JP2006073354A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プラズマ処理装置は、その内部に基板42が配置された真空容器11、真空容器11の上部を形成し、かつ誘電体からなる複数の窓部23を備える支持枠体15、及び複数のプラズマユニット31を備える。各プラズマユニット31は、単一又は複数の窓部23に対応して配置されたコイル32、コイル32に高周波電力を供給する高周波電源38と、コイル32と高周波電源38の間に介設されたマッチング回路37とをそれぞれ有する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施形態に係るドライエッチング用のプラズマ処理装置10を示す。プラズマ処理装置10はチャンバないしは真空容器11を備える。真空容器11は、上部が開口した容器本体12と、この容器本体12の開口を開閉可能に密閉する蓋体13とを備える。蓋体13は、格子状の支持枠体15と、この支持枠体15上に配置された2枚の誘電体板16a,16bを備える。支持枠体15は、例えばアルミニウムのような金属材料からなり、導電性を有する。誘電体板16は、例えば石英からなる。
図13から図16は、本発明の第2実施形態に係るプラズマ処理装置10を示す。9個のプラズマユニット31a〜31iが設けられている。図13及び図15に示すように、支持枠体15の周壁25内は、4つの仕切壁26a〜26dにより9個の空間29a〜29dに仕切られている。これらの空間29a〜29dはそれぞれ電磁波シールドで覆われている(図13に3個の電磁波シールド30a〜30cのみを図示する)。各空間29a〜29dには個々のプラズマユニット31a〜31iのコイル32a〜32iが収容されている。また、図14に示すように、支持枠体15には、それぞれ誘電体板16a〜16iが配置された9個の窓部23a〜23iが設けられている。個々の窓部23a〜23iはそれぞれ個々の空間29a〜29dに対応している。
図17及び図18に示す本発明の第3実施形態では、エッチング処理中に基板42の膜厚を検出する複数の膜厚センサ(膜厚測定器)55を備えている。この膜厚センサ55は誘電体板16を介してレーザ光をステージ41上の基板42に照射し、その反射光に基づいて基板42の膜厚を検出する。膜厚センサ55は検出した膜厚をコントローラ46に出力する。
図19に示す本発明の第4実施形態に係るプラズマ処理装置10は、プラズマユニット31a〜31cの構造が第1から第3実施形態と異なる。詳細には、プラズマユニット31a〜31cは、例えば石英のような誘電体からなるベルジャーないしは筒状体57a〜57cを備える。筒状体57a〜57cは真空容器11の蓋体13に取り付けられ、下端側が真空容器11の内部18に開放されている。一方、筒状体57a〜57cの上端側に流入口58はガス供給源21に接続されている。また、各プラズマユニット31a〜31cの筒状体57a〜57cにはコイル32a〜32cが巻回されている。コイル32a〜32cは、マッチング回路37a〜37cを介して高周波電源38a〜38cに接続されている。
11 真空容器
12 容器本体
13 蓋体
15 支持枠体
16 誘電板
17 ガス流路
18 内部
19 ガス噴出口
20 入口
21 ガス供給源
23a〜23i 窓部
25 周壁
26,26a〜26d 仕切壁
27 カバー
29a〜29i 空間
30a〜30i 電磁波シールド
31a〜31i プラズマユニット
32a〜32i コイル
34 導体
37a〜37i マッチング回路
38a〜38i 高周波電源
39 位相調整器
41 ステージ
42 基板
44a,44b 排気口
45a,45b 真空排気装置
46 コントローラ
48a プラズマ
52a〜52i 誘導電界
55 膜厚センサ
57 筒状体
58 流入口
Claims (9)
- その内部(18)に基板(42)が配置される真空容器(11)と、
前記真空容器の上部を形成し、かつ誘電体からなる複数の窓部(23a〜23h)を備える支持枠体(15)と、
前記支持枠体の単一又は複数の前記窓部に対応して配置されたコイル(32a〜32h)と、このコイルに高周波電力を供給する高周波電源(38a,38b)と、前記コイルと前記高周波電源の間に介設されたマッチング回路(37a,37b)とをそれぞれ有する複数のプラズマユニット(31a,31b)と
を備えるプラズマ処理装置。 - 前記複数のプラズマユニットが備える前記高周波電源が出力する高周波電力の位相を調整する位相調整器(39)をさらに備える、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記位相調整器は、前記複数のプラズマユニットの誘導電界がそれらが隣接する領域において互いに同方向を向くように、隣接する前記プラズマユニットの前記高周波電源の位相を180度シフトさせる、請求項2に記載にプラズマ処理装置。
- 前記複数のプラズマユニットの誘導電界がそれらが隣接する領域において互いに同方向を向くように、隣接する前記プラズマユニットの前記コイルの巻回方向を互いに反対方向としている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 個々の前記コイルを覆い、かつ接地された電磁波シールド(30a,30b)を備える、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 個々の前記プラズマユニットを覆い、かつ接地された電磁波シールド(30a,30b)を備える、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数のプラズマユニットの前記高周波電源が出力する高周波電力を調整する制御部(46)をさらに備える、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の少なくとも中央部と周辺部を含む複数箇所の膜厚を測定する複数の膜厚測定器(55)をさらに備え、
前記制御部は、前記膜厚測定器の検出結果に基づいて、前記複数のプラズマユニットの前記高周波電源が出力する高周波電力をプラズマ処理中に調整する、請求項7に記載のプラズマ処理装置。 - その内部(18)に基板(42)が配置される真空容器(11)と、
前記真空容器の上部に配置され、かつ下端側が前記真空容器の内部に開放されている誘電体からなる複数の筒状体(57a〜57c)と、
前記筒状体に巻回されたコイル(32a〜32c)と、このコイルに高周波電力を供給する高周波電源(38a〜38c)と、前記コイルと前記高周波電源の間に介設されたマッチング回路(37a〜37c)とをそれぞれ有する複数のプラズマユニット(31a〜31c)と
を備えるプラズマ処理装置。
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