KR102638030B1 - 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법 Download PDF

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Abstract

[과제] 플라즈마 처리 장치가 대형화한 경우에도, 방전의 안정화를 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 플라즈마가 생성되는 처리 용기의 처리실에서 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생용 고주파 전원과, 상기 기판이 탑재되고 바이어스용 고주파 전원에 전기적으로 접속되는 탑재대와, 접지되어 있는 상기 처리 용기 중, 상기 처리실에 연통하는 노출면의 적어도 일부를 피복하는 금속제의 보호 부재와, 금속제의 제1 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 일단이 체결되고, 상기 처리 용기의 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제1 접지 전위 부재와, 금속제의 제2 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 타단이 체결되고, 상기 처리 용기의 다른 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제2 접지 전위 부재를 포함한다.

Description

플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PLASMA PROCESSING METHOD}
본 개시는, 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 처리실 내에 있는 탑재대의 탑재면에 탑재된 기판에 대해, 탑재대에 고주파 바이어스를 인가하면서 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치가 개시되어 있다. 이 플라즈마 처리 장치에 있어서, 배기구 부분에는, 제1의 개구 배플 판과 제2의 개구 배플 판이 마련되며, 제1의 개구 배플 판과 제2의 개구 배플 판은 각각, 배기 경로 하류측과 배기 경로 상류 측에 설치되어 있다. 제1의 개구 배플 판은 접지되고, 제2의 개구 배플 판은 전기적으로 플로팅 상태이며, 제1의 개구 배플 판과 제2의 개구 배플 판은, 쌍방의 사이에 안정 방전이 생성 가능한 간격을 가지고 있다. 특허문헌 1에 개시된 플라즈마 처리 장치에 의하면, 배기부에의 플라즈마 누설을 억제할 수 있고, 또한 배플 판 상방에서의 불안정한 글로 방전을 억제하여, 처리실 내에 안정된 플라즈마를 생성할 수 있다.
일본 특허 공개 제2017－17180호 공보
본 개시는, 플라즈마 처리 장치가 대형화한 경우에도, 방전의 안정화를 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 플라즈마 처리 장치는,
플라즈마가 생성되어 있는 처리 용기의 처리실에서 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
플라즈마 발생용 고주파 전원과,
상기 기판이 탑재되고, 바이어스용 고주파 전원에 전기적으로 접속되는 탑재대와,
접지되어 있는 상기 처리 용기 중, 상기 처리실에 연통하는 노출면의 적어도 일부를 피복하는 금속제의 보호 부재와,
금속제의 제1 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 일단이 체결되며, 상기 처리 용기의 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제1 접지 전위 부재와,
금속제의 제2 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 타단이 체결되며, 상기 처리 용기의 다른 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제2 접지 전위 부재를 포함한다.
본 개시에 의하면, 플라즈마 처리 장치가 대형화한 경우에도 방전의 안정화를 도모할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 도 1의 II 부분의 확대도이며, 챔버의 저판의 배기용 관통 구멍으로부터 배기부의 상방에 걸친 범위를 확대한 도면이다.
도 3은 도 2의 III－III선을 따라 본 도면이다.
이하, 본 개시의 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법으로 대해서, 첨부의 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복한 설명을 생략하는 경우가 있다.
［실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법］
도 1 내지 도 3을 참조해서, 본 개시의 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법의 일례에 대해 설명한다. 여기서, 도 1은 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 종단면도이다. 또한, 도 2는 도 1의 II 부분의 확대도로서, 챔버의 저판의 배기용 관통 구멍으로부터 배기부의 상방에 걸친 범위를 확대한 도면이며, 도 3은 도 2의 III－III선을 따라 본 도면이다.
도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(100)는, 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display, 이하, 「FPD」라 함) 용의, 평면도로 볼 때 직사각형의 기판(G)( 이하, 간단히 「기판」이라 함)에 대해서, 각종의 기판 처리 방법을 실행하는 유도 결합형 플라즈마(Inductive Coupled Plasma: ICP) 처리 장치이다. 기판의 재료로서는, 주로 유리가 이용되고, 용도에 따라서는 투명의 합성 수지 등이 이용되는 일도 있다. 여기서, 기판 처리에는, 에칭 처리나, CVD(Chemical Vapor Deposition) 법을 이용하는 성막 처리 등이 포함된다. FPD로서는, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD)나 일렉트로루미네선스(Electro Luminescence: EL), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등이 예시된다. 기판은, 그 표면에 회로가 패터닝되는 형태 외에, 지지 기판도 포함된다. 또한, FPD용 기판의 평면 치수는 세대의 추이와 함께 대규모화하고 있고, 플라즈마 처리 장치(100)에 의해서 처리되는 기판(G)의 평면 치수는, 예를 들면, 제6세대의 1500mm×1800mm 정도의 치수로부터, 제10.5세대의 3000mm×3400mm 정도의 치수까지를 적어도 포함한다. 또, 기판(G)의 두께는 0.2mm 내지 수mm 정도이다.
도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(100)는, 직방체형의 상자모양 처리 용기(20)와, 처리 용기(20) 내에 배치되고 기판(G)이 탑재되는 평면도로 보아 직사각형 외형의 탑재대(70)와, 제어부(90)를 갖는다. 또한, 처리 용기는, 원통형의 상자모양이나 타원통형의 상자모양 등의 형상이어도 괜찮으며, 이 형태에서는 탑재대도 원형 혹은 타원형이 되고, 탑재대에 탑재되는 기판도 원형 등이 된다.
처리 용기(20)는, 금속창(30)에 의해 상하 2개의 공간으로 구획되어 있고, 상방 공간인 안테나실(A)은 상 챔버(13)에 의해 형성되며, 하방 공간인 처리실(S)은 하 챔버(17)에 의해 형성된다. 처리 용기(20)에 있어서, 상 챔버(13)와 하 챔버(17)의 경계가 되는 위치에는 직사각형 환상의 지지 프레임(14)이 처리 용기(20)의 내측으로 돌출하도록 해서 배치되고, 지지 프레임(14)에 금속창(30)이 장착된다.
안테나실(A)을 형성하는 상 챔버(13)는, 측벽(11)과 천판(12)으로 형성되고, 전체적으로 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속으로 형성된다.
처리실(S)을 내부에 갖는 하 챔버(17)는, 측벽(15)과 저판(16)으로 형성되고, 전체적으로 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속으로 형성된다. 또, 측벽(15)은 접지선(21)에 의해 접지되어 있다.
게다가 지지 프레임(14)은 도전성의 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속으로 형성되고, 금속 프레임이라 칭할 수도 있다.
하 챔버(17)의 측벽(15)의 상단에는, 직사각형 환상(무단상)의 씰 홈(22)이 형성되고, 씰 홈(22)에 O링 등의 씰 부재(23)가 끼워넣어지고, 씰 부재(23)를 지지 프레임(14)의 접촉 면이 보지하는 것에 의해, 하 챔버(17)와 지지 프레임(14)의 씰 구조가 형성된다.
하 챔버(17)의 측벽(15)에는, 하 챔버(17)에 대해서 기판(G)를 반출입하기 위한 반출입구(18)가 마련되고, 반출입구(18)는 게이트 밸브(24)에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 하 챔버(17)에는 반송 기구를 내포하는 반송실(모두 도시하지 않고)이 인접해 있고, 게이트 밸브(24)를 개폐 제어해서, 반송 기구에서 반출입구(18)를 거쳐 기판(G)의 반출입이 행해진다.
또한, 하 챔버(17)가 갖는 저판(16)에는 복수의 배기용 관통 구멍(19)(노출면의 일례)가 마련되고, 각 배기용 관통 구멍(19)에는 배기관(43)이 접속되며, 배기관(43)은 개폐 밸브(26)를 거쳐서 배기 장치(27)에 접속된다. 배기관(43), 개폐 밸브(26) 및 배기 장치(27)에 의해 배기부(28)가 형성된다. 배기 장치(27)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 가지며, 프로세스 중에 하 챔버(17) 내를 소정의 진공도까지 진공화 가능하게 구성되어 있다. 또한, 하 챔버(17)의 적소에는 압력계(도시하지 않음)가 설치되고, 압력계에 의한 모니터 정보가 제어부(90)에 송신되게되어 있다. 또한, 도 1에 있어서 일점 쇄선으로 포위된 II 부분에 있는, 배기용 관통 구멍(19)으로부터 배기관(43)의 상방에 걸친 상세한 구조에 대해서는, 이하에서 상세히 설명한다.
탑재대(70)는, 기재(71)와, 기재(71)의 상면(71a)에 형성되어 있는 정전 척(76)을 가진다.
기재(71)를 평면도로 본 형상은 직사각형이고, 탑재대(70)에 탑재되는 기판(G)과 동일한 정도의 평면 치수를 가진다. 기재(71)의 장변의 길이는 1800mm 내지 3400mm 정도로 설정할 수 있고, 단변의 길이는 1500mm 내지 3000mm 정도로 설정할 수 있다. 이 평면 치수에 대해서, 기재(71)의 두께는 예를 들면 50mm 내지 100mm 정도가 될 수 있다.
기재(71)에는, 직사각형 평면의 전 영역을 커버하도록 사행(蛇行)한 온도 조절 매체 유로(72a)가 마련되고, 스테인리스강이나 알루미늄, 알루미늄 합금 등으로 형성된다. 또한, 온도 조절 매체 유로(72a)는 정전 척(76)에 설치되어도 괜찮다. 또, 기재(71)가, 도시 예와 같이 1 부재가 아니고, 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 등에 의한 2 부재의 적층체에 의해 형성되어도 괜찮다.
하 챔버(17)의 저판(16) 위에는, 절연 재료로 형성되고 안쪽에 단차부를 갖는 상자형의 대좌(78)가 고정되고, 대좌(78)의 단차부 위에 탑재대(70)가 탑재된다.
기재(71)의 상면(71a)에는, 기판(G)이 직접 탑재되는 정전 척(76)이 형성된다. 정전 척(76)은, 알루미나 등의 세라믹스를 용사하여 형성되는 유전체 피막인 세라믹스 층(74)과, 세라믹스 층(74)의 내부에 매설되고 정전 흡착 기능을 갖는 도전층(75)(전극)을 갖는다.
도전층(75)은 급전선(84)을 거쳐서 직류 전원(85)에 접속된다. 제어부(90)에 의해, 급전선(84)에 개재하는 스윗치(도시하지 않음)가 온되면, 직류 전원(85)으로부터 도전 층(75)에 직류 전압이 인가되는 것에 의해 쿨롱력이 발생한다. 이 쿨롱력에 의해, 기판(G)이 정전 척(76)의 상면에 정전 흡착되어, 기재(71)의 상면(71a)에 탑재된 상태로 보지된다.
탑재대(70)를 구성하는 기재(71)에는, 직사각형 평면의 전 영역을 커버하도록 사행한 온도 조절 매체 유로(72a)가 설치되어 있다. 온도 조절 매체 유로(72a)의 양단에는, 온도 조절 매체 유로(72a)에 대해서 온도 조절 매체가 공급되는 송출 배관(72b)과, 온도 조절 매체 유로(72a)를 유통해서 승온된 온도 조절 매체가 배출되는 복귀 배관(72c)이 연통하고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 송출 배관(72b)과 복귀 배관(72c)에는 각각, 송출 유로(87)와 복귀 유로(88)가 연통하고 있고, 송출 유로(87)와 복귀 유로(88)는 칠러(86)에 연통하고 있다. 칠러(86)는, 온도 조절 매체의 온도나 토출 유량을 제어하는 본체부와, 온도 조절 매체를 압송하는 펌프를 갖는다(모두 도시하지 않음). 또한, 온도 조절 매체로서는 냉매가 적용되고, 이 냉매에는, 갈덴(등록상표)이나 플로리너트(등록상표) 등이 적용된다. 도시 예의 온도 조절 형태는, 기재(71)에 온도 조절 매체를 유통시키는 형태이지만, 기재(71)가 히터 등을 내장해서, 히터에 의해 온도 조절하는 형태여도 괜찮고, 온도 조절 매체와 히터의 쌍방에 의해 온도 조절하는 형태여도 괜찮다. 또, 히터 대신에, 고온의 온도 조절 매체를 유통시키는 것에 의해 가열을 수반하는 온도 조절을 실시해도 괜찮다. 또한, 저항체인 히터는, 텅스텐이나 몰리브덴, 혹은 이러한 금속 중 어느 한 종류와 알루미나나 티탄등의 화합물로 형성된다. 또, 도시 예는, 기재(71)에 온도 조절 매체 유로(72a)가 형성되어 있지만, 예를 들면 정전 척(76)이 온도 조절 매체 유로를 갖고 있어도 괜찮다.
