JP5856791B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5856791B2 JP5856791B2 JP2011220611A JP2011220611A JP5856791B2 JP 5856791 B2 JP5856791 B2 JP 5856791B2 JP 2011220611 A JP2011220611 A JP 2011220611A JP 2011220611 A JP2011220611 A JP 2011220611A JP 5856791 B2 JP5856791 B2 JP 5856791B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- induction coil
- processing chamber
- plasma
- conductor
- dielectric window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
1a 誘電体窓
1b 処理容器
2 試料
3 試料台
4、4a、4b、4c、4d 誘導コイル
5 プラズマ
6 ファラデーシールド
7 整合器
8 第1の高周波電源
9 ガス供給装置
10 排気装置
11 第2の高周波電源
12 導体
13a、13b 誘導電流
14 誘導コイル保護カバー
15a、15b ボルト
16 サポート部
17 給電部の交差部
18 一体型ファラデーシールド
Claims (4)
- 試料がプラズマ処理される真空処理室と、前記真空処理室の上方を封止する誘電体窓と、前記真空処理室内に配置され前記試料が載置される試料台と、前記誘電体窓の上方に配置された誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
前記誘導コイルと前記誘電体窓の間に配置された平板の導体をさらに備え、
前記誘導コイルは、交差した給電部を具備し、
前記導体は、前記給電部の下方に配置されているとともに接地された前記真空処理室と導通していることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される真空処理室と、前記真空処理室の上方を封止する誘電体窓と、前記真空処理室内に配置され前記試料が載置される試料台と、前記誘電体窓の上方に配置された誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記誘導コイルと前記誘電体窓の間に配置されプラズマと容量結合するファラデーシールドとを備えるプラズマ処理装置において、
前記誘導コイルは、交差した給電部を具備し、
前記ファラデーシールドは、複数のスリットを具備し、
開口の一部が前記給電部に対向するスリットは、前記開口の一部が塞がれた形状であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される真空処理室と、前記真空処理室の上方を封止する誘電体窓と、前記真空処理室内に配置され前記試料が載置される試料台と、前記誘電体窓の上方に配置された誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
前記誘導コイルと前記誘電体窓の間に配置された平板の導体をさらに備え、
前記誘導コイルは、交差した給電部を具備し、
前記導体は、前記給電部の下方に配置されているとともに周回の誘導電流が発生する形状であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される真空処理室と、前記真空処理室の上方を封止する誘電体窓と、前記真空処理室内に配置され前記試料が載置される試料台と、前記誘電体窓の上方に配置された誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
前記誘導コイルと前記誘電体窓の間に配置された平板の導体をさらに備え、
前記誘導コイルは、交差した給電部を具備し、
前記導体は、前記給電部の下方に配置され、
前記導体の個数は、前記給電部の数に応じた個数であることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011220611A JP5856791B2 (ja) | 2011-10-05 | 2011-10-05 | プラズマ処理装置 |
US13/363,427 US10541115B2 (en) | 2011-10-05 | 2012-02-01 | Plasma processing apparatus |
US16/669,711 US10998168B2 (en) | 2011-10-05 | 2019-10-31 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011220611A JP5856791B2 (ja) | 2011-10-05 | 2011-10-05 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013080643A JP2013080643A (ja) | 2013-05-02 |
JP2013080643A5 JP2013080643A5 (ja) | 2014-10-09 |
JP5856791B2 true JP5856791B2 (ja) | 2016-02-10 |
Family
ID=48041304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011220611A Active JP5856791B2 (ja) | 2011-10-05 | 2011-10-05 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10541115B2 (ja) |
JP (1) | JP5856791B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9779953B2 (en) * | 2013-09-25 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Electromagnetic dipole for plasma density tuning in a substrate processing chamber |
CN106611643A (zh) * | 2015-10-23 | 2017-05-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 立体线圈、反应腔室及半导体加工设备 |
JP6620078B2 (ja) | 2016-09-05 | 2019-12-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP7139181B2 (ja) * | 2018-07-26 | 2022-09-20 | ワイエイシイテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN113972125B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-07-29 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理系统及其多段式法拉第屏蔽装置 |
CN114231936A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-03-25 | 中山市博顿光电科技有限公司 | 防污染装置、电离腔体及射频离子源 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3150058B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4119547B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2008-07-16 | 東京エレクトロンAt株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4384301B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2009-12-16 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
US6666982B2 (en) * | 2001-10-22 | 2003-12-23 | Tokyo Electron Limited | Protection of dielectric window in inductively coupled plasma generation |
JP4079834B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2008-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
US7273533B2 (en) * | 2003-11-19 | 2007-09-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling |
JP2006216903A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP4659771B2 (ja) | 2007-02-13 | 2011-03-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4933329B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5451324B2 (ja) | 2009-11-10 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2011124293A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
-
2011
- 2011-10-05 JP JP2011220611A patent/JP5856791B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-01 US US13/363,427 patent/US10541115B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-31 US US16/669,711 patent/US10998168B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013080643A (ja) | 2013-05-02 |
US10541115B2 (en) | 2020-01-21 |
US20200066487A1 (en) | 2020-02-27 |
US20130087288A1 (en) | 2013-04-11 |
US10998168B2 (en) | 2021-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5451324B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5856791B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US8911588B2 (en) | Methods and apparatus for selectively modifying RF current paths in a plasma processing system | |
TW201841254A (zh) | 基板處理裝置及用以處理基板之方法 | |
KR20120112184A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
KR102411913B1 (ko) | 배치대 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR20140050560A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
US11437222B2 (en) | Plasma processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
JP5865472B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20140209244A1 (en) | Skew elimination and control in a plasma enhanced substrate processing chamber | |
JP5913829B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20140053984A1 (en) | Symmetric return liner for modulating azimuthal non-uniformity in a plasma processing system | |
US20130062311A1 (en) | Inductively coupled plasma processing apparatus and method for processing substrate with the same | |
JP2013254723A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2018041531A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20160013002A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP6530859B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6001963B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ生成装置、アンテナ構造体及びプラズマ生成方法 | |
US20130240147A1 (en) | Methods and apparatus for selectively modulating azimuthal non-uniformity in a plasma processing system | |
JP5639866B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102207755B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
JP6454488B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6239666B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20150130647A (ko) | 플라즈마 처리장치용 안테나 구조 | |
US20150279623A1 (en) | Combined inductive and capacitive sources for semiconductor process equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140822 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140822 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150609 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5856791 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |