CN111952142A - 等离子体天线模组及等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及等离子体天线模组及等离子体处理装置。本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：等离子体天线；接地部，电连接于等离子体天线的一侧；电源供应部，向等离子体天线的另一侧供应电源；以及迂回部，介于等离子体天线和电源供应部之间或者等离子体天线和接地部之间。迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点。在多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下，迂回部形成与第一路径不同的第二路径。迂回部根据包括在第二路径中的接点的数量，控制向等离子体天线流入的电流值。

Description

等离子体天线模组及等离子体处理装置

技术领域

本公开涉及一种等离子体天线模组，更详细地涉及一种用于单独控制向各个等离子体天线流入的电流的等离子体天线模组。

背景技术

等离子体处理装置大体上有感应耦合等离子体源(Inductively Coupled PlasmaSource，ICP)型和电容耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma Source，CCP)型，也在使用能够制造更高的等离子体密度的新的等离子体源型即线圈波等离子体和ECR(电子回旋共振等离子体，Electron cyclotron resonance plasma)等离子体源型等。

等离子体处理装置可以通过供应到等离子体天线的电源而将工艺气体形成为等离子体，能够利用所形成的等离子体来处理基板(例如，蚀刻、蒸镀等)。在此情况下，等离子体的密度可以成为决定基板的处理速度的重要要素中一个。

但是，根据处理等离子体的环境条件，等离子体的密度发生变化，因此存在并不是基板整体以相同的速度被处理而处理速度局部性不同的问题，例如可能发生基板一部分以快的速度被处理而另一部分以慢的速度被处理的问题。进而，在被供应向等离子体天线供应的高电压的电源的情况下，存在应稳定地控制向等离子体天线流入的电流的必要性。

发明内容

本说明书中公开的实施例提供一种通过单独控制向各个等离子体天线流入的电流而能够局部性调节等离子体密度的等离子体天线模组。

本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：等离子体天线；接地部，电连接于等离子体天线的一侧；电源供应部，向等离子体天线的另一侧供应电源；以及迂回部，介于等离子体天线和电源供应部之间或者等离子体天线和接地部之间。迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点。在多个接点中2个以上的附加地彼此接点连接的情况下，迂回部形成与第一路径不同的第二路径。迂回部根据包括在第二路径中的接点的数量，控制向等离子体天线流入的电流值。

本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：第一等离子体天线；接地部，电连接于第一等离子体天线的一侧；电源供应部，向第一等离子体天线的另一侧供应电源；以及迂回部，介于第一等离子体天线和电源供应部之间或者第一等离子体天线和接地部之间。迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点。在多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下，迂回部形成具有比第一路径短的长度的第二路径来控制向第一等离子体天线流入的电流值。

本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：第一等离子体天线；第一接地部，电连接于第一等离子体天线的一侧；电源供应部，向第一等离子体天线的另一侧供应电源；以及第一迂回部，介于第一等离子体天线和电源供应部之间或者第一等离子体天线和第一接地部之间。第一迂回部包括：第一接点，位于第一路径上；第二接点，与第一接点隔开而位于第一路径上；第一基本电路，通过第一接点和第二接点彼此连接来形成，并包括在第一路径中；以及第一迂回电路，将第一接点和第二接点附加地彼此连接来形成，并包括在与第一路径不同的第二路径中。第一迂回电路具有比第一基本电路短的长度，从而控制向第一等离子体天线流入的电流值。

本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：多个等离子体天线；多个迂回部，分别连接于多个等离子体天线，并包括彼此连接的多个接点；移送单元，用于将包括在各迂回部中的多个接点中2个以上的接点选择性附加地彼此连接；存储介质，存储有与根据连接的接点的数量控制向各等离子体天线流入的电流值而由各等离子体天线形成的等离子体密度相关的信息；以及控制部，为了根据存储于存储介质的信息来调节各迂回部的连接的接点的数量，控制移送单元。

本公开的一实施例的等离子体处理装置具备被调节等离子体密度的等离子体天线，其中，等离子体处理装置包括：电源供应部，向第一等离子体天线的一侧供应电源；第一接地部，电连接于第一等离子体天线的另一侧；以及第一迂回部，介于第一等离子体天线和电源供应部之间或者第一等离子体天线和第一接地部之间，第一迂回部包括：基本电路，形成第一路径；多个接点，在第一路径上彼此隔开设置且彼此连接；以及迂回电路，形成有用于紧固于多个接点的紧固孔，通过在紧固孔中选择性地紧固多个接点，第一迂回部形成具有比第一路径短的长度的第二路径。

本公开的一实施例的等离子体处理装置具备被调节等离子体密度的等离子体天线，其中，等离子体处理装置包括：电源供应部，向彼此隔开设置的第一等离子体天线、第二等离子体天线、第三等离子体天线以及第四等离子体天线各自的一侧并列供应电源；第一接地部，电连接于第一等离子体天线、第二等离子体天线、第三等离子体天线以及第四等离子体天线各自的另一侧；以及多个迂回部，电连接于第一等离子体天线、第二等离子体天线、第三等离子体天线以及第四等离子体天线各自和电源供应部之间或者第一等离子体天线、第二等离子体天线、第三等离子体天线以及第四等离子体天线各自和第一接地部之间，多个迂回部各自包括：基本电路，形成第一路径；多个接点，在第一路径上彼此隔开设置且彼此连接；以及迂回电路，形成用于紧固于多个接点的紧固孔，通过在紧固孔中选择性地紧固多个接点，多个迂回部各自形成具有比第一路径短的长度的第二路径，第一等离子体天线位于第二等离子体天线、第三等离子体天线以及第四等离子体天线的内侧，第二等离子体天线、第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线布置成均等分割等离子体处理区域。

根据本公开的各种实施例，通过精密地单独控制向各个等离子体天线流入的电流值，能够单独地调节通过各个等离子体天线形成的等离子体的密度。

根据本公开的各种实施例，通过单独调节通过各个等离子体天线形成的等离子体密度，能够局部性控制腔室内部的等离子体密度，由此能够均匀地处理基板整体。

根据本公开的各种实施例，通过调节向各等离子体天线流入的电流值间的比例，能够局部性控制腔室内部的等离子体密度，由此能够均匀地处理基板整体。

根据本公开的各种实施例，由于可以选择迂回部所具有的多个接点中希望的接点来彼此连接，能够精密地单独控制向各个等离子体天线流入的电流值。

根据本公开的各种实施例，由于可以容易地调节在线圈形态的迂回部中电流流动的转数，能够精密地单独控制向各个等离子体天线流入的电流值。

根据本公开的各种实施例，通过在迂回部以简单的物理形态实现迂回电路，能够稳定且精密地单独控制高电压的电流。

根据本公开的各种实施例，通过在迂回部物理实现迂回电路，在被供应高电压的电源的情况下也能够稳定地控制向等离子体天线流入的电流。

本公开的效果不限于以上提及的效果，本领域技术人员可以从权利要求书的记载清楚地理解未提及的其它效果。

附图说明

本公开的实施例将参照以下说明的附图而进行说明，在此，类似的附图标记表示类似的要件，但不限于此。

图1是根据本公开的一实施例设置于腔室的等离子体天线模组的概要图。

图2是示出根据本公开的一实施例在迂回部形成的第一路径以及第二路径的例示图。

图3是示出根据本公开的一实施例以滑动方式连接迂回部的多个接点的过程的例示图。

图4是示出根据本公开的一实施例以升降方式连接迂回部的多个接点的过程的例示图。

图5是示出根据本公开的一实施例以铰链方式连接迂回部的多个接点的过程的例示图。

图6是示出与本公开的一实施例的等离子体天线模组所具备的第一等离子体天线以及第一等离子体天线连接的主要构件的立体图。

图7是示出本公开的一实施例的迂回部的立体图。

图8是示出本公开的一实施例的第一接点和第二接点连接的例子的立体图。

图9是示出本公开的一实施例的第一接点、第二接点和第三接点连接的例子的立体图。

图10是示出本公开的一实施例的第一接点、第二接点、第三接点和第四接点连接的例子的立体图。

图11是示出本公开的另一实施例的迂回部的例示图。

图12是本公开的另一实施例的等离子体天线模组的概要图。

图13是本公开的又另一实施例的等离子体天线模组的概要图。

图14是本公开的一实施例的等离子体天线的俯视图。

(附图标记说明)

100：电源供应部；200：接地部；300：等离子体天线；400：迂回部；500：接点；600：基本电路；610：第一基本电路；620：第二基本电路；630：第三基本电路；700：迂回电路；710：第一迂回电路；720：第二迂回电路；730：第三迂回电路；800：移送单元；1110、1120：线圈；1410：第一处理区域；1420：第二处理区域；1430：第三处理区域；1440：第四处理区域；P1：第一路径；P2：第二路径；H：紧固孔。

具体实施方式

以下，参照附图来详细说明用于实施本公开的具体内容。但是，在以下的说明中，当可能会没必要地混淆本公开的主旨时，将会省略对众所周知的功能或构成的具体说明。

在详述本公开的实施例之前，可以是，图的上边指称为其图中示出的构成的“上方”或者“上侧”，其下边指称为“下方”或者“下侧”。另外，图中示出的构成的除上方和下方之间或者上方和下方以外的剩余部分可以指称为“侧方”或者“侧面”。

在本公开整体中，可以是，图的左边指称为其图中示出的构成的“左”或者“左侧”，其右边指称为“右”或者“右侧”。

在本公开整体中，当某部分与其它部分“连接”时，其不仅包括“直接连接”的情况，还包括在其中间介有其它构成要件而“电连接”的情况。

在附图中，在相同或对应的构成要件中标注有相同的附图标记。另外，在以下的实施例说明中，可能会省略重复叙述相同或对应的构成要件。但是，即使省略了针对构成要件的叙述，并不意味为其构成要件不包括在某实施例中。这种“上方”、“上侧”等之类相对性用语可以为了说明图中示出的构成间的关系而使用，本公开不限于其用语。

下面，参照附图来详细说明本申请的实施例，以使得本申请所属技术领域中具有通常知识的人员能够容易地实施。但是，本申请可以以各种不同的形式实施，不限于在此说明的实施例。

图1是根据本公开的一实施例设置于腔室的等离子体天线模组的概要图。等离子体天线模组可以包括电源供应部100、接地部200、等离子体天线300以及迂回部400。

如图1所示，等离子体天线300可以布置于腔室的上方而向布置于腔室内部的基板提供均匀的等离子体密度。等离子体天线300可以包括第一等离子体天线310、第二等离子体天线320、第三等离子体天线330以及第四等离子体天线340。等离子体天线300可以彼此隔开一定间隔而布置于腔室的上方。

根据一实施例，第一等离子体天线310可以与第二等离子体天线320隔开而位于第二等离子体天线320的内侧。另外，第二等离子体天线320可以与第三等离子体天线330隔开而位于第三等离子体天线330的内侧，第三等离子体天线330可以与第四等离子体天线340隔开而位于第四等离子体天线340的内侧。在此，各个等离子体天线300可以是位于相同平面上的直径彼此不同的圆形形式。

等离子体天线300的数量和布置不限于图1。等离子体天线300可以根据等离子体源类型而设置于腔室的内部、外部、上方或者侧面，并可以调整等离子体天线300间的布置间隔。另外，各个等离子体天线300可以布置于相同平面上，或者可以布置于彼此不同平面上。

在等离子体天线300的一侧可以电连接接地部200，在另一侧可以连接用于向等离子体天线300供应电源的电源供应部100。

根据一实施例，在第一等离子体天线310的一侧可以电连接第一接地部210，在第二等离子体天线320的一侧可以电连接第二接地部220。另外，在第三等离子体天线330的一侧可以电连接第三接地部230，在第四等离子体天线340的一侧可以电连接第四接地部240。此时，各个等离子体天线300可以从电源供应部100接收并列供应电源。如图1所示，电源供应部100可以向第一等离子体天线310的另一侧、第二等离子体天线320的另一侧、第三等离子体天线330的另一侧以及第四等离子体天线340的另一侧并列供应电源。

迂回部400可以介于各个等离子体天线300和电源供应部100之间或者各个等离子体天线300和接地部200之间。迂回部400可以包括第一迂回部410、第二迂回部420、第三迂回部430以及第四迂回部440。

根据一实施例，如图1所示，迂回部400可以介于各个等离子体天线300和与其电连接的各个接地部200之间。例如，第一迂回部410可以介于第一等离子体天线310和第一接地部210之间，第二迂回部420可以介于第二等离子体天线320和第二接地部220之间。另外，第三迂回部430可以介于第三等离子体天线330和第三接地部230之间，第四迂回部440可以介于第四等离子体天线340和第四接地部240之间。

根据又另一实施例，迂回部400可以介于各个等离子体天线300和与其并列电连接的电源供应部100之间。例如，第一迂回部410可以介于第一等离子体天线310和电源供应部100之间，第二迂回部420可以介于第二等离子体天线320和电源供应部100之间。另外，第三迂回部430可以介于第三等离子体天线330和电源供应部100之间，第四迂回部440可以介于第四等离子体天线340和电源供应部100之间。

针对迂回部400控制向各个等离子体天线300流入的电流来控制腔室内部的等离子体密度的过程，在下面更详细说明。

图2是示出根据本公开的一实施例在迂回部400形成的第一路径P1以及第二路径P2的例示图。第一路径P1以及第二路径P2意指电流的物理路径，相当于彼此不同长度的路径。将在迂回部400中形成第一路径P1以及第二路径P2的原理以第一迂回部410为基准进行说明的话如下，该原理不仅适用于第一迂回部410，还可以适用于其它迂回部。

第一迂回部410可以包括彼此隔开的多个接点500，多个接点500可以位于第一路径P1上。根据一实施例，如图2的(a)所示，第一迂回部410可以包括第一接点510、第二接点520、第三接点530、第四接点540、第五接点550以及第六接点560。

当各个接点没有彼此连接时，通过迂回部400流动的电流沿着第一路径P1。在多个接点中2个以上的接点连接的情况下，形成与第一路径P1不同的第二路径P2，通过迂回部400流动的电流沿着第二路径P2。根据包括在第二路径P2中的接点500的数量，即彼此连接的接点500的数量，可以调节第二路径P2的长度。例如，包括在第二路径P2中的接点500的数量越增加，第二路径P2的长度可以越缩减。根据在第一迂回部410中彼此连接的接点的数量，控制第二路径P2的长度，从而控制向连接于第一迂回部410的第一等离子体天线310流入的电流值而能够调节通过第一等离子体天线310形成的等离子体密度。

根据一实施例，如图2的(a)所示，第一路径P1可以包括曲线形态的基本电路，即第一基本电路610、第二基本电路620以及第三基本电路630(参考图2的(a)的箭头所示)。另外，第一路径P1可以包括连接第二接点520和第三接点530之间的电路以及连接第四接点540和第五接点550之间的电路。曲线形态和直线形态只不过是用于比较电路的曲线形态的长度比直线形态的长度长的物理长度的例示，这些形态并不限定本发明。

根据一实施例，如图2(b)所示，第二路径P2可以包括第一接点510和第二接点520彼此新连接而形成的直线形态的第一迂回电路710、第三接点530和第四接点540彼此新连接而形成的直线形态的第二迂回电路720、第五接点550和第六接点560彼此新连接而形成的直线形态的第三迂回电路730(参考图2(b)的箭头所示)。另外，第二路径P2可以包括连接第二接点520和第三接点530之间的电路以及连接第四接点540和第五接点550之间的电路。接点以直线形态彼此连接而形成的迂回电路710、720、730的长度比现有曲线形态的基本电路610、620、630的长度短。因此，具备迂回电路710、720、730的第二路径P2的长度比具备基本电路610、620、630的第一路径P1的长度短。

