JP3043215B2 - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、均一なプラズマを発生
させることができるプラズマ発生装置に関する。
させることができるプラズマ発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体集積回路の製造におい
ては、アッシング、エッチング、ＣＶＤ、スパッタリン
グ等の諸工程で、処理ガスのイオン化や化学反応等を促
進するために、プラズマが利用されている。従来より、
この種のプラズマを発生させる方法として、渦巻き状の
アンテナを用いる高周波誘電方式が知られている。
ては、アッシング、エッチング、ＣＶＤ、スパッタリン
グ等の諸工程で、処理ガスのイオン化や化学反応等を促
進するために、プラズマが利用されている。従来より、
この種のプラズマを発生させる方法として、渦巻き状の
アンテナを用いる高周波誘電方式が知られている。
【０００３】この高周波誘電方式は、例えば欧州特許公
開明細書第３７９８２８号に記載されているように、ウ
エハ載置台と対向するチャンバの一面（一般に上面）を
石英ガラス等の絶縁物で構成して、その外側の壁面に渦
巻き状のアンテナを固定し、これに高周波電流を流して
チャンバ内に高周波電磁場をつくり、この電磁場空間内
で流れる電子を処理ガスの中性粒子に衝突させて、ガス
を電離させ、プラズマを生成するようにしている。
開明細書第３７９８２８号に記載されているように、ウ
エハ載置台と対向するチャンバの一面（一般に上面）を
石英ガラス等の絶縁物で構成して、その外側の壁面に渦
巻き状のアンテナを固定し、これに高周波電流を流して
チャンバ内に高周波電磁場をつくり、この電磁場空間内
で流れる電子を処理ガスの中性粒子に衝突させて、ガス
を電離させ、プラズマを生成するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような高周波誘
導方式を用いるプラズマ処理装置では、渦巻き状アンテ
ナ直下のチャンバ内空間でプラズマが生成される。この
プラズマの生成密度は、各位置での電界強度に比例し、
半径方向において渦巻き状アンテナの中間部程に対応す
る位置でプラズマ密度が最も高く、それより内側および
外側に向かうほどプラズマ密度が低くなる。
導方式を用いるプラズマ処理装置では、渦巻き状アンテ
ナ直下のチャンバ内空間でプラズマが生成される。この
プラズマの生成密度は、各位置での電界強度に比例し、
半径方向において渦巻き状アンテナの中間部程に対応す
る位置でプラズマ密度が最も高く、それより内側および
外側に向かうほどプラズマ密度が低くなる。
【０００５】このように半径方向において不均一な密度
分布で発生したプラズマは高密度領域から低密度領域へ
拡散するため、下方の半導体ウェハ付近ではプラズマが
かなり均一化される。
分布で発生したプラズマは高密度領域から低密度領域へ
拡散するため、下方の半導体ウェハ付近ではプラズマが
かなり均一化される。
【０００６】また、プラズマが発生する発生領域を精細
かつ広範囲に制御するために、渦巻き状アンテナを２分
割し、各アンテナに高周波電力を印加するようにするこ
とが考えられている。
かつ広範囲に制御するために、渦巻き状アンテナを２分
割し、各アンテナに高周波電力を印加するようにするこ
とが考えられている。
【０００７】しかし、このようにアンテナを２分割し
て、プラズマを発生させるようにした場合には、各アン
テナに印加される高周波電力が空間で相互に干渉し、負
荷であるプラズマとのインピ−ダンス整合が採れないと
いう問題が発生する。
て、プラズマを発生させるようにした場合には、各アン
テナに印加される高周波電力が空間で相互に干渉し、負
荷であるプラズマとのインピ−ダンス整合が採れないと
いう問題が発生する。
【０００８】このようにインピ−ダンス整合が採れない
問題は当然のことながら、アンテナを複数に分割し、各
アンテナに独立して高周波電力を供給した場合でも発生
する。
問題は当然のことながら、アンテナを複数に分割し、各
アンテナに独立して高周波電力を供給した場合でも発生
する。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は複数の高周波アンテナを用い、各高周波
アンテナに独立して高周波電力を供給しても、各高周波
電力の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うこと
ができるプラズマ発生装置を提供することにある。
で、その目的は複数の高周波アンテナを用い、各高周波
アンテナに独立して高周波電力を供給しても、各高周波
電力の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うこと
ができるプラズマ発生装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係わるプラズ
マ発生装置は、チャンバ内にプラズマを発生させ、チャ
ンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の
処理を施すプラズマ発生装置において、上記チャンバ内
の上記被処理体に対向して内側に配置された少なくとも
１巻きのコイルとその外側に配置された少なくとも１巻
きのコイルとを同心円状に配置し、上記各１巻きのコイ
ルの間に軸方向にスリットが形成された電磁シ−ルド用
円筒部材を立設するようにしたことを特徴とする。
マ発生装置は、チャンバ内にプラズマを発生させ、チャ
ンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の
処理を施すプラズマ発生装置において、上記チャンバ内
の上記被処理体に対向して内側に配置された少なくとも
１巻きのコイルとその外側に配置された少なくとも１巻
きのコイルとを同心円状に配置し、上記各１巻きのコイ
ルの間に軸方向にスリットが形成された電磁シ−ルド用
円筒部材を立設するようにしたことを特徴とする。
【００１１】請求項２に係わるプラズマ発生装置は、チ
ャンバ内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置され
た被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズ
マ発生装置において、上記チャンバ内の上記被処理体に
対向して内側に配置された少なくとも１巻きのコイルと
その外側に配置された少なくとも１巻きのコイルとを同
心円状に配置し、上記各１巻きコイルの間に電磁シ−ル
ド用円筒部材とを立設するようにしたことを特徴とす
る。
ャンバ内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置され
た被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズ
マ発生装置において、上記チャンバ内の上記被処理体に
対向して内側に配置された少なくとも１巻きのコイルと
その外側に配置された少なくとも１巻きのコイルとを同
心円状に配置し、上記各１巻きコイルの間に電磁シ−ル
ド用円筒部材とを立設するようにしたことを特徴とす
る。
【００１２】請求項３に係わるプラズマ発生装置は、チ
ャンバ内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置され
た被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズ
マ発生装置において、上記チャンバ内の上記被処理体に
対向して内側に配置された少なくとも１巻きのコイルと
その外側に配置された少なくとも１巻きのコイルとを同
心円状に配置し、上記各１巻きコイルの間にメッシュ状
の電磁シ−ルド用円筒部材を立設するようにしたことを
特徴とする。
ャンバ内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置され
た被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズ
マ発生装置において、上記チャンバ内の上記被処理体に
対向して内側に配置された少なくとも１巻きのコイルと
その外側に配置された少なくとも１巻きのコイルとを同
心円状に配置し、上記各１巻きコイルの間にメッシュ状
の電磁シ−ルド用円筒部材を立設するようにしたことを
特徴とする。
【００１３】
【作用】請求項１において、同心円状に配置された１巻
きコイルの間に軸方向にスリットが形成された電磁シ−
ルド用円筒部材を立設するようにしたので、１巻きコイ
ルに独立して高周波電力を供給した場合でも、各高周波
電力の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うこと
ができる。
きコイルの間に軸方向にスリットが形成された電磁シ−
ルド用円筒部材を立設するようにしたので、１巻きコイ
ルに独立して高周波電力を供給した場合でも、各高周波
電力の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うこと
ができる。
【００１４】請求項２において、同心円状に配置された
１巻きコイルの間に電磁シ−ルド用円筒部材を立設する
ようにしたので、１巻きコイルに独立して高周波電力を
供給した場合でも、各高周波電力の相互干渉を減少さ
せ、負荷整合を良好に行うことができる。
１巻きコイルの間に電磁シ−ルド用円筒部材を立設する
ようにしたので、１巻きコイルに独立して高周波電力を
供給した場合でも、各高周波電力の相互干渉を減少さ
せ、負荷整合を良好に行うことができる。
【００１５】請求項３において、同心円状に配置された
１巻きコイルの間にメッシュ状の電磁シ−ルド用円筒部
材を立設するようにしたので、１巻きコイルに独立して
高周波電力を供給した場合でも、各高周波電力の相互干
渉を減少させ、負荷整合を良好に行うことができる。
１巻きコイルの間にメッシュ状の電磁シ−ルド用円筒部
材を立設するようにしたので、１巻きコイルに独立して
高周波電力を供給した場合でも、各高周波電力の相互干
渉を減少させ、負荷整合を良好に行うことができる。
【００１６】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１はプラズマ発生装置の全体構成を示す
断面図、図２は高周波コイルの形状を示す平面図、図３
は静電チャックの構成を示す断面図である。
て説明する。図１はプラズマ発生装置の全体構成を示す
断面図、図２は高周波コイルの形状を示す平面図、図３
は静電チャックの構成を示す断面図である。
【００１７】図１において、１０はプラズマ処理装置の
チャンバである。このチャンバ１０の底面及び側面はア
ルミニウムで構成され、上面は石英ガラス１１よりなる
円筒状の密閉容器で構成されている。このチャンバ１０
の底面中央部には円柱状のセラミックあるいは石英等の
絶縁物より構成される支持部材１２が配設されている。
チャンバである。このチャンバ１０の底面及び側面はア
ルミニウムで構成され、上面は石英ガラス１１よりなる
円筒状の密閉容器で構成されている。このチャンバ１０
の底面中央部には円柱状のセラミックあるいは石英等の
絶縁物より構成される支持部材１２が配設されている。
【００１８】この支持部材１２の上端には例えばアルミ
ニウムよりなる円盤状の電極基台１３が設置され、この
基台１３の上面には石英あるいはセラミック等の絶縁部
材よりなるウェハ載置台１４が設置されている。
ニウムよりなる円盤状の電極基台１３が設置され、この
基台１３の上面には石英あるいはセラミック等の絶縁部
材よりなるウェハ載置台１４が設置されている。
【００１９】上記チャンバ１０の上面の石英ガラス１１
の外側の壁面には、円盤状の静電シ−ルドを行うための
例えば、アルミニウムよりなる常磁性金属１５が設置さ
れ、この常磁性金属１５の上には、第１の１巻き高周波
コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７が何かの絶
縁物を介して設けられている。なお、この常磁性金属１
５は接地されている。
の外側の壁面には、円盤状の静電シ−ルドを行うための
例えば、アルミニウムよりなる常磁性金属１５が設置さ
れ、この常磁性金属１５の上には、第１の１巻き高周波
コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７が何かの絶
縁物を介して設けられている。なお、この常磁性金属１
５は接地されている。
【００２０】この常磁性金属１５は第１の１巻き高周波
コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７に加わる電
圧によって、プラズマとの間に寄生的に存在する容量性
結合を避けるために設置されている。
コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７に加わる電
圧によって、プラズマとの間に寄生的に存在する容量性
結合を避けるために設置されている。
【００２１】第１の１巻き高周波コイル１６と第２の１
巻き高周波コイル１７は図２に示すような平面構成を示
している。図２に示すように、各高周波コイル１６，１
７は同心円状に配設されており、第１の１巻き高周波コ
イル１６は第２の１巻き高周波コイル１７の内側に配置
されている。
巻き高周波コイル１７は図２に示すような平面構成を示
している。図２に示すように、各高周波コイル１６，１
７は同心円状に配設されており、第１の１巻き高周波コ
イル１６は第２の１巻き高周波コイル１７の内側に配置
されている。
【００２２】チャンバ１０の底部の四隅には脚３１ａ〜
３１ｂが取り付けられている。なお、脚３１ｃ及び３１
ｄについては図１中には図示してない。また、基台１３
には下部電源３２の非接地側端子がコンデンサ３３を介
して接続されている。
３１ｂが取り付けられている。なお、脚３１ｃ及び３１
ｄについては図１中には図示してない。また、基台１３
には下部電源３２の非接地側端子がコンデンサ３３を介
して接続されている。
【００２３】さらに、基台１３とウェハ載置台１４との
間には、静電チャック用電極３４が埋設されている。こ
の静電チャック用電極３４は図３に示すようにアルミニ
ウムあるいは銅よりなる電極層４１の両面をポリイミド
絶縁層４２で被覆した構成を有する。
間には、静電チャック用電極３４が埋設されている。こ
の静電チャック用電極３４は図３に示すようにアルミニ
ウムあるいは銅よりなる電極層４１の両面をポリイミド
絶縁層４２で被覆した構成を有する。
【００２４】電極層４１には直流電源４３の非接地側端
子が接続されている。このように、電極層４１に正の電
圧が印加されると、ウェハ載置台１４に載置されている
ウェハ４４は静電的に吸着される。
子が接続されている。このように、電極層４１に正の電
圧が印加されると、ウェハ載置台１４に載置されている
ウェハ４４は静電的に吸着される。
【００２５】チャンバ１０の側面上部には、ガス導入管
４５が気密に貫通され、シャワ−ヘッド４６に接続され
ている。また、チャンバ１０の側面下部には、ガス排出
管４７が設けられている。
４５が気密に貫通され、シャワ−ヘッド４６に接続され
ている。また、チャンバ１０の側面下部には、ガス排出
管４７が設けられている。
【００２６】チェンバ１０の側面上部には筒状のケ−シ
ング４８の下端部が固定され、その上端部にはインピ−
ダンス整合をとるためのＬＣ回路より構成されるマッチ
ングボックス４９が設置されている。
ング４８の下端部が固定され、その上端部にはインピ−
ダンス整合をとるためのＬＣ回路より構成されるマッチ
ングボックス４９が設置されている。
【００２７】このマッチングボックス４９を介して１
３．５６ＭHZの高周波電源５１が高周波コイル１６及び
１７にそれぞれ供給されている。そして、第１の１巻き
高周波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７との
間にはアルミニウム、銅よりなる円筒状の電磁シ−ルド
筒５０が配設されている。
３．５６ＭHZの高周波電源５１が高周波コイル１６及び
１７にそれぞれ供給されている。そして、第１の１巻き
高周波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７との
間にはアルミニウム、銅よりなる円筒状の電磁シ−ルド
筒５０が配設されている。
【００２８】この電磁シ−ルド筒５０は第１の１巻き高
周波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７との間
の電界の相互干渉をなくすために設けられている。な
お、この電磁シ−ルド筒５０は接地されている。
周波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７との間
の電界の相互干渉をなくすために設けられている。な
お、この電磁シ−ルド筒５０は接地されている。
【００２９】さらに、マッチングボックス４９には高周
波電源５１が接続されている。電磁シ−ルド筒５０は図
４に示すように、筒の軸方向にスリット５１が設けられ
ている。
波電源５１が接続されている。電磁シ−ルド筒５０は図
４に示すように、筒の軸方向にスリット５１が設けられ
ている。
【００３０】次に、上記のように構成された本発明の第
１実施例の動作について説明する。処理を受けるべき半
導体ウェハ４４がウェハ載置台１４に載置され、チェン
バ１０内がガス排気管４７を介して所定の真空度に排気
され、ガス供給管４５より所定の処理ガスが所定の圧力
・流量でチャンバ１０内に供給される状態を作り出す。
１実施例の動作について説明する。処理を受けるべき半
導体ウェハ４４がウェハ載置台１４に載置され、チェン
バ１０内がガス排気管４７を介して所定の真空度に排気
され、ガス供給管４５より所定の処理ガスが所定の圧力
・流量でチャンバ１０内に供給される状態を作り出す。
【００３１】このような状況下で、発振回路２１ａから
出力された１３．５６ＭHZの高周波電圧はマッチングボ
ックス４９を介して高周波コイル１６，１７にそれぞれ
供給される状態を作り出す。
出力された１３．５６ＭHZの高周波電圧はマッチングボ
ックス４９を介して高周波コイル１６，１７にそれぞれ
供給される状態を作り出す。
【００３２】この高周波電圧の印加によって高周波コイ
ル１６，１７に高周波電流が流れると、高周波コイル１
６，１７の回りに交番磁界が発生し、その磁界の多くは
アンテナ中心部を縦方向に通って閉ル−プを形成する。
このような交番磁界によって高周波コイル１６，１７の
直下で概ね同心円状に円周方向の交番電界が誘起され、
この交番電界により円周方向に加速された電子が処理ガ
スの中性粒子に衝突することで、ガスが電離して、プラ
ズマｐが生成される。
ル１６，１７に高周波電流が流れると、高周波コイル１
６，１７の回りに交番磁界が発生し、その磁界の多くは
アンテナ中心部を縦方向に通って閉ル−プを形成する。
このような交番磁界によって高周波コイル１６，１７の
直下で概ね同心円状に円周方向の交番電界が誘起され、
この交番電界により円周方向に加速された電子が処理ガ
スの中性粒子に衝突することで、ガスが電離して、プラ
ズマｐが生成される。
【００３３】そして、プラズマに含まれるイオン、電子
やそれ以外の活性種が半導体ウェハ４４の表面全体に均
一に供給または照射され、ウェハ４４の表面全体で均一
に所定のプラズマ処理が行われる。
やそれ以外の活性種が半導体ウェハ４４の表面全体に均
一に供給または照射され、ウェハ４４の表面全体で均一
に所定のプラズマ処理が行われる。
【００３４】たとえば、プラズマエッチングでは、プラ
ズマで活性状態に励起されたガス分子がウェハ４４の表
面の被加工物質と化学反応してその固体の反応生成物が
ウェハ表面に堆積して、膜が形成される。
ズマで活性状態に励起されたガス分子がウェハ４４の表
面の被加工物質と化学反応してその固体の反応生成物が
ウェハ表面に堆積して、膜が形成される。
【００３５】ところで、第１の１巻き高周波コイル１６
と第２の１巻き高周波コイル１７との間に接地された電
磁シ−ルド筒５０を設けるようにしたので、第１の１巻
き高周波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７と
の間の電界の相互干渉をなくすことにより、高周波電力
の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うことがで
きる。また、高周波コイル１６あるいは１７からの反射
波を小さくし、チャンバ１０に発生するプラズマを立ち
やすくすることができる。
と第２の１巻き高周波コイル１７との間に接地された電
磁シ−ルド筒５０を設けるようにしたので、第１の１巻
き高周波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７と
の間の電界の相互干渉をなくすことにより、高周波電力
の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うことがで
きる。また、高周波コイル１６あるいは１７からの反射
波を小さくし、チャンバ１０に発生するプラズマを立ち
やすくすることができる。
【００３６】さらに、電磁シ−ルド筒５０の軸方向にス
リット５１を設けるようにしたので、電磁シ−ルド筒５
０の周方向にうず電流が発生するのを防止することがで
きる。これにより、供給する電力を無駄なくプラズマ発
生装置で消費させることができる。
リット５１を設けるようにしたので、電磁シ−ルド筒５
０の周方向にうず電流が発生するのを防止することがで
きる。これにより、供給する電力を無駄なくプラズマ発
生装置で消費させることができる。
【００３７】なお、上記実施例では電磁シ−ルド筒５０
の軸方向にスリット５１を設けるようにしたが、図５に
示すようにスリットを設けなくても良い。このようなス
リット５１のない電磁シ−ルド筒５０を用いることによ
り、第１の１巻き高周波コイル１６と第２の１巻き高周
波コイル１７との間の電界の相互干渉をなくすことによ
り、高周波電力の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好
に行うことができる。
の軸方向にスリット５１を設けるようにしたが、図５に
示すようにスリットを設けなくても良い。このようなス
リット５１のない電磁シ−ルド筒５０を用いることによ
り、第１の１巻き高周波コイル１６と第２の１巻き高周
波コイル１７との間の電界の相互干渉をなくすことによ
り、高周波電力の相互干渉を減少させ、負荷整合を良好
に行うことができる。
【００３８】さらに、上記実施例の電磁シ−ルド筒５０
の代わりに、図６に示すようにメッシュ状の電磁シ−ル
ド筒６０を用いても良い。このようなメッシュ状の電磁
シ−ルド筒６０を用いることにより、第１の１巻き高周
波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７との間の
電界の相互干渉をなくすことにより、高周波電力の相互
干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うことができる。
の代わりに、図６に示すようにメッシュ状の電磁シ−ル
ド筒６０を用いても良い。このようなメッシュ状の電磁
シ−ルド筒６０を用いることにより、第１の１巻き高周
波コイル１６と第２の１巻き高周波コイル１７との間の
電界の相互干渉をなくすことにより、高周波電力の相互
干渉を減少させ、負荷整合を良好に行うことができる。
【００３９】上記実施例では、１巻き高周波コイルを２
つ設けた一例について説明したが、１巻き高周波コイル
を複数設けたものにおいては、各高周波コイルの間に電
磁シ−ルド筒を立設するようにしても良い。
つ設けた一例について説明したが、１巻き高周波コイル
を複数設けたものにおいては、各高周波コイルの間に電
磁シ−ルド筒を立設するようにしても良い。
【００４０】なお、本発明はプラズマエッチング装置お
よびプラズマＣＶＤ装置に限定されるものではなく、プ
ラズマアッシング装置等の他のプラズマ処理装置にも適
用可能であり、被処理体も半導体ウェハに限らず、ＬＣ
Ｄ基板その他の被処理体でも可能である。
よびプラズマＣＶＤ装置に限定されるものではなく、プ
ラズマアッシング装置等の他のプラズマ処理装置にも適
用可能であり、被処理体も半導体ウェハに限らず、ＬＣ
Ｄ基板その他の被処理体でも可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、内
側に配置された少なくとも１巻きのコイルとその外側に
配置された少なくとも１巻きのコイルとを同心円状に配
置すると共に、各コイルに独立して高周波電力を供給す
る場合に、各コイル間に電磁シ−ルド筒を設けて、各高
周波電力の相互干渉を減少させるようにしたので、負荷
整合を良好に行うことができるプラズマ発生装置を提供
することができる。
側に配置された少なくとも１巻きのコイルとその外側に
配置された少なくとも１巻きのコイルとを同心円状に配
置すると共に、各コイルに独立して高周波電力を供給す
る場合に、各コイル間に電磁シ−ルド筒を設けて、各高
周波電力の相互干渉を減少させるようにしたので、負荷
整合を良好に行うことができるプラズマ発生装置を提供
することができる。
【図１】本発明の一実施例に係わるプラズマ発生装置の
全体構成を示す断面図。
全体構成を示す断面図。
【図２】同実施例の高周波アンテナの形状を示す平面
図。
図。
【図３】同実施例の静電チャックの構成を示す断面図。
【図４】同実施例の電磁シ−ルド筒の構成を示す斜視
図。
図。
【図５】電磁シ−ルド筒の変形例を示す斜視図。
【図６】電磁シ−ルド筒の他の変形例を示す斜視図。
１０…チャンバ、１１…石英ガラス、１２…支持部材、
１３…基台、１４…ウェハ載置台、１５…常磁性金属、
１６…第１の１巻き高周波コイル、１７…第２の１巻き
高周波コイル、５０…電磁シ−ルド筒。
１３…基台、１４…ウェハ載置台、１５…常磁性金属、
１６…第１の１巻き高周波コイル、１７…第２の１巻き
高周波コイル、５０…電磁シ−ルド筒。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｑ 7/00 Ｈ０１Ｑ 7/00 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバ内にプラズマを発生させ、チャ
ンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の
処理を施すプラズマ発生装置において、上記チャンバ内
の上記被処理体に対向して内側に配置された少なくとも
１巻きのコイルとその外側に配置された少なくとも１巻
きのコイルとを同心円状に配置し、上記各１巻きのコイ
ルの間に軸方向にスリットが形成された電磁シ−ルド用
円筒部材を立設するようにしたことを特徴とするプラズ
マ発生装置。 - 【請求項２】 チャンバ内にプラズマを発生させ、チャ
ンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の
処理を施すプラズマ発生装置において、上記チャンバ内
の上記被処理体に対向して内側に配置された少なくとも
１巻きのコイルとその外側に配置された少なくとも１巻
きのコイルとを同心円状に配置し、上記各１巻きコイル
の間に電磁シ−ルド用円筒部材とを立設するようにした
ことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 チャンバ内にプラズマを発生させ、チャ
ンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の
処理を施すプラズマ発生装置において、上記チャンバ内
の上記被処理体に対向して内側に配置された少なくとも
１巻きのコイルとその外側に配置された少なくとも１巻
きのコイルとを同心円状に配置し、上記各１巻きコイル
の間にメッシュ状の電磁シ−ルド用円筒部材を立設する
ようにしたことを特徴とするプラズマ発生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023992A JP3043215B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | プラズマ発生装置 |
| TW83109725A TW273068B (ja) | 1993-10-20 | 1994-10-20 | |
| KR1019940026833A KR100276736B1 (ko) | 1993-10-20 | 1994-10-20 | 플라즈마 처리장치 |
| US08/327,798 US5571366A (en) | 1993-10-20 | 1994-10-20 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023992A JP3043215B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | プラズマ発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235395A JPH07235395A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3043215B2 true JP3043215B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=12126082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6023992A Expired - Fee Related JP3043215B2 (ja) | 1993-10-20 | 1994-02-22 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043215B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028395A (en) * | 1997-09-16 | 2000-02-22 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having coil with added conducting segments to its peripheral part |
| JP5139029B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2013-02-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置 |
| JP5227245B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5812561B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5894785B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 |
-
1994
- 1994-02-22 JP JP6023992A patent/JP3043215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07235395A (ja) | 1995-09-05 |
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