JP2010135298A - 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010135298A JP2010135298A JP2009165598A JP2009165598A JP2010135298A JP 2010135298 A JP2010135298 A JP 2010135298A JP 2009165598 A JP2009165598 A JP 2009165598A JP 2009165598 A JP2009165598 A JP 2009165598A JP 2010135298 A JP2010135298 A JP 2010135298A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- circuit
- inductively coupled
- coupled plasma
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、処理室内で被処理基板が載置される載置台と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、処理室の外部に誘電体部材を介して配置され、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成する、アンテナ回路13bと、アンテナ回路13bに並列に接続された並列回路(アンテナ回路13a)と、を具備し、アンテナ回路の13aのインピーダンスとアンテナ回路13bのインピーダンスとを逆位相にして、処理室内に誘導結合プラズマを生成する。
【選択図】図8
Description
図1はこの発明の第1の実施形態に係る誘導結合プラズマ処理装置を示す断面図、図2はこの誘導結合プラズマ処理装置に用いられる高周波アンテナを示す平面図である。この装置は、例えばFPD用ガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際のメタル膜、ITO膜、酸化膜等のエッチングや、レジスト膜のアッシング処理に用いられる。ここで、FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(PDP)等が例示される。
第1の実施形態に係る誘導結合プラズマ処理装置では、互いに並列接続された外側アンテナ回路13aと内側アンテナ回路13bにおいて、一方のアンテナ回路のインピーダンスと、他方のアンテナ回路のインピーダンスとを逆位相にして、並列接続された二つのアンテナ回路に循環電流を発生させる構成であった。つまり、誘導性の内側アンテナ回路13bに対し、容量性の外側アンテナ回路13aを並列回路として接続する構成であり、少なくとも二つのアンテナ回路が必要であった。しかし、アンテナ回路が一つの場合であっても、アンテナ回路に循環電流を発生させることは可能である。
上記第2の実施形態において、図21を参照して説明したように、並列共振点、及び並列共振点近傍においては、逆L型整合回路のチューニング用可変リアクタンス素子(XTune)81に流れる電流(Tune電流)はほぼゼロである。このため、並列共振点、及び並列共振点近傍を用いて誘導結合プラズマ処理装置を動作させる場合には、図24Aに示すようにチューニング用可変リアクタンス素子(XTune)81は必要ない。
Claims (17)
- 被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内で被処理基板が載置される載置台と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の外部に誘電体部材を介して配置され、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路に並列に接続された並列回路と、を具備し、
前記アンテナ回路のインピーダンスと前記並列回路のインピーダンスとを逆位相にして、前記処理室内に誘導結合プラズマを生成するように構成されていることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 前記並列回路が、可変コンデンサを含むことを特徴とする請求項1に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記可変コンデンサが、整合回路の一部であることを特徴とする請求項2に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記並列回路が、前記アンテナ回路とは異なる別のアンテナ回路を含むことを特徴とする請求項1に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記アンテナ回路及び前記別のアンテナ回路が平面コイルを含んで構成され、
前記アンテナ回路に含まれる平面コイルが内側に空間を有し、前記処理室内の外側部分に誘導電界を形成する外側アンテナを構成し、
前記別のアンテナ回路に含まれる平面コイルが前記アンテナ回路に含まれる平面コイルの内側の空間に配置され、前記処理室内の内側部分に誘導電界を形成する内側アンテナを構成することを特徴とする請求項4に記載の誘導結合プラズマ処理装置。 - 前記アンテナ回路に含まれる平面コイルと、前記別のアンテナ回路に含まれる平面コイルとが互いに逆巻きであることを特徴とする請求項5に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記アンテナ回路及び前記別のアンテナ回路のうちの少なくとも一つに接続され、接続された回路のインピーダンスを調節するインピーダンス調節手段を、さらに具備し、
前記インピーダンス調節手段によるインピーダンス調節により、前記アンテナ回路及び前記別のアンテナ回路のうちの少なくとも一つの回路の電流値を制御し、前記処理室内に形成される誘導結合プラズマのプラズマ電子密度分布を制御するように構成されていることを特徴とする請求項4乃至請求項6いずれか一項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。 - 前記インピーダンス調節手段が、可変コンデンサを含むことを特徴とする請求項7に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記アンテナ回路と前記並列回路とが並列共振する並列共振点を用いずに、前記処理室内に前記誘導結合プラズマを生成することを特徴とする請求項1乃至請求項8いずれか一項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- さらに、前記並列共振点の近傍の領域を用いずに、前記処理室内に前記誘導結合プラズマを生成することを特徴とする請求項9に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記近傍の領域が、前記並列共振点から容量性領域における前記高周波アンテナのインピーダンスの最大値までの領域、及び前記並列共振点から誘導性領域における前記高周波アンテナのインピーダンスの最大値までの領域を含むことを特徴とする請求項10に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内で被処理基板が載置される載置台と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の外部に誘電体部材を介して配置され、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するアンテナ回路と、前記アンテナ回路に並列に接続された並列回路と、を具備する誘導結合プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記アンテナ回路のインピーダンスと前記並列回路のインピーダンスとを逆位相にして、前記処理室内に誘導結合プラズマを生成することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 前記アンテナ回路と前記並列回路とが並列共振する並列共振点を用いずに、前記処理室内に前記誘導結合プラズマを生成することを特徴とする請求項12に記載のプラズマ処理方法。
- さらに、前記並列共振点の近傍の領域を用いずに、前記処理室内に前記誘導結合プラズマを生成することを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理方法。
- 前記近傍の領域が、前記並列共振点から容量性領域における前記高周波アンテナのインピーダンスの最大値までの領域、及び前記並列共振点から誘導性領域における前記高周波アンテナのインピーダンスの最大値までの領域を含むことを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理方法。
- 前記誘導結合プラズマ処理装置が、前記アンテナ回路と前記並列回路のうちの少なくとも一つに接続され、接続された回路のインピーダンスを調節するインピーダンス調節手段を、さらに具備し、
前記インピーダンス調節手段によるインピーダンス調節により、前記アンテナ回路と前記並列回路のうちの少なくとも一つの回路の電流値を制御し、前記処理室内に形成される誘導結合プラズマのプラズマ電子密度分布を制御することを特徴とする請求項12乃至請求項15いずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムが、実行時に、請求項12乃至請求項16いずれか一項に記載のプラズマ処理方法が行われるように誘導結合プラズマ処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009165598A JP5399151B2 (ja) | 2008-10-27 | 2009-07-14 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
TW098135948A TWI508633B (zh) | 2008-10-27 | 2009-10-23 | Inductively coupled plasma processing device, plasma processing method and memory medium |
KR1020090102183A KR101143742B1 (ko) | 2008-10-27 | 2009-10-27 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 |
CN200910207040.2A CN101730375B (zh) | 2008-10-27 | 2009-10-27 | 感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
KR1020110062799A KR20110089116A (ko) | 2008-10-27 | 2011-06-28 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008275580 | 2008-10-27 | ||
JP2008275580 | 2008-10-27 | ||