기재(71)에는 열전대 등의 온도 센서(도시하지 않음)가 배치되고, 온도 센서에 의한 모니터 정보는 제어부(90)에 수시 송신된다. 그리고, 송신된 모니터 정보에 근거해서, 기재(71) 및 기판(G)의 온도 조절 제어가 제어부(90)에 의해 실행된다. 보다 구체적으로는, 제어부(90)에 의해, 칠러(86)로부터 송출 유로(87)에 공급되는 온도 조절 매체의 온도나 유량이 조정된다. 그리고, 온도 조정이나 유량 조정을 실행한 온도 조절 매체가 온도 조절 매체 유로(72a)로 순환되는 것에 의해, 탑재대(70)의 온도 조절 제어가 실행된다. 또한, 열전대 등의 온도 센서는, 예를 들면 정전 척(76)에 배치되어도 괜찮다.
정전 척(76) 및 기재(71)의 외주와, 대좌(78)의 상면에 의해 단차부가 형성되고, 이 단차부에는, 직사각형 프레임 형상의 포커스 링(79)이 탑재된다. 단차부에 포커스 링(79)이 설치된 상태에서, 포커스 링(79)의 상면이 정전 척(76)의 상면보다 낮아지도록 설정되어 있다. 포커스 링(79)은 알루미나 등의 세라믹스 혹은 석영 등으로 형성된다.
기재(71)의 하면에는 급전 부재(80)가 접속된다. 급전 부재(80)의 하단에는 급전선(81)이 접속되고, 급전선(81)은 임피던스 정합을 실시하는 정합기(82)를 거쳐서 바이어스 전원인 고주파 전원(83)(바이어스용 고주파 전원의 일례)에 접속된다. 탑재대(70)에 대해서 고주파 전원(83)으로부터 예를 들면 3.2 MHz의 고주파 전력이 인가되는 것에 의해 RF 바이어스를 발생시키고, 이하에서 설명하는 플라즈마 발생용의 소스원인 고주파 전원(56)에서 생성된 이온을 기판(G)에 끌어당길 수 있다. 따라서, 플라즈마 에칭 처리에 있어서는, 에칭 레이트와 에칭 선택비를 함께 높이는 것이 가능해진다. 이와 같이, 탑재대(70)는, 기판(G)을 탑재해서 RF 바이어스를 발생시키는 바이어스 전극을 형성한다. 이 때, 챔버 내부의 접지 전위가 되는 부위가 바이어스 전극의 대향 전극으로서 기능하고, 고주파 전력의 리턴 회로를 구성한다. 또한, 금속창(30)을 고주파 전력의 리턴 회로의 일부로서 구성해도 괜찮다.
금속창(30)은 복수의 분할 금속창(31)으로 형성된다. 금속창(30)을 형성하는 분할 금속창(31)의 수는 12개, 24개 등, 다양한 개수를 설정할 수 있다. 분할 금속창(31)은 도체 플레이트(32)와 샤워 플레이트(34)를 가진다. 도체 플레이트(32)와 샤워 플레이트(34)는 모두, 비자성이고 도전성을 가지며, 게다가 내식성을 갖는 금속 혹은 내식성의 표면 가공이 실시된 금속인, 알루미늄이나 알루미늄 합금, 스테인리스강 등으로 형성된다. 내식성을 갖는 표면 가공은, 예를 들면, 양극 산화 처리나 세라믹스 용사 등이다. 또한, 처리실(S)에 면하는 샤워 플레이트(34)의 노출면(34a)에는, 양극 산화 처리나 세라믹스 용사에 의한 내 플라즈마 코팅이 실시되어도 괜찮다. 도체 플레이트(32)는 접지선(도시하지 않음)을 거쳐 접지되고, 샤워 플레이트(34)도 서로 접합되는 도체 플레이트(32)를 거쳐서 접지된다.
금속창(30)을 구성하는 각 분할 금속창(31)은, 복수 개의 서스펜더(도시하지 않음)에 의해, 상 챔버(13)의 천판(12)로부터 매달려 있다. 각각의 분할 금속창(31)의 상방에는, 절연부재로 형성되는 스페이서(도시하지 않음)가 배치되고, 이 스페이서에 의해 도체 플레이트(32)로부터 이격해서 고주파 안테나(51)(유도 결합 안테나의 일례)가 배치되어 있다. 고주파 안테나(51)는 플라즈마의 생성에 기여해서, 구리 등의 양호 도전성의 금속으로 형성되는 안테나선을, 환상 혹은 와권 형상으로 권취하는 것에 의해 형성된다. 예를 들면, 환상의 안테나선을 다중으로 배치해도 괜찮다. 고주파 안테나(51)는, 분할 금속창(31)의 상면에 배치되기 때문에, 분할 금속창(31)을 통해서 천판(12)으로부터 매달려 있다.
도체 플레이트(32)의 하면에는 가스 확산 홈(33)이 형성되고, 가스 확산 홈(33)과 상단면(32a)을 연통하는 관통 구멍(32b)이 마련된다. 이 관통 구멍(32b)에 가스 도입관(52)이 매설된다. 샤워 플레이트(34)에는, 도체 플레이트(32)의 가스 확산 홈(33)과 처리실(S)에 연통하는 복수의 가스 토출 구멍(35)이 마련되어 있다. 샤워 플레이트(34)는, 도체 플레이트(32)의 가스 확산 홈(33)의 외측의 영역의 하면에 대해서, 금속제의 나사(도시하지 않음)로 체결되어 있다. 또한, 가스 확산 홈은, 샤워 플레이트의 상면에 마련되어도 괜찮다. 각각의 분할 금속창(31)은, 절연부재(37)에 의해, 지지 프레임(14)이나 인접하는 분할 금속창(31)과 서로 전기적으로 절연된다. 여기서, 절연부재(37)는 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 등의 불소 수지로 형성된다.
고주파 안테나(51)에는, 상 챔버(13)의 상방으로 연장 설치되는 급전부재(53)가 접속되고, 급전부재(53)의 상단에는 급전선(54)이 접속되며, 급전선(54)은 임피던스 정합을 행하는 정합기(55)를 거쳐서 고주파 전원(56)(플라즈마 발생용 고주파 전원의 일례)에 접속된다.
고주파 안테나(51)에 대해서 고주파 전원(56)으로부터 예를 들면 13.56 MHz의 고주파 전력이 인가되는 것에 의해, 하 챔버(17) 내에 유도 전계가 형성된다. 이 유도 전계에 의해, 샤워 플레이트(34)로부터 처리실(S)에 공급된 처리 가스가 플라즈마화되어 유도 결합형 플라즈마가 생성되고, 플라즈마 안의 이온이 기판(G)에 제공된다.
고주파 전원(56)은 플라즈마 발생용의 소스원이며, 탑재대(70)에 접속되어 있는 고주파 전원(83)은, 발생한 이온을 끌어당겨 운동 에너지를 부여하는 바이어스원이 된다. 이와 같이, 이온 소스원으로는 유도 결합을 이용해서 플라즈마를 생성하고, 별개 전원인 바이어스원을 탑재대(70)에 접속해서 이온 에너지의 제어를 실시하는 것에 의해, 플라즈마의 생성과 이온 에너지의 제어가 독립해서 행해져서, 프로세스의 자유도를 높일 수 있다.
각각의 분할 금속창(31)이 갖는 가스 도입관(52)은, 안테나실(A) 내에서 일 개소에 모이고, 상방으로 연장되는 가스 도입관(52)은 상 챔버(13)의 천판(12)에 마련되어 있는 공급구(12a)를 기밀로 관통한다. 그리고, 가스 도입관(52)은 기밀로 결합된 가스 공급관(61)을 거쳐서 처리 가스 공급원(64)에 접속된다.
가스 공급관(61)의 도중 위치에는 개폐 밸브(62)와 매스플로우 콘트롤러와 같은 유량 제어기(63)가 개재하고 있다. 가스 공급관(61), 개폐 밸브(62), 유량 제어기(63) 및 처리 가스 공급원(64)에 의해 처리 가스 공급부(60)가 형성된다. 또한, 가스 공급관(61)은 도중에 분기해 있고, 각 분기관에는 개폐 밸브와 유량 제어기, 및 처리 가스종에 따른 처리 가스 공급원이 연통하고 있다(도시하지 않음).
플라즈마 처리에 있어서는, 처리 가스 공급부(60)로부터 공급되는 처리 가스가 가스 공급관(61) 및 가스 도입관(52)을 거쳐서, 각 분할 금속창(31)이 갖는 도체 플레이트(32)의 가스 확산 홈(33)에 공급된다. 그리고, 각 가스 확산 홈(33)으로부터 각 샤워 플레이트(34)의 가스 토출 구멍(35)을 거쳐서, 처리실(S)에 토출된다.
또한, 각 분할 금속창(31)이 갖는 가스 도입관(52)이 하나로 모이는 일 없이, 각각이 단독으로 처리 가스 공급부(60)에 연통하고, 분할 금속창(31)마다 처리 가스의 공급 제어를 실행해도 괜찮다. 또한, 금속창(30)의 외측에 위치하는 복수의 분할 금속창(31)이 갖는 가스 도입관(52)이 하나로 모이고, 금속창(30)의 내측에 위치하는 복수의 분할 금속창(31)이 갖는 가스 도입관(52)이 별도 하나로 모이고, 각각의 가스 도입관(52)이 개별적으로 처리 가스 공급부(60)에 연통해서 처리 가스의 공급 제어를 실행해도 괜찮다. 즉, 전자의 형태는 분할 금속창(31)마다 처리 가스의 공급 제어가 실행되는 형태이며, 후자의 형태는 금속창(30)의 외부 영역과 내부 영역으로 나누어 처리 가스의 공급 제어가 실행되는 형태이다.
게다가 각 분할 금속창(31)이 고유의 고주파 안테나를 가져서, 각 고주파 안테나에 대해서 개별적으로 고주파 전력이 인가되는 제어가 실행되어도 괜찮다.
제어부(90)는, 플라즈마 처리 장치(100)의 각 구성부, 예를 들면, 칠러(86)나, 고주파 전원(56, 83), 처리 가스 공급부(60), 압력계로부터 송신되는 모니터 정보에 근거하는 배기부(28) 등의 동작을 제어한다. 제어부(90)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 갖는다. CPU는, RAM이나 ROM의 기억 영역에 격납된 레시피(프로세스 레시피)에 따라, 소정의 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 플라즈마 처리 장치(100)의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보에는, 예를 들면, 가스 유량이나 처리 용기(20) 내의 압력, 처리 용기(20) 내의 온도나 기재(71)의 온도, 프로세스 시간 등이 포함된다.
레시피 및 제어부(90)가 적용하는 프로그램은, 예를 들면, 하드 디스크나 콤팩트 디스크, 광 자기 디스크 등에 기억되어도 괜찮다. 또, 레시피 등은, CD－ROM, DVD, 메모리 카드 등의 가반성의 컴퓨터에 의한 판독이 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 제어부(90)에 세트되고, 판독되는 형태여도 괜찮다. 제어부(90)는 그 외, 커멘드의 입력 조작 등을 실시하는 키보드나 마우스 등의 입력 장치, 플라즈마 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등의 표시 장치, 및 프린터 등의 출력 장치라고 하는 유저 인터페이스를 갖고 있다.
이어서, 도 2 및 도 3을 참조해서, 처리 용기(20)를 구성하는 하 챔버(17)의 저판(16)에 마련되어 있는 배기용 관통 구멍(19)으로부터, 배기부(28)의 상방에 걸친 상세한 구조에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 배기용 관통 구멍(19)이나 배기관(43)의 내벽면을 평면도로 보았을 때의 형상을 원형으로서 설명하지만, 이들을 평면도로 볼 때의 형상은, 원형 이외에도, 장방형이나 정방형을 포함한 직사각형, 직사각형 이외의 다각형, 타원형 등이어도 괜찮다.
하 챔버(17)의 저판(16)에 마련되어 있는 배기용 관통 구멍(19)의 내벽면은 처리실(S)에 연통하는 노출면의 일례이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 하 챔버(17)의 측벽(15)과 저판(16)은, 접지선(21)을 거쳐서 접지된다. 저판(16)의 상면(16a) 중, 배기용 관통 구멍(19) 이외의 영역에는, 상면(16a)을 피복하는 저판 피복판(41)이 탑재되어 있다. 저판 피복판(41)은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속제의 판이며, 저판(16)의 상면(처리 용기의 일부의 일례)과 접하고, 도시하지 않은 체결 부재, 예를 들면 나사 등에 의해 전기적 도통을 유지해서 고정되는 것에 의해, 저판 피복판(41)은 접지 전위를 갖는 제1 접지 전위 부재를 형성한다.
도시하는 평면도로 볼 때 원형의 배기용 관통 구멍(19)의 내벽면에는, 통형의 보호 부재인 제1 내벽 피복판(42)이 끼워넣어져 있고, 제1 내벽 피복판(42)의 상단에서 측방으로 돌출하는 무단상(無端狀)의 플랜지(42a)가, 저판 피복판(41)의 상면에 탑재되어 있다. 또, 제1 내벽 피복판(42)의 내벽면의 하방에는, 그 둘레 방향으로 여덟 개의 고정 구멍(42c)이 예를 들면 등간격으로 마련되어 있다. 고정 구멍(42c)은, 그 내면의 적어도 일부에 암나사부를 가져 나사 구멍을 형성한다.
플랜지(42a)에는 복수(도시 예는 여덟 개)의 관통 구멍(42b)이 마련되고, 저판 피복판(41)에 있어서의 각 관통 구멍(42b)에 대응하는 위치에도 복수(도시 예는 여덟 개)의 관통 구멍(41a)이 마련되어 있다. 관통 구멍(41a)의 내벽면은, 적어도 그 일부에 암나사부를 갖는다. 그리고, 대응하는 관통 구멍(42b, 41a)에 의한 연통 구멍에 대해서, 금속제의 제1 체결 부재인 체결 나사(47)가 나사 삽입되는 것에 의해, 체결 나사(47)와 관통 구멍(41a)의 암나사부가 나사결합하여, 저판 피복판(41)에 대해서 제1 내벽 피복판(42)의 상방이 고정된다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 평면도로 볼 때 환상의 플랜지(42a)에 대해서, 여덟개의 체결 나사(47)가 예를 들면 등간격으로 마련되어, 저판 피복판(41)과 제1 내벽 피복판(42)의 상방을 고정한다.
저판(16)의 배기용 관통 구멍(19)의 하방에는 배기관(43)이 장착된다. 배기관(43)은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속제의 배관이고, 그 상단에서 측방으로 돌출하는 무단상의 플랜지(43a)가, 저판(16)의 하면에 접촉한 상태로 고정되어 있다. 평면도로 볼 때 원형의 플랜지(43a)에는, 그 둘레 방향으로, 여덟 개의 고정 구멍(43c)이 예를 들면 등간격으로 마련된다. 고정 구멍(43c)은, 그 내면의 적어도 일부에 암나사부를 가져 나사 구멍을 형성한다.
배기관(43)의 플랜지(43a)가 저판(16)의 하면(처리 용기의 다른 일부의 일례)과 접하고, 도시하지 않는 체결 부재, 예를 들면 나사 등에 의해 전기적 도통을 유지해서 고정되는 것에 의해, 배기관(43)은 접지 전위를 가지는 제 2 접지 전위 부재를 형성한다.
평면도로 보아 원형의 배기관(43)의 내벽면에는, 통형(무단상)의 제 2 내벽 피복판(46)이 끼워넣어지고, 제 2 내벽 피복판(46)의 상단에서 측방으로 돌출되는 무단상의 플랜지(46a)가, 플랜지(43a)의 상면에 마련되어 있는 카운터보어 홈(43b)에 끼워넣어진다. 제 2 내벽 피복판(46)은, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속제의 판이다. 평면도로 보아 원형의 플랜지(46a) 중, 플랜지(43a)가 갖는 여덟 개의 고정 구멍(43c)에 대응하는 위치에는, 여덟 개의 피복판 관통 구멍(46b)이 마련되어 있다.
제 2 내벽 피복판(46)의 플랜지(46a)가 배기관(43)의 플랜지(43a)와 접하고, 도시하지 않는 체결 부재, 예를 들면 나사 등에 의해 고정되는 것에 의해, 제 2 내벽 피복판(46)은 배기관(43)과 함께 접지 전위를 갖는 제 2 접지 전위 부재를 형성한다.
제 2 내벽 피복판(46)의 플랜지(46a)의 상면에는, 배기관(43)의 상단 개구(43d)를 피복하는 배기망(44)이 마련되어 있다. 배기망(44)은 다수의 배기 구멍(44a)을 구비하고, 그 하면에는 프레임(44b)이 마련되어 있다. 프레임(44b) 중, 플랜지(46a)가 갖는 여덟 개의 피복판 관통 구멍(46b)에 대응하는 위치에는, 피복판 관통 구멍(46b)과 연통하는 프레임 관통 구멍(44c)을 포함한다.
배기망(44)은, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속제의 그물이다. 프레임(44b)이 제 2 내벽 피복판(46)의 플랜지(46a)와 접하고, 이하에서 설명하는 체결 구조에 의해 배기관(43)에 고정되는 것에 의해, 배기망(44)은, 배기관(43) 및 제 2 내벽 피복판(46)과 함께 접지 전위를 갖는 제 2 접지 전위 부재를 형성한다.
이와 같이, 배기관(43)과 제 2 내벽 피복판(46)과 배기망(44)이 모두 제 2 접지 전위 부재를 형성한다.
배기망(44)의 상면 중, 각 프레임 관통 구멍(44c)에 대응하는 위치에는 연결 부재(45)가 배치된다. 연결 부재(45)는, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속제의 연결 부분이며, 도 2에 도시하는 바와 같이 측면도로 보아 L자형을 나타내고, 수평 구멍(45a)과 세로 구멍(45b)을 포함한다.
여덟 개의 연결 부재(45)의 각 수평 구멍(45a)은 각각 제1 내벽 피복판(42)이 구비하는 여덟 개의 고정 구멍(42c)에 연통하고 있다. 그리고, 대응하는 8조의 수평 구멍(45a)과 고정 구멍(42c)에 대해서 각각 금속제의 제 3 체결 부재인 체결 나사(49)가 나사 삽입되는 것에 의해, 체결 나사(49)와 고정 구멍(42c)의 암나사 부가 나사결합하여, 연결 부재(45)가 제 1 내벽 피복판(42)에 고정된다.
한편, 여덟 개의 연결 부재(45)의 각 세로 구멍(45b)은 배기망(44)이 갖는 여덟 개의 프레임 관통 구멍(44c)에 연통한다. 대응하는 8조의 세로 구멍(45b)과 프레임 관통 구멍(44c)과 피복판 관통 구멍(46b)과 고정 구멍(43c)에 대해서 각각, 금속제의 제 2 체결 부재인 체결 나사(48)가 나사 삽입되는 것에 의해, 체결 나사(48)와 고정 구멍(43c)의 암나사부가 나사결합한다. 이것에 의해, 배기망(44)은 연결 부재(45)를 거쳐서 제1 내벽 피복판(42)과 배기관(43)에 고정된다.
이와 같이, 제1 내벽 피복판(42)이 복수의 체결 나사(47)를 거쳐서 저판 피복판(41)에 고정되는 것에 의해, 제1 내벽 피복판(42)의 플랜지(42a)가 단지 저판 피복판(41) 혹은 저판(16)의 상면에 탑재되어 있을 뿐인 구성과 비교해서, 제 1 내벽 피복판(42)을 안정되게 접지할 수 있다.
게다가 연결 부재(45)를 거쳐서 배기망(44)과 제1 내벽 피복판(42)이 체결 나사(49)로 고정되고, 배기망(44)이 연결 부재(45)와 제 2 내벽 피복판(46)을 거쳐서 하 챔버(17)의 저판(16)의 하면에 고정되는 배기관(43)에 대해서 체결 나사(48)로 고정된다. 이것에 의해, 제1 내벽 피복판(42)을 더욱 안정되게 접지할 수 있다. 또, 제1 내벽 피복판(42)은 그 일단에서 저판 피복판(41)에 의해 접지 전위에 접속되고, 그 타단에서 배기관(43)에 의해 접지 전위에 접속되기 때문에, 안정되게 접지된다.
처리 용기(20)의 저판(16)에 접하는, 혹은 처리실(S)에 연통하는 노출면의 일부를 피복하는, 저판 피복판(41)이나 제1 내벽 피복판(42), 제 2 내벽 피복판(46) 등은 모두 접지 전위를 갖는다. 그리고, 이들 부재는, 바이어스용 고주파 전원(83)에 의해서 탑재대(70)에 대해서 바이어스용 고주파 전압이 인가되었을 때에, 탑재대(70)에 대한 대향 전극의 일부를 형성한다.
플라즈마 처리 장치(100)의 대형화에 수반해서, 바이어스용 고주파 전원(83)에 의한 인가 파워나 인가 압력도 자연히 커지지만, 이 바이어스용 고주파 전압에 대해서 대향 전극이 되는 상기 각 부재의 접지가 불충분하면, 대향 전극을 구성하는 부재 사이에 전위차가 생겨, 방전 불안정한 상태가 될 수 있다.
이것에 대해서, 플라즈마 처리 장치(100)에서는, 대향 전극이 되는 상기 각 부재가, 연결 부재(45)나 체결 나사(47, 48, 49)를 거쳐서 하 챔버(17)의 저판(16)에 고정되는 것에 의해, 대향 전극이 되는 상기 각 부재와 저판(16)을 전기적으로 일체 구조로 할 수 있다. 이러한 것에 의해, 대향 전극을 구성하는 부재 사이에서의 전위차의 발생을 억제할 수 있어, 저판(16)의 배기부에서 방전이 불안정하게 되는 것을 해소할 수 있다.
특히, 플라즈마 처리 장치(100)에서는, 배기용 관통 구멍(19)의 내벽면에 제1 내벽 피복판(42)를 고정하는 것과 관련하여, 제1 내벽 피복판(42)의 상방을 제1의 접지 전위 부재에 고정하는 체결 나사(47)와, 제1 내벽 피복판(42)의 하방을 제 2의 접지 전위 부재에 고정하는 체결 나사(48, 49)의 갯수가 동수로 설정되어 있다. 이러한 것에 의해, 제1 내벽 피복판(42)의 상방과 하방에서 각각의 접지 전위 부재에 흐르는 전류량을 균등화할 수 있어, 제1 내벽 피복판(42)에서의 전위차의 발생을 효과적으로 억제하는 것을 가능하게 하고 있다.
여기서, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 제조 방법의 일례를 개략적으로 설명하면 이하와 같다. 이 제조 방법은, 플라즈마 처리 장치(100)를 구성하는 처리 용기(20)를 접지하고, 처리 용기(20)에 대해서, 플라즈마 발생용 고주파 전원(56)과, 기판(G)이 탑재되는 탑재대(70)를 장착하며, 처리 용기(20) 중, 처리실(S)에 연통하는 노출면의 적어도 일부를 금속제의 보호 부재(42)에 의해 피복하는 공정을 포함한다. 또, 탑재대(70)를 바이어스용 고주파 전원(83)에 대해서 전기적으로 접속하는 공정을 포함한다.
보호 부재(42)에 의해 피복하는 공정에서는, 처리 용기(20)의 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제1 접지 전위 부재(41)에 대해서, 보호 부재(42)의 일단을 금속제의 제1 체결 부재(47)를 거쳐서 체결한다. 또, 처리 용기(20)의 다른 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제 2 접지 전위 부재(43, 44, 46)에 대해서, 보호 부재(42)의 타단 혹은 타단 근방을 금속제의 제 2 체결 부재(48)를 거쳐서 체결한다. 보다 구체적으로는, 연결 부재(45)와 보호 부재(42)의 타단 근방을 제 3 체결 부재(49)로 체결하고, 연결 부재(45)와 제 2 접지 전위 부재(43, 44, 46)를 제 2 체결 부재(48)로 체결한다.
이 플라즈마 처리 장치의 제조 방법에 의하면, 플라즈마 처리 장치(100)가 대형화한 경우에도, 탑재대(70)에 인가되는 바이어스용 고주파 전압에 대해서 대향 전극을 구성하는 부재 사이에서의 전위차의 발생을 억제해서, 저판(16)의 배기부에서 안정된 방전을 실현 가능한 플라즈마 처리 장치(100)를 제조할 수 있다.
또, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 방법의 일례를 개략적으로 설명하면 이하와 같다. 이 플라즈마 처리 방법의 실시와 관련하여, 우선, 플라즈마 처리 장치(100)를 구성하는 처리 용기(20)를 접지한다. 처리 용기(20)는, 기판(G)이 탑재되어 바이어스용 고주파 전원(83)에 전기적으로 접속되는 탑재대(70)와, 처리실(S)에 연통하는 노출면의 적어도 일부를 피복하고 접지 전위를 갖는 금속제의 보호 부재(42)를 포함한다. 또한, 금속제의 제1 체결 부재(47)를 거쳐서 보호 부재(42)의 일단이 체결되고, 처리 용기(20)의 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는, 제1 접지 전위 부재(41)를 포함한다. 게다가 금속제의 제 2 체결 부재(48)를 거쳐서 보호 부재(42)의 타단이 체결되고, 처리 용기(20)의 다른 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제 2 접지 전위 부재(43, 44, 46)를 포함한다.
이 플라즈마 처리 방법은, 탑재대(70)에 기판(G)을 탑재하고, 처리실(S)에 플라즈마를 생성하는 공정을 포함한다.
또, 탑재대(70)에 바이어스용 고주파 전압을 인가하고, 보호 부재(42)와 제1 접지 전위 부재(41)와 제 2 접지 전위 부재(43, 44, 46)를 탑재대(70)에 대한 대향 전극의 일부로 하는 공정을 포함한다.
게다가 기판(G)을 플라즈마 처리하는 공정을 포함한다. 여기서, 플라즈마 처리하는 공정에는, 플라즈마를 이용하는 에칭 처리나 성막 처리가 포함된다.
이 플라즈마 처리 방법에 의하면, 플라즈마 처리 장치(100)가 대형화한 경우에도, 탑재대(70)에 인가되는 바이어스용 고주파 전압에 대해서 대향 전극을 구성하는 부재 사이에서의 전위차의 발생을 억제해서, 저판(16)의 배기부에서 불필요한 방전의 발생을 억제하면서, 각종 플라즈마 처리를 실행할 수 있다.
상기 실시형태로 든 구성 등에 대해, 그 외의 구성요소가 조합되는 등을 한 다른 실시형태여도 괜찮으며, 또, 본 개시는 여기에 도시한 구성에 하등 한정되지 않는다. 이 점에 관해서는, 본 개시의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 변경하는 것이 가능하고, 그 응용 형태에 따라서 적절히 정할 수 있다.
예를 들면, 도시 예의 플라즈마 처리 장치(100)는 금속창을 갖는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치로서 설명했지만, 금속창 대신에 유전체창을 갖는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치여도 괜찮고, 다른 형태의 플라즈마 처리 장치여도 괜찮다. 구체적으로는, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(Electron Cyclotron resonance Plasma; ECP)나 헬기콘파 여기 플라즈마(Helicon Wave Plasma; HWP), 평행 평판 플라즈마(Capacitively coupled Plasma; CCP)를 들 수 있다. 또, 마이크로파 여기 표면파 플라즈마(Surface Wave Plasma; SWP)를 들 수 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치는, ICP를 포함해서, 모두 이온 플럭스와 이온 에너지를 독립적으로 제어할 수 있어, 에칭 형상이나 선택성을 자유롭게 제어할 수 있음과 동시에, 1011 내지 1013 cm－3 정도로 높은 전자 밀도를 얻을 수 있다.
