TWI448212B - 電漿處理之設備與方法 - Google Patents

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TWI448212B
TWI448212B TW96145064A TW96145064A TWI448212B TW I448212 B TWI448212 B TW I448212B TW 96145064 A TW96145064 A TW 96145064A TW 96145064 A TW96145064 A TW 96145064A TW I448212 B TWI448212 B TW I448212B
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    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Description

電漿處理之設備與方法
本發明係關於一種用於電漿處理之設備及方法。
感應耦合式電漿(ICP)源透過感應磁場產生感應電漿，其係依序產生循環(旋轉)電場加速電子，以離子化製程氣體並維持電漿放電。該感應電漿通常具有適中到高的電漿(電子及/或離子)密度及低階的無線電頻率(RF)電位變動之特徵。在感應電漿中實行電漿化學製程是快速的，且對於半導體晶圓及元件產生低離子損害。與電容性耦合式電漿(CCP)源相較，設計良好的感應放電係操作在大體上較廣泛的放電條件(例如，氣體壓力及功率)之範圍下。
為熟悉技藝者所周知的是，高功率(直到幾千瓦特)的電感器會載送約數十安培大小等級的高RF電流。依照歐姆定律之此等電流產生沿著該等電感器分佈直至數千伏特之高RF電壓，其造成該等電感器呈現電容性特性。因此，該等電感器也可考慮為與電漿交互作用之電容性電極。不可避免地，自那些高壓電感器之寄生RF電容性電流係產生或輻射至該放電電漿中，其產生電漿電位之RF變動。因為對於產品晶圓的電氣損傷及在製程腔室中產生寄生RF電容電漿或之RF覆蓋物，故該RF變動對於電漿處理是特別有害的。來自該等電感器之寄生電容電流係電漿及製程不一致性、數種對製程腔室(例如，電弧)與產品晶圓造成之損害及大量增加RF功率損失的主要原因。
美國專利第5965034號揭露自平衡(self－balanced)電感器，特別係作為可產生包含相位與反相位二者推挽電壓的螺旋共振器(helical resonator)，依照該RF推挽結構，相位與反相位之電容電流(其本質上互相抵消)在電漿中上升，消除該電容性問題。但是，因為阻抗匹配所需之共振，故該螺旋共振器必需與在激勵頻率之電氣波長相匹配。在緊密的低縱橫比(大於或小於平坦部分)高密度電漿反應裝置的有限空間中建立有效的自我共振之電感器是困難的。因此，期望發展一種不需激勵共振之本質(自我)平衡感應式電漿源。
本發明揭示一種用於電漿處理之設備，包含：腔室，用以電漿處理；至少一個電感器，用以提供鄰近於該腔室之無線電頻率感應場；電感器之末端，其係連接至無線電頻率電力供應器；電感器之另一末端，其為開放式的；及電感器之接地端，其係設在大體上該電感器之中心位置。
本發明之另一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：電感器相對於該中心位置係電容性對稱。
本發明之再一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：由一末端與接地端之間的電感器對電漿所造成之電容量，及該接地端與另一末端之間的電感器對電漿所造成電容量係大體上相同的。
本發明之另一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該電感器相對於該中心位置係幾何對稱。
本發明之再一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該電感器為圓柱螺旋線圈(螺旋狀物)。
本發明之另一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該電感器為平坦螺旋線圈。
本發明之再一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該腔室為圓頂形及該電感器為圓頂形螺旋線圈。
本發明之另一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：配置複數電感器。
本發明之再一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該腔室包含由電介質(dielectric)或半導體材料所構成之平坦頂部。
本發明之另一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該平坦頂部具有至少一對內環溝槽及外環溝槽，其中該外環溝槽係同軸的及相鄰於該內環溝槽。
本發明之再一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該等電感器之每一個電感器係插入該等外環溝槽之每一溝槽。
本發明之另一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：每一無線電頻率電力供應係藉由每一獨立分開控制的RF發電器所供應。
本發明之再一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：複數個氣體入口係穿過該內溝槽之上底部，用以提供製程氣體至該內溝槽。
本發明之另一觀點提供一種用於電漿處理之設備，其中：該等無線電頻率電力供應之每一個係藉由具有電力分離器(power splitter)之單一RF發電器所供應。
本發明之再一觀點提供一種用於電漿處理之設備，包含：圓柱腔室，用於電漿處理；氣體入口，用於將製程氣體引入該圓柱腔室；至少一組感應線圈，用以提供無線電頻率感應場，其中該感應線圈係圓柱螺旋及相鄰圍繞該圓柱腔室之一部分；感應線圈之末端，其係連接至無線電頻率電力供應器；感應線圈之另一末端，其為開放式的；及感應線圈之接地端，其係設在該感應線圈之幾何中心位置。
本發明揭示一種用於電漿處理之方法，包含：藉由一設備產生電漿，該設備包含：腔室，用以電漿處理；至少一組電感器，用以提供鄰近於該腔室之無線電頻率感應場；電感器之末端，其係連接至無線電頻率電力供應器；電感器之另一末端，其為開放式的；及電感器之接地端，其係設在大體上該電感器之中心位置；以及藉由使用該腔室內之電漿處理工件。
本發明之該等及其它特徵、觀點、及優點，對於所屬技術領域中之習知技藝者在參照下述較佳且被不侷限於此之例示實施例及圖式與下述之申請專利範圍的詳細說明來說，將為顯而易知的。
下述提出之與附加圖案有關之詳細說明，係用以作為本發明之目前較佳實施例的說明，且不僅以可建構及/或利用本發明形式來呈現。
(a)第一實施例
第1圖為例示說明依照本發明之電漿處理設備之簡要剖面視圖。該電漿處理設備100包含感應腔室101，其係與製程腔室104連接，因此可從氣體入口提供製程氣體至工件。該製程腔室104係裝配座台105，其為溫度穩定承載器(susceptor)或靜電墊塊(ESC)，其與受控之偏壓RF電力供應器107連接。
第2圖為例示說明感應腔室101與感應線圈102(圖示於第1圖)之側視圖。在此圖式中，該感應腔室101具有例示圓柱架構。應注意的是，該感應腔室101之架構可以是一些可包含但不侷限於例示之平坦頂部、截去棱角之角錐形、矩形等其它形狀或幾何圖案。依電漿處理應用，選擇該腔室架構以於座台105上方產生均勻本質密度，提供高密度本質(亦即，蝕刻劑種類)以處理一致性。該感應腔室101係由諸如石英、陶瓷、矽或其它適合的材料之電介質或半導體材料構成。該腔室101及104也包含具有聚焦環之製程物件(kit)(未圖示)、遮蓋物(未圖示)、及其它元件。
對應於該腔室101之形狀，該感應線圈102構成平坦形圓柱螺旋線圈，其相鄰圍繞該感應腔室101，不侷限於此之例示可包含任何諸如線圈、天線、傳輸線等之電感器。該感應線圈102具有耦接至RF電力供應器103之末端102a及為開放式的另一末端102b。此外，該感應線圈102具有接地端102c，其在大體上在約感應線圈102之長度中心之位置，該接地端102c之高度係介於末端102a與102b之高度之間的中間。
第3圖為例示說明感應線圈102之頂部視圖，包含末端102a與102b、及接地端102c。如圖所示，該末端102a與102b相對於包含感應線圈102之接地端102c與中心軸之平面而對稱配置。因此，下繞組W1之長度大體上相等於上繞組W2之長度。此外，該下繞組W1之匝數與直徑係大體上與上繞組W2相等。換言之，該接地端102c係位在該感應線圈102c的中心，使得感應線圈102相對於該接地端是幾何對稱的。然而，因為該感應腔室101會在電感性及電容性作用中可能會有所變動，故該接地端102c不需精確的在中心上，而是大體上位在某些變動的中心。
當RF電力供應至該感應線圈102時，產生磁場。該磁場依序產生循環(旋轉)電場加速電子，其使得製程氣體離子化並維持電漿放電。該感應線圈102產生約相等之相位(P1)及反相位(P2)的整體電容性電位(例如，電壓)。末端102b因該感應線圈102之上部及下部具有共同感應場，故於相對於末端102a處對該RF電壓產生相等並相反之電壓。
或者，感應線圈102可被看作一組由二個大體上相等的線圈所組成的線圈。一個線圈(下繞組W1)帶有高感應電流，用以於電漿放電時產生循環感應電場，同時另一線圈(上繞組W2)大體上作為由該第一線圈(該下繞組W1)產生之電容電流的電容性補償。
該下繞組W1與該上繞組W2大體上彼此互相平衡，因為它們相對於接地端102c係幾何對稱的。因此，電感器－電漿－接地之整體寄生電容性電流事實上被抵消掉，造成平衡之電感器－電漿電容性互動。此電容性平衡係由電感器－電漿電容性互動之整體電容性電壓對稱的程度來決定。對稱性愈高，於該下繞組及上繞組上之電壓愈交互相稱，及達到具有最小電感器－電漿之淨電容性電流的較佳電容性平衡。電容性平衡感應電漿源於半導體電漿處理時特別有用。
在製程腔室104中，裝配座台105(其係耦接受控之偏壓RF電力供應器107)，該電容性平衡感應電漿源於工件106上產生高壓覆蓋物加速正離子。初始製程氣體進入該感應腔室101及接受離子化及分解。於座台105上之工件106係被微粒所處理，至少一種微粒自以該電容性平衡感應電漿源所產生之放電電漿來供應。
該RF電力供應器107可獨自控制該座台105上之RF偏壓電力，以調整電漿表面互動之比例與特性、及因此之電漿製程結果。因此，發生解耦合電漿製程。製程工程師可在放電電力、氣體壓力、流率等之最廣泛範圍的條件及製法下，設定及控制半導體製造製程。該解耦和電漿製程實現低、中、及高密度電漿氣體放電。
不侷限於上述製程之一些典型應用的例示可包括蝕刻金屬、半導體等；諸如硝化、氧化、電漿佈植之表面修整；及各種使用電漿增強式化學氣相沈積(CVD)之薄膜的沈積。其它不侷限於上述製程之一些典型應用的例示可包括玻璃或塑膠基板及/或其變形之製造(其使用上述電漿源及製程)。因此，本發明不侷限於半導體製程，其仍可應用至其它諸如遮罩製造、光學、微機電(MEMS技術)、醫學的、及其它元件製程之例示製程。特別地，像是本實施例所揭示之該圓柱電漿源可被用在許多情況上，像是用以移除於選擇曝光中已硬化的抗蝕劑之抗蝕劑灰化(去除)之電漿蝕刻/CVD或下行(下游或間接)應用。
應注意的是，該自我平衡電感器不需要額外的元件來平衡。其本身的電容性結構即在含有激勵頻率之最廣泛範圍的氣體放電製程的情況下，擁有高度電容性對稱。因此，依照本發明之電漿製程設備可簡單、便宜及輕易的操作。
(b)另一個實施例
第4圖為例示圖示，其顯示由電容性對稱電感器構成之薄型感應線圈，用以相稱架構平坦頂部感應腔室。感應線圈202係為相鄰於平坦頂部201c之平坦螺旋線圈。該平坦頂部201c係由電介質或半導體材料構成，以允許該感應線圈202透過該平坦頂部201c傳送電漿放電量。
第5圖為例示說明用於圓頂形腔室301之電容性對稱電感器。該腔室301為圓頂形(半球體)，其與為圓頂形螺旋線圈之感應線圈302的架構相對應。該感應線圈302相鄰圍繞該腔室301。該腔室301係由電介質或半導體材料構成，以允許該感應線圈302透過該腔室301傳送電漿放電量。
在本實施例中，該感應線圈202及302之形狀不是幾何對稱的。然而，用於本發明之該感應線圈202與302不必為幾何對稱，但為電容性對稱。該感應線圈202與302具有連接至該RF電力供應器203與303之一對末端202a與302a；為開放式的末端202b與302b；及具有接地端202c與302c。雖然該感應線圈202與302相對於接地端202c與302c必須為電容性對稱，但是，其大體上以不同直徑具有不相等的外部及內部匝數，因此為電感。因為電感器－電漿－接地之電容性電流取決於一些環境因素的互相影響，故該感應線圈202與302之電容性平衡位置的規劃是困難的。
因此，實驗性地偵測接地端202c與302c之位置，以最小化電感器－電漿－接地之淨電容性電流。
第6圖為例示圖式，其顯示平坦頂部301c之剖面透視圖，該平坦頂部可由例如矽、陶器、藍寶石、石英、或其它電介質或半導體材料構成。該頂部301c具有三對內溝槽301d及外溝槽301f，其係由環形、同軸的及彼此交替鄰接而構成。穿過該內溝槽301d之(上)底部的若干氣體入口308，用以供應製程氣體至該內溝槽301d，而三個感應線圈302之每一個插入該外溝槽301f之每一溝槽。為完成較高方位角電漿一致性，可增加該感應線圈302之匝數(例如，四匝)。
第7圖為例示圖示，其顯示該感應線圈302之電路圖，該感應線圈302之每一感應線圈代表低縱橫比緊湊環形圓柱電感器，其具有連接至獨立RF電力供應器303之末端302a；開放式的末端302b；及接地端302c。該感應線圈302相對於該接地端302c為幾何對稱。該感應線圈302可從分離的RF電力供應器303以獨立的電力控制來電氣激勵，或者，該感應線圈302可從對應電力分離器(控制每一線圈之放電電力)的一個或二個RF發電機提供激勵。第8圖為例示圖示，其顯示具有一個電力分離器309之電路圖。該電力分離器309係從單一RF電力供應器303供應並將RF電力分至(分配)三個感應線圈302，該等感應線圈302之每一線圈於內溝槽301d中產生獨立環形放電。
第9圖為顯示對感應線圈302穩定ICP放電之壓力範圍的例示圖示。於藉由日本FOI股份有限公司所製造之工業用300mm晶圓蝕刻器之溝槽頂部中，使用只有單個平衡線圈產生高至約3000瓦特之RF放電。該操作壓力範圍涵蓋從1m Torr到100Torr大小之五個等級。此放電性能證實依照本發明之自我平衡電感器之非凡優點。應注意的是，該線圈電流實際上於此試驗性例示之整個壓力範圍中是固定不變的(從6到8A,rms)。因此，真正的放電電力在此廣泛之五個等級大小之製程範圍也約保持固定不變。其它不具溝槽頂部之電漿蝕刻器不會達到此類廣泛的製程範圍性能。
雖然本發明已針對特有之結構特徵或方法作用作詳細說明，但可被了解的是，於隨附之申請專利範圍中所界定之本發明並不侷限於上述之特定特徵或作用。更確切地說，該等特定特徵及作用係揭示實施所主張之發明的較佳形式。因此，在說明例示說明本發明之實施例時，很多變化及替代之實施例將可被所屬技術領域中具有通常知識者所發現。例如，該等電感器可為中空管狀線圈。此種變化與替代之實施例是可預期的，且可在不脫離本發明之精神與範圍下達成。
可被了解的是，在此所應用之措辭及術語及摘要係用來說明，其不應被當作限制。
更應注意的是，遍及整個揭示，諸如左、右、前、後、頂部、底部、向前、相反、順時針、逆時針、上、下、或其它諸如較上、較下、尾部、前部、垂直的、水平的、最接近的、末端等類似名詞僅為方便使用，並無暗示任何特定的固定方向或方位。反而，其係用以反映主體之各個部位之間的相對位置及/或方向/方向。
此外，參照”第一”、”第二”、”第三”等等，遍及所有揭示(並特別是，申請專利範圍)之構件並非用以表示一系列或數字的限制，而是用以識別或確認各個群組之構件。
可被了解的是，所用之圖式僅例示說明並非界定本發明之限制。遍及揭示，所用字詞”例示”係意指”作為範例、例子、或實例”。”例示”所述之任何實施例並非必定解釋為對於其它實施例是較佳的或有利的。
參照圖式，其中類似元件符號在全文中代表相同部分。
100．．．電漿處理設備
101、301．．．感應腔室
102、202、302．．．感應線圈
102a、102b、202a、202b、302a、302b．．．末端
102c、202c、302c．．．接地端
103、203、303．．．RF電力供應器
104．．．製程腔室
105．．．座台
106．．．工件
107．．．RF電力供應
108．．．氣體入口
201c、301c．．．平坦頂部
301d．．．內溝槽
301f．．．外溝槽
308．．．氣體入口
309．．．電力分離器
W1．．．下繞組
W2．．．上繞組
P1．．．相位
P2．．．反相位
第1圖為依照第一實施例用於電漿處理之設備之例示剖面視圖。
第2圖為感應線圈及感應腔室之例示側視圖。
第3圖為感應線圈及感應腔室之例示頂部視圖。
第4圖為裝配平坦螺旋感應線圈之用於電漿處理之設備之例示透視圖。
第5圖為裝配圓頂形感應線圈之用於電漿處理之設備的例示剖面視圖。
第6圖為具有溝槽之平坦頂部的例示剖面視圖。
第7圖為多感應線圈之例示電路圖。
第8圖為多感應線圈之例示電路圖。
第9圖為顯示穩定ICP放電之壓力範圍例示曲線圖。
101．．．感應腔室
102．．．感應線圈
102a、102b．．．末端
102c．．．接地端
103．．．RF電力供應器
W1．．．下繞組
W2．．．上繞組
P1．．．相位
P2．．．反相位

Claims (19)

  1. 一種用於電漿處理之設備，包含：腔室，用以電漿處理，該腔室具有一外壁；及至少一個電感器，用以提供鄰近於該腔室之無線電頻率感應場，其中該電感器係圓柱螺旋線圈，該電感器包含：一末端，其係連接至無線電頻率電力供應器；另一末端，其為開放式的；及一接地端，其係在該末端和該另一末端之間該電感器長度的實質上中心的位置處接地；其中，開放式的該另一末端，相對連接至該無線電頻率電力供應器之該末端處之電壓，產生相等並相反之電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於電漿處理之設備，其中：該電感器係相對於該實質上中心的位置而電容性對稱。
  3. 如申請專利範圍第2項之用於電漿處理之設備，其中：由一末端與接地端之間的電感器對電漿所造成之電容量，及該接地端與另一末端之間的電感器對電漿所造成電容量係大體上相同的。
  4. 如申請專利範圍第1項之用於電漿處理之設備，其中：該電感器相對於該實質上中心的位置係幾何對稱。
  5. 如申請專利範圍第1項之用於電漿處理之設備，其中：該腔室為圓頂形及該電感器為圓頂形螺旋線圈。
  6. 如申請專利範圍第1項之用於電漿處理之設備，其中：配置複數電感器。
  7. 如申請專利範圍第1項之用於電漿處理之設備，其中：該腔室包含由電介質或半導體材料所構成之平坦頂部。
  8. 如申請專利範圍第7項之用於電漿處理之設備，其中：該平坦頂部具有至少一對內環溝槽及外環溝槽，其中該外環溝槽係同軸的及相鄰於該內環溝槽。
  9. 如申請專利範圍第8項之用於電漿處理之設備，其中：該等電感器之每一個電感器係插入該等外環溝槽之每一溝槽。
  10. 如申請專利範圍第6項之用於電漿處理之設備，其中：每一無線電頻率電力供應係藉由每一獨立分開控制的RF發電器所供應。
  11. 如申請專利範圍第8項之用於電漿處理之設備，其中：複數個氣體入口係穿過該內環溝槽之上底部，用以提供製程氣體至該內環溝槽。
  12. 如申請專利範圍第6項之用於電漿處理之設備，其中：該等無線電頻率電力供應之每一個係藉由具有電力分離器(power splitter)之單一RF發電器所供應。
  13. 如申請專利範圍第1項之用於電漿處理之設備，其中：該接地端的角度係介於該末端與該另一末端的角度之間的中間。
  14. 一種用於電漿處理之設備，包含：圓柱腔室，用於電漿處理，該圓柱腔室具有一外壁；氣體入口，用於將製程氣體引入該圓柱腔室；及至少一組感應線圈，用以提供無線電頻率感應場，其中該感應線圈係圓柱螺旋及相鄰圍繞該圓柱腔室之一部分，其中該感應線圈包含：一末端，其係連接至無線電頻率電力供應器； 另一末端，其為開放式的；及一接地端，其係於該末端和該另一末端之間該感應線圈之幾何中心位置處接地；其中，開放式的該另一末端，相對連接至該無線電頻率電力供應器之該末端處之電壓，產生相等並相反之電壓。
  15. 如申請專利範圍第14項之用於電漿處理之設備，其中：該感應線圈係相對於該末端和該另一末端之間該感應線圈長度的實質上中心的位置而電容性對稱。
  16. 如申請專利範圍第14項之用於電漿處理之設備，其中：由一末端與該接地端之間的該感應線圈對電漿所造成之電容量，及該接地端與另一末端之間的感應線圈對電漿所造成電容量係大體上相同的。
  17. 如申請專利範圍第14項之用於電漿處理之設備，其中：該感應線圈相對於該末端和該另一末端之間該感應線圈長度的實質上中心的位置而幾何對稱。
  18. 如申請專利範圍第14項之用於電漿處理之設備，其中：該接地端的角度係介於該末端與該另一末端的角度之間的中間。
  19. 一種用於電漿處理之方法，包含：藉由一設備產生電漿，該設備包含：腔室，用以電漿處理，該腔室具有一外壁；至少一組電感器，用以提供鄰近於該腔室之無線電頻率感應場，其中該電感器係圓柱螺旋線圈，該電感器包含： 一末端，其係連接至無線電頻率電力供應器；另一末端，其為開放式的；及一接地端，其係在該末端和該另一末端之間該電感器長度的實質上中心的位置處接地；以及藉由使用該腔室內之電漿來處理工件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI681693B (zh) * 2017-07-27 2020-01-01 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 上電極元件、反應腔室及半導體加工裝置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8698401B2 (en) * 2010-01-05 2014-04-15 Kaufman & Robinson, Inc. Mitigation of plasma-inductor termination
TW201301335A (zh) * 2011-05-17 2013-01-01 Intevac Inc 供電漿應用的大面積電感耦合式電漿源
WO2013052713A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Intevac, Inc. Inductive/capacitive hybrid plasma source and system with such chamber
CN103060772B (zh) * 2011-10-19 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学气相沉积装置、化学气相沉积方法
US10170278B2 (en) 2013-01-11 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source
KR101712263B1 (ko) * 2014-04-22 2017-03-03 김일욱 헬리컬공명플라즈마 안테나 및 이를 구비하는 플라즈마 발생 장치
TWI661782B (zh) * 2014-05-21 2019-06-11 瑞士商菲利浦莫里斯製品股份有限公司 電熱式氣溶膠產生系統、電熱式氣溶膠產生裝置及產生氣溶膠之方法
TWI666992B (zh) * 2014-05-21 2019-08-01 瑞士商菲利浦莫里斯製品股份有限公司 氣溶膠產生系統及用在氣溶膠產生系統中之料匣
PT2996504T (pt) * 2014-05-21 2017-01-02 Philip Morris Products Sa Artigo gerador de aerossol tendo um susceptor de multimaterial
TWI660685B (zh) * 2014-05-21 2019-06-01 瑞士商菲利浦莫里斯製品股份有限公司 電熱式氣溶膠產生系統及用於此系統中之匣筒
US9472379B2 (en) * 2014-06-20 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma
JP6539986B2 (ja) * 2014-11-05 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20230162155A (ko) 2016-04-20 2023-11-28 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
US10163642B2 (en) * 2016-06-30 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, method and tool of manufacture
US10032661B2 (en) 2016-11-18 2018-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, method, and tool of manufacture
KR101986744B1 (ko) * 2017-09-27 2019-06-07 주식회사 유진테크 플라즈마 처리 장치 및 방법
CN108181374A (zh) * 2018-02-08 2018-06-19 聚光科技(杭州)股份有限公司 等离子体-质谱分析系统的工作方法
US10354838B1 (en) * 2018-10-10 2019-07-16 Lam Research Corporation RF antenna producing a uniform near-field Poynting vector
JP2022012933A (ja) * 2020-07-02 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7203869B2 (ja) * 2021-01-18 2023-01-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム
US20220238332A1 (en) * 2021-01-28 2022-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
CN114899074A (zh) * 2022-07-07 2022-08-12 北京芯士联半导体科技有限公司 等离子体处理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849675A (en) * 1986-09-24 1989-07-18 Leybold Ag Inductively excited ion source
US5531834A (en) * 1993-07-13 1996-07-02 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma film forming method and apparatus and plasma processing apparatus
US6875307B2 (en) * 1997-03-27 2005-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for plasma processing

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4016389A (en) * 1975-02-21 1977-04-05 White Gerald W High rate ion plating source
US5036252A (en) * 1988-04-26 1991-07-30 Hauzer Holding Bv Radio frequency ion beam source
US5241245A (en) * 1992-05-06 1993-08-31 International Business Machines Corporation Optimized helical resonator for plasma processing
US5277751A (en) * 1992-06-18 1994-01-11 Ogle John S Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window
KR100238627B1 (ko) * 1993-01-12 2000-01-15 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
JP3181473B2 (ja) * 1993-08-19 2001-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5919382A (en) * 1994-10-31 1999-07-06 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
US5573595A (en) * 1995-09-29 1996-11-12 Lam Research Corporation Methods and apparatus for generating plasma
US5965034A (en) * 1995-12-04 1999-10-12 Mc Electronics Co., Ltd. High frequency plasma process wherein the plasma is executed by an inductive structure in which the phase and anti-phase portion of the capacitive currents between the inductive structure and the plasma are balanced
US5976993A (en) * 1996-03-28 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Method for reducing the intrinsic stress of high density plasma films
DE19900179C1 (de) * 1999-01-07 2000-02-24 Bosch Gmbh Robert Plasmaätzanlage
EP1203441A1 (en) * 1999-07-13 2002-05-08 Tokyo Electron Limited Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
DE19933841A1 (de) * 1999-07-20 2001-02-01 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas
JP4522003B2 (ja) * 2001-02-26 2010-08-11 株式会社エフオーアイ プラズマ処理装置
KR100561848B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-16 삼성전자주식회사 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치
JP2006216903A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849675A (en) * 1986-09-24 1989-07-18 Leybold Ag Inductively excited ion source
US5531834A (en) * 1993-07-13 1996-07-02 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma film forming method and apparatus and plasma processing apparatus
US6875307B2 (en) * 1997-03-27 2005-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for plasma processing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI681693B (zh) * 2017-07-27 2020-01-01 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 上電極元件、反應腔室及半導體加工裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200833181A (en) 2008-08-01
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