JP2009165598A JP5399151B2 (ja) | 2008-10-27 | 2009-07-14 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013094410A Division JP5566498B2 (ja) | 2008-10-27 | 2013-04-26 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010135298A true JP2010135298A (ja) | 2010-06-17 |
JP2010135298A5 JP2010135298A5 (ja) | 2012-06-28 |
JP5399151B2 JP5399151B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=42346367
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009165598A Active JP5399151B2 (ja) | 2008-10-27 | 2009-07-14 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
JP2013094410A Expired - Fee Related JP5566498B2 (ja) | 2008-10-27 | 2013-04-26 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013094410A Expired - Fee Related JP5566498B2 (ja) | 2008-10-27 | 2013-04-26 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5399151B2 (ja) |
KR (1) | KR20110089116A (ja) |
CN (1) | CN101730375B (ja) |
TW (1) | TWI508633B (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011091048A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Applied Materials Inc | 調節可能な位相コイルアセンブリを備えたデュアルモード誘導結合プラズマリアクタ |
WO2011158808A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 三菱重工業株式会社 | 誘導結合プラズマ発生装置 |
KR20120032449A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2012074200A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20120100835A (ko) * | 2011-03-03 | 2012-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR20120112184A (ko) * | 2011-03-29 | 2012-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR20120112262A (ko) * | 2011-03-30 | 2012-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2014132570A (ja) * | 2013-01-04 | 2014-07-17 | Psk Inc | プラズマチャンバー及び基板処理装置 |
KR20190036017A (ko) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 주식회사 유진테크 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
WO2019074233A1 (ko) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | 주식회사 유진테크 | Icp 안테나 및 플라즈마 처리 장치 |
KR20190057231A (ko) * | 2019-05-16 | 2019-05-28 | 주식회사 유진테크 | Icp 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP2020017445A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ワイエイシイテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN111430211A (zh) * | 2020-04-02 | 2020-07-17 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5723130B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2013077715A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 |
JP2013105664A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 高周波アンテナ回路及び誘導結合プラズマ処理装置 |
JP5894785B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 |
JP5878771B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2016-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理方法および誘導結合プラズマ処理装置 |
KR20140059422A (ko) * | 2012-11-08 | 2014-05-16 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 그 제어방법 |
KR20140066483A (ko) * | 2012-11-23 | 2014-06-02 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 그 제어방법 |
CN106601579B (zh) * | 2015-10-19 | 2019-02-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 上电极机构及半导体加工设备 |
KR101939661B1 (ko) * | 2017-08-22 | 2019-01-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11515122B2 (en) * | 2019-03-19 | 2022-11-29 | Tokyo Electron Limited | System and methods for VHF plasma processing |
CN113496862A (zh) * | 2020-04-02 | 2021-10-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体反应器及其射频功率分布调节方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0982495A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法 |
JPH11152576A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-08 | Sony Corp | プラズマcvd装置及び薄膜成膜方法 |
JP2000323298A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001085196A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-30 | Jusung Engineering Co Ltd | 誘導結合型プラズマ発生用アンテナ装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3077009B2 (ja) * | 1993-03-27 | 2000-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6164241A (en) * | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
US7096819B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-08-29 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density |
JP4042363B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2008-02-06 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ生成用の螺旋共振装置 |
KR100486712B1 (ko) * | 2002-09-04 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 복층 코일 안테나를 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치 |
KR100486724B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 사행 코일 안테나를 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치 |
JP2006216903A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2007311182A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2009
- 2009-07-14 JP JP2009165598A patent/JP5399151B2/ja active Active
- 2009-10-23 TW TW098135948A patent/TWI508633B/zh active
- 2009-10-27 CN CN200910207040.2A patent/CN101730375B/zh active Active
-
2011
- 2011-06-28 KR KR1020110062799A patent/KR20110089116A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-04-26 JP JP2013094410A patent/JP5566498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0982495A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法 |
