JP4876641B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
この処理容器内に当該処理容器とは絶縁され、かつ、互いに対向して設けられたカソード電極及びアノード電極と、
前記カソード電極に整合回路を介してその一端が接続された高周波電源と、
処理容器の壁部に当該処理容器とは絶縁され、かつ当該壁部を覆うように設けられた導電体からなる内壁板と、
その一端側が内壁板に接続されると共に、他端側が前記処理容器に接続されたインピーダンス調整部と、を備え、
前記カソード電極及びアノード電極のうちいずれか一方の電極上に基板が載置され、
前記インピーダンス調整部は、カソード電極からプラズマ、内壁板及び処理容器の壁部を介して前記整合回路の接地筐体に至るまでのインピーダンス値が、カソード電極からプラズマ、アノード電極及び処理容器の壁部を介して前記整合回路の接地筐体に至るまでのインピーダンス値よりも大きくなるように、そのインピーダンス値を調整するためのものであり、前記内壁板と処理容器の壁部との間には真空雰囲気が介在していることを特徴とする。
内壁板と処理容器の壁部との間は、プラズマ処理を行う雰囲気に開放されていることにより、真空雰囲気を介在させてもよい。
(実験1)
インピーダンス調整部60の容量可変コンデンサ62のキャパシタンスを変化させた場合の、内壁板6と接地間でのインピーダンス値の変化特性を調べた。
図1に示すような平行平板型のプラズマ処理装置において、実験を簡略化するため第1の高周波電源4aのみを有する(第2の高周波電源4bや整合回路41b等を有しない)下部1周波タイプのものを用いた。また、インピーダンス調整部60として、図5に示すように容量可変コンデンサ62とインダクタ61とを直列接続したものを内壁板6と処理容器2の壁部との間に接続した。
図6は、容量可変コンデンサ62のキャパシタンスを変化させた場合における内壁板6−接地間のインピーダンス値を測定した結果を示している。図中、黒塗りのひし形(◆)は測定値を表し、実線は実験結果を結んで得られたインピーダンス値の変化特性を示している。実験結果によると、内壁板6−接地間のインピーダンス値は、容量可変コンデンサ62のキャパシタンスを大きくするにつれて単調に増加し、キャパシタンスがある大きさに達すると急激に増大して+∞に発散している。インピーダンス値が+∞に発散したキャパシタンスにおいて、図5に示した回路が並列共振となっていると考えられる。更に、容量可変コンデンサ62のキャパシタンスを増やしていくと、インピーダンス値は−∞に転じた後、その絶対値が急速に小さくなってから、徐々に小さくなっていく。
インピーダンス調整部60の設定を変化させた場合において、下部電極5と処理容器2の壁部との間でのプラズマの状態を調べた。
(実験1)と略同様のプラズマ処理装置において、内壁板6からの距離とプラズマの状態との関係を調べるため、図7(b)に示したように処理容器2の1面にのみ内壁板6を設置したものを用いた。そして、容量可変コンデンサ62の静電容量が図6に示した(ア)、(イ)、(ウ)となるようにトリマの位置を変えてインピーダンス調整部60を調整し、(実験1)と同様のプラズマ発生条件で処理容器2内にプラズマを生成させた。(実験1)の結果によれば、図6に示したように、内壁板6−接地間のインピーダンス値の絶対値は(ウ)→(ア)→(イ)の順番で大きくなる。
目視観察の結果によれば、(イ)の条件(内壁板6−接地間のインピーダンス値の絶対値が最大となるようにインピーダンス調整部60が調整されている条件)において、内壁板6近傍が最も暗くなった。これにより、内壁板6の近傍には、目視可能な光を発する程度のプラズマは形成されていないことが分かる。
内壁板6内の温調用流路66に温調媒体を流した場合における内壁板6の外表面温度の応答性を調べた。
(実験1)と略同様のプラズマ処理装置において、循環ポンプで温調部65と内壁板6との間で温調媒体を循環させ、温調部65に設置した4kWの電気ヒータ(温度調節手段)で温調媒体が120℃となるまで温度調節を行った。そして、内壁板6の表面温度を所定時間一定に保った後、温度設定を40℃に下げて温調媒体を循環させながら冷却を行った。内壁板6外表面の温度は、蛍光温度プローブにより測定した。図3(a)に温度測定位置を×印で示した。処理容器2内は、プラズマ処理を行う場合と同じ真空雰囲気とし、処理容器2の温度調節は行わなかった。内壁板6と処理容器2の壁面間の距離は、10mmとし、処理容器2の底部はポリイミドで断熱した。
図8は、内壁板6の表面温度の測定結果を示している。実験結果によれば、温度調節を開始して約60分で温度が一定となり、温度調節が完了した。また、降温についても約70分温度が一定となり、良好に温度調節ができている。従って、内壁板6に温度調節された温調媒体を流すことにより、温度応答性がよくなり、各内壁板6を均一にする温度制御が容易となることが分かる。
3 上部電極
4a 第1の高周波電源
4b 第2の高周波電源
5 下部電極
6 内壁板
6a 内壁板部材
6b 流路形成部材
7 制御部
8 温度コントローラ
10 基板
11 処理容器
12 上部電極
13 下部電極
14 絶縁材
15 整合回路
16 マッチングボックス
17 高周波電源
18 導電路
18a シャフト
18b 支持板
18c ベローズ体
21 排気路
22 真空排気手段
30 開口部
31 絶縁材
32 ガス供給路
33 処理ガス供給部
34 ガス孔
40a、40b 導電路
41a、41b 整合回路
42 マッチングボックス
43a、43b 外層部
44a、44b 同軸ケーブル
45 保護管
46a、46b 導電路
50 絶縁材
51 支持部
52 導電路
53 インピーダンス調整部
54 導電性カバー体
60 インピーダンス調整部
61 インダクタ
62 容量可変コンデンサ
63 導電路
64 固定部材
65 温調部
66 温調用流路
66a 導入管
66b 排出管
67a 導入口
67b 排出口
Claims (7)
- 処理容器内にて高周波電力により処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより基板に対して処理を行うためのプラズマ処理装置において、
この処理容器内に当該処理容器とは絶縁され、かつ、互いに対向して設けられたカソード電極及びアノード電極と、
前記カソード電極に整合回路を介してその一端が接続された高周波電源と、
処理容器の壁部に当該処理容器とは絶縁され、かつ当該壁部を覆うように設けられた導電体からなる内壁板と、
その一端側が内壁板に接続されると共に、他端側が前記処理容器に接続されたインピーダンス調整部と、を備え、
前記カソード電極及びアノード電極のうちいずれか一方の電極上に基板が載置され、
前記インピーダンス調整部は、カソード電極からプラズマ、内壁板及び処理容器の壁部を介して前記整合回路の接地筐体に至るまでのインピーダンス値が、カソード電極からプラズマ、アノード電極及び処理容器の壁部を介して前記整合回路の接地筐体に至るまでのインピーダンス値よりも大きくなるように、そのインピーダンス値を調整するためのものであり、前記内壁板と処理容器の壁部との間には真空雰囲気が介在していることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 内壁板と処理容器の壁部との間は、プラズマ処理を行う雰囲気に開放されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス調整部は、インピーダンス値を可変なように構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス値を可変なように構成されたインピーダンス調整部は、容量可変コンデンサとインダクタとの直列回路であることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理の種別とインピーダンス調整部の調整値とを対応付けたデータが記憶された記憶部を含み、選択されたプラズマ処理の種別に応じた前記調整値を前記記憶部から読み出して前記インピーダンス調整部を調整するための制御信号を出力する制御部を更に備えたことを特徴とする請求項3又は4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内壁板は、温調媒体を通流するための温調用流路と、
前記処理容器の外部からの温調媒体を導入するための導入口と、
温調媒体を前記処理容器の外部に排出するための排出口と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。 - 処理容器の外部に設けられ、前記温調媒体の温度を調節する温度調節手段と、
この温度調節手段を介して温調媒体の温度を調節することにより前記内壁板の外表面温度を制御する手段と、を備えたことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
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