KR102137913B1 - 플라즈마 안테나 모듈 - Google Patents

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김형원
정희석
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Abstract

본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈은, 플라즈마 안테나, 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 접지부, 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 공급하는 전원 공급부, 및 플라즈마 안테나와 전원 공급부의 사이 또는 플라즈마 안테나와 접지부의 사이에 개재된 우회부를 포함한다. 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 복수의 접점을 포함한다. 우회부는 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 연결되는 경우, 제1 경로와 상이한 제2 경로가 형성된다. 우회부는 제2 경로에 포함된 접점의 개수에 따라 플라즈마 안테나의 전류값이 제어된다.

Description

플라즈마 안테나 모듈{PLASMA ANTENNA MODULE}
본 개시는 플라즈마 안테나 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 각각의 플라즈마 안테나로 유입되는 전류를 개별 제어하기 위한 플라즈마 안테나 모듈에 관한 것이다.
플라즈마 처리 장치로는 크게 유도 결합형 플라즈마 발생원(Inductively Coupled Plasma Source, ICP) 타입과 용량 결합형 플라즈마 발생원(Capacitively Coupled Plasma Source, CCP) 타입이 있으며, 보다 높은 플라즈마 밀도를 만들 수 있는 새로운 플라즈마 발생원 타입인 헬리콘 플라즈마와 ECR(Electron cyclotron resonance plasma) 플라즈마 발생원 타입 등도 사용되고 있다.
플라즈마 처리 장치는 플라즈마 안테나에 공급된 전원에 의해 공정 가스를 플라즈마로 형성할 수 있고, 형성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리(예를 들어, 식각, 증착 등)할 수 있다. 이 경우, 플라즈마의 밀도는 기판의 처리 속도를 결정하는 중요한 요소 중 하나가 될 수 있다.
그러나, 플라즈마를 처리하는 환경조건에 따라 플라즈마의 밀도가 변화하여 기판 전체가 동일한 속도로 처리되는 것이 아니라 국부적으로 처리속도가 상이한 문제점, 예컨대 기판 일부는 빠른 속도로 처리되고 다른 일부는 느린 속도로 처리되는 문제점이 발생할 수 있다. 나아가, 플라즈마 안테나로 공급되는 고전압의 전원이 공급되는 경우, 플라즈마 안테나로 유입되는 전류를 안정적으로 제어해야 할 필요성이 존재한다.
본 명세서에서 개시되는 실시예들은, 각각의 플라즈마 안테나로 유입되는 전류를 개별 제어함으로써 플라즈마 밀도를 국부적으로 조절할 수 있는 플라즈마 안테나 모듈을 제공한다.
본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈은, 플라즈마 안테나, 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 접지부, 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 공급하는 전원 공급부 및 플라즈마 안테나와 전원 공급부의 사이 또는 플라즈마 안테나와 접지부의 사이에 개재된 우회부를 포함한다. 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 복수의 접점을 포함한다. 우회부는 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 연결되는 경우, 제1 경로와 상이한 제2 경로가 형성된다. 우회부는 제2 경로에 포함된 접점의 개수에 따라 플라즈마 안테나의 전류값이 제어된다.
본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈은, 제1 플라즈마 안테나, 제1 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 접지부, 제1 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 공급하는 전원 공급부 및 제1 플라즈마 안테나와 전원 공급부의 사이 또는 제1 플라즈마 안테나와 접지부의 사이에 개재된 우회부를 포함한다. 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 복수의 접점을 포함한다. 우회부는 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 연결되는 경우, 제1 경로보다 짧은 길이를 가지는 제2 경로가 형성된다.
본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈은, 제1 플라즈마 안테나, 제1 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 제1 접지부, 제1 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 공급하는 전원 공급부 및 제1 플라즈마 안테나와 전원 공급부의 사이 또는 제1 플라즈마 안테나와 제1 접지부의 사이에 개재된 제1 우회부를 포함한다. 제1 우회부는, 제1 경로 상에 위치하는 제1 접점, 제1 접점과 이격되어, 제1 경로 상에 위치하는 제2 접점, 제1 접점과 제2 접점을 서로 연결하여 형성되며, 제1 경로에 포함되는 제1 기본선로 및 제1 접점과 제2 접점을 서로 연결하여 형성되며, 제1 경로와 상이한 제2 경로에 포함되는 제1 우회선로를 포함한다. 제1 우회선로는 제1 기본선로보다 짧은 길이를 가진다.
본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈은, 복수의 플라즈마 안테나, 복수의 플라즈마 안테나에 각각 연결되고, 복수의 접점을 포함하는 복수의 우회부, 각 우회부에 포함된 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점을 선택적으로 서로 연결하기 위한 이송수단, 연결된 접점의 개수에 따라 각 플라즈마 안테나가 형성하는 플라즈마 밀도와 연관된 정보가 기록된 기록매체, 및 기록매체에 기록된 정보에 따라, 각 우회부의 연결된 접점의 개수를 조절하기 위해 이송수단을 제어하는 제어부를 포함한다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 각각의 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값을 세밀하게 개별 제어함으로써, 각각의 플라즈마 안테나에 의해 형성되는 플라즈마의 밀도를 개별적으로 조절할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 각각의 플라즈마 안테나에 의해 형성되는 플라즈마 밀도를 개별 조절함으로써, 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 국부적으로 제어할 수 있고 그로 인해 기판 전체를 균일하게 처리할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 각 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값 간의 비율을 조절함으로써, 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 국부적으로 제어할 수 있고 그로 인해 기판 전체를 균일하게 처리할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 우회부가 가지는 복수의 접점 중 원하는 접점을 선택하여 서로 연결가능하므로 각각의 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값을 세밀하게 개별 제어할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 코일 형태의 우회부에서 전류가 흐르는 턴 수를 용이하게 조절가능하므로 각각의 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값을 세밀하게 개별 제어할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 우회부에서 우회선로를 간단한 물리적인 형태로 구현함으로써 고전압의 전류를 안정적으로 세밀하게 개별 제어할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 우회부에서 우회선로를 물리적으로 구현함으로써 고전압의 전원이 공급되는 경우에도 플라즈마 안테나로 유입되는 전류를 안정적으로 제어할 수 있다.
본 개시의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 개시의 실시예들은, 이하 설명하는 첨부 도면들을 참조하여 설명될 것이며, 여기서 유사한 참조 번호는 유사한 요소들을 나타내지만, 이에 한정되지는 않는다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따라 챔버에 설치된 플라즈마 안테나 모듈의 개략도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따라 우회부에서 형성된 제1 경로 및 제2 경로를 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따라 우회부의 복수의 접점을 슬라이드 방식으로 연결하는 과정을 나타낸 예시도이다.
도 4은 본 개시의 일 실시예에 따라 우회부의 복수의 접점을 승강 방식으로 연결하는 과정을 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따라 우회부의 복수의 접점을 힌지 방식으로 연결하는 과정을 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈에 포함된 제1 플라즈마 안테나 및 제1 플라즈마 안테나와 연결된 주요 구성을 도시한 사시도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 우회부를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 접점과 제2 접점이 연결된 예를 나타낸 사시도이다.
도 9은 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 접점, 제2 접점 및 제3 접점이 연결된 예를 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 접점, 제2 접점, 제3 접점 및 제4 접점이 연결된 예를 나타낸 사시도이다.
도 11은 본 개시의 다른 실시예에 따른 우회부를 나타낸 예시도이다.
도 12는 본 개시의 다른 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈의 개략도이다.
도 13은 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈의 개략도이다.
도 14는 본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나의 평면도이다.
이하, 본 개시의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 다만, 이하의 설명에서는 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 우려가 있는 경우, 널리 알려진 기능이나 구성에 관한 구체적 설명은 생략하기로 한다.
본 개시의 실시예들을 상술하기에 앞서, 도면의 위쪽은 그 도면에 도시된 구성의 "상부" 또는 "상측", 그 아래쪽은 "하부" 또는 "하측"이라고 지칭할 수 있다. 또한, 도면에 있어서 도시된 구성의 상부와 하부의 사이 또는 상부와 하부를 제외한 나머지 부분은 "측부" 또는 "측면"이라고 지칭할 수 있다.
본 개시 전체에서, 도면의 왼쪽은 그 도면에 도시된 구성의 "좌" 또는 "좌측", 그 오른쪽은 "우" 또는 "우측" 이라고 지칭할 수 있다.
본 개시 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 구성요소를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다. 이러한 "상부", "상측" 등과 같은 상대적인 용어는, 도면에 도시된 구성들 간의 관계를 설명하기 위하여 사용될 수 있으며, 본 개시는 그러한 용어에 의해 한정되지 않는다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따라 챔버에 설치된 플라즈마 안테나 모듈의 개략도이다. 플라즈마 안테나 모듈은 전원 공급부(100), 접지부(200), 플라즈마 안테나(300) 및 우회부(400)를 포함할 수 있다.
플라즈마 안테나(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버의 상부에 배치되어 챔버 내부에 배치된 기판에 균일한 플라즈마 밀도를 제공할 수 있다. 플라즈마 안테나(300)는 제1 플라즈마 안테나(310), 제2 플라즈마 안테나(320), 제3 플라즈마 안테나(330) 및 제4 플라즈마 안테나(340)를 포함할 수 있다. 플라즈마 안테나(300)는 서로 일정 간격 이격되어 챔버의 상부에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 플라즈마 안테나(310)는 제2 플라즈마 안테나(320)로부터 이격되어 제2 플라즈마 안테나(320)의 내측에 위치될 수 있다. 또한, 제2 플라즈마 안테나(320)는 제3 플라즈마 안테나(330)로부터 이격되어 제3 플라즈마 안테나(330)의 내측에 위치될 수 있고, 제3 플라즈마 안테나(330)는 제4 플라즈마 안테나(340)로부터 이격되어 제4 플라즈마 안테나(340)의 내측에 위치될 수 있다. 여기서, 각각의 플라즈마 안테나(300)는 동일 평면상에 위치하는 서로 직경이 상이한 원형의 형태일 수 있다.
플라즈마 안테나(300)의 개수와 배치는 도 1에 제한되지 않는다. 플라즈마 안테나(300)는 플라즈마 발생원 타입에 따라 챔버의 내부, 외부, 상부, 또는 측면에 설치될 수 있고, 플라즈마 안테나(300) 간의 배치 간격은 조정될 수 있다. 또한, 각각의 플라즈마 안테나(300)는 동일 평면상에 배치될 수 있고, 또는 서로 다른 평면상에 배치될 수 있다.
플라즈마 안테나(300)의 일측은 접지부(200)가 전기적으로 연결될 수 있고, 타측에는 플라즈마 안테나(300)에 전원을 공급하기 위한 전원 공급부(100)가 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 플라즈마 안테나(310)의 일측에 제1 접지부(210)가 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 플라즈마 안테나(320)의 일측에 제2 접지부(220)가 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제3 플라즈마 안테나(330)의 일측에 제3 접지부(230)가 전기적으로 연결될 수 있고, 제4 플라즈마 안테나(340)의 일측에 제4 접지부(240)가 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 각각의 플라즈마 안테나(300)는 전원 공급부(100)에 의해 병렬로 전원을 공급받을 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전원 공급부(100)는 제1 플라즈마 안테나(310)의 타측, 제2 플라즈마 안테나(320)의 타측, 제3 플라즈마 안테나(330)의 타측 및 제4 플라즈마 안테나(340)의 타측에 전원을 병렬로 공급할 수 있다.
우회부(400)는 각각의 플라즈마 안테나(300)와 전원 공급부(100)의 사이 또는 각각의 플라즈마 안테나(300)와 접지부(200)의 사이에 개재될 수 있다. 우회부(400)는 제1 우회부(410), 제2 우회부(420), 제3 우회부(430) 및 제4 우회부(440)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 우회부(400)는 도 1에 도시된 바와 같이, 각각의 플라즈마 안테나(300)와 이와 전기적으로 연결된 각각의 접지부(200)의 사이에 개재될 수 있다. 예를 들어, 제1 플라즈마 안테나(310)와 제1 접지부(210)의 사이에 제1 우회부(410)가 개재될 수 있고, 제2 플라즈마 안테나(320)와 제2 접지부(220) 사이에 제2 우회부(420)가 개재될 수 있다. 또한, 제3 플라즈마 안테나(330)와 제3 접지부(230) 사이에 제3 우회부(430)가 개재될 수 있고, 제4 플라즈마 안테나(340)와 제4 접지부(240) 사이에 제4 우회부(440)가 개재될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 우회부(400)는 각각의 플라즈마 안테나(300)와, 이와 전기적으로 병렬 연결된 전원 공급부(100)의 사이에 개재될 수 있다. 예를 들어, 제1 플라즈마 안테나(310)와 전원 공급부(100)의 사이에 제1 우회부(410)가 개재될 수 있고, 제2 플라즈마 안테나(320)와 전원 공급부(100) 사이에 제2 우회부(420)가 개재될 수 있다. 또한, 제3 플라즈마 안테나(330)와 전원 공급부(100) 사이에 제3 우회부(430)가 개재될 수 있고, 제4 플라즈마 안테나(340)와 전원 공급부(100) 사이에 제4 우회부(440)가 개재될 수 있다.
우회부(400)가 각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류를 제어하여 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 제어하는 과정에 대해서는, 이하에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 우회부(400)에서 형성된 제1 경로(P1) 및 제2 경로(P2)를 나타낸 예시도이다. 제1 경로(P1) 및 제2 경로(P2)는 전류의 물리적인 경로를 의미하며, 서로 다른 길이의 경로에 해당한다. 우회부(400)에서 제1 경로(P1) 및 제2 경로(P2)가 형성되는 원리를 제1 우회부(410)를 기준으로 설명하면 다음과 같으며, 해당 원리는 제1 우회부(410) 뿐만 아니라 타 우회부에도 적용될 수 있다.
제1 우회부(410)는 서로 이격된 복수의 접점(500)을 포함할 수 있고, 복수의 접점(500)은 제1 경로(P1) 상에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 우회부(410)는 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 제1 접점(510), 제2 접점(520), 제3 접점(530), 제4 접점(540), 제5 접점(550) 및 제6 접점(560)을 포함할 수 있다.
각각의 접점이 서로 연결되지 않았을 때 우회부(400)를 통해 흐르는 전류는 제1 경로(P1)에 따르게 된다. 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 연결되는 경우, 제1 경로(P1)와 상이한 제2 경로(P2)가 형성되어 우회부(400)를 통해 흐르는 전류는 제2 경로(P2)에 따르게 된다. 제2 경로(P2)에 포함된 접점(500)의 개수, 즉 서로 연결되는 접점(500)의 개수에 따라 제2 경로(P2)의 길이를 조절할 수 있다. 예컨대, 제2 경로(P2)에 포함되는 접점(500)의 개수가 증가할수록 제2 경로(P2)의 길이가 줄어들 수 있다. 제1 우회부(410)에서 서로 연결된 접점의 개수에 따라 제2 경로(P2)의 길이가 제어됨으로써, 제1 우회부(410)에 연결된 제1 플라즈마 안테나(310)로 유입되는 전류값이 제어되어 제1 플라즈마 안테나(310)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도를 조절할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 도 2(a)에 도시된 바와 같이 제1 경로(P1)는 곡선 형태의 기본선로 즉, 제1 기본선로(610), 제2 기본선로(620), 및 제3 기본선로(630)를 포함할 수 있다(도 2(a)의 화살표 표시 참고). 또한, 제1 경로(P1)는 제2 접점(520)과 제3 접점(530) 사이를 연결하는 선로와, 제4 접점(540)과 제5 접점(550) 사이를 연결하는 선로를 포함할 수 있다. 곡선 형태와 직선 형태는 선로의 곡선 형태의 길이가 직선 형태의 길이보다 긴 물리적인 길이 비교를 위한 예시에 불과하며 이러한 형태가 본 발명을 한정하지 않는다.
일 실시예에 따르면, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 제2 경로(P2)는 제1 접점(510)과 제2 접점(520)이 서로 새롭게 연결되어 형성된 직선 형태의 제1 우회선로(710), 제3 접점(530)과 제4 접점(540)이 서로 새롭게 연결되어 형성된 직선 형태의 제2 우회선로(720), 제5 접점(550)과 제6 접점(560)이 서로 새롭게 연결되어 형성된 직선 형태의 제3 우회선로(730)를 포함할 수 있다(도 2(b)의 화살표 표시 참고). 또한, 제2 경로(P2)는 제2 접점(520)과 제3 접점(530) 사이를 연결하는 선로와, 제4 접점(540)과 제5 접점(550) 사이를 연결하는 선로를 포함할 수 있다. 접점이 직선 형태로 서로 연결되어 형성되는 우회선로(710, 720, 730)는 기존 곡선 형태의 기본선로(610, 620, 630)보다 길이가 짧다. 따라서, 우회선로(710, 720, 730)를 포함하는 제2 경로(P2)는 기본선로(610, 620, 630)를 포함하는 제1 경로(P1)보다 길이가 짧게 된다.
제1 우회부(410)가 가지는 우회선로의 개수 또는 서로 연결된 접점의 개수에 비례해서 제2 경로(P2)가 제1 경로(P1)보다 경로의 길이가 짧게 형성됨으로써, 제1 경로(P1) 대비 제2 경로(P2)의 저항값이 줄어들 수 있다. 제2 경로(P2)의 저항값이 줄어 들면, 제1 우회부(410)를 통과하는 전류는 제2 경로(P2)를 따르게 된다. 그로 인해 제1 우회부(410)에 연결된 제1 플라즈마 안테나(310)로 유입되는 전류가 증가할 수 있다. 전류의 증가로 인해, 제1 플라즈마 안테나(310)가 형성하는 플라즈마 밀도가 증가될 수 있다.
제1 우회부(410)가 가지는 우회선로의 개수 또는 서로 연결된 접점의 개수에 따라 제2 경로(P2)의 길이가 변경될 수 있다. 제1 우회부(410)가 가지는 우회선로의 개수 또는 서로 연결된 접점의 개수가 줄어들어 제2 경로(P2)의 길이가 길어지면, 제2 경로(P2)의 저항값이 증가하므로 전류값이 감소하고, 결과적으로 제1 우회부(410)에 연결된 제1 플라즈마 안테나(310)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도가 감소한다. 또한, 제1 우회부(410)가 가지는 우회선로의 개수 또는 서로 연결된 접점의 개수가 증가하여 제2 경로(P2)의 길이가 짧아지면, 제2 경로(P2)의 저항값이 감소하므로 전류값이 증가하고, 결과적으로 제1 우회부(410)에 연결된 제1 플라즈마 안테나(310)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도가 증가한다.
우회선로(700)가 기본선로보다 짧은 것으로 설명하였으나 이에 제한되는 것은 아니고 역으로 일부 또는 모든 우회선로(700)를 기본선로(600)보다 길게 함으로써 제2 경로(P2)의 길이를 조절할 수 있다.
제2 플라즈마 안테나(320), 제3 플라즈마 안테나(330) 및 제4 플라즈마 안테나(340)와 각각 연결된 제2 우회부(420), 제3 우회부(430) 및 제4 우회부(440) 또한 상술한 원리를 이용하여 제2 플라즈마 안테나(320), 제3 플라즈마 안테나(330) 및 제4 플라즈마 안테나(340)로 유입되는 전류값을 제어하여, 제2 플라즈마 안테나(320), 제3 플라즈마 안테나(330) 및 제4 플라즈마 안테나(340)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도를 개별 제어할 수 있다. 나아가, 각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류값을 개별 제어할 수 있기 때문에 전원 공급부(100)로부터 병렬로 전원을 공급받는 각각의 플라즈마 안테나(300)의 전류값 간의 비율을 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 플라즈마 안테나(310)와 연결된 제1 우회부(410)의 제2 경로(P2)에서는 우회선로를 2 개 포함시키고, 제2 플라즈마 안테나(320)와 연결된 제2 우회부(420)의 제2 경로(P2)에서는 우회선로(700)를 3 개 포함시킴으로써, 제1 플라즈마 안테나(310)의 전류값의 비율은 감소시키고 제2 플라즈마 안테나(320)의 전류값의 비율은 증가시킬 수 있다. 또는 역으로 제1 플라즈마 안테나(310)와 연결된 제1 우회부(410)의 제2 경로(P2)에서는 우회선로를 3 개 포함시키고, 제2 플라즈마 안테나(320)와 연결된 제2 우회부(420)의 제2 경로(P2)에서는 우회선로를 2 개 포함시킴으로써, 제1 플라즈마 안테나(310)의 전류값의 비율은 증가시키고 제2 플라즈마 안테나(320)의 전류값의 비율을 감소시킬 수 있다.
또 다른 예시로서, 제1 우회부(410)에는 제2 경로(P2)를 생성하지 않고 제2 우회부(420)에서는 제2 경로(P2)를 생성하거나, 제1 우회부(410)에는 제2 경로(P2)를 생성하고 제2 우회부(420)에서는 제2 경로(P2)를 생성하지 않음으로써, 각각의 플라즈마 안테나(300)의 전류값의 비율을 조절할 수 있다.
이처럼 각각의 플라즈마 안테나(300)의 전류값 간의 비율은 제2 경로(P2)의 길이가 우회부(400)를 통해 조절됨에 따라서 각각의 플라즈마 안테나(300)의 저항값이 조절되므로 각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류값의 비율을 조절할 수 있다.
플라즈마를 처리하는 환경조건에 따라 각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류값을 각각의 우회부(400)를 이용해 제어함으로써, 각각의 플라즈마 안테나(300)에 의해 형성되는 플라즈마의 밀도를 개별적으로 조절하여 기판 전체가 동일한 처리 속도에 의해 처리되도록 할 수 있다.
다른 일 실시예에서, 제1 우회부(410)의 제2 접점(520)과 제3 접점(530), 그리고 제4 접점(540)과 제5 접점(550)이 동일한 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 우회부(410)가 코일 형상으로 형성될 경우, 도 2(c) 및 도 2(d)에 도시된 바와 같이, 제2 접점(520)과 제3 접점(530), 그리고 제4 접점(540)과 제5 접점(550)이 동일한 위치에 형성될 수 있다. 이러한 구성으로 인해, 제1 경로(P1)는 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 제2 기본선로(620)가 제1 기본선로(610)로부터 연장되고, 제3 기본선로(630)가 제2 기본선로(620)로부터 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제2 경로(P2)는 도 2(d)에 도시된 바와 같이, 제2 우회선로(720)가 제1 우회선로(710)로부터 연장되고, 제3 우회선로(730)가 제2 우회선로(720)로부터 연장되어 형성될 수 있다.
연결된 접점의 개수를 조절하는 방식과 관련하여 이하 제1 우회부(410)를 기준으로 하여 도 3 내지 5를 참조하여 상세히 설명하며, 타 우회부에도 적용될 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따라 우회부(400)의 복수의 접점을 슬라이드 방식으로 연결하는 과정을 나타낸 예시도이다. 일 실시예에 따르면, 우회선로(700)는 슬라이드 방식의 이송수단에 의해 이동 가능하도록 구성되어 우회부(400)에 포함된 각각의 접점이 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 우회선로(700)는 판재 형상으로 형성될 수 있다. 우회선로(700)는 우회부(400)에 포함된 각각의 접점과 체결 가능하도록 체결홀(H)이 형성될 수 있다. 이때, 각 접점들은 도 6에 도시된 우회선로(700)의 체결홀(H)과 체결 가능한 형상으로 형성될 수 있다.
제1 접점(510)과 제2 접점(520)이 우회선로(700)를 통해 연결된다. 이에 따라, 제1 우회선로(710)가 형성되어 제1 경로(P1)와 상이한 제2 경로(P2)가 형성될 수 있다. 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 곡선 형태의 제1 기본선로(610)보다 짧은 길이를 가지는 제1 우회선로(710)가 형성됨으로써, 제1 경로(P1) 대비 제2 경로(P2)의 길이가 줄어들고, 이로 인해, 제2 경로(P2)의 저항값이 줄어들어 우회부(400)를 통과하는 전류는 제2 경로(P2)를 따르게 된다. 따라서, 전원 공급부(100)를 통해 제공되는 전압은 동일함으로, 해당 우회부(400)와 연결된 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값이 증가할 수 있다. 이 때, 제1 경로(P1)와 제2 경로(P2) 간의 차이는 제1 기본선로(610)와 제1 우회선로(710) 간의 차이에 해당하며 나머지 경로는 동일할 수 있다. 즉, 제1 경로(P1)와 제2 경로(P2) 간의 차이는 기본선로와 그에 대응하여 새로 생성된 우회선로 간의 길이 차이에 해당하며, 이러한 원리는 슬라이딩 방식뿐만 아니라 후술하게 되는 승강 방식, 힌지 방식 등 다양한 방식에 적용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 우회선로(700)는 우측 방향(도면에 표시된 화살표 방향)으로 슬라이딩 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 이러한 구성에서, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 제2 접점(520)과 제3 접점(530)이 우회선로(700)를 통해 추가로 연결되어 제2 우회선로(720)가 제1 우회선로(710)로부터 연장되어 형성될 수 있다. 제2 우회선로(720)가 추가적으로 형성되어, 도 3(a)에 도시된 제2 경로(P2)의 길이에 비해 도 3(b)에 도시된 제2 경로(P2)의 길이가 제2 우회선로(720)와 제2 기본선로(620)의 길이 차만큼 짧아질 수 있다. 따라서, 제2 경로(P2)의 저항값이 도 3(a)에 도시된 제2 경로(P2)에 비해, 더 감소하여 해당 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값이 더 증가될 수 있다.
제3 접점(530) 및 제4 접점(540) 또한, 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 우회선로(700)를 통해 연결되어 제3 우회선로(730)가 제2 우회선로(720)로부터 연장되어 추가적으로 형성될 수 있다. 이로 인해, 제2 경로(P2)는 직선 경로로 형성되어 제1 경로(P1) 대비 길이가 현저히 줄어들게 된다. 따라서, 형성된 제2 경로(P2)의 저항값이 현저히 줄어들어 플라즈마 안테나에 흐르는 전류값은 크게 증가할 수 있다.
이처럼 우회선로(700)를 통해 연결된 접점의 개수를 조절하여 각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류값을 세밀하게 제어할 수 있고, 각각의 플라즈마 안테나(300)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도를 제어할 수 있다. 나아가, 우회선로(700)를 간단한 물리적인 형태로 구현함으로써 고전압의 전류를 안정적으로 세밀하게 개별 제어할 수 있다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따라 우회부(400)의 복수의 접점을 승강 방식으로 연결하는 과정을 나타낸 예시도이다. 일 실시예에 따르면, 우회선로(700)는 승강방식의 이송수단(800)에 의해 이동 가능하도록 구성되어 우회부(400)에 포함된 각각의 접점이 연결될 수 있다.
우회선로(700)는 이송수단(800)에 의해 예를 들어, 상하 방향(도면에서 화살표 방향)으로 이동 가능할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 우회선로(710)는 이송수단(800)에 의해 상측 방향으로 이동되어 제1 접점(510) 및 제2 접점(520)에 접하여 제1 접점(510)과 제2 접점(520)을 서로 연결할 수 있다. 제2 우회선로(720) 또한, 이송수단(800)에 의해 하측 방향으로 이동되어 제3 접점(530) 및 제4 접점(540)에 접하여 제3 접점(530)과 제4 접점(540)을 서로 연결할 수 있다.
이송수단(800)을 통해 우회선로(700)를 개별적으로 이동 가능하도록 구성함으로써 원하는 임의의 위치의 접점만을 서로 연결할 수 있고, 우회부(400)를 통해 흐르는 전류가 우회선로(700)를 통해 형성된 제2 경로(P2)를 따라 흐르도록 할 수 있다. 따라서, 각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류값을 보다 세밀히 제어 가능하다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따라 우회부(400)의 복수의 접점을 힌지 방식으로 연결하는 과정을 나타낸 예시도이다. 일 실시예에 따르면, 우회선로(700)는 힌지 방식의 이송수단을 이용하여 이동 가능하도록 구성되어 우회부(400)에 포함된 각각의 접점이 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 우회선로(700)는 회전 가능하도록 구성되어 우회부(400)에 포함된 각각의 접점을 연결할 수 있다. 예를 들어, 우회선로(700)는 힌지 방식으로 우회부(400)와 체결 가능한 판재 형상으로 형성되어, 힌지 방식으로 체결된 부분의 중심점을 기준으로 회전하도록 구성될 수 있다. 이때, 우회선로(700)는 우회부(400)에 포함된 각각의 접점과 체결 가능하도록 도 6에 도시된 바와 같이, 체결홀(H)이 형성될 수 있다. 제1 우회선로(710)는 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 접점(510)과 연결되어 제1 접점(510)을 중심으로 상측 방향으로 회전하여 제1 접점(510)과 제2 접점(520), 제3 접점(530)과 제4 접점(540)을 서로 연결할 수 있고, 제2 경로(P2)를 형성할 수 있다. 또한, 제2 우회선로(720)는 제6 접점(560)과 연결되어 제6 접점(560)을 중심으로 상측 방향으로 회전하여 제5 접점(550)에 접하여 제5 접점(550)과 제6 접점(560)을 서로 연결할 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈에 포함된 제1 플라즈마 안테나(310) 및 제1 플라즈마 안테나(310)와 연결된 주요 구성을 도시한 사시도이다. 일 실시예에 따르면, 제1 플라즈마 안테나(310)는 원형과 유사한 형태로 구성될 수 있고, 제1 플라즈마 안테나(310)의 일측은 전원 공급부(100)와 연결되고, 타측은 제1 접지부(210)와 연결될 수 있다.
제1 우회부(410)는 제1 플라즈마 안테나(310)와 제1 접지부(210) 사이에 개재될 수 있다. 제1 우회부(410)는 도 6에 도시된 바와 같이, 동일 면적에서 최대한의 길이를 확보할 수 있는 코일 형상일 수 있다. 이와 같이 코일 형태를 가질 경우, 우회선로(700)를 이용할 때 선로의 길이를 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.
우회선로(700)는 판재 형상으로 형성될 수 있고, 체결홀(H)이 형성되어 제1 경로(P1), 즉 코일 형상에 위치하는 접점(500)과 체결될 수 있고, 도 6에 도시된 바와 같이, 접점(500)은 복수개를 포함할 수 있다. 이때, 제1 우회부(410)의 각 접점들은 우회선로(700)의 체결홀(H)과 체결되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 각 접점들은 도 6에 도시된 바와 같이, 체결홀(H)을 통해 삽입되는 나사와 체결되도록 내부에 나사산이 형성된 돌기 형상을 가질 수 있다.
우회선로(700)를 이용하여 연결된 접점의 개수를 조정함으로써, 제1 플라즈마 안테나(310)로 유입되는 전류값을 제어할 수 있고, 제1 플라즈마 안테나(310)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도를 제어할 수 있다. 이상에서는 안테나 플라즈마 모듈의 제1 플라즈마 안테나(310) 및 이와 연결된 주요부만을 설명하였으나, 안테나 플라즈마 모듈에 포함된 나머지 플라즈마 안테나들(320, 330, 340)은 제1 플라즈마 안테나(310) 및 이와 연결된 주요부와 동일한 구성을 가질 수 있으며, 각각의 플라즈마 안테나(320, 330, 340)와 연결된 각각의 우회부(420, 430, 440)를 통해 각 플라즈마 안테나(320, 330, 340)의 전류를 제어할 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 우회부(400)를 나타낸 사시도이다. 일 실시예에 따르면, 우회부(400)는 코일 형상으로 형성될 수 있다. 우회부는 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 기본선로가 연장되어 형성되어 4번의 턴(turn) 수를 가지는 나선형의 코일 형상일 수 있다. 이때, 우회부(400)는 제1 경로(P1) 상에 위치하는 복수 개의 접점을 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 접점은 각각의 권선마다 한 개씩 형성되어 동일 선상에 위치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 접점은 도 7에 도시된 바와 같이, 돌기 형상으로 4 개의 접점(510, 520, 530, 540)이 형성될 수 있다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 접점(510)과 제2 접점(520)이 연결된 예를 나타낸 사시도이고, 도 9은 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 접점(510), 제2 접점(520) 및 제3 접점(530)이 연결된 예를 나타낸 사시도이고, 도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 접점(510), 제2 접점(520), 제3 접점(530) 및 제4 접점(540)이 연결된 예를 나타낸 사시도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 우회선로(700)는 판재 형상일 수 있고, 복수의 접점(500)과 체결 가능하도록 복수 개의 체결홀(H)이 형성될 수 있다. 여기서, 체결홀(H)은 복수 개의 접점(500)과 체결되도록 접점의 개수와 동일한 수만큼 형성될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 접점(510), 제2 접점(520), 제3 접점(530) 및 제4 접점(540)이 각각의 체결홀(H)을 통해 삽입되는 나사와 체결되도록 4 개의 체결홀이 형성될 수 있다. 우회부(400)에 형성된 복수의 접점(500)은 우회선로(700)의 체결홀(H)과 체결되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 각각의 접점(500)은 도시된 바와 같이, 각각의 체결홀(H)을 통해 삽입되는 나사와 체결되도록 나사산이 형성된 돌기 형상을 가질 수 있다.
각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류값은 제2 경로(P2)에 포함된 접점의 개수에 따라 제어될 수 있다. 우회선로(700)의 체결홀(H)을 통해 제1 접점(510)과 제2 접점(520)이 연결되어 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 우회선로(710)를 형성돼 제1 경로(P1)와 상이한 제2 경로(P2)가 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 경로(P2)의 길이가 4번 턴(turn)하는 제1 경로(P1)에 비해 1번의 턴(turn)만큼 짧아지게 되어, 우회부로 유입되는 전류는 제2 경로(P2)를 따라 3번만 턴(turn)하여 흐를 수 있다. 따라서, 플라즈마 안테나로 유입되는 전류의 값이 증가할 수 있다.
전류의 값을 더욱 증가시키기 위해 우회선로(700)를 통해 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 접점(520)과 제3 접점(530)을 추가적으로 연결할 수 있다. 우회선로(700)를 통해 제2 접점(520)과 제3 접점(530)이 연결되면 제2 우회선로(720)가 추가적으로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 경로(P1)에 비해 제2 경로(P2)의 길이가 2번의 턴(turn)만큼 짧아지게 되고, 우회부로 유입되는 전류는 제2 경로(P2)를 따라 2번 턴(turn)하여 흐르게 되어 전류의 값이 더욱 증가될 수 있다.
제3 접점(530)과 제4 접점(540) 또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 추가로 연결하여 제3 우회선로(730)를 추가적으로 형성하여 전류의 값을 증가시킬 수 있다. 이때, 전류는 제2 경로(P2)를 따라 1번만 턴(turn)하여 흐르게 되어 도 8 및 도 9의 실시예에 비해, 전류의 값이 더욱더 증가될 수 있다.
이와 같이, 간단한 구조를 이용하여 코일의 턴(turn) 수를 조절하여 각각의 플라즈마 안테나(300)로 유입되는 전류를 제어할 수 있다.
도 11은 본 개시의 다른 실시예에 따른 우회부(400)를 나타낸 예시도이다. 일 실시예에 따르면, 우회부(400)는 복수 개의 코일 형상을 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 우회부(400)는 도 11에 도시된 바와 같이, 2 개의 코일(1110, 1120)이 서로 일정 간격 이격되어 형성될 수 있다. 복수 개의 코일 형상을 서로 이격하여 우회부(400)를 형성함으로써, 보다 많은 수의 코일의 턴(turn) 수를 조절할 수 있다. 따라서, 플라즈마 밀도를 보다 세밀하게 제어할 수 있다.
도 12는 본 개시의 다른 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈의 개략도이다. 일 실시예에 따르면, 우회부(400)는 각각의 플라즈마 안테나(300)와 이와 전기적으로 병렬 연결된 전원 공급부(100)의 사이에 개재될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 플라즈마 안테나(310)와 전원 공급부(100)의 사이에 제1 우회부(410)가 개재될 수 있고, 제2 플라즈마 안테나(320)와 전원 공급부(100)의 사이에 제2 우회부(420)가 개재될 수 있다. 또한, 제3 플라즈마 안테나(330)와 전원 공급부(100)의 사이에 제3 우회부(430)가 개재될 수 있고, 제4 플라즈마 안테나(340)와 전원 공급부(100)의 사이에 제4 우회부(440)가 개재될 수 있다. 도 1 및 도 12에 도시된 바와 같이, 각각의 플라즈마 안테나는 서로 다른 직경을 가지는 원형을 가지고 동일 평면 상에서 배치될 수 있으며, 이와 같은 플라즈마 안테나의 배치는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입에 적합할 수 있다.
도 13은 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 안테나 모듈의 개략도이다. 일 실시예에 따르면, 플라즈마 안테나 모듈은 하나 이상의 플라즈마 안테나(310, 320)가 챔버의 측면에 배치되어 구성될 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 플라즈마 안테나 모듈은 제1 플라즈마 안테나(310) 및 제2 플라즈마 안테나(320)를 포함할 수 있고, 각각의 플라즈마 안테나들(310, 320)은 서로 일정 간격 상하로 이격되어 챔버의 측면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 플라즈마 안테나(310)는 제2 플라즈마 안테나(320)의 상측에 위치할 수 있다. 플라즈마 안테나(310, 320)를 챔버의 측면에 배치함으로써, 기판에 고강도의 플라즈마를 제공할 수 있다. 이와 같은 플라즈마 안테나의 배치는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입에 적합할 수 있다.
도 14는 본 개시의 일 실시예에 따른 플라즈마 안테나의 평면도이다. 각각의 플라즈마 안테나(300)는 기판을 플라즈마로 처리하는 영역인 제1 처리 영역(1410), 제2 처리 영역(1420), 제3 처리 영역(1430), 제4 처리 영역(1440)을 형성할 수 있다. 여기서, 각 처리 영역을 형성하기 위해 제1 플라즈마 안테나(310), 제2 플라즈마 안테나(320), 제3 플라즈마 안테나(330) 및 제4 플라즈마 안테나(340)가 각각의 처리 영역 내에 배치될 수 있다. 각각의 처리 영역은 각각의 플라즈마 안테나(300)가 배치된 위치에 대응되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
일 실시예에 따르면, 제1 처리 영역(1410)은 도 14(a)에 도시된 바와 같이 기판의 내측에 위치할 수 있다. 제2 처리 영역(1420), 제3 처리 영역(1430) 및 제4 처리 영역(1440)은 기판의 외측에 위치할 수 있고, 기판의 외측을 균등 분할할 수 있다. 이때, 각 처리 영역은 서로 일부 겹칠 수 있다.
각각의 플라즈마 안테나(300)와 연결된 각각의 우회부(400)를 통해 각각의 플라즈마 안테나(300)의 전류값을 조절할 수 있고, 전류값에 의해 각각 형성하는 플라즈마의 밀도를 조절할 수 있다. 각각의 플라즈마 안테나(300)가 처리하는 처리 영역은 각각의 플라즈마 안테나(300)의 형상에 따라 달라질 수 있다.
다른 일 실시예에 따르면, 제1 처리 영역(1410)은 도 14(b)에 도시된 바와 같이 제1 플라즈마 안테나(310)에 의해 가장 내측에 위치되어 형성될 수 있고, 제2 처리 영역(1420)은 제2 플라즈마 안테나(320)에 의해 제1 처리 영역(1410)의 외측에 위치되어 형성될 수 있다. 또한, 제3 처리 영역(1430)은 제3 플라즈마 안테나(330)에 의해 제2 처리 영역(1420)의 외측에 형성되고, 제4 처리 영역(1440)은 제4 플라즈마 안테나(340)에 의해 제3 처리 영역(1430)의 외측에 형성될 수 있다. 이때, 각 처리 영역은 서로 일부 겹칠 수 있다. 각각의 플라즈마 안테나(300)가 형성하는 형상에 따라 기판에 처리되는 처리 영역이 다양한 패턴으로 형성될 수 있고, 플라즈마 밀도 또한, 다양한 패턴으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 각각의 플라즈마 안테나(300)에 연결된 우회부(400)에서 연결된 접점의 개수, 연결된 접점의 개수에 따라 해당 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값, 연결된 접점의 개수에 따라 각각의 플라즈마 안테나(300)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도 및 기판의 처리 상태를 서로 대응시켜 이에 관한 정보를 기록매체에 저장할 수 있다. 제어부는 기록매체에 저장된 데이터에 기초하여 기판의 변경, 외부 환경의 변화 등 필요에 따라 각각의 우회부(400)에서 연결된 접점의 개수를 이송수단을 이용하여 개별 조절함으로써, 각각의 플라즈마 안테나(300)에 의해 형성되는 플라즈마 밀도를 개별 제어하여 기판 전체의 처리 상태를 세밀하게 제어할 수 있다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시 예는 예시의 목적으로 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 상기의 특허청구 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서, 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로, 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.
100: 전원 공급부
200: 접지부
300: 플라즈마 안테나
400: 우회부
500: 접점
600: 기본선로
610: 제1 기본선로
620: 제2 기본선로
630: 제3 기본선로
700: 우회선로
710: 제1 우회선로
720: 제2 우회선로
730: 제3 우회선로
800: 이송수단
1110, 1120: 코일
1410: 제1 처리 영역
1420: 제2 처리 영역
1430: 제3 처리 영역
1440: 제4 처리 영역
P1: 제1 경로
P2: 제2 경로
H: 체결홀

Claims (21)

  1. 플라즈마 안테나 모듈로서,
    플라즈마 안테나;
    상기 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 접지부;
    상기 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 공급하는 전원 공급부;
    및
    상기 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 플라즈마 안테나와 상기 접지부의 사이에 개재된 우회부
    를 포함하고,
    상기 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 서로 연결된 복수의 접점을 포함하고,
    상기 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 추가로 서로 연결되는 경우, 상기 제1 경로와 상이한 제2 경로가 형성되고,
    상기 제2 경로에 포함된 접점의 개수에 따라 상기 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값이 제어되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  2. 플라즈마 안테나 모듈로서,
    제1 플라즈마 안테나;
    상기 제1 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 접지부;
    상기 제1 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 공급하는 전원 공급부; 및
    상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 접지부의 사이에 개재된 우회부
    를 포함하고,
    상기 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 서로 연결된 복수의 접점을 포함하고,
    상기 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 추가로 서로 연결되는 경우, 상기 제1 경로보다 짧은 길이를 가지는 제2 경로가 형성되어, 상기 제1 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값이 제어되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 안테나에 이격되어 위치하는 제2 플라즈마 안테나
    를 더 포함하고,
    상기 전원 공급부는 상기 제1 플라즈마 안테나 및 상기 제2 플라즈마 안테나로 전원을 병렬로 공급하고,
    상기 제1 플라즈마 안테나의 상기 제2 경로에 의해, 상기 제1 플라즈마 안테나의 전류값과 상기 제2 플라즈마 안테나의 전류값 간의 비율이 조절되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  4. 플라즈마 안테나 모듈로서,
    제1 플라즈마 안테나;
    상기 제1 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 제1 접지부;
    상기 제1 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 공급하는 전원 공급부; 및
    상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 제1 접지부의 사이에 개재된 제1 우회부
    를 포함하고,
    상기 제1 우회부는,
    제1 경로 상에 위치하는 제1 접점;
    상기 제1 접점과 이격되어, 상기 제1 경로 상에 위치하는 제2 접점;
    상기 제1 접점과 상기 제2 접점을 서로 연결하여 형성되며, 상기 제1 경로에 포함되는 제1 기본선로; 및
    상기 제1 접점과 상기 제2 접점을 추가로 서로 연결하여 형성되며, 상기 제1 경로와 상이한 제2 경로에 포함되는 제1 우회선로
    를 포함하고,
    상기 제1 우회선로는 제1 기본선로 보다 짧은 길이를 가져서, 상기 제1 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값이 제어되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 우회부는,
    상기 제1 경로 상에 위치하는 제3 접점;
    상기 제3 접점과 이격되어, 상기 제1 경로 상에 위치하는 제4 접점;
    상기 제3 접점과 상기 제4 접점을 서로 연결하여 형성되며, 상기 제1 경로에 포함되는 제2 기본선로; 및
    상기 제3 접점과 상기 제4 접점을 서로 연결하여 형성되며, 상기 제2 경로에 포함되는 제2 우회선로
    를 더 포함하고,
    상기 제2 우회선로는 상기 제2 기본선로보다 짧은 길이를 가지는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 접점과 상기 제3 접점은 동일한 위치에 형성되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 우회선로는 상기 제1 우회선로로부터 연장되고,
    상기 제1 우회선로 및 상기 제2 우회선로는 판재 형상으로 형성되고,
    상기 제1 우회선로 및 상기 제2 우회선로에는 상기 제1 접점, 상기 제2 접점, 상기 제3 접점 및 상기 제4 접점과 체결 가능한 체결홀이 형성되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 기본선로는 상기 제1 기본선로로부터 연장되고,
    상기 제1 기본선로 및 상기 제2 기본선로는 코일 형상으로 형성되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  9. 청구항 5 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 우회부는, 상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 제1 접지부의 사이에 개재되고, 서로 이격되어 복수 개가 형성되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  10. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 안테나에 이격되어 위치하는 제2 플라즈마 안테나;
    상기 제2 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 제2 접지부; 및
    상기 제2 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제2 플라즈마 안테나와 상기 제2 접지부 사이에 개재된 제2 우회부
    를 더 포함하고,
    상기 전원 공급부는 상기 제1 플라즈마 안테나의 타측 및 상기 제2 플라즈마 안테나의 타측으로 전원을 병렬로 공급하고,
    상기 제2 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 복수의 접점을 포함하며, 상기 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 연결되는 경우 상기 제1 경로보다 짧은 길이를 가지는 제2 경로가 형성되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 안테나는 상기 제2 플라즈마 안테나의 내측에 위치하는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 안테나는 상기 제2 플라즈마 안테나의 상측에 위치하는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  13. 청구항 10에 있어서,
    제3 플라즈마 안테나;
    상기 제3 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 제3 접지부;
    상기 제3 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제3 플라즈마 안테나와 상기 제3 접지부 사이에 개재된 제3 우회부;
    제4 플라즈마 안테나;
    상기 제4 플라즈마 안테나의 일측에 전기적으로 연결된 제4 접지부;
    상기 제4 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제4 플라즈마 안테나와 상기 제4 접지부 사이에 개재된 제4 우회부
    를 더 포함하고,
    상기 제1 플라즈마 안테나, 상기 제2 플라즈마 안테나, 상기 제3 플라즈마 안테나 및 상기 제4 플라즈마 안테나는 서로 이격되어 위치하고,
    상기 전원 공급부는 상기 제1 플라즈마 안테나의 타측, 상기 제2 플라즈마 안테나의 타측, 상기 제3 플라즈마 안테나의 타측 및 상기 제4 플라즈마 안테나의 타측에 전원을 병렬로 공급하고,
    상기 제3 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 복수의 접점을 포함하며, 상기 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 연결되는 경우 상기 제1 경로보다 짧은 길이를 가지는 제2 경로가 형성되고,
    상기 제4 우회부는 제1 경로 상에 위치하는 복수의 접점을 포함하며, 상기 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점이 연결되는 경우 상기 제1 경로보다 짧은 길이를 가지는 제2 경로가 형성되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 안테나는 상기 제2 플라즈마 안테나, 상기 제3 플라즈마 안테나 및 상기 제4 플라즈마 안테나의 내측에 위치하고,
    상기 제2 플라즈마 안테나, 상기 제3 플라즈마 안테나 및 상기 제4 플라즈마 안테나는 플라즈마 처리 영역이 균등 분할되도록 배치되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제1 우회부, 상기 제2 우회부, 상기 제3 우회부 및 상기 제4 우회부가 각각 형성한 제2 경로의 개수의 조합에 의해,
    상기 제1 플라즈마 안테나, 상기 제2 플라즈마 안테나, 상기 제3 플라즈마 안테나 및 상기 제4 플라즈마 안테나의 각 전류값이 조절되고,
    상기 제1 플라즈마 안테나, 상기 제2 플라즈마 안테나, 상기 제3 플라즈마 안테나 및 상기 제4 플라즈마 안테나가 각각 형성하는 플라즈마의 밀도가 조절되는,
    플라즈마 안테나 모듈.
  16. 플라즈마 안테나 모듈로서,
    복수의 플라즈마 안테나;
    복수의 플라즈마 안테나에 각각 연결되고, 서로 연결된 복수의 접점을 포함하는 복수의 우회부;
    각 우회부에 포함된 복수의 접점 중 2 개 이상의 접점을 선택적으로 추가로 서로 연결하기 위한 이송수단;
    상기 연결된 접점의 개수에 따라 각 플라즈마 안테나로 유입되는 전류값이 제어되어 각 플라즈마 안테나가 형성하는 플라즈마 밀도와 연관된 정보가 기록된 기록매체; 및
    상기 기록매체에 기록된 정보에 따라, 각 우회부의 연결된 접점의 개수를 조절하기 위해 상기 이송수단을 제어하는 제어부
    를 포함하는, 플라즈마 안테나 모듈.
  17. 플라즈마 밀도가 조절되는 플라즈마 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치로서,
    제1 플라즈마 안테나의 일측에 전원을 공급하는 전원 공급부;
    상기 제1 플라즈마 안테나의 타측에 전기적으로 연결된 제1 접지부; 및
    상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제1 플라즈마 안테나와 상기 제1 접지부의 사이에 전기적으로 연결되는 제1 우회부
    를 포함하고,
    상기 제1 우회부는,
    제1 경로를 형성하는 기본선로;
    상기 제1 경로 상에 서로 이격되어 위치하고 서로 연결된 복수 개의 접점; 및
    상기 복수 개의 접점에 체결되기 위한 체결홀이 형성되는 우회선로
    를 포함하고,
    상기 체결홀에 상기 복수 개의 접점을 선택적으로 체결함으로써, 상기 제1 경로보다 짧은 길이를 가지는 제2 경로가 형성되는,
    플라즈마 처리 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 기본선로는 코일 형상으로 형성되는, 플라즈마 처리 장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 제1 우회부는 서로 이격된 복수 개로 형성되는, 플라즈마 처리 장치.
  20. 플라즈마 밀도가 조절되는 플라즈마 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치로서,
    서로 이격되어 위치하는 제1 내지 제4 플라즈마 안테나 각각의 일측에 병렬로 전원을 공급하는 전원 공급부;
    상기 제1 내지 제4 플라즈마 안테나 각각의 타측에 전기적으로 연결된 제1 접지부; 및
    상기 제1 내지 제4 플라즈마 안테나 각각과 상기 전원 공급부의 사이 또는 상기 제1 내지 제4 플라즈마 안테나 각각과 상기 제1 접지부의 사이에 전기적으로 연결되는 복수 개의 우회부
    를 포함하고,
    상기 복수 개의 우회부 각각은,
    제1 경로를 형성하는 기본선로;
    상기 제1 경로 상에 서로 이격되어 위치하고 서로 연결된 복수 개의 접점; 및
    상기 복수 개의 접점에 체결되기 위한 체결홀이 형성되는 우회선로
    를 포함하고,
    상기 체결홀에 상기 복수 개의 접점을 선택적으로 체결함으로써, 상기 제1 경로보다 짧은 길이를 가지는 제2 경로가 형성되고,
    상기 제1 플라즈마 안테나는 상기 제2 내지 제4 플라즈마 안테나의 내측에 위치하고,
    상기 제2 내지 제4 플라즈마 안테나는 플라즈마 처리 영역이 균등 분할되도록 배치되는,
    플라즈마 처리 장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 복수 개의 우회부 각각이 형성한 제2 경로의 개수의 조합에 의해, 상기 제1 내지 제4 플라즈마 안테나의 각 전류값이 조절되고, 상기 제1 내지 제4 플라즈마 안테나가 각각 형성하는 플라즈마의 밀도가 조절되는,
    플라즈마 처리 장치.
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