JPH11152576A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-08 | Sony Corp | プラズマcvd装置及び薄膜成膜方法 |
JP2000323298A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001085196A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-30 | Jusung Engineering Co Ltd | 誘導結合型プラズマ発生用アンテナ装置 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011091048A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Applied Materials Inc | 調節可能な位相コイルアセンブリを備えたデュアルモード誘導結合プラズマリアクタ |
WO2011158808A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 三菱重工業株式会社 | 誘導結合プラズマ発生装置 |
JP2012004000A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 誘導結合プラズマ発生装置 |
KR101870791B1 (ko) * | 2010-09-28 | 2018-07-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2012074200A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20120032449A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
US9218943B2 (en) | 2010-09-28 | 2015-12-22 | Toyko Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR20120100835A (ko) * | 2011-03-03 | 2012-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
CN102686005A (zh) * | 2011-03-03 | 2012-09-19 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
JP2012186197A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR102031198B1 (ko) * | 2011-03-03 | 2019-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US9119282B2 (en) | 2011-03-03 | 2015-08-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR101873485B1 (ko) * | 2011-03-03 | 2018-07-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
US9953811B2 (en) | 2011-03-29 | 2018-04-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
JP2012209354A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20120112184A (ko) * | 2011-03-29 | 2012-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR101899096B1 (ko) * | 2011-03-29 | 2018-09-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US10020167B2 (en) | 2011-03-30 | 2018-07-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US9293299B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-03-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
KR20120112262A (ko) * | 2011-03-30 | 2012-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2012209468A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101929411B1 (ko) * | 2011-03-30 | 2018-12-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2014132570A (ja) * | 2013-01-04 | 2014-07-17 | Psk Inc | プラズマチャンバー及び基板処理装置 |
KR101986744B1 (ko) | 2017-09-27 | 2019-06-07 | 주식회사 유진테크 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
KR20190036017A (ko) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 주식회사 유진테크 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
WO2019074233A1 (ko) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | 주식회사 유진테크 | Icp 안테나 및 플라즈마 처리 장치 |
TWI694482B (zh) * | 2017-10-13 | 2020-05-21 | 南韓商優吉尼科技股份有限公司 | 電漿處理裝置及相關電感耦合式電漿(icp)天線 |
JP7139181B2 (ja) | 2018-07-26 | 2022-09-20 | ワイエイシイテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2020017445A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ワイエイシイテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2020022141A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ワイエイシイテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11515119B2 (en) | 2018-07-26 | 2022-11-29 | Y.A.C. Technologies Co., Ltd. | Plasma processing device |
KR20190057231A (ko) * | 2019-05-16 | 2019-05-28 | 주식회사 유진테크 | Icp 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102081686B1 (ko) * | 2019-05-16 | 2020-02-26 | 주식회사 유진테크 | 플라즈마를 이용한 기판 처리 방법 |
CN111430211A (zh) * | 2020-04-02 | 2020-07-17 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI508633B (zh) | 2015-11-11 |
JP5566498B2 (ja) | 2014-08-06 |
JP5399151B2 (ja) | 2014-01-29 |
KR20110089116A (ko) | 2011-08-04 |
JP2013201134A (ja) | 2013-10-03 |
CN101730375B (zh) | 2015-09-02 |
TW201026166A (en) | 2010-07-01 |
CN101730375A (zh) | 2010-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5566498B2 (ja) | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 | |
JP5551343B2 (ja) | 誘導結合プラズマ処理装置 | |
KR102508029B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛, 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 유도 결합 플라즈마 처리 방법 | |
JP2007311182A (ja) | 誘導結合プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP5666991B2 (ja) | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 | |
JP2013105664A (ja) | 高周波アンテナ回路及び誘導結合プラズマ処理装置 | |
KR101351661B1 (ko) | 안테나 유닛 및 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
TWI568318B (zh) | Inductive coupling plasma antenna unit and inductively coupled plasma processing device | |
JP2013077715A (ja) | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 | |
JP5878771B2 (ja) | 誘導結合プラズマ処理方法および誘導結合プラズマ処理装置 | |
TWI600048B (zh) | Inductively coupled plasma processing device | |
JP5674871B2 (ja) | 誘導結合プラズマ処理装置 | |
KR101143742B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120510 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5399151 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |