但是此時由於與天線正下方之各位置的電場強度相應而持有高電漿密度區域和低電漿區域之分布，故平面環狀天線之圖案形狀成為決定電漿密度之重要因素，藉由調整平面環狀天線之疏密，使感應電場均勻化，且生成均勻之電漿。

因此，提案有在徑向隔著間隔設置有具有內側部分和外側部分之兩個環狀天線的天線單元，調整該些阻抗而獨立控制該些兩個環狀天線部之電流值，藉由各個的環狀天線部控制產生之電漿由於擴散所形成之密度分布重疊，控制作為感應耦合電漿之全體之密度分布的技術(專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-311182號公報

但是，於使用具有如此之內側部分和外側部分之兩個環狀天線的天線單元之時，在該些之間不存在天線之部分，有出現電漿處理率變高之傾向，有即使控制該些天線部之電流也無法改善之問題。

如此一來，不僅如專利文獻1般之具有兩個環狀天線之天線單元，於使螺旋狀天線相鄰配置時，也有在其間產生之情形。

本發明係鑒於如此之情形而創作出，其課題為提供於設置使複數構成螺旋狀之天線相鄰設配置的高頻天線之時，可以確保良好之電漿控制性的感應耦合電漿用天線單元及使用此之感應耦合電漿處理裝置。

為了解決上述課題，本發明之第1觀點係提供一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2天線所形成之磁場。

在本發明之第2觀點中，提供一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場。

在本發明之第3觀點中，提供一種電感耦合電漿處理裝置，其特徵為具備：載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2天線所形成之磁場。

若藉由本發明之第4態樣，則提供一種感應耦合電漿處理裝置，具備：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場。

在上述第1觀點及第3觀點中，上述第1及第2天線之至少一個可以構成複數天線被捲繞成螺旋狀之多重天線，上述複數天線係以在圓周方向平均偏離特定角度而被配置。此時，上述基板構成矩形狀，上述第1及第2天線以構成對應於矩形狀之基板的框邊狀為佳。

上述第1及第2天線之至少一個亦可以構成具有對應於基板互相不同之部分的複數區域，該些複數區域獨立被供給高頻電力。

以又具有阻抗控制手段為佳，其係被連接於高頻電源，具有從匹配器至上述第1及第2天線之供電路徑的供電部，形成包含上述各天線和各供電部之第1及第2天線電路，控制上述第1及第2天線電路中之至少一個的阻抗，並且控制上述各天線之電流值。

在上述第2觀點及第4觀點中，可以構成又具有從高頻電源經匹配器分歧，對各天線供給電力之供電路，和控制經上述供電電路而流入至上述複數天線之電流值的阻抗控制手段。

即使上述複數天線被配置成同心狀，上述分離構件被配置在該些複數天線之間的至少一個亦可。即使上述複數天線被並聯配置，被配置在上述複數天線中相鄰者之間的至少一個亦可。

從上述第1觀點至第4觀點中，上述分離構件可以設為形成連續之環狀者。

再者，上述分離構件可以被分割成複數部分，針對該些複數部分中對應於欲提高分離效果之區域的部分，使成為經電容器而接地。具體而言，上述分離構件構成矩形狀，作為上述複數部分係在每一邊被分割，針對對應於欲提高上述分離之效果之區域的邊，使成為經電容器而接地。

並且，上述分離構件具有複數部分，該些複數部分各被接地，構成能夠取下該些複數部分中之一部分而經接地線而形成閉迴路。以具體例而言，可以舉出上述分離構件構成矩形狀，被分割成角隅部分及邊中央部分，該些成為上述複數部分者。

若藉由本發明時，在被供給高頻電力而構成用以形成感應電場之螺旋狀的第1及第2天線間，配置分離構件。分離構件為電性被接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，產生消除藉由第1天線所形成之磁場和藉由第2天線所形成之磁場互相重疊而產生之兩者共有的磁場的磁場，因第1及第2天線之磁場分離，故產生在處理室內之分離構件之正下方不形成感應電場的部分。因此，在介電體壁之正下方部分，分離藉由第1天線及第2天線各所形成之感應電場，可以提高該些獨立控制性，並可以確保良好電漿之控制性。

以下參照附件圖面，針對本發明之實施型態予以說明。第1圖為表示本發明之一實施形態所涉及之感應耦合電漿處理裝置之剖面圖，第2圖為表示該感應耦合電漿處理裝置所使用之天線單元之俯視圖。該裝置係使用於例如在FPD用玻璃基板上形成薄膜電晶體之時之金屬膜、ITO膜、氧化膜等之蝕刻或光阻膜之灰化處理。就以FPD而言例示有液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence：EL)顯示器，電漿顯示面板(PDP)等。

該電漿處理裝置具有由導電性材料，例如內壁面被陽極氧化處理之由鋁所構成之角筒形狀之氣密的本體容器1。該本體容器1被組裝成可分解，藉由接地線1a被電性接地。本體容器1係藉由介電體壁2上下區分成天線室3及處理室4。因此，介電體壁2構成處理室4之頂棚壁。介電體壁2係由Al₂O₃等之陶瓷、石英等所構成。

在介電體壁2之下側部分，嵌入有處理氣體供給用之噴淋框體11。噴淋框體11被設置成例如十字狀，具有當作從下支撐介電體壁2之梁柱的功能。並且，支撐上述介電體壁2之噴淋框體11，藉由複數本之吊桿(無圖示)，成為被吊於本體容器1之頂棚之狀態。

該噴淋框體11係由導電性材料，最佳為金屬，例如以不產生污染物之方式在其內面或外面施予陽極氧化處理之鋁所構成。該噴淋框體11被電性接地。

在該噴淋框體11形成有水平延伸之氣體流路12，在該氣體流路12，連通有朝下方延伸之複數的氣體吐出孔12a。另外，在介電體壁2之上面中央，以連通於該氣體流路12之方式設置有氣體供給管20a。氣體供給管20a從本體容器1之頂棚朝其外側貫通，連接於含有處理氣體供給源及閥系統等之處理氣體供給系統20。因此，在電漿處理中，自處理氣體供給系統20被供給之處理氣體經氣體供給管20a被供給至噴淋框體11內，從其下面之氣體吐出孔12a被吐出至處理室4內。

在本體容器1中之天線室3之側壁3a和處理室4之側壁4a之間，設置有突出於內側之支撐架5，在該支撐架5上載置介電體壁2。

在天線室3內配設有包含高頻(RF)天線13之天線單元50。高頻天線13經匹配器14而連接於高頻電源15。再者，高頻天線13係藉由由絕緣構件所構成之間隔物17而自介電體壁2間隔開。然後，藉由從高頻電源15對高頻天線13供給例如頻率13.56MHz之高頻電力，在處理室4內形成感應電場，藉由該感應電場，從噴淋框體11所供給之處理氣體被電漿化。並且，針對天線單元50於後敘述。

在處理室4內之下方，以夾著介電體壁2與高頻天線13對向之方式，設置有用以載置矩形狀之FPD用玻璃基板(以下單記載為基板)G之載置台23。載置台23係由導電性材料，例如表面被陽極氧化處理之鋁所構成。被載置於載置台23之基板G係藉由靜電夾具(無圖式)被吸附保持。

載置台23係被收納於絕緣體框24內，並且被支撐於中空之支柱25。支柱25係邊將本體容器1之底部維持氣密狀態邊予以貫通，被配設在本體容器1外之升降機構(無圖式)所支撐，於基板G之搬入搬出時，載置台23藉由升降機構在上下方向被驅動。並且，在收納載置台23之絕緣體框24和本體容器1之底部之間，配設有氣密包圍支柱25之伸縮體26，依此即使藉由載置台23之上下移動，亦保證處理容器4內之氣密性。再者，在處理室4之側壁4a，設置用以搬入搬出基板G之搬入搬出口27a，和開關此之閘閥27。

在載置台23藉由被設置在中空支柱25內之供電線25a，經匹配器28連接有高頻電源29。該高頻電源29係在電漿處理中，對載置台23施加偏壓用之高頻電力，例如頻率為6MHz之高頻電力。藉由該偏壓用之高頻電力，被生成在處理室4內之電漿中之離子有效地被引入基板G，形成自偏壓。

並且，在載置台23內設置有用以控制基板G之溫度，由陶瓷加熱器等之加熱手段或冷媒流路等所構成之溫度控制機構，和溫度感測器(任一者皆無圖式)。相對於該些機構或構件之配管或配線，任一者通過中空之支柱25被導出至本體容器1外。

在處理室4之底部經排氣管31連接包含真空泵等之排氣裝置30。藉由該排氣裝置30，處理室4被排氣，在電漿處理中，處理室4內被設定、維持特定之真空環境(例如1.33Pa)。

在被載置於載置台23之基板G之背面側，形成有冷卻空間(無圖式)，設置有用以供給當作一定壓力之熱傳達用氣體之He氣體的He氣體流路41。如此一來，藉由將熱傳達用氣體供給至基板G之背面側，可以在真空下回避基板G之溫度上升或溫度變化。

該電漿處理裝置之各構成部成為被連接於由微處理器(電腦)所構成之控制部100而被控制之構成。再者，控制部100上，連接有由操作員為了管理電漿處理裝置而執行指令輸入等輸入操作的鍵盤，或使電漿處理裝置之運轉狀況可視化而予以顯示之顯示器等所構成之使用者介面101。並且，在製程部100連接有記憶部102，該記憶部102儲存有用以藉由控制部100之控制實現在電漿處理裝置所實行之各種處理的控制程式，或按處理條件使電漿處理裝置之各構成部實行處理之程式即是處理配方。處理配方係被記憶於記憶部102之中的記憶媒體。記憶媒體即使為內藏在電腦之硬碟或半導體記憶體亦可，即使為CDROM、DVD、快閃記憶體等之可搬運性者亦可。再者，即使自其他裝置經例如專用線路適當傳送配方亦可。然後，依其所需，以來自使用者介面101之指示等自記億部102叫出任意處理配方，使控制部100實行，依此，在控制器100之控制下，執行電漿處理裝置之所欲處理。

接著，針對上述天線單元50予以詳細說明。

天線單元50係如上述般具有高頻天線13，並且又具有將經匹配器14之高頻電力供電至高頻天線13之供電部51。

如第2圖所示般，高頻天線13係構成平面形狀，輪廓構成矩形狀(長方形狀)，其配置區域對應於矩形基板G。

高頻天線13具有構成外側部分之第1天線13a，和構成內側部分之第2天線13b，和被設置在該些之間的分離構件18。第1天線13a及第2天線13b任一者皆為輪廓構成矩形狀之平面型者。然後，該些第1天線13a及第2天線13b配置成同心狀。

構成外側部分之第1天線13a係如第2圖所示般，構成捲繞由導電性材料例如銅等所構成之四條天線線61、62、63、64而全體成為螺旋狀的多重(四重)天線。具體而言，使天線線61、62、63、64各偏移90°位置而捲繞，天線線之配置區域構成略框邊狀，使具有電漿變弱之傾向的角部之卷數較邊之中央部之卷數多。在圖示之例中，角部之卷數為3，邊之中央部之卷數為2。

構成內側部分之第2天線13b係如第2圖所示般，構成捲繞由導電性材料例如銅等所構成之四條天線線71、72、73、74而全體成為螺旋狀的多重(四重)天線。具體而言，使天線線71、72、73、74各偏移90。位置而捲繞，天線線之配置區域構成略框邊狀，使具有電漿變弱之傾向的角部之卷數較邊之中央部之卷數多。在圖示之例中，角部之卷數為3，邊之中央部之卷數為2。

第1天線13a之天線線61、62、63、64經中央之四個端子22a及供電線69被供電。再者，第2天線部13b之天線線71、72、73、74係經配置在中央的四個端子22b及供電線79而被供電。

分離構件18係由導電性材料例如銅等所構成，在第1天線13a和第2天線13b之間的空間以構成閉迴路之方式被配置。分離構件18即使被電性接地，或即使為浮動狀態亦可。於接地之時，可以經由當作梁柱發揮功能之用以從噴淋框體11或天線室3之頂棚懸掛的懸吊裝置等，或從分離構件18朝本體容器1之頂棚設置接地線而接地。該分離構件18具有分離藉由在第1天線13a流通電流而所產生磁場，和藉由在第2天線13b流通電流而產生之磁場的功能。

在天線室3之中央部附近，設置有對第1天線13a供電之四條第1供電構件16a及對第2天線13b供電之四條第2供電構件16b(在第1圖中僅圖示一條)，各第1供電構件16a之下端係連接於第1天線13a之端子22a，各第2供電構件16b之下端係連接於第2天線13b之端子22b。四條第1供電構件16a係連接於供電線19a，再者四條之第2供電構件16b係連接於供電線19b，該些供電線19a、19b係自從匹配器14延伸之供電線19分歧。供電線 19、19a、19b、供電構件16a、16b、端子22a、22b、供電線69、79構成天線單元50之供電部51。

在供電線19a安裝有可調電容器21，在供電線19b間不安裝可調電容器。然後，藉由可調電容器21和第1天線13a構成外側天線電路，藉由第2天線13b構成內側天線電路。

如後述般，藉由調節可調電容器21之電容，控制外側天線電路之阻抗，依此可以調整流動於外側線電路及內側天線電路之電流的大小關係。可調電容器21係當作外側天線電路之電流控制部而發揮功能。

針對高頻天線13之阻抗控制參照第3圖予以說明。第3圖為表示高頻天線13之供電電路之圖式。如該圖所示般，來自高頻電源15之高頻電力經匹配器14而被供給至外側天線電路91a和內側天線電路91b。在此，外側天線電路91a因係由第1天線13a和可調電容器21所構成，故外側天線電路91a之阻抗Zout係可以藉由調節可調電容器21之位置而使其電容變化而使其變化。另外，內側天線電路91b僅由第2天線部13b所構成，其阻抗Zin為固定。此時，外側天線電路91a之電流Iout可以對應於阻抗Zout之變化而使其變化。然後，內側天線電路91b之電流Iin因應Zout和Zin之比率而變化。如此一來，藉由控制流動於第1天線13a之電流和流動於第2天線13b之電流，可以控制電漿密度分布。並且，即使在內側天線電路91b設置電容器使電流之控制性更高亦可。

接著，針對使用如上述般所構成之感應耦合電漿處理裝置而對基板G施予電漿處理例如電漿蝕刻處理或電漿灰化處理之時之處理動作予以說明。

首先，在打開閘閥27之狀態下，從搬入搬出口27a藉由搬運機構(無圖式)將基板G搬入至處理室4內，並載置於載置台23之載置面之後，藉由靜電夾具(無圖式)，將基板G固定於載置台23上。接著，使在處理室4內從處理氣體供給系統20被供給之處理氣體從噴淋框體11之氣體吐出孔12a吐出至處理室4內，並且藉由排氣裝置30經排氣管31使處理室4內予以真空排氣，依此將處理室內維持至例如0.66~26.6Pa左右之壓力環境。

再者，此時在基板G之背面側之冷卻空間，為了迴避基板G之溫度上升或溫度變化，經He氣體流路41，供給當作熱傳達用氣體之He氣體。

接著，自高頻電源15對高頻天線13施加例如13.56MHz之高頻，藉此經介電體壁2在處理室4內形成均勻之感應電場。藉由如此所形成之感應電場，在處理室4內處理氣體電漿化，生成高密度之感應耦合電漿。藉由該電漿，對基板G進行當作電漿處理的電漿蝕刻處理或電漿灰化處理。

此時，高頻天線13係如上述般，因隔著間隔同心狀配置構成外側部分之第1天線13a，和構成內側部分之第2天線13b，故難以產生電漿密度之不均勻。

再者，高頻天線13因在構成外側部分之第1天線13a 連接可調電容器21，使成為可進行外側天線電路91a之阻抗調整，故可以使外側天線電路91a之電流Iout和內側天線電路91b之電流Iin變化自如。即是，藉由調節可調電容器21之位置，可以控制流動於第1天線13a之電流，和流動於第2天線13b之電流。感應耦合電漿係在高頻天線13正下方之空間生成電漿，此時之各位置的電漿密度因對應於各位置的電場強度，故如此一來藉由控制流動於第1天線13a之電流和流動於第2天線13b之電流而控制電場強度分布，可控制電漿密度分布。

因依各式各樣的製程，具有均勻的密度分布不一定最適合於其製程，故因應製程掌握最適合之電漿密度分布，事先在記憶部102設定取得其電漿密度分布之可調電容器21之位置，可以以控制部100選擇最適合於每一製程之可調電容器21之位置而進行電漿處理。

但是，於僅具有如此之外側部分之第1天線13a和內側部分之第2天線13b之高頻天線之時，依條件不同在第1天線13a和第2天線13b之間不存在天線之部分，蝕刻(灰化)率有變快之傾向，有為了更正該傾向，即使控制該些天線之電流，亦無法解除該傾向之情形。第4圖為表示進行O₂灰化之時的灰化率之面內分布，將灰化率之平均值設為1.00，可知天線間之部分的灰化率較平均值之1.00高，灰化率之均勻性差。

該原因應如下述般。

在外側部分和內側部分配置環狀天線之高頻天線中，通常在同方向流通電流，但是此時如第5圖(a)所示般，藉由流通於天線之電流所產生之磁場在各天線部為同方向，藉由這些磁場之重疊，在第1天線13a和第2天線13b之間，即是不存在天線之部分，產生在第1天線13a和第2天線13b共有之磁場。藉由該共有之磁場，因在處理室4內中之介電體壁2之正下方部分，生成從第1天線13a至第2天線13b不分離而連續的感應電場，故即使控制天線之電流，電場之控制性也變差。然後，因藉由該連續之感應電場而形成連續之電漿，故電漿密度分布控制性變差。

對此，在本實施型態中，如第5圖(b)所示般，在第1天線13a和第2天線13b之間設置分離構件18。因分離構件18為導電性，構成閉迴路，故藉由第1天線13a及第2天線13b之磁場，在分離構件18產生與該些天線逆向的電動勢。因此，第1天線13a及第2天線13b共有之磁場和分離構件18之磁場抵消，第1天線13a之磁場和第2天線13b之磁場分離，在處理室4內之分離構件18之正下方產生不形成感應電場之部分。因此，在處理室4內中之介電體壁2之正下方部分，分離藉由第1天線13a及第2天線13b各所形成之感應電場，而可以提高該些之獨力控制性。因此，可以因應各種製程而控制電漿密度分布。

並且，在第5圖中，天線之×表示電場在圖面中從表面垂直地朝向背面的方向，●係表示電場在圖面中從背面垂直地朝向表面之方向。

如此一來，第6圖表示使用設置有分離構件18之高頻天線13，而進行O₂灰化之時的灰化率之面內分布。如該圖所示般，可知藉由設置分離構件18，可以降低第1天線13a和第2天線13b之間的灰化率，並可以控制電漿密度分布。

並且，針對第1天線13a及第2天線13b，雖然設為將四條天線線各偏移90°地予以捲繞而全體成為螺旋狀之四重天線，但是天線線之數量並不限定於四條，即使為任意數量之多重天線亦可。再者偏移之角度也不限定於90°。

接著，針對天線之構造之其他例予以說明。

在上述例中，雖然設為將各天線構成環狀而一體性地供給高頻電力，但是即使將各天線設為具有對應於各個基板之互相不同之部分的複數區域，該些複數區域獨立地被供給高頻電力亦可。依此，可以進行更細的電漿分布控制。例如，構成對應於矩形基板之矩形狀平面，具有將複數天線線捲繞成螺旋狀而構成之第1部分及第2部分，第1部分係被設置成複數之天線線形成矩形狀平面之四個角部，並且在與矩形狀平面不同之位置結合四個角部，並且第2部分係被設置成複數天線線形成矩形狀之四個邊之中央部，並且在與矩形狀平面不同之位置結合四個邊之中央部，可以成為在第1部分和第2部分分別獨立地被供給高頻電力。

參照第7至9圖說明具體之構成。

例如，構成外側部分之第1天線13a係如第7圖所示般，面對於形成有助於電漿生成之感應電場的介電體壁2之部分，全體構成對應於矩形基板G之矩形狀(框邊狀)平面，並且具有將複數天線線捲繞成螺旋狀而構成之第1部分113a和第2部分113b。第1部分113a之天線線係被設置成形成矩形狀平面之四個角部，在與矩形狀平面不同之位置，結合四個角部。再者，第2部分113b之天線線係被設置成形成矩形狀平面之四個邊之中央部，並且在與矩形狀平面不同之位置，結合該些四個邊之中央部。對第1部分113a之供電，係經四個端子122a及供電線169而進行，對第2部分113b之供電係經四個端子122b及供電線179而進行，該些端子122a、122b各獨立地被供給高頻電力。

如第8圖所示般，第1部分113a係將四條天線線161、162、163、164各偏移90°而構成捲繞的四重天線，形成面對於介電體壁2之矩形狀平面之四個角部的部分成為平面部161a、162a、163a、164a，該些平面部161a、162a、163a、164a之間的部分以成為與矩形狀平面不同之位置之方式，成為退避至無助於上方之電漿生成的位置之狀態的立體部161b、162b、163b、164b。如第9圖所示般，第2部分113b也將四條天線線171、172、173、174各偏移90°而構成捲繞的四重天線，形成面對於介電體壁2之上述矩形狀平面之四個邊的中央部之部分成為平面部171a、172a、173a、174a，該些平面部171a、172a、 173a、174a之間的部分以成為與矩形狀平面不同之位置之方式，成為退避至無助於上方之電漿生成的位置之狀態的立體部171b、172b、173b、174b。

藉由如此之構成，一面取得與上述實施型態相同之將四條天線線捲繞成一定方向之比較簡易的多重天線的構成，一面可以實現角部和邊中央部獨立的電漿分部控制。

再者，在上述例中，雖然以將捲繞複數天線線之多重天線構成各天線部，但是即使如第10圖所示般，將一條天線線捲繞成螺旋狀者亦可。

接著，針對高頻天線之構造之其他例予以說明。

在上述例中，雖然表示將第1天線13a和第2天線13b之兩個環狀天線設置成同心狀而構成高頻天線之時，但是即使為將三個以上之環狀天線配置成同心狀之構造亦可。

第11圖表示配置有三個環狀天線之三環狀的高頻天線。在此，就以高頻天線213而言，同心狀地設置被配置在最外側的第1天線213a、被配置在中間的第2天線213b、被配置在最內側之第3天線213c，在第1天線213a和第2天線213b之間設置第1分離構件18a，在第2天線213b和第3天線213c之間配置第2分離構件18b。並且，在第11圖中，雖然省略第1天線213a、第2天線213b、第3天線213c之詳細構造之記載，但是亦可採用如第2圖所示之第1及第2天線13a、13b之構造、第7至9圖所示之第1天線13a之構造、第10圖所示之天線 181之構造。

即使同在如此同心狀地設置三個以上之環狀天線之時，藉由在各天線間設置分離構件，可以分離各天線之磁場，並可以提高各天線之電場的獨立控制性。

此時，在三個以上之環狀天線間之複數區域之全部無須設置分離構件，若在至少一個設置分離構件即可。

於設置有三個以上之環狀天線之時，與上述兩個環狀天線之高頻天線之時相同，使從一個高頻電源分歧而對各環狀天線供給高頻電力，藉由在環狀天線之供電線設置電可調電容器，可以控制各天線之電流。然後，藉由在至少一個天線之供電線設置可調電容器，可以進行電流控制。於進行與設置有上述兩個環狀天線之高頻天線之時同等之電流控制之時，當將環狀天線之數量設為n時，若在n-1之環狀天線之供電線設置電容器即可。