与第一迂回部410所具有的迂回电路的数量或者彼此连接的接点的数量成比例地，第二路径P2形成为路径的长度比第一路径P1的路径的长度短，从而第二路径P2能够相比于第一路径P1缩减电阻值。若缩减第二路径P2的电阻值，则经过第一迂回部410的电流沿着第二路径P2。由此，向连接于第一迂回部410的第一等离子体天线310流入的电流能够增加。因电流的增加，由第一等离子体天线310形成的等离子体密度能够增加。

根据第一迂回部410所具有的迂回电路的数量或者彼此连接的接点的数量，可以变更第二路径P2的长度。若第一迂回部410所具有的迂回电路的数量或者彼此连接的接点的数量缩减而第二路径P2的长度变长，则由于第二路径P2的电阻值增加而电流值减少，其结果，通过连接于第一迂回部410的第一等离子体天线310形成的等离子体密度减少。另外，若第一迂回部410所具有的迂回电路的数量或者彼此连接的接点的数量增加而第二路径P2的长度变短，则由于第二路径P2的电阻值减少而电流值增加，其结果，通过连接于第一迂回部410的第一等离子体天线310形成的等离子体密度增加。

虽然说明为迂回电路700比基本电路短，但不限于此，相反地，可以通过使一部分或者全部迂回电路700比基本电路600长来调节第二路径P2的长度。

可以利用与第二等离子体天线320、第三等离子体天线330以及第四等离子体天线340分别连接的第二迂回部420、第三迂回部430以及第四迂回部440以及上述的原理而控制向第二等离子体天线320、第三等离子体天线330以及第四等离子体天线340流入的电流值，单独控制通过第二等离子体天线320、第三等离子体天线330以及第四等离子体天线340形成的等离子体密度。进而，由于能够单独控制向各个等离子体天线300流入的电流值，能够调节从电源供应部100接收并列供应电源的各个等离子体天线300的电流值间的比例。

例如，在与第一等离子体天线310连接的第一迂回部410的第二路径P2中包括2个迂回电路，在与第二等离子体天线320连接的第二迂回部420的第二路径P2中包括3个迂回电路700，从而能够使第一等离子体天线310的电流值的比例减少并使第二等离子体天线320的电流值的比例增加。或者，相反地，在与第一等离子体天线310连接的第一迂回部410的第二路径P2中包括3个迂回电路，在与第二等离子体天线320连接的第二迂回部420的第二路径P2中包括2个迂回电路，从而能够使第一等离子体天线310的电流值的比例增加并使第二等离子体天线320的电流值的比例减少。

作为又另一例示，在第一迂回部410中不生成第二路径P2而在第二迂回部420中生成第二路径P2，或者在第一迂回部410中生成第二路径P2而在第二迂回部420中不生成第二路径P2，从而能够调节各个等离子体天线300的电流值的比例。

如此，各个等离子体天线300的电流值间的比例，随着通过迂回部400调节第二路径P2的长度，各个等离子体天线300的电阻值被调节，因此能够调节向各个等离子体天线300流入的电流值的比例。

根据处理等离子体的环境条件，利用各个迂回部400来控制向各个等离子体天线300流入的电流值，从而单独地调节通过各个等离子体天线300形成的等离子体的密度而能够使得基板整体以相同的处理速度被处理。

在另一实施例中，第一迂回部410的第二接点520和第三接点530，以及第四接点540和第五接点550可以形成于相同的位置。例如，在第一迂回部410以线圈形状形成的情况下，如图2的(c)以及图2的(d)所示，第二接点520和第三接点530，以及第四接点540和第五接点550可以形成于相同的位置。由于是这种结构，如图2的(c)所示，第一路径P1可以形成为第二基本电路620从第一基本电路610延伸，第三基本电路630从第二基本电路620延伸。另外，如图2的(d)所示，第二路径P2可以形成为第二迂回电路720从第一迂回电路710延伸，第三迂回电路730从第二迂回电路720延伸。

关于调节被连接的接点数量的方式，下面以第一迂回部410为基准并参照图3至5来详细说明，也可以适用于其它迂回部。

图3是示出根据本公开的一实施例以滑动方式连接迂回部400的多个接点的过程的例示图。根据一实施例，迂回电路700构成为通过滑动方式的移送单元能够移动而与包括在迂回部400中的各个接点连接。

根据一实施例，迂回电路700可以形成为板材形状。迂回电路700可以形成有紧固孔H以与包括在迂回部400中的各个接点紧固。此时，各接点可以形成为能够与图6中示出的迂回电路700的紧固孔H紧固的形状。

第一接点510和第二接点520通过迂回电路700连接。由此，形成第一迂回电路710而能够形成与第一路径P1不同的第二路径P2。如图3的(a)所示，形成具有比曲线形态的第一基本电路610短的长度的第一迂回电路710，从而第二路径P2的长度相比于第一路径P1缩减，由此，第二路径P2的电阻值缩减而经过迂回部400的电流沿着第二路径P2。因此，由于通过电源供应部100提供的电压相同，能够增加向与相应迂回部400连接的等离子体天线流入的电流值。此时，可以是，第一路径P1与第二路径P2间的差异相当于第一基本电路610与第一迂回电路710间的差异而剩余路径相同。即，第一路径P1与第二路径P2间的差异相当于基本电路与对应于其而新生成的迂回电路间的长度差异，这种原理不仅可以适用于滑动方式，还可以适用于后述的升降方式、铰链方式等各种方式。

根据一实施例，迂回电路700可以构成为能够向右侧方向(图中示出的箭头方向)滑移。在这种结构中，如图3的(b)所示，第二接点520和第三接点530通过迂回电路700附加连接而能够从第一迂回电路710延伸形成第二迂回电路720。通过附加形成第二迂回电路720，相比于图3的(a)中示出的第二路径P2的长度，图3的(b)中示出的第二路径P2的长度能够缩短第二迂回电路720与第二基本电路620的长度差量。因此，第二路径P2的电阻值比图3的(a)中示出的第二路径P2进一步减少而能够进一步增加向相应等离子体天线流入的电流值。

如图3的(c)所示，第三接点530和第四接点540还通过迂回电路700连接，能够从第二迂回电路720延伸而附加形成第三迂回电路730。由此，第二路径P2以直线路径形成而长度相比于第一路径P1显著缩减。因此，所形成的第二路径P2的电阻值显著缩减而在等离子体天线中流动的电流值能够大幅增加。

如此，调节通过迂回电路700连接的接点的数量而能够精密地控制向各个等离子体天线300流入的电流值，能够控制通过各个等离子体天线300形成的等离子体密度。进而，通过将迂回电路700以简单的物理形态实现，能够稳定且精密地单独控制高电压的电流。

图4是示出根据公开的一实施例以升降方式连接迂回部400的多个接点的过程的例示图。根据一实施例，迂回电路700通过升降方式的移送单元800构成为能够移动而能够连接包括在迂回部400中的各个接点。

迂回电路700通过移送单元800例如能够向上下方向(图中箭头方向)移动。如图4所示，第一迂回电路710通过移送单元800向上侧方向移动而接触于第一接点510以及第二接点520，从而能够将第一接点510和第二接点520彼此连接。第二迂回电路720还通过移送单元800向下侧方向移动而接触于第三接点530以及第四接点540，从而能够将第三接点530和第四接点540彼此连接。

构成为通过移送单元800能够单独移动迂回电路700，从而能够仅将希望的任意位置的接点彼此连接，能够使得经迂回部400流动的电流沿通过迂回电路700形成的第二路径P2流动。因此，能够更精密地控制向各个等离子体天线300流入的电流值。

图5是示出根据本公开的一实施例以铰链方式连接迂回部400的多个接点的过程的例示图。根据一实施例，迂回电路700构成为利用铰链方式的移送单元而能够移动，从而能够连接包括在迂回部400中的各个接点。

根据一实施例，迂回电路700构成为能够旋转而能够连接包括在迂回部400中的各个接点。例如，迂回电路700可以形成为能够以铰链方式与迂回部400紧固的板材形状，并构成为能够将以铰链方式紧固部分的中心点作为基准进行旋转。此时，迂回电路700可以如图6所示那样形成紧固孔H以能够与包括在迂回部400中的各个接点紧固。如图5所示，第一迂回电路710与第一接点510连接并以第一接点510为中心向上侧方向旋转，从而能够将第一接点510和第二接点520彼此连接并将第三接点530和第四接点540彼此连接，能够形成第二路径P2。另外，第二迂回电路720与第六接点560连接并以第六接点560为中心向上侧方向旋转而接触于第五接点550，从而能够将第五接点550和第六接点560彼此连接。

图6是示出与本公开的一实施例的等离子体天线模组所具备的第一等离子体天线310以及第一等离子体天线310连接的主要构件的立体图。根据一实施例，第一等离子体天线310可以构成为与圆形类似的形态，第一等离子体天线310可以是一侧与电源供应部100连接，另一侧与第一接地部210连接。

第一迂回部410可以介于第一等离子体天线310和第一接地部210之间。如图6所示，第一迂回部410可以是在相同面积下能够确保最大限度长度的线圈形状。在如此具有线圈形态的情况下，具有在利用迂回电路700时能够显著缩短电路长度的效果。

迂回电路700可以形成为板材形状，并形成有紧固孔H而能够与位于第一路径P1，即线圈形状的接点500紧固，如图6所示，接点500可以包括多个。此时，第一迂回部410的各接点可以具有被与迂回电路700的紧固孔H紧固的形状。例如，如图6所示，各接点可以具有在内部形成有螺纹的凸起形状，以能够与经紧固孔H插入的螺丝紧固。

通过调整利用迂回电路700连接的接点的数量，能够控制向第一等离子体天线310流入的电流值，能够控制通过第一等离子体天线310形成的等离子体密度。以上仅说明了等离子体天线模组的第一等离子体天线310以及与其连接的主要部分，但是等离子体天线模组所具备的剩余等离子体天线320、330、340可以具有与第一等离子体天线310以及与其连接的主要部分相同的结构，能够通过与各个等离子体天线320、330、340连接的各个迂回部420、430、440来控制各等离子体天线320、330、340的电流。

图7是示出本公开的一实施例的迂回部400的立体图。根据一实施例，迂回部400可以形成为线圈形状。如图7所示，迂回部例如可以是各个基本电路延伸形成并具有4次转(turn)数的螺旋形的线圈形状。此时，迂回部400可以构成为包括位于第一路径P1上的多个接点。

在一实施例中，多个接点可以在各个绕线的每个形成各一个而位于相同线上。例如，如图7所示，多个接点可以以凸起形状形成4个接点510、520、530、540。

图8是示出本公开的一实施例的第一接点510和第二接点520连接的例子的立体图，图9是示出本公开的一实施例的第一接点510、第二接点520以及第三接点530连接的例子的立体图，图10是示出本公开的一实施例的第一接点510、第二接点520、第三接点530以及第四接点540连接的例子的立体图。

如图8所示，迂回电路700可以是板材形状，并可以形成多个紧固孔H以能够与多个接点500紧固。在此，紧固孔H可以形成与接点的数量相同数的量以能够与多个接点500紧固。如图8所示，第一接点510、第二接点520、第三接点530以及第四接点540可以形成4个紧固孔以能够与经各个紧固孔H插入的螺丝紧固。在迂回部400形成的多个接点500可以具有与迂回电路700的紧固孔H紧固的形状。例如，如图所示，各个接点500可以具有形成有螺纹的凸起形状以能够与经各个紧固孔H插入的螺丝紧固。

向各个等离子体天线300流入的电流值可以根据包括在第二路径P2中的接点的数量来控制。通过迂回电路700的紧固孔H而连接第一接点510和第二接点520，从而能够如图8所示那样形成第一迂回电路710且形成与第一路径P1不同的第二路径P2。在此情况下，第二路径P2的长度比转(turn)4次的第一路径P1缩短转(turn)1次的量，向迂回部流入的电流能够沿第二路径P2仅转(turn)3次来流动。因此，向等离子体天线流入的电流的值能够增加。

为了进一步增加电流的值，如图9所示，可以通过迂回电路700将第二接点520和第三接点530附加连接。若通过迂回电路700连接第二接点520和第三接点530，则能够附加形成第二迂回电路720。在此情况下，与第一路径P1相比，第二路径P2的长度缩短转(turn)2次的量，向迂回部流入的电流沿第二路径P2转(turn)2次来流动而电流的值能够进一步增加。

如图10所示，第三接点530和第四接点540还附加连接而附加形成第三迂回电路730，从而能够使电流的值增加。此时，电流沿第二路径P2仅转(turn)1次来流动，与图8以及图9的实施例相比，电流的值能够更进一步增加。

如此，利用简单的结构来调节线圈转(turn)数而能够控制向各个等离子体天线300流入的电流。

图11是示出本公开的另一实施例的迂回部400的例示图。根据一实施例，迂回部400可以构成为具备多个线圈形状。例如，如图11所示，迂回部400可以是2个线圈1110、1120彼此以一定间隔隔开来形成。通过将多个线圈形状彼此隔开来形成迂回部400，能够调节更多数的线圈转(turn)数。因此，能够进一步精密地控制等离子体密度。

图12是本公开的另一实施例的等离子体天线模组的概要图。根据一实施例，迂回部400可以介于各个等离子体天线300和与其并列电连接的电源供应部100之间。如图12所示，第一迂回部410可以介于第一等离子体天线310和电源供应部100之间，第二迂回部420可以介于第二等离子体天线320和电源供应部100之间。另外，第三迂回部430可以介于第三等离子体天线330和电源供应部100之间，第四迂回部440可以介于第四等离子体天线340和电源供应部100之间。如图1以及图12所示，各个等离子体天线可以具有彼此不同直径的圆形并布置于相同平面上，这种等离子体天线的布置可以适合于CCP(电容耦合等离子体源，Capacitively Coupled Plasma)型。

图13是本公开的又另一实施例的等离子体天线模组的概要图。根据一实施例，等离子体天线模组可以是一个以上的等离子体天线310、320布置于腔室的侧面来构成。如图13所示，等离子体天线模组可以包括第一等离子体天线310以及第二等离子体天线320，各个等离子体天线310、320可以彼此以一定间隔上下隔开而布置于腔室的侧面。例如，第一等离子体天线310可以位于第二等离子体天线320的上侧。通过将等离子体天线310、320布置于腔室的侧面，能够向基板提供高强度的等离子体。这种等离子体天线的布置可以适合于ICP(感应耦合等离子体源，Inductively Coupled Plasma)型。

图14是本公开的一实施例的等离子体天线的俯视图。各个等离子体天线300可以形成将基板用等离子体进行处理的区域即第一处理区域1410、第二处理区域1420、第三处理区域1430、第四处理区域1440。在此，为了形成各处理区域，第一等离子体天线310、第二等离子体天线320、第三等离子体天线330以及第四等离子体天线340可以布置于各个处理区域内。各个处理区域可以对应于布置有各个等离子体天线300的位置来形成，但不限于此。

根据一实施例，如图14的(a)所示，第一处理区域1410可以位于基板的内侧。第二处理区域1420、第三处理区域1430以及第四处理区域1440可以位于基板的外侧，并可以均等分割基板的外侧。此时，各处理区域可以彼此局部重叠。

通过与各个等离子体天线300连接的各个迂回部400而能够调节各个等离子体天线300的电流值，能够调节通过电流值分别形成的等离子体的密度。各个等离子体天线300进行处理的处理区域可以根据各个等离子体天线300的形状而不同。

根据另一实施例，如图14的(b)所示，第一处理区域1410可以通过第一等离子体天线310位于最内侧来形成，第二处理区域1420可以通过第二等离子体天线320位于第一处理区域1410的外侧来形成。另外，可以是，第三处理区域1430通过第三等离子体天线330形成于第二处理区域1420的外侧，第四处理区域1440通过第四等离子体天线340形成于第三处理区域1430的外侧。此时，各处理区域可以彼此局部重叠。根据各个等离子体天线300所形成的形状，在基板进行处理的处理领域可以以各种图案形成，等离子体密度也可以以各种图案形成。

根据一实施例，可以将与各个等离子体天线300连接的迂回部400中被连接的接点的数量、根据被连接的接点的数量向相应等离子体天线流入的电流值、根据被连接的接点的数量通过各个等离子体天线300形成的等离子体密度以及基板的处理状态彼此建立对应关系并将与其相关的信息存储于存储介质。控制部基于存储于存储介质的数据并根据基板的变更、外部环境的变化等需要而利用移送单元单独调节各个迂回部400中被连接的接点的数量，从而单独控制通过各个等离子体天线300形成的等离子体密度而能够精密地控制基板整体的处理状态。

上述的本发明的优选实施例以例示的目的公开，具有通常知识的本领域技术人员可以在本发明的构思和范围内对本发明进行各种修改、变更以及附加，应视为这样的修改、变更以及附加属于所述的权利要求书范围内。

在本发明所属技术领域中具有通常知识的人员可以在不脱离本发明的技术构思的范围内进行各种替换、变形以及变更，因此本发明并不限于前述的实施例以及附图。

Claims (21)

1.一种等离子体天线模组，包括：

等离子体天线；

接地部，电连接于所述等离子体天线的一侧；

电源供应部，向所述等离子体天线的另一侧供应电源；以及

迂回部，介于所述等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述等离子体天线和所述接地部之间，

所述迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点，

在所述多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下，所述迂回部形成与所述第一路径不同的第二路径，

所述迂回部根据包括在所述第二路径中的接点的数量，控制向所述等离子体天线流入的电流值。

2.一种等离子体天线模组，包括：

第一等离子体天线；

接地部，电连接于所述第一等离子体天线的一侧；

电源供应部，向所述第一等离子体天线的另一侧供应电源；以及

迂回部，介于所述第一等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述第一等离子体天线和所述接地部之间，

所述迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点，

在所述多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下，所述迂回部形成具有比所述第一路径短的长度的第二路径来控制向所述第一等离子体天线流入的电流值。

3.根据权利要求2所述的等离子体天线模组，其中，

所述等离子体天线模组还包括：

第二等离子体天线，与所述第一等离子体天线隔开设置，

所述电源供应部向所述第一等离子体天线以及所述第二等离子体天线并列供应电源，

通过所述第一等离子体天线的所述第二路径，调节所述第一等离子体天线的电流值与所述第二等离子体天线的电流值间的比例。

4.一种等离子体天线模组，包括：

第一等离子体天线；

第一接地部，电连接于所述第一等离子体天线的一侧；

电源供应部，向所述第一等离子体天线的另一侧供应电源；以及

第一迂回部，介于所述第一等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述第一等离子体天线和所述第一接地部之间，

所述第一迂回部包括：

第一接点，位于第一路径上；

第二接点，与所述第一接点隔开而位于所述第一路径上；

第一基本电路，通过所述第一接点和所述第二接点彼此连接来形成，并包括在所述第一路径中；以及

第一迂回电路，将所述第一接点和所述第二接点附加地彼此连接来形成，并包括在与所述第一路径不同的第二路径中，

所述第一迂回电路具有比第一基本电路短的长度，从而控制向所述第一等离子体天线流入的电流值。

5.根据权利要求4所述的等离子体天线模组，其中，

所述第一迂回部还包括：

第三接点，位于所述第一路径上；

第四接点，与所述第三接点隔开而位于所述第一路径上；

第二基本电路，将所述第三接点和所述第四接点彼此连接来形成，并包括在所述第一路径中；以及

第二迂回电路，将所述第三接点和所述第四接点彼此连接来形成，并包括在所述第二路径中，

所述第二迂回电路具有比所述第二基本电路短的长度。

6.根据权利要求5所述的等离子体天线模组，其中，

所述第二接点和所述第三接点形成于相同的位置。

7.根据权利要求5所述的等离子体天线模组，其中，

所述第二迂回电路从所述第一迂回电路延伸，

所述第一迂回电路以及所述第二迂回电路形成为板材形状，

在所述第一迂回电路以及所述第二迂回电路中形成能够与所述第一接点、所述第二接点、所述第三接点以及所述第四接点紧固的紧固孔。

8.根据权利要求5所述的等离子体天线模组，其中，

所述第二基本电路从所述第一基本电路延伸，

所述第一基本电路以及所述第二基本电路形成为线圈形状。

9.根据权利要求5或8所述的等离子体天线模组，其中，

所述第一迂回部介于所述第一等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述第一等离子体天线和所述第一接地部之间，并彼此隔开来形成多个。

10.根据权利要求4所述的等离子体天线模组，其中，

所述等离子体天线模组还包括：

第二等离子体天线，与所述第一等离子体天线隔开设置；

第二接地部，电连接于所述第二等离子体天线的一侧；以及

第二迂回部，介于所述第二等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述第二等离子体天线和所述第二接地部之间，

所述电源供应部向所述第一等离子体天线的另一侧以及所述第二等离子体天线的另一侧并列供应电源，

在所述第二迂回部包括位于第一路径上的多个接点，并且所述多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下，形成具有比所述第一路径短的长度的第二路径。

11.根据权利要求10所述的等离子体天线模组，其中，

所述第一等离子体天线位于所述第二等离子体天线的内侧。

12.根据权利要求10所述的等离子体天线模组，其中，

所述第一等离子体天线位于所述第二等离子体天线的上侧。

13.根据权利要求10所述的等离子体天线模组，其中，

所述等离子体天线模组还包括：

第三等离子体天线；

第三接地部，电连接于所述第三等离子体天线的一侧；

第三迂回部，介于所述第三等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述第三等离子体天线和所述第三接地部之间；

第四等离子体天线；

第四接地部，电连接于所述第四等离子体天线的一侧；

第四迂回部，介于所述第四等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述第四等离子体天线和所述第四接地部之间，

所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线彼此隔开设置，

所述电源供应部向所述第一等离子体天线的另一侧、所述第二等离子体天线的另一侧、所述第三等离子体天线的另一侧以及所述第四等离子体天线的另一侧并列供应电源，

所述第三迂回部包括位于第一路径上的多个接点，并在所述第三迂回部的所述多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下形成具有比所述第一路径短的长度第二路径，

所述第四迂回部包括位于第一路径上的多个接点，并在所述第四迂回部的所述多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下形成具有比所述第一路径短的长度的第二路径。

14.根据权利要求13所述的等离子体天线模组，其中，

所述第一等离子体天线位于所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线的内侧，

所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线布置成均等分割等离子体处理区域。

15.根据权利要求14所述的等离子体天线模组，其中，

通过由所述第一迂回部、所述第二迂回部、所述第三迂回部以及所述第四迂回部分别形成的第二路径的数量的组合，

调节所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线的各电流值，

调节由所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线分别形成的等离子体的密度。

16.一种等离子体天线模组，包括：

多个等离子体天线；

多个迂回部，分别连接于多个等离子体天线，并包括彼此连接的多个接点；

移送单元，将包括在各迂回部中的多个接点中2个以上的接点选择性附加地彼此连接；

存储介质，存储有与根据连接的所述接点的数量控制向各等离子体天线流入的电流值而由各等离子体天线形成的等离子体密度相关的信息；以及

控制部，为了根据存储于所述存储介质的信息来调节各迂回部的连接的接点的数量，控制所述移送单元。

17.一种等离子体处理装置，具备被调节等离子体密度的等离子体天线，其中，所述等离子体处理装置包括：

电源供应部，向第一等离子体天线的一侧供应电源；

第一接地部，电连接于所述第一等离子体天线的另一侧；以及

第一迂回部，介于所述第一等离子体天线和所述电源供应部之间或者所述第一等离子体天线和所述第一接地部之间，

所述第一迂回部包括：

基本电路，形成第一路径；

多个接点，在所述第一路径上彼此隔开设置且彼此连接；以及

迂回电路，形成有用于紧固于所述多个接点的紧固孔，

通过在所述紧固孔中选择性地紧固所述多个接点，所述第一迂回部形成具有比所述第一路径短的长度的第二路径。

18.根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其中，

所述基本电路形成为线圈形状。

19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其中，

所述第一迂回部形成彼此隔开的多个。

20.一种等离子体处理装置，具备被调节等离子体密度的等离子体天线，其中，所述等离子体处理装置包括：

电源供应部，向彼此隔开设置的第一等离子体天线、第二等离子体天线、第三等离子体天线以及第四等离子体天线各自的一侧并列供应电源；

第一接地部，电连接于所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线各自的另一侧；以及

多个迂回部，电连接于所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线各自和所述电源供应部之间或者所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线各自和所述第一接地部之间，

所述多个迂回部各自包括：

基本电路，形成第一路径；

多个接点，在所述第一路径上彼此隔开设置且彼此连接；以及

迂回电路，形成用于紧固于所述多个接点的紧固孔，

通过在所述紧固孔中选择性地紧固所述多个接点，所述多个迂回部各自形成具有比所述第一路径短的长度的第二路径，

所述第一等离子体天线位于所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线的内侧，

所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线布置成均等分割等离子体处理区域。

21.根据权利要求20所述的等离子体处理装置，其中，

通过由所述多个迂回部各自形成的第二路径的数量的组合，调节所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线的各电流值，调节由所述第一等离子体天线、所述第二等离子体天线、所述第三等离子体天线以及所述第四等离子体天线分别形成的等离子体的密度。

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