JP6289860B2 - プラズマエッチングチャンバ用のtcctマッチング回路 - Google Patents
プラズマエッチングチャンバ用のtcctマッチング回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6289860B2 JP6289860B2 JP2013218772A JP2013218772A JP6289860B2 JP 6289860 B2 JP6289860 B2 JP 6289860B2 JP 2013218772 A JP2013218772 A JP 2013218772A JP 2013218772 A JP2013218772 A JP 2013218772A JP 6289860 B2 JP6289860 B2 JP 6289860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- coupled
- coil
- input circuit
- inductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 188
- 238000013461 design Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
Description
本出願は、2012年12月31日出願の「TCCT Match Circuit for Plasma Etch Chambers」という名称の米国仮特許出願第61/747,919号の優先権を主張する。本出願は、2012年10月23日出願の「Faraday Shield Having Plasma Density Decoupling Structure Between TCP Coiling Zones」という名称の米国特許出願第13/658,652号の一部継続出願としての優先権を主張する。上記の米国特許出願は、2011年8月4日出願の「Internal Faraday Shield Having Distributed Chevron Patterns and Correlated Positioning Relative to External Inner and Outer TCP Coil」という名称の米国特許出願第13/198,683号の一部継続出願としての優先権を主張する。上記の米国特許出願は、2011年4月28日出願の「Internal Faraday Shield Having Distributed Chevron Patterns and Correlated Positioning Relative to External Inner and outer TCP Coil」という名称の米国仮特許出願第61/480,314号の優先権を主張する。これらの出願の開示の全体をあらゆる目的のため参照により本明細書に組み込む。
[適用例1]RF源とプラズマチャンバの間に結合されたマッチング回路であって、
RF源に結合された電力入力回路と、
前記電力入力回路と内側コイルの入力端子との間に結合された内側コイル入力回路とを備え、前記内側コイル入力回路が、インダクタと、前記インダクタに直列に結合されたコンデンサとを含み、前記インダクタが、前記電力入力回路に接続し、前記コンデンサが、前記内側コイルの前記入力端子に接続し、第1のノードが、前記電力入力回路と前記内側コイル入力回路との間に画定され、
前記内側コイルの出力端子と接地点との間に結合された内側コイル出力回路であって、接地への直接のパススルー接続を画定する内側コイル出力回路と、
前記第1のノードと外側コイルの入力端子との間に結合された外側コイル入力回路と、
前記外側コイルの出力端子と接地点との間に結合された外側コイル出力回路と
を備えるマッチング回路。
[適用例2]前記コンデンサが、約150pF〜約1500pFの間の定格を有する可変コンデンサであり、
前記インダクタが、約0.3μH〜約0.5μHの値を有する
適用例1に記載のマッチング回路。
[適用例3]前記外側コイル入力回路が、第2のコンデンサを含む適用例1に記載のマッチング回路。
[適用例4]前記第2のコンデンサが、約150pF〜約1500pFの定格を有する可変コンデンサである適用例3に記載のマッチング回路。
[適用例5]前記外側コイル出力回路が、第2のコンデンサを含む適用例1に記載のマッチング回路。
[適用例6]前記第2のコンデンサが、約80pF〜約120pFの値を有する適用例5に記載のマッチング回路。
[適用例7]前記電力入力回路が、前記RF源に結合された第2のコンデンサと、前記内側コイル入力回路に結合された第2のインダクタと、前記第2のコンデンサと前記第2のインダクタとの間に結合された第3のコンデンサと、前記第2のコンデンサと前記第3のコンデンサとの間に画定された第2のノードと、前記第2のノードと接地点との間に結合された第4のコンデンサとを含む適用例1に記載のマッチング回路。
[適用例8]前記第2のコンデンサが、約5pF〜約500pFの定格を有し、
前記第3のコンデンサが、約50pF〜約500pFの定格を有し、
前記第2のインダクタが、約0.3μH〜約0.5μHの値を有し、
前記第4のコンデンサが、約200pF〜約300pFの値を有する
適用例7に記載のマッチング回路。
[適用例9]RF源に結合された電力入力回路と、
前記電力入力回路と内側コイルの入力端子との間に結合された内側コイル入力回路とを備え、前記内側コイル入力回路が、インダクタと、前記インダクタに直列に結合された第1のコンデンサとを含み、前記インダクタが、前記電力入力回路に接続し、前記第1のコンデンサが、前記内側コイルの前記入力端子に接続し、第1のノードが、前記電力入力回路と前記内側コイル入力回路との間に画定され、
前記内側コイルの出力端子と接地点との間に結合された内側コイル出力回路であって、接地への直接のパススルー接続を画定する内側コイル出力回路と、
前記第1のノードと外側コイルの入力端子との間に結合された外側コイル入力回路と、
前記外側コイルの出力端子と接地点との間に結合された外側コイル出力回路であって、85pFよりも大きい値を有する第2のコンデンサを含む外側コイル出力回路と
を備えるマッチング回路。
[適用例10]前記第1のコンデンサが、約150pF〜約1500pFの間の定格を有し、
前記インダクタが、約0.3μH〜約0.5μHの値を有する
適用例9に記載のマッチング回路。
[適用例11]前記外側コイル入力回路が、第3のコンデンサを含む適用例9に記載のマッチング回路。
[適用例12]前記第3のコンデンサが、約150pF〜約1500pFの定格を有する可変コンデンサである適用例11に記載のマッチング回路。
[適用例13]前記電力入力回路が、前記RF源に結合された第3のコンデンサと、前記内側コイル入力回路に結合された第2のインダクタと、前記第3のコンデンサと前記第2のインダクタとの間に結合された第4のコンデンサと、前記第3のコンデンサと前記第4のコンデンサとの間に画定された第2のノードと、前記第2のノードと接地点との間に結合された第5のコンデンサとを含む適用例9に記載のマッチング回路。
[適用例14]前記第3のコンデンサが、約5pF〜約500pFの定格を有し、
前記第4のコンデンサが、約50pF〜約500pFの定格を有し、
前記第2のインダクタが、約0.3μH〜約0.5μHの値を有し、
前記第5のコンデンサが、約200pF〜約300pFの値を有する
適用例13に記載のマッチング回路。
[適用例15]RF源に結合された電力入力回路と、
前記電力入力回路と内側コイルの入力端子との間に結合された内側コイル入力回路とを備え、前記内側コイル入力回路が、インダクタと、前記インダクタに直列に結合された第1のコンデンサとを含み、前記インダクタが、前記電力入力回路に接続し、前記第1のコンデンサが、前記内側コイルの前記入力端子に接続し、第1のノードが、前記電力入力回路と前記内側コイル入力回路との間に画定され、
前記内側コイルの出力端子と接地点との間に結合された内側コイル出力回路であって、接地への直接のパススルー接続を画定する内側コイル出力回路と、
前記第1のノードと外側コイルの入力端子との間に結合された外側コイル入力回路であって、第2のコンデンサを含む外側コイル入力回路と、
前記外側コイルの出力端子と接地点との間に結合された外側コイル出力回路であって、第3のコンデンサを含む外側コイル出力回路と
を備えるマッチング回路。
[適用例16]前記第1のコンデンサが、約150pF〜約1500pFの間の定格を有し、
前記インダクタが、約0.3μH〜約0.5μHの値を有する
適用例15に記載のマッチング回路。
[適用例17]前記第2のコンデンサが、約150pF〜約1500pFの定格を有する可変コンデンサである適用例15に記載のマッチング回路。
[適用例18]前記第3のコンデンサが、約80pF〜約120pFの値を有する適用例15に記載のマッチング回路。
[適用例19]前記電力入力回路が、前記RF源に結合された第4のコンデンサと、前記内側コイル入力回路に結合された第2のインダクタと、前記第4のコンデンサと前記第2のインダクタとの間に結合された第5のコンデンサと、前記第4のコンデンサと前記第5のコンデンサとの間に画定された第2のノードと、前記第2のノードと接地点との間に結合された第6のコンデンサとを含む適用例15に記載のマッチング回路。
[適用例20]前記第4のコンデンサが、約5pF〜約500pFの定格を有し、
前記第5のコンデンサが、約50pF〜約500pFの定格を有し、
前記第2のインダクタが、約0.3μH〜約0.5μHの値を有し、
前記第6のコンデンサが、約200pF〜約300pFの値を有する
適用例19に記載のマッチング回路。
Claims (20)
- RF源とプラズマチャンバの間に結合されたマッチング回路であって、
RF源に結合された電力入力回路と、
前記電力入力回路と内側コイルの入力端子との間に結合された内側コイル入力回路とを備え、前記内側コイル入力回路が、インダクタと、前記インダクタに直列に結合されたコンデンサとを含み、前記インダクタが、前記電力入力回路に接続し、前記コンデンサが、前記内側コイルの前記入力端子に接続し、第1のノードが、前記電力入力回路と前記内側コイル入力回路との間に画定され、
前記内側コイルの出力端子と接地点との間に結合された内側コイル出力回路であって、接地への直接のパススルー接続を画定する内側コイル出力回路と、
前記第1のノードと外側コイルの入力端子との間に結合された外側コイル入力回路と、
前記外側コイルの出力端子と接地点との間に結合された外側コイル出力回路と
を備えるマッチング回路。 - 前記コンデンサが、150pF〜1500pFの間の定格を有する可変コンデンサであり、
前記インダクタが、0.3μH〜0.5μHの値を有する
請求項1に記載のマッチング回路。 - 前記外側コイル入力回路が、第2のコンデンサを含む請求項1に記載のマッチング回路。
- 前記第2のコンデンサが、150pF〜1500pFの定格を有する可変コンデンサである請求項3に記載のマッチング回路。
- 前記外側コイル出力回路が、第2のコンデンサを含む請求項1に記載のマッチング回路。
- 前記第2のコンデンサが、80pF〜120pFの値を有する請求項5に記載のマッチング回路。
- 前記電力入力回路が、前記RF源に結合された第2のコンデンサと、前記内側コイル入力回路に結合された第2のインダクタと、前記第2のコンデンサと前記第2のインダクタとの間に結合された第3のコンデンサと、前記第2のコンデンサと前記第3のコンデンサとの間に画定された第2のノードと、前記第2のノードと接地点との間に結合された第4のコンデンサとを含む請求項1に記載のマッチング回路。
- 前記第2のコンデンサが、5pF〜500pFの定格を有し、
前記第3のコンデンサが、50pF〜500pFの定格を有し、
前記第2のインダクタが、0.3μH〜0.5μHの値を有し、
前記第4のコンデンサが、200pF〜300pFの値を有する
請求項7に記載のマッチング回路。 - RF源に結合された電力入力回路と、
前記電力入力回路と内側コイルの入力端子との間に結合された内側コイル入力回路とを備え、前記内側コイル入力回路が、インダクタと、前記インダクタに直列に結合された第1のコンデンサとを含み、前記インダクタが、前記電力入力回路に接続し、前記第1のコンデンサが、前記内側コイルの前記入力端子に接続し、第1のノードが、前記電力入力回路と前記内側コイル入力回路との間に画定され、
前記内側コイルの出力端子と接地点との間に結合された内側コイル出力回路であって、接地への直接のパススルー接続を画定する内側コイル出力回路と、
前記第1のノードと外側コイルの入力端子との間に結合された外側コイル入力回路と、
前記外側コイルの出力端子と接地点との間に結合された外側コイル出力回路であって、85pFよりも大きい値を有する第2のコンデンサを含む外側コイル出力回路と
を備えるマッチング回路。 - 前記第1のコンデンサが、150pF〜1500pFの間の定格を有し、
前記インダクタが、0.3μH〜0.5μHの値を有する
請求項9に記載のマッチング回路。 - 前記外側コイル入力回路が、第3のコンデンサを含む請求項9に記載のマッチング回路。
- 前記第3のコンデンサが、150pF〜1500pFの定格を有する可変コンデンサである請求項11に記載のマッチング回路。
- 前記電力入力回路が、前記RF源に結合された第3のコンデンサと、前記内側コイル入力回路に結合された第2のインダクタと、前記第3のコンデンサと前記第2のインダクタとの間に結合された第4のコンデンサと、前記第3のコンデンサと前記第4のコンデンサとの間に画定された第2のノードと、前記第2のノードと接地点との間に結合された第5のコンデンサとを含む請求項9に記載のマッチング回路。
- 前記第3のコンデンサが、5pF〜500pFの定格を有し、
前記第4のコンデンサが、50pF〜500pFの定格を有し、
前記第2のインダクタが、0.3μH〜0.5μHの値を有し、
前記第5のコンデンサが、200pF〜300pFの値を有する
請求項13に記載のマッチング回路。 - RF源に結合された電力入力回路と、
前記電力入力回路と内側コイルの入力端子との間に結合された内側コイル入力回路とを備え、前記内側コイル入力回路が、インダクタと、前記インダクタに直列に結合された第1のコンデンサとを含み、前記インダクタが、前記電力入力回路に接続し、前記第1のコンデンサが、前記内側コイルの前記入力端子に接続し、第1のノードが、前記電力入力回路と前記内側コイル入力回路との間に画定され、
前記内側コイルの出力端子と接地点との間に結合された内側コイル出力回路であって、接地への直接のパススルー接続を画定する内側コイル出力回路と、
前記第1のノードと外側コイルの入力端子との間に結合された外側コイル入力回路であって、第2のコンデンサを含む外側コイル入力回路と、
前記外側コイルの出力端子と接地点との間に結合された外側コイル出力回路であって、第3のコンデンサを含む外側コイル出力回路と
を備えるマッチング回路。 - 前記第1のコンデンサが、150pF〜1500pFの間の定格を有し、
前記インダクタが、0.3μH〜0.5μHの値を有する
請求項15に記載のマッチング回路。 - 前記第2のコンデンサが、150pF〜1500pFの定格を有する可変コンデンサである請求項15に記載のマッチング回路。
- 前記第3のコンデンサが、80pF〜120pFの値を有する請求項15に記載のマッチング回路。
- 前記電力入力回路が、前記RF源に結合された第4のコンデンサと、前記内側コイル入力回路に結合された第2のインダクタと、前記第4のコンデンサと前記第2のインダクタとの間に結合された第5のコンデンサと、前記第4のコンデンサと前記第5のコンデンサとの間に画定された第2のノードと、前記第2のノードと接地点との間に結合された第6のコンデンサとを含む請求項15に記載のマッチング回路。
- 前記第4のコンデンサが、5pF〜500pFの定格を有し、
前記第5のコンデンサが、50pF〜500pFの定格を有し、
前記第2のインダクタが、0.3μH〜0.5μHの値を有し、
前記第6のコンデンサが、200pF〜300pFの値を有する
請求項19に記載のマッチング回路。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/658,652 | 2012-10-23 | ||
US13/658,652 US9293353B2 (en) | 2011-04-28 | 2012-10-23 | Faraday shield having plasma density decoupling structure between TCP coil zones |
US201261747919P | 2012-12-31 | 2012-12-31 | |
US61/747,919 | 2012-12-31 | ||
US13/751,001 US9059678B2 (en) | 2011-04-28 | 2013-01-25 | TCCT match circuit for plasma etch chambers |
US13/751,001 | 2013-01-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014089957A JP2014089957A (ja) | 2014-05-15 |
JP6289860B2 true JP6289860B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=50572151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013218772A Active JP6289860B2 (ja) | 2012-10-23 | 2013-10-22 | プラズマエッチングチャンバ用のtcctマッチング回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6289860B2 (ja) |
KR (1) | KR102031381B1 (ja) |
CN (1) | CN103780241B (ja) |
TW (2) | TWI650796B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10332725B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-06-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for reversing RF current polarity at one output of a multiple output RF matching network |
US9515633B1 (en) * | 2016-01-11 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers |
CN108271307B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-11-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 电感耦合等离子体处理装置与等离子体产生装置 |
KR102432857B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2022-08-16 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
JP7002268B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN108519559A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-09-11 | 上海尼诺电子设备有限公司 | 射频电源检测装置 |
CN110536533A (zh) * | 2018-06-07 | 2019-12-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 上电极系统、等离子体腔室及等离子体产生方法 |
CN113972125B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-07-29 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理系统及其多段式法拉第屏蔽装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5187454A (en) * | 1992-01-23 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Electronically tuned matching network using predictor-corrector control system |
US5907221A (en) * | 1995-08-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops |
US6054013A (en) * | 1996-02-02 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
KR100383257B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2003-05-09 | 주식회사 래디언테크 | 반도체 식각 용 진공 챔버의 하부전극 정합장치 |
KR100396214B1 (ko) * | 2001-06-19 | 2003-09-02 | 주성엔지니어링(주) | 초단파 병렬 공명 안테나를 구비하는 플라즈마 공정장치 |
US7480571B2 (en) * | 2002-03-08 | 2009-01-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load |
US20040027209A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-12 | Applied Materials, Inc. | Fixed matching network with increased match range capabilities |
US6876155B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-04-05 | Lam Research Corporation | Plasma processor apparatus and method, and antenna |
CN100362619C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-01-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法 |
JP4876641B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4882824B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
JP5586286B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-09-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5800532B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2015-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2013
- 2013-10-22 JP JP2013218772A patent/JP6289860B2/ja active Active
- 2013-10-22 TW TW106130537A patent/TWI650796B/zh active
- 2013-10-22 TW TW102138115A patent/TWI606482B/zh active
- 2013-10-23 KR KR1020130126849A patent/KR102031381B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-23 CN CN201310503860.2A patent/CN103780241B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103780241A (zh) | 2014-05-07 |
KR20140051808A (ko) | 2014-05-02 |
TWI650796B (zh) | 2019-02-11 |
KR102031381B1 (ko) | 2019-11-08 |
TWI606482B (zh) | 2017-11-21 |
TW201740427A (zh) | 2017-11-16 |
JP2014089957A (ja) | 2014-05-15 |
CN103780241B (zh) | 2017-04-12 |
TW201432776A (zh) | 2014-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9059678B2 (en) | TCCT match circuit for plasma etch chambers | |
JP6289860B2 (ja) | プラズマエッチングチャンバ用のtcctマッチング回路 | |
JP5129433B2 (ja) | プラズマ処理チャンバ | |
US20180226233A1 (en) | Powered Grid for Plasma Chamber | |
JP5881954B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
TWI448212B (zh) | 電漿處理之設備與方法 | |
WO2017100136A1 (en) | Method and apparatus for clamping and declamping substrates using electrostatic chucks | |
TW202037235A (zh) | 高壓濾波器組件 | |
US8742666B2 (en) | Radio frequency (RF) power filters and plasma processing systems including RF power filters | |
US10056231B2 (en) | TCCT match circuit for plasma etch chambers | |
TW202329193A (zh) | 射頻電漿處理腔室中的失真電流減緩 | |
US20220399193A1 (en) | Plasma uniformity control in pulsed dc plasma chamber | |
JP4122467B2 (ja) | 高周波放電装置及び高周波処理装置 | |
JP5244123B2 (ja) | プラズマ封じ込みのための電界低減装置 | |
KR102266590B1 (ko) | Tcp 코일 구역들 사이에 플라즈마 밀도 디커플링 구조를 갖는 페러데이 쉴드 | |
KR101963954B1 (ko) | 변압기, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
KR101914902B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
TW201931426A (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR101040541B1 (ko) | 플라즈마 발생용 하이브리드 안테나 | |
CN113272935B (zh) | 用于等离子体处理室的斐波那契线圈 | |
KR102081686B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 기판 처리 방법 | |
KR20220096079A (ko) | 하이브리드 플라즈마 발생 장치 및 하이브리드 플라즈마 발생 장치의 제어방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161003 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6289860 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |