JP5812561B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
こうして、ドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度を任意に制御することにより、基板近傍のプラズマ密度分布を任意に制御することが可能であり、プラズマプロセスの均一性の向上も容易に達成できる。
本発明の第3の観点におけるプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体とを有し、前記磁気シールド空洞導体は、前記RFアンテナの上に設けられる大気圧空間のアンテナ室に収容され、前記アンテナ室の天井壁が前記磁気シールド空洞導体の天井部を構成する。
本発明の第4の観点におけるプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体とを有し、前記磁気シールド空洞導体は、その開口端が方位角方向に沿って前記RFアンテナと上下方向で一定の距離を隔てるように配置される。
本発明の第5の観点におけるプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体とを有し、前記磁気シールド空洞導体は、前記RFアンテナに対してその開口径を可変できる。
本発明の第6の観点におけるプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体とを有し、前記磁気シールド空洞導体に、前記処理ガス供給部からの処理ガスを前記処理容器内に供給するガス管を通すための貫通孔が設けられている。
本発明の第7の観点におけるプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体とを有し、前記磁気シールド空洞導体に、縦方向に延びるスリットが方位角方向に所望の間隔を空けて多数設けられている。
本発明の第8の観点におけるプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体とを有し、前記RFアンテナと前記磁気シールド空洞導体との離間距離を可変制御するアンテナ−磁気シールド間隔制御部を有する。
本発明の第9の観点におけるプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体とを有し、前記磁気シールド空洞導体を前記RFアンテナと同軸上の位置で回転運動させるための磁気シールド回転機構を有する。
上記第10の観点のプラズマ処理装置においては、上記のような構成により、特にそれぞれ異なる口径の開口端をRFアンテナよりも高い位置で下に向け、RFアンテナの周囲に分布する磁界を開口端付近から径方向内側の領域または開口端付近から径方向外側の領域で局所的に縮小化する複数の磁気シールド空洞導体を備える構成により、磁気シールド空洞導体の磁気遮蔽効果を利用してドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度を任意に制御する機能を更に向上させることができる。
本発明の第12の観点における誘導結合型のプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体とを有し、前記複数の磁気シールド空洞導体は、前記RFアンテナの上に設けられる大気圧空間のアンテナ室に収容され、前記アンテナ室の天井壁が少なくとも1つの前記磁気シールド空洞導体の天井部を構成する。
本発明の第13の観点における誘導結合型のプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体とを有し、前記RFアンテナに対する前記複数の磁気シールド空洞導体の離間距離を各々独立に可変制御するアンテナ−磁気シールド間隔制御部を有する。
本発明の第14の観点における誘導結合型のプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体とを有し、前記複数の磁気シールド空洞導体の各々に、縦方向に延びるスリットが方位角方向に所望の間隔を空けて多数設けられている。
本発明の第15の観点における誘導結合型のプラズマ処理装置は、天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体とを有し、各々の前記磁気シールド空洞導体は、その開口端が方位角方向に沿って前記RFアンテナと上下方向で一定の距離を隔てるように配置される。
[第1の実施形態]
ここで「ドーナツ状のプラズマ」とは、チャンバ10の径方向内側(中心部)にプラズマが立たず径方向外側にのみプラズマが立つような厳密にリング状のプラズマに限定されず、むしろチャンバ10の径方向内側より径方向外側のプラズマの体積または密度が大きいことを意味する。また、処理ガスに用いるガスの種類やチャンバ10内の圧力の値等の条件によっては、ここで云う「ドーナツ状のプラズマ」にならない場合もある。
[第2の実施形態]
[第3の実施形態]
[第4の実施形態]
[第5の実施形態]
[第6の実施形態]
[第7の実施形態]
[他の実施形態または変形例]
Claims (25)
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置され、前記RFアンテナの周りに発生するRF磁界の磁力線ループを前記開口端付近から径方向内側の領域または前記開口端付近から径方向外側の領域で縮小化ないし局所化する磁気シールド空洞導体と
を有するプラズマ処理装置。 - 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記磁気シールド空洞導体は、天井部が塞がった筒状またはドーム状の形体を有する、
プラズマ処理装置。 - 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記磁気シールド空洞導体は、前記RFアンテナの上に設けられる大気圧空間のアンテナ室に収容され、
前記アンテナ室の天井壁が前記磁気シールド空洞導体の天井部を構成する、
プラズマ処理装置。 - 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記磁気シールド空洞導体は、その開口端が方位角方向に沿って前記RFアンテナと上下方向で一定の距離を隔てるように配置される、
プラズマ処理装置。 - 前記磁気シールド空洞導体は、スパイラルコイルまたは各一周内で半径一定の同心円コイルの形体を有する単一の前記RFアンテナに対して同軸に配置され、その開口端が径方向において前記RFアンテナの内周と外周との間の上に位置する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記磁気シールド空洞導体は、前記RFアンテナに対してその開口径を可変できる、
プラズマ処理装置。 - 前記磁気シールド空洞導体に、前記高周波給電部からの高周波電流を前記RFアンテナに流すRF給電導体を通すための貫通孔が設けられている、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記磁気シールド空洞導体に、前記処理ガス供給部からの処理ガスを前記処理容器内に供給するガス管を通すための貫通孔が設けられている、
プラズマ処理装置。 - 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記磁気シールド空洞導体に、縦方向に延びるスリットが方位角方向に所望の間隔を空けて多数設けられている、
プラズマ処理装置。 - 前記スリットを開閉するためのシャッタを有する、請求項9記載のプラズマ処理装置。
- 前記スリットの開口部分の幅を可変するための開口率調節部を有する、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁気シールド空洞導体の内側および外側の磁界強度をそれぞれ測定するための第1および第2の磁界強度測定部を有し、前記第1および第2の磁界強度測定部でそれぞれ得られる第1および第2の磁界強度計測値を前記開口率調節部にフィードバックして、前記第1の磁界強度計測値と前記第2の磁界強度計測値との比が規定値になるように、前記スリットの開口部分の幅を制御する、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記RFアンテナと前記磁気シールド空洞導体との離間距離を可変制御するアンテナ−磁気シールド間隔制御部を有する、
プラズマ処理装置。 - 前記磁気シールド空洞導体の内側および外側の磁界強度をそれぞれ測定するための第1および第2の磁界強度測定部を有し、前記第1および第2の磁界強度測定部でそれぞれ得られる第1および第2の磁界強度計測値を前記アンテナ−磁気シールド間隔制御部にフィードバックして、前記第1の磁界強度計測値と前記第2の磁界強度計測値との比が規定値になるように、前記RFアンテナと前記磁気シールド空洞導体との離間距離を制御する、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記磁気シールド空洞導体を前記RFアンテナと同軸上の位置で回転運動させるための磁気シールド回転機構を有する、
プラズマ処理装置。 - 前記磁気シールド空洞導体が、静止状態で方位角方向のプラズマ密度分布に偏りを与える切り欠き部を有する、請求項15に記載のプラズマ処理装置。
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置され、前記RFアンテナの周りに発生するRF磁界の磁力線ループを前記開口端付近から径方向内側の領域または前記開口端付近から径方向外側の領域で縮小化ないし局所化する複数の磁気シールド空洞導体と
を有するプラズマ処理装置。 - 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記複数の磁気シールド空洞導体の各々が、天井部が塞がった筒状またはドーム状の形体を有する、
プラズマ処理装置。 - 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記複数の磁気シールド空洞導体は、前記RFアンテナの上に設けられる大気圧空間のアンテナ室に収容され、
前記アンテナ室の天井壁が少なくとも1つの前記磁気シールド空洞導体の天井部を構成する、
プラズマ処理装置。 - 前記複数の磁気シールド空洞導体は、スパイラルコイルまたは各一周内で半径一定の同心円コイルの形体を有する単一の前記RFアンテナに対して同軸で、互いに同心状に配置され、それぞれの開口端が径方向において前記RFアンテナの内周と外周との間の上に位置する、請求項17〜19のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記RFアンテナに対する前記複数の磁気シールド空洞導体の離間距離を各々独立に可変制御するアンテナ−磁気シールド間隔制御部を有する、
プラズマ処理装置。 - 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体と
を有し、
前記複数の磁気シールド空洞導体の各々に、縦方向に延びるスリットが方位角方向に所望の間隔を空けて多数設けられている、
プラズマ処理装置。 - 前記スリットを開閉するためのシャッタを有する、請求項22に記載のプラズマ処理装置。
- 前記スリットの開口部分の幅を可変するための開口率調節部を有する、請求項22に記載のプラズマ処理装置。
- 天井に誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記誘電体窓の上に配置されるコイル状のRFアンテナと、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために、処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記RFアンテナに供給する高周波給電部と、
前記処理容器内の前記基板上のプラズマ密度分布を制御するために、それぞれ異なる口径の開口端を下に向けて前記RFアンテナの上に配置される複数の磁気シールド空洞導体と
を有し、
各々の前記磁気シールド空洞導体は、その開口端が方位角方向に沿って前記RFアンテナと上下方向で一定の距離を隔てるように配置される、
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009246015A JP5812561B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011096690A JP2011096690A (ja) | 2011-05-12 |
JP5812561B2 true JP5812561B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=44113329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009246015A Active JP5812561B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5812561B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5913829B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2016-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10271416B2 (en) * | 2011-10-28 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | High efficiency triple-coil inductively coupled plasma source with phase control |
JP5894785B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 |
KR20130072941A (ko) * | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치 |
CN106653548B (zh) * | 2015-10-28 | 2018-10-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种具有磁屏蔽功能的绝缘窗冷却装置 |
CN109036817B (zh) * | 2017-06-08 | 2021-09-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 电感耦合线圈和工艺腔室 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5241245A (en) * | 1992-05-06 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | Optimized helical resonator for plasma processing |
JP3043215B2 (ja) * | 1994-02-22 | 2000-05-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ発生装置 |
JP3739137B2 (ja) * | 1996-06-18 | 2006-01-25 | 日本電気株式会社 | プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を使用した表面処理装置 |
JPH10302996A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2006073354A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP5584412B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-09-03 | 株式会社メイコー | プラズマ処理装置 |
-
2009
- 2009-10-27 JP JP2009246015A patent/JP5812561B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011096690A (ja) | 2011-05-12 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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