JP6602887B2 - プラズマ処理チャンバ内のエッチングプロセスのアジマス方向の均質性の制御 - Google Patents

プラズマ処理チャンバ内のエッチングプロセスのアジマス方向の均質性の制御 Download PDF

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Description

優先権主張
本願は、米国特許仮出願第６２／１３５４３７号（U.S. Provisional Patent Application Serial No.62/135,437）の優先権を主張し、この出願は引用によりあらゆる意味で本願に組み込まれるものとする。
分野
本発明は、プラズマ源を用いた基板処理に関する。
プラズマ処理は、半導体産業において、層堆積、エッチング、レジスト除去および半導体ウェハないし他の基板の関連した処理のために広汎に使用されている。プラズマ源（例えばマイクロ波源、ＥＣＲ源、誘導源等）は、高密度プラズマおよび基板処理の反応種を形成するプラズマ処理に使用されることが多い。ＲＦプラズマ源は、フィードガスからプロセスケミストリを形成でき、かつ高いエッチングレートもしくは低いエッチングレートで等方性エッチングまたは高度な異方性エッチングを行えるというその能力によって、現行のプラズマエッチング用途に使用可能である。プラズマ処理ツールは、多種のガス中の多様な条件（ガス流量、ガス圧等）のもとで安定したプラズマを維持することができ、プラズマ密度、プラズマ分布およびイオンエネルギの独立制御を行うことができる。
例えば、１つの半導体ウェハ全体、１つのエッチングチャンバ（および／または１つのエッチングヘッド）内のウェハごと、１つのツールのエッチングチャンバごと、１つの製造施設のエッチングツールごとまたは世界中の製造施設ごとの、処理平衡性に対する要求は、半導体ウェハないし他の基板の処理におけるプラズマ処理の均質性に対する厳しい要求を生じさせうる。その結果、多くのプラズマ処理ツールが、ガス流量、プラズマ密度および他のプラズマ処理パラメータの不均質性を補償するプロセス制御部を有する。ラジアル方向のプロセスの均質性のための最も厳しい処理要求を満たすため、幾つかのメーカでは、例えばプラズマのラジアル特性の制御のためのマルチコイル誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源またはマルチゾーン容量結合プラズマ（ＣＣＰ）源、複数のラジアル温度領域を有する静電チャック、複数のガス注入部等の種々の方法およびシステムを採用している。
アジマス方向の均質性を達成するために、幾つかのメーカは、半導体ウェハもしくは他の基板の対称性に適合可能となるように対称に、プラズマチャンバ、プラズマ発生部品（例えばコイル、電極）、静電チャック（ＥＳＣ）、ガス注入部およびガス排出部、焦点リングおよび他のコンポーネントを設計および形成している。このために、幾つかの電力素子（例えばキャパシタ）は、付加エンクロージャ内の主ＲＦケージの外側に配置されることにより、アンテナおよびプラズマから遮蔽されている。ウェハ配置も高度に精密に制御される。また、地球の磁場がツールの位置に依存してアジマス方向の均質性に作用することもある。例えば、幾つかのケースでは、各ツールの面する方向が異なる場合、地球の磁場が同室内の別のツールのアジマス方向のプロセスの均質性に影響することがある。幾つかのメーカでは、こうした影響を低減するために、チャンバを磁気シールドで包囲している。
多くのケースで、均質性への高い要求により、プラズマ処理ツールのコストが増大する。例えば、不均質性１％の要求では、不均質性３％の要求よりも格段に大きな設計努力、追加の制御要素、より精密な部品製造および部品組立て等が要求されうる。しかも、処理ツールの設計、製造および／または組立てに際しては欠陥が発生しうる。設計時の欠陥は、系統的不均質性をもたらしうる。製造された部品における欠陥は、系統的不均質性および（ツールごとの）確率的不均質性の双方をもたらしうる。組立てにおける欠陥は、確率的不均質性をもたらしうる。ツールが組立てられ、全ての部品が予定位置に配置されると、これらの不均質性も結合され、最悪の場合には、相互の補償どころか、相互に累積してしまう。
発生するラジアル方向の不均質性の多くは、利用可能な制御「つまみ」（電力、ＥＳＣ領域の温度、処理時間等）を用いてプロセスを調整することにより補償可能であるが、アジマス方向でプロセスを調整する制御「つまみ」は存在しない。よって、アジマス方向の不均質性またはアジマス方向のヘッドごとの不整合が許容可能限界を超えると、これを調整する唯一の手段は、アジマス方向の不均質性に最も大きく関与している部品を識別して交換することとなる。この措置は高価で時間がかかることがあり、最終生産費用ひいてはツールの価格を増大させる。幾つかのケースでは、交換された部品は全く不良品ではなく、別の部品と組み合わせればツールの全体的不均質性が限界を下回ることもある。
プラズマ処理チャンバ内およびその周囲の要素数がプラズマおよびプロセスの不均質性に与える影響もきわめて大きい。これらの部品には、例えば、ガス注入部およびガス排出部、コイル、バイアス電極を含む台座、静電チャック（ＥＳＣ）、ＲＦケージ、チャンバ壁、ウェハ搬送扉、ＥＳＣフィード構造体、および、地球からないし構造体要素（フレーム、ねじ、ターボポンプ、冷却ファンおよび他の要素）からの磁場が含まれうる。これらの部品のうち幾つかのものの非対称性関与分はきわめて小さくすることができる。しかし、ＥＳＣおよびコイル等の要素では絶対的な対称性を得ることは不可能である。例えば、ＥＳＣは、複数の電極、加熱素子および冷却流路、種々の層間のボンディング部等を含む複雑な構造を有しうる。コイルは、リードと巻線間の移行部とを有しうる。リード数を増大し、リードの周を広げれば（例えば、１個の３巻コイルに代えて、または、両端にリードを有する２個の１．５巻コイルに代えて、相互に１２０°に配向された３個の単巻コイルを用いれば）、コイルリードに関連する不均質性の規模を低減できる。しかし、このようにすると付加的なコストがかかるうえ、アジマス方向の均質性の改善は得られない。
アジマス方向の不均質性に対処する１つのアプローチとして、コイルを全体としてウェハ（および／または台座）に対して相対的に傾斜させることが挙げられる。しかし、この手法はきわめて強い効果を生じることがあり、アジマス方向の不均質性がすでに小さくなっている場合の微調整に利用できないため、実用的ではない。
本発明の各実施形態の態様および利点は、部分的に以下の説明において得られ、または、以下の説明からもしくは各実施形態の実施を通して読み取ることができる。
本発明の例示的な一態様は、プラズマ処理装置に関する。プラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバの上方に配置されたＲＦケージと、プラズマ処理チャンバとＲＦケージとを分離する誘電窓とを含むことができる。プラズマ処理装置はさらに、誘電窓の上方に配置されたプラズマ発生コイルを含むことができる。プラズマ発生コイルは、電力が供給された際に、プラズマ処理チャンバ内に誘導結合プラズマを発生させるように動作可能である。プラズマ処理装置は、ＲＦケージ内で、プラズマ発生コイルの少なくとも一部に近接して配置された導電性表面を含むことができる。導電性表面は、プラズマ発生コイルに電力が供給された際に、導電性表面とプラズマ発生コイルとの間にアジマス方向で可変の誘導結合が発生するように配置可能である。
本発明の別の例示的な実施形態は、プラズマ処理装置内のアジマス方向のプロセスの均質性を調整する方法に関する。方法は、プラズマ処理装置内で、半導体基板を、プラズマエッチングプロセスを用いて処理するステップを含むことができる。プラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバの上方に配置されたＲＦケージと、プラズマ処理チャンバとＲＦケージとを分離する誘電窓と、誘電窓の上方に配置されたプラズマ発生コイルとを含むことができる。方法はさらに、プラズマエッチングプロセスについてのアジマス特性に関連するデータを分析するステップを含むことができる。方法は、ＲＦケージ内でプラズマ発生コイルの少なくとも一部に近接して配置された導電性表面とプラズマ発生コイルとの間にアジマス方向で可変の誘導結合が発生するよう、導電性表面を調整するステップを含むことができる。
本発明のさらに別の例示的な実施形態は、プラズマ処理装置に関する。プラズマ処理装置は、プロセスガスを閉じ込めるように動作可能な内室を有するプラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバの上方に配置されたＲＦケージと、誘電窓とを含むことができる。プラズマ処理装置はさらに、ＲＦエネルギが供給された際に、プラズマ処理チャンバ内に誘導結合プラズマを発生させるように動作可能な１つもしくは複数の誘導エレメントを含むことができる。プラズマ処理装置は、ＲＦケージ内で、１つもしくは複数の誘導エレメントの少なくとも一部に近接して配置された１つもしくは複数の導電性表面を含むことができる。１つもしくは複数の導電性表面の少なくとも一部は、１つもしくは複数の誘導エレメントにＲＦエネルギが供給された際に、１つもしくは複数の導電性表面と１つもしくは複数の誘導エレメントとの間にアジマス方向で可変の１つもしくは複数の誘導結合が発生するよう、１つもしくは複数の誘導エレメントに対して相対的に可動とすることができる。
本発明の他の例示的態様は、プラズマエッチングプロセスでのアジマス方向の均質性を制御するシステムおよび方法および装置およびプロセスに関する。
種々の実施形態の上記ないし他の特徴および態様および利点は、以下の説明および添付した特許請求の範囲を参照すれば良好に理解されるであろう。本明細書に組み込まれてその一部をなす添付の各図面は本発明の各実施形態を図示しており、以下の説明とともに、関連する方式の説明に用いられる。
当分野の技術者に向けた各実施形態についての詳細な議論を、添付図を参照して、本明細書において行う。
本発明の例示的実施形態による、例示的なプラズマ処理装置の態様を示す図である。 本発明の例示的実施形態による、例示的な導電性表面の態様を示す図である。 本発明の例示的実施形態による、例示的な部分導電性表面の態様を示す図である。 本発明の例示的実施形態による、１つもしくは複数の導電性ワイヤを備えた導電性表面を有する例示的なプラズマ処理装置の態様を示す図である。 本発明による、例示的な誘導エレメントの配置と円筒状のプラズマ電力供給コイルを用いた動作との態様を示す図である。 本発明の例示的実施形態による、例示的なプラズマ処理装置の態様を示す図である。 本発明の例示的実施形態による、例示的なプラズマ処理装置の態様を示す図である。 本発明の例示的実施形態による、プラズマ処理装置内のアジマス方向のプロセスの均質性を調整する例示的な方法を示すフローチャートである。 本発明の例示的実施形態による、例示的なアジマス特性の態様を示す図である。
あらゆる制御への主たる要求として、入力のばらつきに対して出力が過度に敏感でなく、予測可能かつ単調の応答を得ることが挙げられる。これは、予測可能性および再現性を意味する。例えば、バイアス電力へのエッチングレートの依存度があまりに強いと、プロセス結果は再現不能となってしまう。バイアス電力の小さな変動がエッチングレートを変化させ、バイアス電力の利用が困難となる。
アジマス方向の不均質性を制御する際に共通している問題点は、全ての部材が設計上は対称であるにもかかわらず、典型的に非対称の要素がアジマス特性に影響するということである。本発明の例示的態様によれば、対称状態から制御非対称状態へ容易に変化させることのできる新たな要素を導入可能であり、これにより、補正動作が要求される場合に、この要素において容易に所望の変更を行うことができる。
以下に、各実施形態すなわち図面に示した１つもしくは複数の例を参照して、詳細な説明を行う。各例は各実施形態を説明するために提示したものであって、本発明を限定するものではない。実際に、本発明の観点または思想から離れることなく各実施形態に種々の修正ないし変更を行えることは、当業者には明らかであろう。例えば、一実施形態の部分として図示または説明した特徴を、さらなる実施形態を生み出すために別の実施形態とともに用いることができる。したがって、本発明の各態様はこうした修正および変更をカバーすることが意図されている。
より詳しく言えば、本発明の例示的態様は、プラズマ処理チャンバのコイルの上方にこのコイルから所定の距離だけ離して配置された導電性表面／ＲＦシールドによって、コイルをＲＦケージ内の他の全てのエレメント（例えばキャパシタ等）から分離することに関する。コイルは、プラズマと「通信する」だけでなく、コイルの近接域にある他の全てと「通信する」アンテナとなりうる。シールドを配置してコイルをＲＦケージ内の他の全てのエレメントから分離することにより、コイルとこれらのエレメントとの間の望ましくない全ての「通信」を遮断でき、こうした通信をシールドへの単方向「通信」に置換できる。幾つかの構成では、コイルおよび／またはプラズマがＲＦケージ内の他の要素に対して有しうる散乱容量結合および／または他の結合を除去できるので、ここでのシールドをアースすると有益である。