19： 배기용 관통 구멍(노출면)
20： 처리 용기
41： 저판 피복판 (제1 접지 전위 부재)
42： 제1 내벽 피복판 (보호 부재)
43： 배기관 (제2 접지 전위 부재)
44： 배기망 (제2 접지 전위 부재)
46： 제2 내벽 피복판 (제2 접지 전위 부재)
47： 체결 나사 (제1 체결 부재)
48： 체결 나사 (제2 체결 부재)
56： 고주파 전원 (플라즈마 발생용 고주파 전원)
70： 탑재대
83： 고주파 전원 (바이어스용 고주파 전원)
100： 플라즈마 처리 장치
S： 처리실
G： 기판

Claims (15)

  1. 플라즈마가 생성되는 처리 용기의 처리실에서 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    플라즈마 발생용 고주파 전원과,
    상기 기판이 탑재되고, 바이어스용 고주파 전원에 전기적으로 접속되어 있는 탑재대와,
    접지되어 있는 상기 처리 용기 중, 상기 처리실에 연통하는 노출면의 적어도 일부를 피복하는 금속제의 보호 부재와,
    금속제의 제1 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 일단이 체결되고, 상기 처리 용기의 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제1 접지 전위 부재와,
    금속제의 제2 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 타단이 체결되고, 상기 처리 용기의 다른 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제2 접지 전위 부재를 포함하고,
    상기 제1 접지 전위 부재와 상기 제2 접지 전위 부재에 체결되는 상기 보호 부재는 접지 전위를 가지는
    플라즈마 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 체결 부재와 상기 제2 체결 부재의 수가 동수인
    플라즈마 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1 체결 부재와 상기 제2 체결 부재가 모두 체결 나사인
    플라즈마 처리 장치.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 바이어스용 고주파 전원에 의해 상기 탑재대에 대해서 바이어스용 고주파 전압이 인가되었을 때에, 상기 보호 부재와 상기 제1 접지 전위 부재와 상기 제2 접지 전위 부재가 상기 탑재대에 대한 대향 전극의 일부를 형성하는
    플라즈마 처리 장치.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 노출면은 상기 처리 용기를 구성하는 저판에 마련되어 있는 배기용 관통 구멍의 내벽면이며,
    상기 보호 부재는 상기 배기용 관통 구멍의 상기 내벽면을 피복하는 무단상의 제1 내벽 피복판인
    플라즈마 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 접지 전위 부재는 상기 저판의 상면을 피복하는 저판 피복판이며,
    상기 제2 접지 전위 부재는 상기 배기용 관통 구멍의 하방에 마련되어 있는 금속제의 배기관을 적어도 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 접지 전위 부재는 상기 배기관의 상단 개구를 피복하는 금속제의 배기망을 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2 접지 전위 부재는 상기 배기관의 내벽면을 피복하는 무단상의 제2 내벽 피복판을 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 보호 부재의 타단은 수평 구멍과 세로 구멍을 갖는 금속제의 연결 부재를 거쳐서, 상기 제2 체결 부재에 의해 상기 제2 접지 전위 부재에 체결되는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 배기망은 프레임을 포함하고, 상기 프레임은 프레임 관통 구멍을 가지며,
    상기 배기망의 상면에는 상기 연결 부재가 탑재되고,
    상기 제2 내벽 피복판의 일부에는 피복판 관통 구멍이 마련되고,
    상기 수평 구멍에 삽입 관통되어 있는 제3 체결 부재에 의해, 상기 연결 부재와 상기 제1 내벽 피복판이 체결되고,
    상기 세로 구멍과 상기 프레임 관통 구멍과 상기 피복판 관통 구멍에 대해서 상기 제2 체결 부재가 삽입 관통되고, 상기 제2 체결 부재의 선단이 상기 배기관에 고정되는 것에 의해, 상기 연결 부재와 상기 배기망과 상기 제2 내벽 피복판이 상기 배기관에 체결되고,
    상기 제3 체결 부재가 상기 제1 체결 부재 및 상기 제2 체결 부재의 수와 동수인
    플라즈마 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제3 체결 부재가 체결 나사인
    플라즈마 처리 장치.
  12. 플라즈마가 생성되는 처리 용기의 처리실에서 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 처리 용기를 접지하고, 상기 처리 용기에 대해서, 플라즈마 발생용 고주파 전원과, 상기 기판이 탑재되는 탑재대를 장착하고, 상기 처리 용기 중, 상기 처리실에 연통하는 노출면의 적어도 일부를 금속제의 보호 부재에 의해 피복하는 공정과,
    상기 탑재대를 바이어스용 고주파 전원에 대해서 전기적으로 접속하는 공정을 포함하며,
    상기 보호 부재에 의해 피복하는 공정에서는,
    상기 처리 용기의 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제1 접지 전위 부재에 대해서, 상기 보호 부재의 일단을 금속제의 제1 체결 부재를 거쳐서 체결하고,
    상기 처리 용기의 다른 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제2 접지 전위 부재에 대해서, 상기 보호 부재의 타단을 금속제의 제2 체결 부재를 거쳐서 체결하고,
    상기 제1 접지 전위 부재와 상기 제2 접지 전위 부재에 체결되는 상기 보호 부재는 접지 전위를 가지는
    플라즈마 처리 장치의 제조 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 체결 부재와 상기 제2 체결 부재의 수가 동수인
    플라즈마 처리 장치의 제조 방법.
  14. 청구항 12 또는 13에 있어서,
    상기 제1 체결 부재와 상기 제2 체결 부재가 모두 체결 나사인
    플라즈마 처리 장치의 제조 방법.
  15. 플라즈마가 생성되는 처리 용기의 처리실에서 기판을 처리하는 플라즈마 처리 방법에 있어서,
    상기 처리 용기를 접지하고,
    상기 처리 용기는,
    상기 기판이 탑재되고 바이어스용 고주파 전원에 전기적으로 접속되는 탑재대와,
    상기 처리실에 연통하는 노출면의 적어도 일부를 피복하고, 접지 전위를 갖는 금속제의 보호 부재와,
    금속제의 제1 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 일단이 체결되고, 상기 처리 용기의 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제1 접지 전위 부재와,
    금속제의 제2 체결 부재를 거쳐서 상기 보호 부재의 타단이 체결되고, 상기 처리 용기의 다른 일부에 접해 있고 접지 전위를 갖는 제2 접지 전위 부재를 포함하며,
    상기 탑재대에 상기 기판을 탑재하고, 상기 처리실에 상기 플라즈마를 생성하는 공정과,
    상기 탑재대에 바이어스용 고주파 전압을 인가하고, 상기 보호 부재를 상기 탑재대에 대한 대향 전극의 일부로 하는 공정과,
    상기 기판을 플라즈마 처리하는 공정을 포함하고,
    상기 제1 접지 전위 부재와 상기 제2 접지 전위 부재에 체결되는 상기 보호 부재는 접지 전위를 가지는
    플라즈마 처리 방법.
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