接著，針對控制分離構件之效果的方法予以說明。

於電場強度局部性高時，藉由將分離構件分割成複數之分割部，針對對應於其電場強度局部性高之部分的分割部，經電容器予以接地，可以控制成在其部分提高抵消磁場之效果。

當表示具體例時，如第12圖所示般，在第11圖之三環狀之高頻天線213中，在第1天線213a和第2天線213b之間的長邊中心部分的區域A，電場太強時，藉由在例如以下說明之第13圖所示般之部位配置電容器，可以使其部分之電場變弱。

第13圖係同心狀地設置最外側之第1天線213a、中間之第2天線213b、最內側之第3天線213c，在第1天線213a和第2天線213b之間，及第2天線213b和第3天線213c之間配置分離構件18a及18b之三環狀天線中，於對應第1分離構件18a之長邊之中央及短邊之中央之部分，設置用以從頂棚懸掛支撐介電體壁之梁柱211的懸吊裝置214，在該些懸吊裝置214連接第1分離構件18a，並且在第1分離構件18a之角部，設置連接頂棚和長邊側端部之接地線215a及連接頂棚和短邊側端部之接地線215b之構造。即是，第1分離構件18a被分割成可各別地接地之複數分割部。

然後，在第13圖(a)中，在第1天線213a和第2天線213b之間的第1分離構件18a之長邊中央部分連接於梁柱211之懸吊裝置214之連接部分B設置電容器，藉由經電容器及懸吊裝置214接地，可以提高抵消僅在第1分離構件18a之長邊對應部分在天線間共有之磁場的效果，而僅使部分A之電場變弱。再者，在第13圖(b)中，在接地線215a之途中部分C設置電容器，並使第1分離構件18a之長邊經電容器而接地，依此亦可以僅對第1分離構件18a之長邊對應部分提高抵消在天線間共有之磁場的效果，而能僅使部分A之電場變弱。

再者，於使分離構件接地之時，因若經接地線而形成閉迴路即可，故藉由利用支撐介電體壁之梁柱等而在接地上花點巧思，分離構件則無需設置成環狀，亦可分割成複數之分割部，局部地取下對應於不欲使其發揮功能的部分之分割部，將其例表示於第14圖。

第14圖為表示將介電體壁予以8分割之電漿處理裝置所使用之高頻天線之俯視圖。如第14圖所示般，支撐介電體壁之支撐構件310具有外側之框體(無圖示)，和支撐被分割成8個之介電體壁之分割部分的梁柱311。另外，高頻天線313為同心狀設置被配置在最外側之第1天線313a、被設置在中間的第2天線313b、被配置在最內側的第3天線313c的三環狀天線，在第1天線313a和第2天線313b之間設置第1分離構件18a，在第2天線313b和第3天線313c之間配置第2分離構件18b。第1分離構件18a和第2分離構件18b經梁柱311可接地。第1分離構件18a藉由梁柱311被分割成四個角隅部分118a，和四個邊中央部分118b，各個被連接於梁柱311，經梁柱311而被接地。因此，因即使四個角隅部分118a及四個邊中央部分118b之一部分，例如取下第1分離構件18a之角隅部分118a，中央部分118b也經梁柱311而被接地，故可以經接地線而構成閉迴路，並可以使得分離構件之效果不會影響到角隅部分。

並且，本發明並限定於上述實施型態，當然可作各種變形。例如，在上述實施型態中，雖然表示同心狀地設置用以形成感應電場之複數天線之例，但是並不限定於此，即使如第15圖所示般，例如並聯配置複數之螺旋天線413，在該些之間設置分離構件418之構造亦可。即使在此情形下，藉由分離構件418分離兩個天線413共有之磁場亦可以發揮提高電場分布之控制性的效果。此時，即使在鄰接之螺旋天線413之間之部分的全部配置分離構件亦可，但是即使在該些之中，僅在欲發揮分離構件之效果的部分配置分離構件亦可，若在鄰接之螺旋天線413之間的至少一個配置分離構件即可。

再者，各天線之型態即使不相同亦可。例如，一部分之天線為第2圖所示之多重天線，其他為第7至9圖所示之多重天線亦可，即使混合多重天線和將一條天線設成螺旋狀者亦可。

並且，雖然在上述實施型態中為了調整阻抗設置有可調電容器，但是即使為可調線圈等之其他阻抗調整手段亦可。

並且，在上述實施型態中，雖然從一個高頻電源分配供給高頻電力，但是即使在每天線設置高頻電源亦可。

再者，在上述實施型態中，針對以介電體壁構成處理室之頂棚部，並在處理室之外的頂棚部之介電體壁之上面配置天線之構成予以說明，但若可以介電體壁隔絕天線和電漿生成區域之間，即使為天線被配置在處理室內之構造亦可。

再者，在上述實施型態中，雖然針對將本發明適用於蝕刻處理或灰化處理之情形予以表示，但亦可適用於CVD成膜等之其他電漿處理裝置。再者，就以基板而言，表示使用FPD用之矩形基板之例，但是即使於處理太陽電池等之其他矩形基板之時亦可適用，並不限於矩形，亦可適用於例如半導體晶圓等之圓形基板。

1‧‧‧本體容器

2‧‧‧介電體壁(介電體構件)

3‧‧‧天線室

4‧‧‧處理室

13‧‧‧高頻天線

13a‧‧‧第1天線

13b‧‧‧第2天線

14‧‧‧匹配器

15‧‧‧高頻電源

16a、16b‧‧‧供電構件

18、18a、18b‧‧‧分離構件

19、19a、19b‧‧‧供電線

20‧‧‧處理氣體供給系統

21‧‧‧可變電容器

22a、22b‧‧‧端子

23‧‧‧載置台

30‧‧‧排氣裝置

50‧‧‧天線單元

51‧‧‧供電部

61、62、63、64、71、72、73、74‧‧‧天線

91a‧‧‧外側天線電路

91b‧‧‧內側天線電路

100‧‧‧控制部

101‧‧‧使用者介面

102‧‧‧記憶部

G‧‧‧基板

第1圖為表示本發明之一實施型態所涉及之感應耦合電漿處理裝置之剖面圖。

第2圖為表示第1圖之感應耦合電漿處理裝置所使用之感應耦合電漿用天線單元之高頻天線之一例的俯視圖。

第3圖為表示第1圖之感應耦合電漿處理裝置所使用之高頻天線之供電電路的圖式。

第4圖為使用以往之同心狀地配置兩個環狀天線配置的高頻天線而進行O₂灰化之時的灰化率之面內分布的例之圖式。

第5圖(a)係用以比較對以往的同心狀地配置兩個環狀天線配置的高頻天線流通電流之時的磁場和感應電場和電漿之狀態，和(b)對本實施型態之在兩個環狀天線間設置分離構件之高頻天線流通電流之時的磁場和感應電場和電漿之狀態而予以說明的模式圖。

第6圖為使用本實施型態之高頻天線而進行O₂灰化之時之灰化率的面內分布之例的圖式。

第7圖為表示高頻天線所使用之其他天線例的俯視圖。

第8圖為表示第7圖之高頻天線之天線部所使用之第1部分的俯視圖。

第9圖為表示第7圖之高頻天線之天線部所使用之第2部分的俯視圖。

第10圖為表示高頻天線所使用之天線的其他例的俯視圖。

第11圖為表示高頻天線之其他例之三環狀天線的俯視圖。

第12圖為用以說明在第11圖之高頻天線中，電場局部性地變強之例的俯視圖。

第13圖為用以說明朝向用以消除第12圖之局部性變電場強之部分的分離構件之接地線的電容器插入位置的斜視圖。

第14圖為用以說明設成分割分離構件而可接地，並設成可部分性取下之例的俯視圖。

第15圖係表示將分離構件適用於並聯配置天線之高頻天線之例的俯視圖。

13‧‧‧高頻天線

13a‧‧‧第1天線

13b‧‧‧第2天線

18‧‧‧分離構件

20a‧‧‧氣體供給管

22a、22b‧‧‧端子

61、62、63、64、71、72、73、74‧‧‧天線

69、79‧‧‧供電線

Claims

一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：上述高頻天線具有：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2天線所形成之磁場，上述分離構件被形成連續之環狀。
如申請專利範圍第1項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中上述第1及第2天線之至少一個構成複數天線被捲繞成螺旋狀之多重天線，上述複數天線係以在圓周方向平均偏離特定角度而被配置。
如申請專利範圍第2項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中上述基板構成矩形狀，上述第1及第2天線構成對應於矩形狀之基板的框邊狀。
如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中上述第1及第2天線之至少一個具有對應於基板互相不同之部分的複數區域，該些複數區域獨立被供給高頻電力。
如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中又具有阻抗控制手段，其係具有被連接於用以供電至上述第1及第2天線之高頻電源，具有從匹配器至上述第1及第2天線之供電路徑的供電部，形成包含上述各天線和各供電部之第1及第2天線電路，控制上述第1及上述第2天線電路中之至少一個阻抗，而且控制上述各天線之電流值。
一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場，上述分離構件被形成連續之環狀。
如申請專利範圍第6項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中又具有從高頻電源經匹配器分歧，對各天線供給電力之供電路，和控制經上述供電電路而流入至上述複數天線之電流值的阻抗控制手段。
如申請專利範圍第6或7項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中上述複數天線被配置成同心狀，上述分離構件被配置在該些複數天線之間的至少一個。
如申請專利範圍第6或7項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中上述複數天線被並聯配置，上述分離構件被配置在該些複數天線中相鄰者之間的至少一個。
一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：上述高頻天線具有：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2 天線所形成之磁場，上述分離構件係被分割成複數部分，針對該些複數之部分中對應於欲提高分離之效果之區域的部分，使成為經電容器而接地。
一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場，上述分離構件係被分割成複數部分，針對該些複數之部分中對應於欲提高分離之效果之區域的部分，使成為經電容器而接地。
如申請專利範圍第10或11項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中上述分離構件構成矩形狀，作為上述複數部分係在每一邊被分割，針對對應於欲提高上述分離之效果之區域的邊，使成為經電容器而接地。
一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：上述高頻天線具有：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2天線所形成之磁場，上述分離構件具有複數部分，該些複數部分各被接地，被構成能夠取下該些複數部分中之一部分而經接地線形成閉迴路。
一種感應耦合電漿用天線單元，具有用以在電漿處理裝置之處理室內生成對基板施予電漿處理之感應耦合電漿的高頻天線，該感應耦合電漿用天線單元之特徵為：上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場，上述分離構件具有複數部分，該些複數部分各被接地，被構成能夠取下該些複數部分中之一部分而經接地線形成閉迴路。
如申請專利範圍第13或14項所記載之感應耦合電漿用天線單元，其中上述分離構件構成矩形狀，被分割成角隅部分及邊中央部分，該些成為上述複數之部分。
一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為具備：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2 天線所形成之磁場，上述分離構件被形成連續之環狀。
如申請專利範圍第16項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述第1及第2天線之至少一個構成複數天線被捲繞成螺旋狀之多重天線，上述複數天線係以在圓周方向平均偏離特定角度而被配置。
如申請專利範圍第17項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述基板構成矩形狀，上述第1及第2天線構成對應於矩形狀之基板的框邊狀。
如申請專利範圍第16至18項中之任一項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述第1及第2天線之至少一個具有對應於基板互相不同之部分的複數區域，該些複數區域獨立被供給高頻電力。
如申請專利範圍第16至18項中之任一項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述高頻電力供給手段具有一個高頻電源及匹配器，上述天線單元又具有阻抗控制手段，其係具有被連接於上述高頻電源，具有從匹配器至上述第1及第2天線之供電路徑的供電部，形成包含上述各天線和各供電部之第1及第2天線電路，調整上述第1及上述第2天線電路中之至少一個阻抗，而且控制上述各天線之電流值。
一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為具備：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場，上述分離構件被形成連續之環狀。
如申請專利範圍第21項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述高頻電力供給手段具有一個高頻電源及匹配器，上述天線單元又具有從上述高頻電源經上述匹配器分歧，對各天線供給電力之供電路，和控制經上述供電電路而流入至上述複數天線之電流值的阻抗控制手段。
如申請專利範圍第21或22項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述複數天線被配置成同心狀，上述分離構件被配置在該些複數天線之間的至少一個。
如申請專利範圍第21或22項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述複數天線被並聯配置，上述分離構件被配置在該些複數天線中相鄰者之間的至少一個。
一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為具備：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2天線所形成之磁場，上述分離構件係被分割成複數部分，針對該些複數之部分中對應於欲提高分離之效果之區域的部分，使成為經電容器而接地。
一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為具備：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場，上述分離構件係被分割成複數部分，針對該些複數之部分中對應於欲提高分離之效果之區域的部分，使成為經電容器而接地。
如申請專利範圍第25或26項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述分離構件構成矩形狀，作為上述複數部分係在每一邊被分割，針對對應於欲提高上述分離之效果之區域的邊，使成為經電容器而接地。
一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為具備：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：第1天線，其係被供給第1高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；第2天線，其係被設置成與上述第1螺旋狀天線同心狀，被供給第2高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；及分離構件，其係被配置在上述第1天線和上述第2天線之間，為被電性接地之狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述第1天線所形成之磁場和藉由上述第2天線所形成之磁場，上述分離構件具有複數部分，該些複數部分各被接地，被構成能夠取下該些複數部分中之一部分而經接地線形成閉迴路。
一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為具備：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理室內載置基板；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；天線單元，其係具有用以在上述處理室內生成感應耦合電漿之高頻天線；及高頻電力供給手段，其係用以對上述高頻天線供給高頻電力，上述高頻天線具有：複數天線，其係被供給高頻電力而構成用以形成感應電場的螺旋狀；和至少一個的分離構件，其係被配置在上述複數天線中相鄰者之間，為被電性接地狀態或浮動狀態，並且構成閉迴路，分離藉由上述鄰接之天線各所形成之磁場，上述分離構件具有複數部分，該些複數部分各被接地，被構成能夠取下該些複數部分中之一部分而經接地線形成閉迴路。
如申請專利範圍第28或29項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中上述分離構件構成矩形狀，被分割成角隅部分及邊中央部分，該些成為上述複數之部分。