コイルが、プラズマへの強い結合に比べて、シールドに僅かにしか結合しない（例えば誘導結合しない）ようにシールドを配置すれば、シールドがコイルから受け取る電力を小さくし、プロセスに対するシールドの作用を小さくすることができる。コイルの種々の部材からシールドまでの距離を制御することにより、コイルとプラズマとの結合、ひいてはこの結合に依存するプロセスに対して、小さな非対称の障害を形成することができる。
本発明の例示的態様は、プラズマ処理チャンバにおけるエッチングプロセスのアジマス方向の均質性を制御する装置、システムおよび方法に関する。上述したように、導電性表面からコイルの種々のアジマス部分までの距離を調整すれば、アジマス方向のプロセスの均質性を制御するための有効な制御パラメータを得ることができる。例えば、一実施形態では、導電性表面はリング状のシールドを含むことができる。特定のアジマス領域においてシールドをコイルへ向かって屈曲または傾斜させると、このアジマス領域におけるコイルからプラズマへの電力伝達を低減できる。特定のアジマス領域においてコイルから離れる方向にシールドを屈曲または傾斜させると、このアジマス領域におけるコイルからシールドへの結合を低減でき、これにより、コイルからプラズマへの電力伝達を増大できる。
シールドに結合される電力が小さいので、この動作によるプラズマプロセスへの補正量も小さくすることができる。例えば、特定の操作理論への限定なしに、シールドの一方側をコイルへ近づけるかまたはコイルから遠ざければ、どの箇所においてもコイル内の電流が影響を受ける。言い換えれば、コイル内の電流にアジマス方向の作用は生じない。しかし、コイルがシールド内に誘導する電流は、プラズマから種々の距離を置いて流れるので、プラズマ中の電界に種々に影響する。この効果は２次性を有する。結果として、プラズマにおいて生じる２次効果も小さくなり、制御に利用可能となる。シールドの屈曲または傾斜が行われない場合、小さいが均質な、コイルからプラズマへの電力伝達の低下が生じる。このように、動作の結果は予測可能であって単調かつ小さいので、この種のアジマス方向のプロセス制御は上述した要求を満たすことができる。
アジマス方向の均質性を制御するこのプロセスは、設計の際にも部品製造もしくはツール組立ての際にもアジマス方向の系統的不均質性は生じないが、複数の確率的要因のために最終的な不均質性が予測困難であるという状況において、特に有効でありうる。こうした状況においては、全ての処理チャンバが個別の補正を必要とすることもあるし、要求される補正量が小さいこともある。
本発明の例示的実施形態によるアジマス方向の均質性の制御により、単純なプロシージャを用いてヘッドごとに迅速に、半導体ウェハもしくは他の基板でのプロセス結果のアジマス方向の不均質性を例えば約１．５％から約０．５％未満へ低減できる。ここで用いているように、数値に関連して「約」なる語を使用している場合、記載されている量の約３５％の範囲内にあることをいう。幾つかの構成では、本発明の例示的態様により、アジマス方向の不均質性を約１．５％から約０．２〜０．５％へ低減でき、単純なプロシージャを用いて処理ヘッドとチャンバとを迅速に適合化できる。幾つかのプロセスでは、同じアジマス方向の均質性を有する複数のヘッドが得られる。
また、本発明の例示的態様によるアジマス方向の不均質性を低減するプロセスは、比較的単純であってよい。まず、半導体ウェハを処理して所望のラジアル特性を達成した後、最大値および最小値を識別するために、アジマス特性を分析できる。多くの場合、最大値および最小値は、プラズマ処理特性のうち最大値および最小値がより明瞭となるエッジ近傍で識別可能である。ついで、プロセスのアジマス特性を変更するために、ＲＦシールドからコイルまでの相対距離を調整できる。例えば、プラズマに対するＩＣＰ電力の増大が必要なアジマス位置では、シールドのエッジをコイルから離れるように持ち上げることができる。プラズマに対するＩＣＰ電力の低減が必要なアジマス位置では、シールドのエッジをコイルへ近づくように下げることができる。所望の均質性／特性を達成するために、１回もしくは２回のみの反復を行うだけでよい。
ＲＦシールドのエッジからコイルまでの距離を調整することにより、アジマス方向の確率的不均質性および系統的不均質性の双方に対処するフレキシビリティを得ることができる。アジマス方向の不均質性に対処するために導電性表面からコイルまでの距離を調整する他の手法も、本発明の観点から離れることなく使用可能である。例えば、幾つかの実施形態では、コイルの、選択された唯一のアジマス部分のみに近接して配置された部分シールドを用いて、アジマス方向のより系統的な不均質性に対処することができる。幾つかの実施形態では、１つのプラズマ源が複数のコイルを含む場合、アジマス方向の不均質性に対処するため、複数のシールドを相互に相対的に配置可能である。幾つかの実施形態では、屈曲に代えて、シールドは、自身に取り付けられる可撓性セクション（例えばワイヤ）を含むことができる。可撓性セクションは、コイルへ向かって垂下させることができ、シールドを屈曲するのと類似の効果が得られる。
図を参照しながら、本発明の例示的実施形態を以下に詳細に検討する。図１には、本発明の例示的実施形態による、例示的なプラズマ処理装置１００の態様が示されている。図１には、プラズマ処理装置１００の断面図が示されている。プラズマ処理装置１００は、プラズマ処理チャンバ１０２と、ＲＦケージ１０４と、誘電窓１０６と、誘導エレメント１０８と、導電性表面またはシールド１１０と、を含むことができる。
処理チャンバ１０２は、内室１１２を定めることができる。台座または基板ホルダ１１４を、内室１１２内で、基板１１６、例えば半導体ウェハを支持するために用いることができる。幾つかの構成では、壁の１つもしくは複数のフィードガス孔１１８を通して、フィードガスを処理チャンバ１０２内へ導入することができる。フィードガス孔１１８は、渦流形成部、例えば１つもしくは複数のフィードガス導管１２０を通して、プロセスガスを受け取ることができる。図１に示されているフィードガス孔１１８および／またはフィードガス導管１２０の位置および配向は、限定を意図したものではない。プラズマ処理装置１００は、フィードガス孔１１８および／またはフィードガス導管１２０を他の位置および配向で（例えば誘電窓１０６内に）含み、さらにフィードガスをプラズマ処理装置１００に適切に供給するように構成可能である。例えば、幾つかの構成では、フィードガスを、誘電窓のフィードガス孔を介してまたはシャワーヘッドを介して供給できる。
各フィードガス導管１２０および／またはフィードガス孔１１８は、内室１１２へ導入されるフィードガスの予め選択された流速が生じるように構成可能である。この流速は、所望の処理パラメータに基づいて調整可能である。例えば、種々のフィードガス導管から内室１１２への種々のフィードガス流速を制御することで、プラズマ処理においてプロセスガス中に生じた帯電種および中性種の空間分布を効率的かつ個別に調整する手段を得ることができる。
ＲＦケージ１０４は、プラズマ処理チャンバ１０２の上方に配置可能である。ＲＦケージ１０４は、導電性材料またはこうした材料のメッシュによって形成することができ、周囲環境への電磁干渉放射を低減するためにアース可能であり、さらに内室（および／またはその内部に含まれる要素）を外部の電磁放射から遮蔽可能である。例えば、ＲＦケージ１０４は、誘導エレメント１０８ならびに導電性表面１１０を包囲するように構成可能である。導電性表面１１０と誘導エレメント１０８とをＲＦケージ１０４内に配置することで、ＲＦケージ１０４内の誘導エレメント１０８と導電性表面１１０の上方に配置された他のエレメントとの望ましくない干渉を低減でき、これによりさらに、誘導エレメント１０８に電力が供給された際に、誘導エレメント１０８と導電性表面１１０との誘導結合を形成できる。
幾つかの構成では、誘電窓１０６はプラズマ処理チャンバ１０２とＲＦケージ１０４とを分離できる。例えば、誘電窓１０６は基板ホルダ１１４の上方に配置可能である。誘電窓１０６は、誘導エレメント１０８の近傍に配置される窓であってよく、これを通して磁束線の大部分が誘導エレメント１０８から入りかつ／またはプラズマ処理チャンバ１０２から戻る。誘電窓１０６は例えば石英、セラミック等の材料を含むことができる。誘電窓１０６は種々の手法で構成可能であることを理解されたい。例えば、図１に示されているように、誘電窓１０６はチャンバの上面全体に架けわたし可能であり、機械的ボンディングによって支持可能である。
誘導エレメント１０８は、誘電窓１０６の上方に配置可能である。例えば、誘導エレメント１０８は、ＲＦ電力が供給された際にプラズマ処理装置１００の内室１１２内のプロセスガス中にプラズマを誘導するプラズマ発生コイル（および／またはアンテナエレメント）を含むことができる。例えば、ＲＦ発生器１２０は、適合化回路網１２２を通して電磁エネルギを誘導エレメント１０８へ供給するように構成可能である。誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）は、電力が供給された際にプラズマ処理チャンバ１０２内に誘導結合プラズマ１２４を形成するように動作可能である。
導電性表面１１０は、ＲＦケージ１０４内で、誘導エレメント１０８の少なくとも一部の近接域に配置可能である。導電性表面１１０は、例えばＲＦシールドであってよい。幾つかの構成では、導電性表面１１０の周縁の少なくとも一部を、ＲＦケージ１０４の側壁１２８に設けられた１つもしくは複数の溝１２６に保持することができる。これに加えてかつ／またはこれに代えて、導電性表面１１０の周縁の少なくとも一部を、ＲＦケージ１０４の側壁１２８に配置された１つもしくは複数のピン１３０によって保持することもできる。
導電性表面１１０は、ＲＦケージ１０４内の他のエレメント（例えばキャパシタ等）から誘導エレメント１０８（例えばコイル）を分離するように構成可能である。例えば、誘導エレメント１０８は、プラズマ１２４とだけでなく自身の近接域にある他の要素とも電磁的に結合する（例えば「通信する」）アンテナとして作用しうる。導電性表面１１０は、誘導エレメント１０８と他の要素との望ましくない電磁結合を低減し、こうした結合を導電性表面１１０と誘導エレメント１０８との電磁結合に置換するように構成可能である。上に示したように、幾つかの構成では、導電性表面１１０は、誘導エレメント１０８がＲＦケージ１０４内の他の要素に対して有しうる容量結合を低減するために、アースすることができる。さらに、導電性表面１１０は、誘導エレメント１０８が、プラズマ１２４への強い結合に比べて、導電性表面１１０に弱くしか結合しないように（例えば誘導結合しないように）配置可能である。導電性表面１１０が誘導エレメント１０８から受け取る電力が比較的小さいので、プラズマプロセスに対する導電性表面１１０の全体的な作用も小さくすることができる。
導電性表面１１０は、種々の形状および／または寸法で構成可能である。図２には、本発明の例示的実施形態による、例示的な導電性表面２００の態様が示されている。幾つかの構成では、導電性表面１１０は導電性シールド２００を有することができる。図示されているように、導電性シールド２００は環状シールド部２０１を含み、アースすることができる。導電性シールド２００は、誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）の少なくとも一部および周縁２０６に対して相対的に固定されるように構成可能な（例えば環状シールド部２０１の）中央部２０２を有することができる。後述するように、幾つかの構成では、導電性シールド２００は、環状シールド部２０１の一部として組み込まれる可撓性セクション２０８および／または環状シールド部２０１に取り付けられる可撓性セクション２０８を含むことができる。こうして、導電性表面２００の周縁２０６の運動に加えてかつ／またはこれに代えて、可撓性セクション２０８を誘導エレメント１０８へ向かって垂下させることができ、これにより、上述したように、導電性表面２００を屈曲させるのと類似の効果が得られる。
導電性シールド２００の少なくとも一部は、誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）に対して相対的に可動とすることができる。例えば、導電性シールド２００の少なくとも一部は、調整機構２１０（例えばアームおよびスロット、テレスコピック機構）に固定することができる。調整機構２１０は、誘導エレメント１０８に対して相対的に、導電性シールド２００の少なくとも一部を傾斜かつ／または屈曲させるように構成可能である。
例えば、環状シールド部２０１の周縁２０６の少なくとも一部は、誘導エレメント１０８へ向かう方向および／または誘導エレメント１０８から離れる方向で可動である。調整機構２１０は、周縁２０６の少なくとも一部を誘導エレメント１０８へ向かう方向および／または誘導エレメント１０８から離れる方向で運動させるように構成可能である。調整機構２１０は（図示されていない）制御装置によって制御されるように構成可能である。制御装置は、ユーザからの入力に基づいて、かつ／または少なくとも部分的にプロセス特性および／または導電性表面１１０と誘導エレメント１０８との誘導結合に基づいて自動で、調整機構２１０（および導電性表面１１０の少なくとも一部の位置）を調整するように構成可能である。
導電性シールド２００の形状は限定を意図したものでない。導電性表面１１０は、図２とは異なる形状（例えば正方形、長方形、三角形、多角形）を有することができる。さらに、導電性表面１１０は不規則形状を有することもできる。例えば、図３には、本発明の例示的実施形態による例示的な導電性表面３００の態様が示されている。導電性表面３００は部分環状シールド３０２を含むことができる。幾つかの構成では、部分環状シールド３０２は、自身の内部に電流を形成するために、アースでき、かつ／または、自身のループを閉成するように構成可能な１つもしくは複数のワイヤ３０４を含むことができる。幾つかの構成では、導電性表面３００は、誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）の、選択されたアジマス部分のみに近接して配置可能である。このようにすれば、コイルの、選択されたアジマス部分のみに近接して配置された部分シールドを用いて、アジマス方向のより系統的な不均質性に対処することができる。
図１に戻ると、（例えば導電性シールド２００，３００等を含むことができる）導電性表面１１０は、誘導エレメント１０８に電力が供給された際に、導電性表面１１０と誘導エレメント１０８との間にアジマス方向で可変の誘導結合が発生するように配置可能である。導電性表面１１０と誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）との間のアジマス方向で可変の誘導結合は、誘導エレメント１０８と誘導結合プラズマ１２４との間の誘導結合に対する非対称の障害を形成するように動作可能である。
例えば、傾斜、屈曲、移動等によって誘導エレメント１０８の種々のアジマス部分から導電性表面１１０までの距離を制御することにより、誘導エレメント１０８とプラズマ１２４との結合（ひいては、この結合に依存するプラズマプロセス）に対して小さな非対称の障害を形成することができる。例として、導電性表面１１０の少なくとも第１のアジマス部分１３２を、導電性表面１１０の第２のアジマス部分１３４に対して相対的に、誘導エレメント１０８に近づく方向に、（例えば調整機構２１０を介して）屈曲、傾斜、移動等させることができる。導電性表面１１０の第１のアジマス部分１３２は、誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）から第１の距離１３６だけ離れた位置に配置可能であり、導電性表面１１０の第２のアジマス部分１３４は、誘導エレメント１０８から第２の距離１３８だけ離れた位置に配置可能である。第２の距離１３８は第１の距離１３６とは異なっていてよい。
導電性表面１１０の種々のアジマス部分から誘導エレメント１０８の種々のアジマス部分までの第１の距離１３６および第２の距離１３８を調整することで、アジマス方向のプロセスの均質性の制御のための有効な制御パラメータを得ることができる。例えば、導電性表面１１０（例えば第１のアジマス部分１３２）を特定のアジマス領域において誘導エレメント１０８へ向かって屈曲または傾斜させれば、このアジマス領域での誘導エレメントからプラズマへの電力伝達を低減できる。導電性表面１１０（例えば第２のアジマス部分１３４）を特定のアジマス領域において誘導エレメント１０８から離れる方向で屈曲または傾斜させれば、誘導エレメントから導電性表面への結合を低減でき、これにより、このアジマス領域での誘導エレメントからプラズマへの電力伝達を増大できる。
導電性表面１１０に結合される電力を小さくできるので、これらの動作によるプラズマプロセスへの補正量も小さくできる。例えば、導電性表面１１０の第１のアジマス部分１３２および／または第２のアジマス部分１３４が誘導エレメント１０８へ近づけられるかまたは誘導エレメント１０８から遠ざけられると、別の箇所で誘導エレメント１０８内の電流に影響が生じうる。幾つかの構成では、誘導エレメント１０８内の電流にアジマス方向の作用が生じないこともある。しかし、誘導エレメント１０８が導電性表面１１０に誘導した電流は、プラズマ１２４からそれぞれ異なった距離だけ離れた位置を流れ、プラズマ１２４の電界にそれぞれ異なって作用しうる。したがって、プラズマ１２４に生じる効果も小さくでき、これを制御に有効に利用できる。導電性表面１１０を屈曲または傾斜させない場合、誘導エレメント１０８からプラズマ１２４への、小さいが均質な電力伝達の低下が生じうる。
幾つかの構成では、プラズマ処理装置は、導電性表面１１０の調整に類似した効果を形成するように構成可能な、１つもしくは複数の導電性ワイヤを含むことができる。図４には、１つもしくは複数の導電性ワイヤ４０８を有する導電性表面２００を含む例示的なプラズマ処理装置４００の態様が示されている。導電性ワイヤ４０８は導電性表面２００に接続可能である。導電性ワイヤ４０８の少なくとも一部は、自身から誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）までの距離４０２が増減されるよう、（例えば図示されていない調整機構を介して）調整可能である。このようにすれば、導電性表面２００の周縁２０６を移動させることに加えてかつ／またはこれに代えて、導電性ワイヤ４０８を誘導エレメント１０８へ向かって垂下させることができ、これにより、上述したような、導電性表面２００の屈曲に類似した効果を得ることができる。
図５には、本発明の例示的実施形態による、円筒状のプラズマ処理装置５００と円筒状のプラズマ給電コイル５１８とを含む例示的な導電性要素の配置および動作の態様が示されている。図示されているように、この断面図では、プラズマ処理装置５００はプラズマチャンバ５０４を含むことができる。誘導プラズマは、プラズマチャンバ５０４（すなわちプラズマ発生領域）内で形成可能である。
プラズマチャンバ５０４は、誘電窓５１２を含むことができる。誘電窓５１２は、誘電性材料、例えば石英、セラミック等から形成可能である。誘導エレメント５１８（例えばプラズマ発生コイル）は、誘電窓５１２に隣接して配置可能である。誘導エレメント５１８は、（図示されていない）適切な適合化回路網を介してＲＦ発電装置に結合可能である。反応性のキャリアガスは、（図示されていない）ガス供給部からチャンバの内室へ供給可能である。誘導エレメント５１８にＲＦ発電装置からＲＦ電力が供給されると、プラズマチャンバ５０４内に誘導プラズマを誘導できる。幾つかの実施形態では、プラズマリアクタ５００は、誘導エレメント５１８からプラズマへの容量結合を低減するように構成可能なファラデーシールド５２４を含むことができる。プラズマチャンバ５０４は、誘導エレメント５１８の少なくとも一部の近接域に配置された導電性表面５２６を含むことができる。導電性表面５２６および誘導エレメント５１８はＲＦケージ５３８内に配置されている。ＲＦケージ５３８は、周囲環境への電磁干渉放射を低減するように構成可能である。
導電性表面５２６は、図１の導電性表面１１０に即して上述したのと類似の効果を形成するように構成可能である。例えば、幾つかの構成では、導電性表面５２６は誘導エレメント５１８の周囲に巻付け可能である。誘導エレメント５１８の種々のアジマス部分から導電性表面５２６までの距離を制御することにより、誘導エレメント５１８とプラズマとの結合（ひいてはこの結合に依存するプラズマプロセス）に対する小さな非対称の障害を形成できる。例として、導電性表面５２６の少なくとも第１のアジマス部分５２８を、導電性表面５２６の第２のアジマス部分５３２に対して相対的に、誘導エレメント５１８に近づく方向で、（例えば調整機構５３０を介して）屈曲、傾斜、移動等させることができる。導電性表面５２６の第１のアジマス部分５２８は、誘導エレメント５１８（例えばプラズマ発生コイル）から第１の距離５３４だけ離れた位置に配置可能であり、導電性表面５２６の第２のアジマス部分５３２は、誘導エレメント５１８から第２の距離５３６だけ離れた位置に配置可能である。第２の距離５３６は第１の距離５３４と異なっていてよい。
図６には、本発明の例示的実施形態によるプラズマ処理装置６００が示されている。プラズマ処理装置６００は、内室６０４を定めるプラズマ処理チャンバ６０２を含むことができる。台座または基板ホルダ６０６は、内室６０４内で基板６０８を支持するために用いることができる。誘電窓６１０は基板ホルダ６０６の上方に配置可能である。誘電窓６１０は、相対的に平坦な中央部６１２と傾斜した周囲部６１４とを含むことができる。誘電窓６１０は、中央部６１２に、シャワーヘッド６１６が内室６０４内へプロセスガスを供給するための空間を有することができる。
プラズマ処理装置６００は、複数の誘導エレメント、例えば複数のプラズマ発生コイルを含むことができる。例えば、プラズマ処理装置６００は、（プロセスガスを閉じ込めるよう動作可能な）内室６０４内に誘導プラズマを形成するため、第１の誘導エレメント６１８および第２の誘導エレメント６２０を含むことができる。誘導エレメント６１８，６２０は、ＲＦ電力が供給された際に、プラズマ処理装置６００の内室６０４内のプロセスガス中にプラズマを誘導するプラズマ発生コイルおよび／またはアンテナエレメントを含むことができる。例えば、（図示されていない）第１のＲＦ発電装置は、適合化回路網を介して電磁エネルギを第１の誘導エレメント６１８へ供給するように構成可能である。（図示されていない）第２のＲＦ発電装置は、適合化回路網を介して電磁エネルギを第２の誘導エレメント６２０へ供給するように構成可能である。第１の誘導エレメント６１８および／または第２の誘導エレメント６２０は、ＲＦ電力が供給された際にプラズマ処理チャンバ６０２内に誘導結合プラズマを発生させるように動作可能である。
幾つかの構成では、プラズマ処理装置６００はさらに、第１の誘導エレメント６１８と誘電窓６１０との間に配置されるファラデーシールド６２４を含むことができる。ファラデーシールド６２４は、第１の誘導エレメント６１８と内室６０４との容量結合を低減する溝付き金属シールドであってよい。
プラズマ処理装置６００は、プラズマ処理チャンバ６０２の上方に配置されるＲＦケージ６２６を含むことができる。ＲＦケージ６２６は導電性材料またはこうした材料のメッシュによって形成可能である。ＲＦケージ６２６は、周囲環境への電磁干渉放射を低減するように構成可能である。
プラズマ処理装置６００は、複数の導電性表面を含むことができる。導電性表面は、ＲＦケージ６２６内で、第１の誘導エレメント６１８および第２の誘導エレメント６２０の少なくとも一部の近接域に配置可能である。各導電性表面は、複数の誘導エレメント６１８，６２０のうち少なくとも１つに対応させることができる。これに加えてかつ／またはこれに代えて、各導電性表面を、誘導エレメントに電力が供給された際に、導電性表面とこれに対応する誘導エレメントとの間にアジマス方向で可変の誘導結合が発生するように配置してもよい。
例えば、プラズマ処理装置は、第１の導電性表面６２８と第２の導電性表面６３０とを含むことができる。第１の導電性表面６２８は、第１の誘導エレメント６１８に対応させることができる。第１の導電性表面６２８の少なくとも一部は、第１の誘導エレメント６１８にＲＦエネルギが供給された際に、第１の導電性表面６２８と第１の誘導エレメント６１８との間にアジマス方向で可変の第１の誘導結合が発生するように、第１の誘導エレメント６１８に対して相対的に可動である。第２の導電性表面６３０は、第２の誘導エレメント６２０に対応させることができる。第２の導電性表面６３０の少なくとも一部は、第２の誘導エレメント６２０にＲＦエネルギが供給された際に、第２の導電性表面６３０と第２の誘導エレメント６２０との間にアジマス方向で可変の第２の誘導結合が発生するように、第２の誘導エレメント６２０に対して相対的に可動である。このように、第１の導電性表面６２８および第２の導電性表面６３０は、図１の導電性表面１１０に即して上述したものと類似の効果を形成するように構成可能である。
幾つかの構成では、導電性表面は１つもしくは複数の誘導エレメントに対応させることができる。例えば、図７には、本発明の例示的実施形態による例示的なプラズマ処理装置７００が示されている。図示されているように、プラズマ処理装置７００は、第１の誘導エレメント７０２と第２の誘導エレメント７０４とを含むことができる。導電性表面７０６（例えば環状シールド）は、第１の誘導エレメント７０２の少なくとも一部の近接域に配置することができる。導電性表面７０６の少なくとも一部は、（例えば調整機構７０８を介して）第１の誘導エレメント７０２に対して相対的に可動である。このようにすれば、第１の誘導エレメント７０２にＲＦエネルギが供給された際に、導電性表面７０６と第１の誘導エレメント７０２との間に、アジマス方向で可変の１つもしくは複数の誘導結合を発生させることができる。このプロセスは図１に即して上述したものに類似している。
図８には、本発明の例示的実施形態による、プラズマ処理装置でのアジマス方向のプロセスの均質性を調整する例示的な方法８００のフローチャートが示されている。図８の方法はプラズマ処理装置および／またはこれに属する制御要素および計算装置によって実現可能である。以下では方法８００をプラズマ処理装置１００によって実現するものとして説明するが、方法８００は本明細書で説明しているプラズマ処理装置１００，４００，５００，６００，７００のいずれによっても実現可能である。加えて、図８には、例示および検討のために特定の順序で実行される複数のステップが示されている。ただし、当業者が本明細書の開示を用いれば、ここで説明しているあらゆる方法の種々のステップを、本発明の観点から離れることなく種々の方式で、修正、適応化、拡張、組換えかつ／または省略できることが理解されるであろう。
方法８００は、８０２で、プラズマ処理装置１００において、プラズマエッチングプロセスを用いて半導体基板１１６（例えばウェハ）を処理するステップを含むことができる。例えば、プラズマ処理装置１００は、プラズマ処理チャンバ１０２、プラズマ処理チャンバ１０２の上方に配置されたＲＦケージ１０４、プラズマ処理チャンバ１０２とＲＦケージ１０４とを分離する誘電窓１０６、および、誘電窓１０６の上方に配置された誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）を含むことができる。電力が供給されると、誘導エレメント１０８は、プラズマ処理装置１００の（例えば内室１１２内の）プロセスガスとの相互作用により、プラズマを誘導することができる。
方法８００は、８０４で、プラズマエッチングプロセスについてのアジマス特性に関連するデータを分析するステップを含むことができる。例えば、図９には、本発明の例示的実施形態による、或る定められた半径での例示的なアジマス特性９００の態様が示されている。アジマス特性９００は、或る定められた半径でのプラズマエッチングプロセスのアジマス角に対する１つもしくは複数のプロセス特徴（例えばエッチングレート）を表すことができる。アジマス特性は１つもしくは複数の最小値および／または最大値を含むことができる。最小値および／または最大値は、これらがより明瞭となりうるプラズマ処理特性のエッジ近傍で識別可能である。例えば、図９に示されているように、アジマス特性９００は、第１のアジマス角θ１と第２のアジマス角θ２との間に最大値９０２を有しうる。アジマス特性９００は、例えば最小値および／または最大値を識別するため、例えば第１のアジマス角θ１と第２のアジマス角θ２との間の最大値９０２を識別するために、（手動でかつ／または計算装置によって）分析可能である。
方法８００は、８０６で、所望のアジマス特性の条件が満足されたかを判別するステップを含むことができる。例えば、ユーザおよび／またはプラズマ処理装置に属する１つもしくは複数の計算装置は、所望のアジマス特性の条件が満足されたかを、アジマス特性に関連するデータに少なくとも部分的に基づいて判別することができる。条件が満足されていない場合、８０８で、後述するように、導電性表面を調整することができる。条件が満足されている場合、方法８００は８１０で完了する。条件が満足されていない場合、方法８００は反復可能である。このようにして、プロセスは、所望の均質性または所望の特性が得られるまで、１回または複数回反復して実行可能である。
方法８００は、８０８で、導電性表面を調整するステップを含むことができる。例えば、方法８００は、導電性表面１１０と誘導エレメント１０８との間にアジマス方向で可変の誘導結合が発生するように、ＲＦケージ１０４内で誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）の少なくとも一部の近接域に配置された導電性表面１１０を調整するステップを含むことができる。導電性表面１１０は、プラズマエッチングプロセスに関連するデータにおいて識別される１つもしくは複数の最小値または最大値に少なくとも部分的に基づいて、調整可能である。
例えば、プロセスのアジマス特性を変化させるために、導電性表面１１０から誘導エレメント１０８までの相対距離を調整することができる。例えば、プラズマへのＩＣＰ電力の低減が必要なアジマス角θ１とアジマス角θ２との間のアジマス位置では、導電性表面１１０の周縁を誘導エレメント１０８へ近づける方向へ運動させることができる。これに加えてかつ／またはこれに代えて、プラズマへのＩＣＰ電力の増大が必要なアジマス角θ１およびθ２の外側のアジマス位置では、導電性表面１１０の周縁を誘導エレメント１０８から持ち上げる（遠ざける）ことができる。
例えば、アジマス特性９００において識別される最大値９０２に少なくとも部分的に基づいて、導電性表面１１０を調整することができる。導電性表面１１０の調整は、導電性表面１１０の周縁（例えば導電性表面２００の周縁２０６）の第１のアジマス部分１３２を、導電性表面１１０の周縁の第２のアジマス部分１３４に対して相対的に、誘導エレメント１０８（例えばプラズマ発生コイル）へ近づける運動を含みうる。導電性表面１１０の周縁の第１のアジマス部分１３２は、導電性表面１１０の周縁の第２のアジマス部分１３４に対して相対的に、誘導エレメント１０８から遠ざける方向へ運動させることができる。こうした調整は、図１に即して説明した効果を有することができる。
幾つかの構成では、導電性表面の１つもしくは複数の可撓性セクションおよび／または導電性ワイヤが、プラズマエッチングプロセスに関連するデータにおいて識別される１つもしくは複数の最小値または最大値に少なくとも部分的に基づいて調整可能である。例えば、アジマス特性９００内で識別される最大値９０２に対処するために、導電性ワイヤ４０８（および／または可撓性セクション２０８）から誘導エレメント１０８までの距離４０２が増減されるよう、導電性ワイヤ４０８（および／または可撓性セクション２０８）の少なくとも一部を（例えば調整機構を介して）調整可能である。このようにして、導電性表面１１０の周縁を運動させることに加えてかつ／またはこれに代えて、導電性ワイヤ４０８（および／または可撓性セクション２０８）を誘導エレメント１０８に対して相対的に運動させ、これにより類似の効果を形成することもできる。幾つかの構成では、所望の均質性および／またはアジマス特性を達成するために、８０２〜８０６を反復することができる。
本発明の主題を特定の例示的実施形態に即して詳細に説明してきたが、上述の説明を理解された当業者であれば、こうした実施形態につき種々の変更物、変形物および等価物を容易に形成できることを理解されるであろう。したがって、本発明の開示範囲が限定でなく例示のためのものであって、主たる開示が本発明の主題に対するこうした修正物、変形物および／または付加物の包含を排除しないことは、当業者に容易に理解されるはずである。

Claims (16)

  1. プラズマ処理装置であって、
    プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバの上方に配置されたＲＦケージと、
    前記プラズマ処理チャンバと前記ＲＦケージとを分離する誘電窓と、
    前記誘電窓の上方に配置されており、電力が供給された際に前記プラズマ処理チャンバ内に誘導結合プラズマを発生させるように動作可能なプラズマ発生コイルと、
    前記ＲＦケージ内で、前記プラズマ発生コイルの少なくとも一部に近接して配置された導電性表面と、
    を含み、
    前記導電性表面は、前記プラズマ発生コイルと前記ＲＦケージ内の少なくとも１つの他の要素との間の通信を減少するように構成されたＲＦシールドであり、
    前記導電性表面は、前記プラズマ発生コイルに電力が供給された際に、前記導電性表面と前記プラズマ発生コイルとの間にアジマス方向で可変の誘導結合を発生させるように配置されている、
    プラズマ処理装置。
  2. 前記導電性表面と前記プラズマ発生コイルとの間のアジマス方向で可変の前記誘導結合は、前記プラズマ発生コイルと前記誘導結合プラズマとの間の誘導結合に対して非対称の障害を発生させるように動作可能である、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記導電性表面の第１のアジマス部分は、前記プラズマ発生コイルから第１の距離だけ離れて配置されており、
    前記導電性表面の第２のアジマス部分は、前記プラズマ発生コイルから、前記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れて配置されている、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記導電性表面の少なくとも一部は、前記プラズマ発生コイルに対して相対的に可動である、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記導電性表面は、アースされている、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記導電性表面は、環状シールドを含む、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記環状シールドの少なくとも第１のアジマス部分は、前記環状シールドの第２のアジマス部分に対して相対的に、前記プラズマ発生コイルに近づく方向で屈曲される、
    請求項６記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記環状シールドの中央部は、前記プラズマ発生コイルに対して相対的に固定されている、
    請求項６記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記環状シールドの周縁の少なくとも一部は、前記プラズマ発生コイルに向かう方向および前記プラズマ発生コイルから離れる方向で可動である、
    請求項８記載のプラズマ処理装置。
  10. 前記周縁の少なくとも一部は、前記ＲＦケージの側壁に配置された１つもしくは複数のピンによって保持されている、
    請求項９記載のプラズマ処理装置。
  11. 前記導電性表面は、前記プラズマ発生コイルの選択されたアジマス部分のみに近接して配置された部分環状シールドを含む、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  12. 前記プラズマ処理装置は、複数のプラズマ発生コイルを含む、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  13. 前記プラズマ処理装置は、複数の前記導電性表面を含み、
    各導電性表面は、前記複数のプラズマ発生コイルのうち少なくとも１つに対応しており、
    各導電性表面は、前記プラズマ発生コイルに電力が供給された際に、前記導電性表面とこれに対応するプラズマ発生コイルとの間にアジマス方向で可変の誘導結合が発生するように配置されている、
    請求項１２記載のプラズマ処理装置。
  14. さらに、前記導電性表面に接続された導電性ワイヤを含み、
    前記導電性ワイヤの少なくとも一部は、前記導電性ワイヤから前記プラズマ発生コイルまでの距離が増大または低減されるように調整可能である、
    請求項１記載のプラズマ処理装置。
  15. プラズマ処理装置であって、
    プロセスガスを閉じ込めるように動作可能な内室を有するプラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバの上方に配置されたＲＦケージと、
    誘電窓と、
    ＲＦエネルギが供給された際に前記プラズマ処理チャンバ内に誘導結合プラズマを発生させるように動作可能な１つもしくは複数の誘導エレメントと、
    前記ＲＦケージ内で、前記１つもしくは複数の誘導エレメントの少なくとも一部に近接して配置された１つもしくは複数の導電性表面と、
    を含み、
    前記１つもしくは複数の導電性表面の少なくとも一部は、前記１つもしくは複数の誘導エレメントにＲＦエネルギが供給された際に前記１つもしくは複数の導電性表面と前記１つもしくは複数の誘導エレメントとの間に１つもしくは複数のアジマス方向で可変の誘導結合が発生するよう、前記１つもしくは複数の誘導エレメントに対して相対的に可動であり、
    前記１つもしくは複数の導電性表面の少なくとも１つは、前記１つもしくは複数の誘導エレメントと前記ＲＦケージ内の少なくとも１つの他の要素との間の通信を減少するように構成されたＲＦシールドである、
    プラズマ処理装置。
  16. 前記１つもしくは複数の誘導エレメントは、第１の誘導エレメントと第２の誘導エレメントとを含み、前記１つもしくは複数の導電性表面は、第１の導電性表面と第２の導電性表面とを含み、
    前記第１の導電性表面の少なくとも一部は、前記第１の誘導エレメントにＲＦエネルギが供給された際に前記第１の導電性表面と前記第１の誘導エレメントとの間にアジマス方向で可変の第１の誘導結合が発生するよう、前記第１の誘導エレメントに対して相対的に可動であり、
    前記第２の導電性表面の少なくとも一部は、前記第２の誘導エレメントにＲＦエネルギが供給された際に前記第２の導電性表面と前記第２の誘導エレメントとの間にアジマス方向で可変の第２の誘導結合が発生するよう、前記第２の誘導エレメントに対して相対的に可動である、
    請求項１５記載のプラズマ処理装置。
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