TWI694482B - 電漿處理裝置及相關電感耦合式電漿(icp)天線 - Google Patents

電漿處理裝置及相關電感耦合式電漿(icp)天線 Download PDF

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Abstract

依據本發明之一種電漿處理裝置包含：一感應室其中一氣體源係引入以於該感應室內產生電漿，一處理室其中一待處理基材係藉著該感應室中所產生之該電漿來處理；一電感耦合式電漿(ICP)天線其係設置在該感應室外側且係組配以形成一電感磁場以便由引入至該感應室內之該氣體源產生電漿；以及一高頻振盪器其係組配以施加一RF功率至該ICP天線。該ICP天線包含多數螺旋狀天線其在一徑向方向上具有相同長度與中心，每一該等天線包含一輸入端子其係連接至該高頻振盪器及一輸出端子其係相對該輸入端子設置且係接地，以及一平衡式電容係安裝至每一該等天線之該輸出端子以便在每一該等天線之一長度方向上之一中心處形成一虛擬接地。該等多數螺旋狀天線係如此配置使得該等天線之該等輸入端子及該等輸出端子係相關於該徑向方向上之該中心以相同角度分隔，以及每一該等多數螺旋狀天線之該長度方向上之該中心係設置在該等多數螺旋狀天線之該等輸出端子之間。

Description

電漿處理裝置及相關電感耦合式電漿(ICP)天線 發明領域
本發明係有關於一種電漿處理裝置，且更特別地，係一ICP處理裝置其包含一天線以便能夠改善電漿之一產生效率及電漿之一均勻性。
發明背景
於一新近半導體製程中所使用之基材處理裝置內，一半導體電路已極度微縮化，一供製造該半導體電路用之基材已擴大，以及一液晶顯示器已具有一廣大面積。因此，有一趨勢為整個處理面積已擴大然而一內部電路已微縮化。據此，有需求將更多元件整合至一有限面積內，以及亦實施研發俾改善整個擴大表面上所設置元件之均勻性。
充作基材處理裝置用之電漿處理裝置係乾式處理裝置其中一腔室內側之一反應氣體係活化以形成電漿且接著一基材係藉著所形成之電漿來處理，以及依據一電極之型式，電漿處理裝置係分成一電容耦合式電漿(CCP)法與一電感耦合式電漿(ICP)法。
CCP法係施加一高頻至一對板狀電極，其通常係相互平行，以藉著電極間之一空間中所產生之一電場來產生電漿，以及因此CCP法具有之優點為該方法具有準確之容量耦合調整與離子調整的效能以便，相較於ICP法時，提供高度處理生產力。另一方面，因為射頻功率之能量通常係經由容量耦合專屬地傳送至電漿，所以電漿離子密度僅可藉著電容耦合式射頻功率之增加或減少來調整。因此，需要產生高射頻功率以產生高密度電漿。然而，射頻功率之增加導致增加離子衝擊能量。因此，為了防止因離子衝擊所致之損害，對於增加待供應之射頻功率係存有一限制。
另一方面，ICP法係施加一高頻至通常具有一螺線(螺旋)狀之一天線，以及藉著依據引入至該天線之高頻電流所導致之一磁場之一變化所感應之一電場，加速一腔室內側之電子。因此，習知的是ICP法係適於產生高密度電漿因為該法在射頻功率增加時可容易地增加離子密度，然而由射頻功率增加所導致之離子衝擊則相對地低。另，相較於CCP法而言，ICP法具有一供電漿產生用之寬廣條件，亦即，一用於氣體及電力之壓力。因此，於使用電漿之基材處理裝置中，一通常趨勢為ICP法係用以產生高密度電漿。
圖1係一示意圖其顯示供習知技藝之一電感耦接式電漿處理裝置用之一組態。參考圖1，習知技藝之電感耦合式電漿處理裝置10包含：一電感室110其中一電 感式電場係形成以由一來源產生電漿之用；一處理室120其內設置待電漿P處理之一基材W；一氣體引入部分120其將一氣體源供應至電感室110之內側以供處理基材之用；一氣體排出孔而處理基材後之一剩餘氣體及一未反應氣體係經由該氣體排出孔排出；一基座140其係設置在電感室110內以及待處理之基材係設置在該基座上；一天線150其設置於電感室110之一上部或一側表面中以提供一磁場及一電場俾於該室中產生電漿P；一高頻振盪器160(RF產生器)用以施加電源至天線；以及一外部室以隔離天線與外側。
此種在一種電漿處理裝置中使用之供電漿來源用之一天線係依據一天線與一電介質窗口之一形狀而可分類為一柱狀天線、一平面式天線、以及一圓頂式天線。然而，因為ICP法之天線基於一天線線圈之一螺旋狀外形、施加至天線處之一高頻功率之一駐波效應、以及天線線圈中之一電流之一分布所致，在全部方向上均導致不均勻之電漿，所以難以確保薄膜之均勻性。
本發明提供一種ICP天線以及一種包含該ICP天線之基材處理裝置以便能夠改善電漿均勻性。
本發明亦提供一種ICP天線以及一種基材處理裝置以便能夠藉著減少電容耦合式電漿(CCP)之效應，其可能發生在CCP處理裝置中，改善ICP處理裝置之效率 及電漿均勻性。
本發明之又一目的將參考下列詳細說明及圖式而變得顯而易知。
本發明之一實施例係提供一種電漿處理裝置包含：一感應室其中一氣體源係引入以於該感應室內產生電漿；一處理室其中一待處理基材係藉著該感應室中所產生之該電漿來處理；一電感耦合式電漿(ICP)天線其係設置在該感應室外側且係組配以形成一電感磁場以便由引入至該感應室內之該氣體源產生電漿；以及一高頻振盪器其係組配以施加一RF功率至該ICP天線，其中該ICP天線包含多數螺旋狀天線其具有相同長度與在一徑向方向上的中心，每一該等天線包含一輸入端子其係連接至該高頻振盪器及一輸出端子其係相對該輸入端子設置且係接地，以及一平衡式電容係安裝至每一該等天線之該輸出端子以便在每一該等天線之一長度方向上之一中心處形成一虛擬接地，以及該等多數螺旋狀天線係如此配置使得該等天線之該等輸入端子及該等輸出端子係相關於該徑向方向上之該中心以相同角度分隔，以及每一該等多數螺旋狀天線之該長度方向上之該中心係設置在該等多數螺旋狀天線之該等輸出端子之間。
該等多數天線包含一第一天線及一第二天線，每一該等天線包含一輸入端子及一輸出端子，該等端子係相關於該徑向方向上之該中心對稱設置，該第一天線 之該輸入端子及該輸出端子係相關於該徑向方向上之該中心而與該第二天線之該輸入端子及該輸出端子對稱設置，每一該第一及第二天線之一長度方向上之一中心係相關於該徑向方向上之該中心而與每一該第一及第二天線之該輸出端子以一90°之角度分隔，以及該第一天線之該長度方向上之該中心與該第二天線之該長度方向上之該中心係相關於該徑向方向上之該中心對稱設置。
該等多數天線包含第一、第二、及第三天線，每一該等天線包含一輸入端子及一輸出端子，該等端子係相關於該徑向方向上之該中心在相同方向上設置，以及每一該第一、第二、及第三天線之該輸入端子及該輸出端子係相關於該徑向方向上之該中心以一120°之角度配置，以及每一該第一、第二、及第三天線之一長度方向上之一中心係相關於該徑向方向上之該中心而與每一該第一、第二、及第三天線之該輸入端子對稱設置。
該等多數天線係並聯至單一高頻振盪器。
該等多數天線係經由一阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器，以及該等多數天線係經由單一阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器。
該等多數天線係經由一阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器，以及該等多數天線係分別經由多數阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器，而該等多數阻抗匹配電路係相互不同。
該等多數天線係獨立地連接至該高頻振盪 器。
本發明之一實施例係提供一種ICP天線其係設置在一ICP處理裝置之一感應室外側且形成一電感磁場以便由引入至該感應室內之一氣體源產生電漿，該ICP天線包含多數螺旋狀天線其具有相同長度與在一徑向方向上的中心，其中每一該等天線包含一輸入端子其連接至該高頻振盪器及一輸出端子其係相對該輸入端子設置且係接地，以及一平衡式電容器係安裝至每一該等天線之該輸出端子以便在每一該等天線之一長度方向上之一中心處形成一虛擬接地，以及該等多數螺旋狀天線係如此配置使得該等天線之該等輸入端子及該等輸出端子係相關於該徑向方向上之該中心以相同角度分隔，以及每一該等多數螺旋狀天線之該長度方向上之該中心係設置在該等多數螺旋狀天線之該等輸出端子之間。
該等多數天線包含一第一天線及一第二天線，每一該等天線包含一輸入端子及一輸出端子，該等端子係相關於該徑向方向上之該中心對稱設置，以及該第一天線之該輸入端子及該輸出端子係相關於該徑向方向上之該中心而與該第二天線之該輸入端子及該輸出端子對稱設置，每一該第一及第二天線之一長度方向上之一中心係相關於該徑向方向上之該中心而與每一該第一及第二天線之該輸出端子以一90°之角度分隔，以及該第一天線之該長度方向上之該中心與該第二天線之該長度方向上之該中心係相關於該徑向方向上之該中心對稱設置。
該等多數天線包含第一、第二、及第三天線，每一該等天線包含一輸入端子及一輸出端子，該等端子係相關於該徑向方向上之該中心在相同方向上設置，以及每一該第一、第二、及第三天線之該輸入端子及該輸出端子係相關於該徑向方向上之該中心以一120°之角度配置，以及每一該第一、第二、及第三天線之一長度方向上之一中心係相關於該徑向方向上之該中心而與每一該第一、第二、及第三天線之該輸入端子對稱設置。
本發明可改善電漿均勻性。
本發明可藉著減少電容耦合式電漿(CCP)之效應，其可能發生在ICP處理裝置中，改善ICP處理裝置之效率及電漿均勻性。
10:第一天線
10a、20a、30a:輸入端子
10b、20b、30b:輸出端子
20:第二天線
30:第三天線
100:電感耦合式電漿處理裝置
110:電感室
120:處理室
130:氣體引入部分
140:基座
150:天線
160:高頻振盪器
W:基材
C1、C2、C3:平衡式電容器
圖1係一示意圖其說明依據一有關技藝之一電感耦合式電漿處理裝置之一組成。
圖2係一視圖其說明依據有關技藝之一柱狀天線以及該柱狀天線之一長度方向上之一電壓與一電流之大小。
圖3係一視圖其說明依據有關技藝之一雙重天線以及該雙重天線之一長度方向上之一電壓與一電流之大小。
圖4係一視圖其說明依據本發明之一實施例之安裝一平衡式電容器之一雙重天線以及該天線之一長度方向上之一電壓與一電流之大小。
圖5係一視圖其說明依據有關技藝之一雙重天線以及 依據本發明之一實施例之一雙重天線之最大電流點。
圖6係一視圖其說明依據有關技藝之一三重天線以及該三重天線之一長度方向上之一電壓與一電流之大小。
圖7係一視圖其說明依據本發明之另一實施例之安裝一平衡式電容器之一三重天線以及該天線之一長度方向上之一電壓與一電流之大小。
圖8係一視圖其說明依據有關技藝之一三重天線以及依據本發明之另一實施例之一三重天線之最大電流點。
圖9係一概念視圖其說明安裝一平衡式電容器之一天線之一操作。
實施本發明之模式
下文中，將參考圖2至8更詳細說明本發明之優選實施例。本發明，然而，可以不同型式體現且不應建構成受限於此處所陳述之實施例。相反地，此類實施例係如此提供使得此揭露內容將係透澈且完整者，以及完全地傳達本發明之範疇給熟悉本技藝之人士。圖式中，層材及區域之尺寸係基於說明之清楚起見而誇大。
圖2係一視圖其說明依據一有關技藝之一柱狀天線以及該柱狀天線之一長度方向上之一電流與一電壓之大小。圖2A係一示意圖其說明依據有關技藝之柱狀天線之一外觀，以及圖2B係一視圖其說明由柱狀天線之一輸入端子至一輸出端子之一電流與一電壓之大小。於說明書中，輸入端子係指一端部其連接至一高頻振盪器，以及輸 出端子係指另一端部而天線係經由該端部接地。通常，於一線圈天線中，一電流與一電壓間之一相差約為90°。亦即，於線圈天線中，一電壓在輸入端子處具有一最大值以及在一接地端子之輸出端子處具有一最小值(0V)，以及一電流在輸入端子處具有一最小值以及在接地端子之輸出端子處具有一最大值。如圖2中所說明者，當柱狀天線具有λ/8(π/4)之一線圈長度時，一最小電流可有一遞減值其相較於一最大電流而言約減少29.3%，且，因此，電漿均勻性基於一電流振幅所導致之不均勻電流分布而不令人滿意。
為了解決以上限制，申請人(Eugene technology Inc.)已發展出一種雙重天線其藉著使用二個天線以容許最大電流點相互對稱以減少不均勻電流分布。圖3係一視圖其說明依據有關技藝之雙重天線以及該雙重天線之長度方向上之電壓與電流之大小。圖3A係一示意圖其說明依據有關技藝之雙重天線之外觀，以及圖3B係一視圖其說明由雙重天線之輸入端子至輸出端子之電流與電壓之大小。
如圖3A中所說明者，依據有關技藝之雙重天線包含二個天線，亦即，一第一天線10及一第二天線20。第一天線10及第二天線20具有大約相同之組成及功能。於每一天線中，輸入端子10a與20a及輸出端子10b與20b係相互對稱，以及第一天線10及第二天線20之輸入端子10a與20a係相互對稱。於本實施例中，每一天線具有λ/16之 一長度，其係由圖2中之實施例減少1/2，以及電流與電壓間之相差約為90°。如圖3B中所說明者，在依據有關技藝之雙重天線之情況下，相關於最大電流之最小電流之一遞減值相較於圖2中之一般天線而言係減少約7.6%，以及因此改善了基於電流分布所致之電漿均勻性。另，因為輸出端子，其為最大電流點，係相關於天線之一中心點相互面對，所以亦改善了均勻性。
然而，基於雙重天線之對稱所致之均勻性改善具有一項限制。因此，本申請案之發明人已發展出本發明其可藉著安裝一平衡式電容器至雙重天線之每一天線之輸出端子進一步改善電漿均勻性，其係由本公司所產製。圖4係一視圖其說明依據本發明之一實施例之安裝平衡式電容器之一雙重天線以及該天線之長度方向上之電流與電壓之大小。
如圖4中所說明者，當自上方觀看(亦即，就平面視圖而言)時，依據本發明之一實施例之雙重天線可包含第一天線10及第二天線20，其係如此配置使得每一天線之輸入端子10a與20a以及輸出端子10b與20b係相關於一徑向方向上之一中心對稱。另，第一天線10之輸入端子10a係相關於徑向方向上之中心而與第二天線20之輸入端子20a對稱，以及第一天線10之輸出端子10b亦相關於徑向方向上之中心而與第二天線20之輸出端子20b對稱。第一天線10之一長度方向上之一中心係設置在第一天線之輸出端子10b與第二天線之輸出端子20b之間，以及第二天線20 之一長度方向上之一中心亦在第一天線之輸出端子10b與第二天線之輸出端子20b之間相關於徑向方向上之中心以約一90°之角度分隔。亦即，第一天線10之長度方向上之中心及第二天線20之長度方向上之中心可相關於徑向方向上之中心相互對稱。
依據本發明之一實施例之雙重天線形成一虛擬接地，其藉著安裝一電容器C1與C2至每一天線10與20之輸出端子10b與20b以容許每一天線之中心處之一電壓為0V。基於說明之便利性起見，於本說明書中，具有一平衡式條件俾於每一天線之中心處形成一虛擬接地之電容器係指平衡式電容器。平衡式電容器之效應將參考圖9更詳細加以說明。圖9係一概念視圖其說明安裝電容器之天線之一操作。
由圖9可知，藉著安裝平衡式電容器至每一天線之接地端子，虛擬接地可形成在天線之中心上，以及，在此情況下，相較於未形成虛擬接地之一情況(以虛線表達)而言，電壓係相關於虛擬接地而減少1/2。另，因為形成具有相關於虛擬接地之一相反相位之一電壓，所以一推挽式電路，其中一電容耦合式電容器(CCP)之一方向係相反者，係形成在電漿與電壓之間。如上所述，電壓係藉著安裝平衡式電容器至天線之輸出端子而減少，以及CCP之效應可藉著形成推挽式電路而減少。因此，電感耦合式電漿(ICP)效率可增加。
依據本發明之一實施例之上述雙重天線可 藉著安裝平衡式電容器至每一天線之輸出端子減少基於遞減之電壓所致之CCP之效應以及藉著形成約180°之相差之推挽式電路補償CCP之效應，藉此改善ICP效率。因此，一電漿密度可增加，以及一電子溫度可減少。
另，如圖4B中所說明者，依據本發明之一實施例之雙重天線減少相關於最大電流之一遞減值與最小電流之一遞減值間之一偏差約2%以改善基於電流分布所致之電漿均勻性。此外，因為每一天線之最大電流點係由每一天線之輸出端子移動至天線之中心，當由上方觀看時，第一天線10及第二天線20之最大電流點係設置在輸入及輸出端子之間以及相關於天線之中心相互形成對稱，藉此進一步改善電漿均勻性。最大電流點之對稱及位置移動與電漿均勻性間之一關係將參考圖5更詳細加以說明。
圖5係一視圖其說明依據有關技藝之雙重天線以及依據本發明之一實施例之雙重天線之最大電流點。如圖5A中所說明者，依據有關技藝之雙重天線在天線之輸出端子處具有最大電流點，以及因此天線之最大電流點係設置在每一輸入及輸出端子上，該等端子係相關於徑向方向上之中心對稱設置。如圖5B中所說明者，依據本發明之一實施例之安裝平衡式電容器之雙重天線中，最大電流點係設置在一定點處而該定點係相關於徑向方向上之中心與輸入及輸出端子形成約90°。
如上所述，在依據有關技藝之雙重天線之情況下，因為相關於最大電流之最小電流之遞減值減少約 7.6%，所以基於電流分布所致之電漿均勻性改善。
下文中，依據本發明之另一實施例之一天線將參考圖6至8加以說明。圖6係一視圖其說明依據有關技藝之一三重天線以及該三重天線之一長度方向上之一電壓與一電流之大小。如圖6中所說明者，依據有關技藝之三重天線係藉著使用三重天線來對稱式設置最大電流點以減少一不均勻電流分布。圖6A係一示意圖其說明依據有關技藝之三重天線，以及圖6B係一視圖其說明來自每一天線之一輸入端子及一輸出端子之一電壓及一電流之大小。
如圖6A中所說明者，依據有關技藝之三重天線包含三個天線，亦即，一第一天線10，一第二天線20，以及一第三天線30。第一天線10，第二天線20，以及第三天線30具有大約相同之組成及功能。於每一天線中，一輸入端子10a，20a，與30a以及一輸出端子10b，20b，與30b係相關於一徑向方向上之一中心以相同方向設置，以及天線10，20，與30之輸入端子係相關於徑向方向上之中心以一120°之角度配置。於此實施例中，每一天線具有λ/24之一長度，其相較於圖2中之實施例而言，減少1/3，以及一電流與一電壓間之一相差係約90°。如圖6B中所說明者，在依據有關技藝之三重天線之情況下，相關於一最大電流之一最小電流之一遞減值減少約3.4%，以及因此基於電流分布所致之電漿均勻性改善。另，因為輸出端子，其係一最大電流點，係相關於天線之一中心點相等式分隔約120°，所以，均勻性亦改善。
圖7係一視圖其說明依據本發明之另一實施例之安裝一平衡式電容器之一三重天線以及該天線之一長度方向上之一電壓與一電流之大小，以及圖8係一視圖其說明依據有關技藝之一三重天線以及依據本發明之另一實施例之一三重天線之最大電流點。
圖7中依據本發明之一實施例之三重天線包含一第一天線10，一第二天線20，以及一第三天線30，每一天線包含一輸入端子以及一輸出電子，該等端子係相關於徑向方向上之中心以相同方向設置，類似於圖6。每一天線10，20與30之輸入及輸出端子可相關於徑向方向上之中心以約一120°之角度配置，以及天線之長度方向上之中心可相關於徑向方向上之中心及每一天線之輸入與輸出端子對稱設置。亦即，第一天線10之長度方向上之中心係設置在第二天線20與第三天線30間所形成之120°內且相關於徑向方向上之中心與第二天線20及第三天線30形成一60°之角度。類似地，第二天線20之長度方向上之中心係設置在第一天線10與第三天線30間所形成之120°內且相關於徑向方向上之中心與第一天線10及第三天線30形成一60°之角度。類似地，第三天線30之長度方向上之中心係設置在第一天線10與第二天線20間所形成之120°內且相關於徑向方向上之中心與第一天線10及第二天線20形成一60°之角度。
平衡式電容器C1，C2，與C3係分別安裝至天線10，20與30之輸出端子10b，20b，與30b以便在一施 加之高頻條件下於每一天線之長度方向上之中心處形成一虛擬接地。如圖7B中所說明者，虛擬接地係藉著分別安裝平衡式電容器C1，C2，與C3至天線10，20與30之輸出端子10b，20b，與30b而形成在天線之長度方向上之中心處。據此，最大電流點係設置在天線之長度方向上之中心處。因此，相關於最大電流之最小電流之遞減值係僅約0.85%，因此電流分布係均勻化，以及電漿分布之均勻性改善。
此外，如圖8A中所說明者，在依據有關技藝之三重天線之情況下，最大電流點係設置在輸出端子處，以及該位置處之電漿之不均勻性係顯著的。然而，如圖8B中所說明者，在依據本發明之一實施例之安裝平衡式電容器之三重天線之情況下，最大電流點係設置在天線之長度方向上之中心處，以及因為最大電流點，當由上方觀看時，係介於天線之輸出端子之間相關於徑向方向上之中心對稱設置，所以可解決輸出端子處之電漿分布之不均勻性。
雖然對稱式設置輸入及輸出端子之雙重天線以及安裝平衡式電容器之三重天線之實施例係於說明書中作為實例加以說明，然而本發明之實施例並未受限於此。例如，可提供具有相同長度與在徑向方向上的中心之四個或更多個天線，以及即使在此情況下，電漿分布之均勻性可藉著安裝平衡式電容器至每一天線之輸出端子以便在每一天線之長度方向之中心處形成虛擬接地而改善。在此情況下，多數螺旋狀天線係如此設置使得該等天線之輸 入端子及輸出端子係相關於徑向方向上之中心以相同角度配置，以及多數螺旋狀天線之長度方向上之中心係介於該等多數螺旋狀天線之輸出端子之間相等地分隔。
另，雖然在本發明中基於便利性起見省略了說明，然而一高頻振盪器係必需連接至天線以便藉著使用一電漿源來操作天線。於此實施例中，多數天線可並聯至單一高頻振盪器，以及每一天線可經由一匹配電路連接至高頻振盪器。於一實施例中，多數天線可經由單一阻抗匹配電路連接至高頻振盪器。
於另一實施例中，多數天線可分別經由多數阻抗匹配電路連接至高頻振盪器，而該等多數阻抗匹配電路係相互不同。藉著使用相互不同之阻抗匹配電路，每一天線可依據個別天線之特性以更準確之方式實施阻抗匹配。於另一實施例中，每一多數天線可獨立地連接至一個別高頻振盪器，以及在此情況下，每一天線可經由一個別匹配電路連接至個別高頻振盪器。
10:第一天線
10a、20a:輸入端子
10b、20b:輸出端子
20:第二天線
C1、C2:平衡式電容

Claims (8)

  1. 一種電漿處理裝置，包含：一感應室，其中引入一氣體源以於該感應室內產生電漿；一處理室，其中藉該感應室中產生之該電漿來處理一待處理基材；一電感耦合式電漿(ICP)天線，其係設置在該感應室外側且組配以形成一電感磁場以便由引入至該感應室內之該氣體源產生電漿；以及一高頻振盪器，其係組配以施加一RF功率至該ICP天線，其中該ICP天線包含一第一螺旋狀天線以及一第二螺旋狀天線，其具有相同長度與在一徑向方向上的中心，該等螺旋狀天線之各者包含連接至該高頻振盪器的一輸入端子及相對該輸入端子設置且接地的一輸出端子，其中一平衡式電容器係安裝至該等螺旋狀天線之各者之該輸出端子以容許在該等螺旋狀天線之各者之一長度方向上之一中心處的電壓為0V且形成相對於該中心具有相反相位的一電壓，以及其中該第一天線之該輸入端子及該輸出端子係相對於該徑向方向上之該中心而與該第二天線之該輸入端子及該輸出端子對稱設置，該第一及第二天線之各者之一長度方向上之該中心係相對於該徑向方向上之該中心而與該第一及第二天線之各者之該輸出端子以一90°之角度分隔， 以及該第一天線之該長度方向上之該中心與該第二天線之該長度方向上之該中心係相對於該徑向方向上之該中心對稱設置。
  2. 一種電漿處理裝置，包含：一感應室，其中引入一氣體源以於該感應室內產生電漿；一處理室，其中藉該感應室中產生之該電漿來處理一待處理基材；一電感耦合式電漿(ICP)天線，其係設置在該感應室外側且組配以形成一電感磁場以便由引入至該感應室內之該氣體源產生電漿；以及一高頻振盪器，其係組配以施加一RF功率至該ICP天線，其中該ICP天線包含第一、第二、以及第三螺旋狀天線，該等螺旋狀天線具有相同長度與在一徑向方向上的中心，該等螺旋狀天線之各者包含連接至該高頻振盪器的一輸入端子及相對該輸入端子設置且接地的一輸出端子，其中一平衡式電容器係安裝至該等螺旋狀天線之各者之該輸出端子以容許在該等螺旋狀天線之各者之一長度方向上之一中心處的電壓為0V且形成相對於該中心具有相反相位的一電壓，該等螺旋狀天線之各者之該輸入端子及該輸出端子相對於該徑向方向上的該中心係設置於相同方向上，以及其中該等螺旋狀天線之各者之該輸入端子及該輸出 端子係相對於該徑向方向上之該中心以一120°之角度配置，以及該等螺旋狀該天線之各者之一長度方向上之該中心係相對於該徑向方向上之該中心而與該等螺旋狀天線之各者之該輸入端子對稱設置。
  3. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中該等螺旋狀天線係並聯連接至單一高頻振盪器。
  4. 如請求項3之電漿處理裝置，其中該等螺旋狀天線係經由一阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器，以及該等螺旋狀天線係經由單一阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器。
  5. 如請求項3之電漿處理裝置，其中該等螺旋狀天線係經由一阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器，以及該等螺旋狀天線係分別經由多數阻抗匹配電路連接至該高頻振盪器，而該等多數阻抗匹配電路係相互不同。
  6. 如請求項1之電漿處理裝置，其中該等螺旋狀天線係獨立地連接至該高頻振盪器。
  7. 一種ICP天線，其係設置在一ICP處理裝置之一感應室外側且形成一電感磁場以便由引入至該感應室內之一氣體源產生電漿，該ICP天線包含一第一螺旋狀天線及一第二螺旋狀天線，其具有相同長度與在一徑向方向上的中心，該等螺旋狀天線之各者包含連接至一高頻振盪器的一輸入端子及相對該輸入端子設 置且接地的一輸出端子，其中一平衡式電容器係安裝至該等螺旋狀天線之各者之該輸出端子以容許在該等螺旋狀天線之各者之一長度方向上之一中心處的電壓為0V且形成相對於該中心具有相反相位的一電壓，以及其中該第一天線之該輸入端子及該輸出端子係相對於該徑向方向上之該中心而與該第二天線之該輸入端子及該輸出端子對稱設置，該第一及第二天線之各者之一長度方向上之該中心係相對於該徑向方向上之該中心而與該第一及第二天線之各者之該輸出端子以一90°之角度分隔，以及該第一天線之該長度方向上之該中心與該第二天線之該長度方向上之該中心係相對於該徑向方向上之該中心對稱設置。
  8. 一種ICP天線，其係設置在一ICP處理裝置之一感應室外側且形成一電感磁場以由引入至該感應室內之一氣體源產生電漿，該ICP天線包含第一、第二、及第三螺旋狀天線，其具有相同長度與在一徑向方向上的中心，該等螺旋狀天線之各者包含連接至一高頻振盪器的一輸入端子及相對該輸入端子設置且接地的一輸出端子，其中一平衡式電容器係安裝至該等螺旋狀天線之各者之該輸出端子以容許在該等螺旋狀天線之各者之一長度方向上之一中心處的電壓為0V且形成相對於該中心具有相反相位的一電壓，該等螺旋狀天線之各者之該輸入端子 及該輸出端子相對於該徑向方向上的該中心係設置於相同方向上，以及其中該等螺旋狀天線之各者之該輸入端子及該輸出端子係相對於該徑向方向上之該中心以一120°之角度配置，以及該等螺旋狀天線之各者之一長度方向上之該中心係相對於該徑向方向上之該中心而與該等螺旋狀天線之各者之該輸入端子對稱設置。
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