JP2024008836A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、簡易な構成で設置面積の大型化を防止でき、プラズマの密度が高く、かつプラズマの均一性が良好となるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理室１２と、プラズマ処理室１２に隣接して設けられた誘導室１４と、誘導室１４に配置され高周波誘導電界を生成する複数のコイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃと、を有するプラズマ処理装置１０であって、各々のコイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの一端２６Ａ２、２６Ｂ２、２６Ｃ２が高周波電力源３２に接続し、各々のコイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの他端２６Ａ３、２６Ｂ３、２６Ｃ３が開放端であり、各々のコイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向の中央位置２６Ａ１、２６Ｂ１、２６Ｃ１が接地端２７Ａ１、２７Ｂ１、２７Ｃ１である。【選択図】 図１
Description
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
誘導性結合プラズマ源（ＩＣＰ）は誘導性磁場を介して誘導性プラズマを生み出し、順次、プロセスガスのイオン化とプラズマ放電を維持させ、電子を加速させる環状（渦状）の電界を作り出す。誘導性プラズマは、通常、中度～高度な密度（電子及び／又はイオン）で、かつ、低レベルの周波数変動特性をもつと特徴づけられている。誘導性プラズマで処理されるプラズマケミカルプロセスは速く、かつ、半導体ウエハと装置に対するイオン起因損傷が低い。良好な設計による誘導性放電は、静電容量性結合のプラズマ源と比較して、実質的により広範囲な放電状況（例えば、ガス圧力や電力）において機能する。
この技術においては、より高い電力（数キロワットまで）のインダクタは約数十アンペアのレベルのＲＦ電流を運用することがよく知られている。オームの法則によればこのような電流は、インダクタに沿って数キロボルトのＲＦ電圧を起因させ、それはインダクタに対して静電容量性の特徴をも表見させ始める。したがって、インダクタは、プラズマに影響する静電容量性の電極とも考えることができる。必然的に、寄生的高周波静電容量性電流がそれらの高電圧インダクタから発生され、又は放電プラズマに照射される。その結果、高周波変動が生じる。高周波変動は、プロセス（処理）室内において、生産される半導体ウエハに対して電子損傷を与えること、寄生的高周波静電容量性プラズマ又は高周波シースを発生させることという点で特に有害である。インダクタからの寄生的静電容量性電流が、プラズマとプロセスの不統一、処理室（例えば、アーク）や半導体ウエハに対する数種類の損傷、高周波電力損失の実質的増加に対する主な原因である。
米国の特許５９６５０３４号によれば、自己バランス型のインダクタ、特に、同相及び非同相の高周波電圧から成るプッシュプル電圧を発生させることができる螺旋形の共鳴器としてのインダクタを開示している（下記特許文献１参照）。
高周波プッシュプル構造によると、同相及び非同相の静電容量性電流がプラズマ中に起因され、それらは互いにキャンセルし合い、静電容量性問題を取り除いてくれる。それにもかかわらず、共鳴器に対するインピーダンス整合要件のため、螺旋形の共鳴器は励起周波数における電子的波長に適合しなければならない。コンパクトな低アスペクト比（やや平らな）高密度プラズマ反応炉における限られたスペースで効率的な自己共鳴型のインダクタを作り上げることは難しい。したがって、共鳴時における励起を必要としない本質的（自己）バランス型の誘導性プラズマ源を開発することが切に望まれている。
そこで、従来では、プラズマ処理室と、プラズマ処理室に隣接して接続された誘導室と、を備え、誘導室に高周波誘導電界を生成する１個のコイルを設け、当該コイルの一端が高周波電力源に接続され、当該コイルの他端が開放端とされ、当該コイルの長手方向の中央位置が接地端とされたプラズマ処理装置が知られている（特許文献２参照）。
しかしながら、特許文献２の図１に示すプラズマ処理装置では、１個のコイルしか設けられていないため、プラズマの密度が低く、かつプラズマの均一性が悪い問題がある。このため、加工品に対するプラズマ処理の精度が低下するおそれがある。
また、特許文献２の図６に示すプラズマ処理装置では、複数のコイルを有するものの、コイルの増設を実行する場合には、コイルの径方向外側に大きく膨れるため、装置の設置面接が大きくなる。プラズマ処理装置の設置場所に制約条件が生じる場合、コイルの増設を実行すれば、スペース上の問題が生じる。
そこで、本発明は、上記問題に鑑み、簡易な構成で設置面積の大型化を防止でき、プラズマの密度が高く、かつプラズマの均一性が良好となるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室に隣接して設けられた誘導室と、前記誘導室に配置され高周波誘導電界を生成する複数のコイルと、を有するプラズマ処理装置であって、各々の前記コイルの一端が高周波電力源に接続し、各々の前記コイルの他端が開放端であり、各々の前記コイルの長手方向の中央位置が接地端である、プラズマ処理装置である。
各々の前記コイルは、前記コイルの長手方向に沿って配列している。
各々の前記コイルは、前記コイルの長手方向に沿って３個配列している。
各々の前記コイルの位置を固定する保持部材を有する。
前記高周波電力源は単一の高周波発振器である。
各々の前記コイルの長手方向長さがλ／８又はλ／４である。
前記保持部材は絶縁体で形成されている。
具体的には、プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室に隣接して設けられた円筒状の誘導室と、前記誘導室の長手方向に沿って隣接して配置され高周波誘導電界を生成する複数のコイルと、前記誘導室の径方向外側に設けられたカバー部材と、前記カバー部材の内周面と前記誘導室の外周面の間に配置され、かつ前記カバー部材の内周面に接触し、前記複数のコイルを保持する保持部材と、を有するプラズマ処理装置であって、各々の前記コイルの一端が高周波電力源に接続し、各々の前記コイルの他端が開放端であり、各々の前記コイルの長手方向の中央位置が接地端であり、前記コイルが前記保持部材により保持されることにより、前記コイルの長手方向及び径方向に沿って前記複数のコイルが同時に位置決めされる。
前記保持部材の内周面側には、溝が形成され、前記コイルが前記保持部材の径方向内側から前記溝に嵌入して保持される。
前記カバー部材は、アース接続され、導電体を形成する材質で構成され、前記保持部材は、絶縁体を形成する材質で構成される。
本発明によれば、プラズマの密度が高く、かつプラズマの均一性が良好となり、プラズマ処理精度が向上する。
本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。
図１及び図２に示すように、プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室（プロセス室ともいう、以下同様）１２と、プラズマ処理室１２に連通して結合した誘導室１４と、を有している。プラズマ処理室１２は、温度安定化されたサセプタ又は静電チャック（ＥＳＣ）からなる台１６を備えており、自動制御されたバイアス用高周波（ＲＦ）電力源１８と接続されている。
誘導室１４の上部にはガス導入路２０が設けられており、ガス導入路２０から誘導室１４の内部にプロセスガスが流入する。誘導室１４の内部に流入したプロセスガスは、台１６の上面に掲置された加工品Ｔに供給される。
誘導室１４は、例えば円筒形状とされている。誘導室１４は、他の形状で形成されていてもよい。誘導室１４は、誘電体又は半導体材（例えばクォーツ、セラミック、シリコン又は他の適切な材料）で形成されている。誘導室１４とプラズマ処理室１２は、焦点リング、カバーなど、他の要素を備えたプロセスキットを含んでもよい。
誘導室１４には、３個の誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが設けられている。各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、螺旋形状のコイルで構成されている。各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、各誘導コイルの長手方向に沿って直線上に並んで配置されている。換言すれば、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、円筒状の誘導室１４の長手方向を軸として誘導室１４の外周面に巻回して配置されている。
誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの個数は、３個に限定されるものではない。例えば、複数（２個以上）であれば、２個、４個、５個…など複数の誘導コイルを高さ方向の直線上に配置した構成でもよい。
誘導室１４の径方向外側には、例えば円筒状のカバー部材２２が配置されている。これにより、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが外部に露出しないように構成されている。カバー部材２２は、例えばシールドカバーで構成されている。また、カバー部材２２は、接地（アース）されている。
カバー部材２２は、導電体を形成する材質で構成されている。例えば、カバー部材２２の材質として、銅又はアルミニウムが好ましい。カバー部材２２の形状は、特に限定されるものではない。
カバー部材２２の内周面には、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの位置を固定するための保持部材２４が接触している。保持部材２４は、例えば円筒状に形成されている。保持部材２４の内周面側には、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを嵌入して保持するための溝２８が形成されている。換言すれば、保持部材２４は、カバー部材２２の内周面と誘導室１４の外周面の間に配置された構成となっている。誘導室１４の外周面に巻回されて配置された各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを保持することにより、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向（縦方向又は高さ方向）における位置決めが可能になる。このため、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが重力の作用方向に沿って配列された状態でも、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが重力の作用を受けて、隣接する各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ同士が接触することを回避できる。
同時に、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが保持部材２４の径方向内側から溝２８に嵌入して保持されている。この状態では、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの径方向外側部位には、保持部材２４の径方向内側に向かって保持部材２４からの反作用力が作用する。このため、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが保持部材２４により各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの径方向に沿って位置決めされている。換言すれば、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、保持部材２４により、長手方向及び径方向の２方向で同時に位置決めされた状態になる。この結果、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが地震や外力などの影響を受けた場合でも、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの相互の離間距離が変化せず、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが相互に接触することがない。このため、プラズマ処理の質が低下することがない。
本実施形態では、複数の各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃをそれらの長手方向（重力方向）に沿って複数配列したことを前提として、その配列状態において重力が作用することからコイル間の離間距離が変更する技術的不具合を解決することができる。
また、複数の各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃをそれらの長手方向（重力方向）に沿って複数配列した理由は、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを４個、５個、…以上に増設していく場合でも、誘電室１４の高さ方向に長くなるものの、平面方向に沿った接地面積が大きくならないからである。このため、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを増設しても、径方向（水平方向）に沿ってプラズマ処理装置１０が大型化せず、設置スペースの制約に支障が生じない。
なお、保持部材２４の溝２８の深さ（図１の水平方向に沿った深さ）は、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの巻数が変化しても一定である。これにより、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの巻数が変化しても、深さの異なる溝を複数形成する必要がなく、保持部材２４の製造が容易になる。
保持部材２４の材質は、絶縁体を形成する材質で構成されている。例えば、保持部材２４の材質として、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、プラスチック（樹脂）、ゴムなどが好ましい。保持部材２４の形状は、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを保持及び位置決めするものであれば、特に限定されるものではない。
ここで、図３及び図４に示すように、カバー部材２２の内周面側には、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃが保持部材２４に保持された状態において、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向（縦方向又は高さ方向）の各中央位置２６Ａ１、２６Ｂ１、２６Ｃ１とカバー部材２２との電気的接続が可能なアース部材３０（図１及び図２では図示省略）が接続されている。このため、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向の中央位置２６Ａ１、２６Ｂ１、２６Ｃ１は、接地された構成と同視でき、接地端２７Ａ１、２７Ｂ１、２７Ｃ１を形成する。
なお、図４は、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃから誘導コイル２６Ａを取り出し、その電気的特性を拡大した図である。
アース部材３０は、導電体を形成する材質で構成されている。例えば、カバー部材２２の材質として、銅又はアルミニウムが好ましい。アース部材３０の形状は、特に限定されるものではない。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、各誘導コイルの長手方向の一端２６Ａ２、２６Ｂ２、２６Ｃ２と、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向の他端２６Ａ３、２６Ｂ３、２６Ｃ３と、各誘導コイルの長手方向の中央位置２６Ａ１、２６Ｂ１、２６Ｃ１である接地端２７Ａ１、２７Ｂ１、２７Ｃ１と、を有している。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの一端２６Ａ２、２６Ｂ２、２６Ｃ２には、高周波電力源３２に接続されている。３個の誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃにおいて、単一の高周波電力源３２を共有することが好ましい。高周波電力源３２として、例えば高周波発振器が用いられる。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの他端２６Ａ３、２６Ｂ３、２６Ｃ３は、それぞれ開放端となっている。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの中央位置２６Ａ１、２６Ｂ１、２６Ｃ１とは、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向における実質的に中央に位置することを意味する。各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの中央位置２６Ａ１、２６Ｂ１、２６Ｃ１は、アース部材３０及びカバー部材２２を介して接地端２７Ａ１、２７Ｂ１、２７Ｃ１となっている。
次に、一の誘導コイル２６Ａの構成について説明する。その他の誘導コイル２６Ｂ、２６Ｃの構成に関する説明は、誘導コイル２６Ａの構成と同様なので省略する。
図５に示すように、誘導コイル２６Ａの一端２６Ａ２と他端２６Ａ３は、中央位置２６Ａ１である接地端２７Ａ１と誘導コイル２６Ａの中心軸とを含む面に関して対称的に配置されている。このため、誘導コイル２６Ａの中央位置２６Ａ１から下側に位置する下側コイル部Ｗ１の長さは、誘導コイル２６Ａの中央位置２６Ａ１から上側に位置する上側コイル部Ｗ２の長さと実質的に同じである。加えて、誘導コイル２６Ａの下側コイル部Ｗ１の巻回回数と直径は、上側コイル部Ｗ２の巻回回数と直径に実質的に同じである。換言すれば、誘導コイル２６Ａの中央位置２６Ａ１である接地端２７Ａ１は、誘導コイル２６Ａの中心に位置しており、幾何学的に誘導コイル２６Ａを中央位置２６Ａ１である接地端２７Ａ１に関して対称形状にしている。しかしながら、誘導コイル２６Ａの中央位置２６Ａ１である接地端２７Ａ１は、正確な中心であることが必須になるものでなく、実質的な中心であればよい。
なお、誘導コイル２６Ｂ及び誘導コイル２６Ｃの構成も、誘導コイル２６Ａの構成と同様である。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向に沿った長さは、例えば、λ／４、すなわち（１／４）波長となる長さである。詳細には、λ／４とは、高周波電力源３２の周波数から算出した波長の１／４に相当する長さを意味する。
なお、各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向長さは、例えば、λ／８、すなわち（１／８）波長となる長さでもよい。λ／８とは、高周波電力源３２の周波数から算出した波長の１／８に相当する長さを意味する。
図３及び図４に示すように、高周波電力が各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃに供給されると、磁場が生成される。その磁場は、順次、環状（渦状）の高周波誘導電界を生成して電子を加速させる。加速された電子は、プロセスガスをイオン化して、プラズマ放電を継続させる。各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、おおよそ同じ相（Ｐ１）と反転した相（Ｐ２）からなる静電容量性ポテンシャル（例えば、電圧）を生成する。各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの開放端である他端２６Ａ３、２６Ｂ３、２６Ｃ３は、反対側の一端２６Ａ２、２６Ｂ２、２６Ｃ２における高周波電圧に対して、等しくて逆極性の電圧を励起させる。これは、共通の高周波誘導電界をもつ各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃにおける上方側の部位と下方側の部位という性質に起因する。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、二つの実質的に同一なコイルからなる一つのコイルとして考えることができる。一つのコイル（下側コイル部Ｗ１）はプラズマ放電における円形の高周波誘導電界を生み出すために高い誘導性電流をもたらす。その一方で、もう一つのコイル（上側コイル部Ｗ２）は、最初のコイル（下側コイル部Ｗ１）で発生される静電容量性電流の静電容量補正器として作用する。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの下側コイル部Ｗ１と上側コイル部Ｗ２は、両者が接地端２７Ａ１、２７Ｂ１、２７Ｃ１に対して幾何学的に対称形状であることにより、互いに実質的にバランスをとる。したがって、不可避的な寄生的静電容量性電流の誘導性プラズマグランドは仮想的にキャンセルされ、誘導性プラズマによる静電容量性の相互作用はバランスが取れることになる。この静電容量性のバランスは、不可避的な静電容量性電圧、誘導性プラズマの静電容量性相互作用の対称性の度合いによって決まる。対称性が高まるにつれ、下側コイル部Ｗ１と上側コイル部Ｗ２における電圧がレシプロカルに釣り合いを取ることにより、最小化された誘導性プラズマにおける静電容量性電流のより良い静電容量性バランスが得られることになる。静電容量的にバランスの取れた誘導性プラズマ源は、特に半導体プラズマ処理において有用である。
自動制御されたバイアス用高周波電力源１８を備えた台１６を有するプラズマ処理室１２の内部では、静電容量的にバランスがとれた誘導性プラズマ源が高電圧シースを生成し、正イオンを加工品Ｔの表面上に加速させる。イニシャルプロセスガスが誘導室１４に入り、イオン化工程と解離工程が実行される。台１６上の加工品Ｔは、静電容量的にバランスの取れた誘導プラズマ源によって生成される放電プラズマから供給された少なくとも一種の粒子によって加工される。
バイアス用高周波電力源１８は、プラズマ面の相互作用率と特性を調節するため、台１６の高周波バイアス電力を独自に調節でき、プラズマ処理自体を調整できる。したがって、非結合プラズマ処理が起きる。
上述したプロセスのいくつかの典型的な用途の非限定的な例としては、金属、誘電体、半導体などのエッチング、窒化、酸化、プラズマ注入などの表面改質、及びプラズマエンハンスト化学気相成長法（ＣＶＤ）による種々の薄膜の成膜をあげることができる。また、上述したプロセスのいくつかの典型的な用途の他の非限定的な例としては、上述したプラズマ源とプロセスを使用したガラスやプラスチック基板の製造又はその改質を挙げることができる。したがって、本発明は、半導体処理に限定されず、マスク製造、光学製品、ミクロ電子機械（ＭＥＭＳテクノロジー）、医療、及び他の装置の処理といった他の例示的な処理に適用可能であるとみなされるべきである。特に、本実施形態で開示されたような円筒形状のプラズマ源は、プラズマエッチング、ＣＶＤ又は選択的露光で硬化したレジストを除去するためのレジストアッシング（剥離）のようなダウンストリーム（ダウンフロー又はリモート）用途のいずれのケースにも利用することができる。
自己バランス型インダクタは、バランスのためのさらなる追加要素を必要としないことに留意すべきである。本質的な静電容量性構造自体が、広い範囲のガス放出処プロセス条件（例えば励起周波数を含む）化において、高い程度の静電容量的対称性を有している。したがって、本発明によるプラズマ処理装置は、シンプルで安価であり、かつ操作も容易である。
次に、本実施形態のプラズマ処理装置１０の作用について説明する。
図１乃至図５に示すように、誘導室１４において３個の誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向（縦方向又は高さ方向）に沿って直線上に配置しているため、誘導コイルが１個配置された構成と比較して、プラズマ密度が格段に上がる。この結果、プラズマ処理（例えば、エッチング処理など）の均一性が向上し、加工品Ｔに対するプラズマ処理の精度が一層高くなる。
図６及び図７に示すように、３個の誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを２７ＭＨｚＩＣＰとすることにより、高いイオン密度（１０１１～１０１２ｃｍ－３）と低い電子温度（１～２ｅＶ）のデータが得られた。これにより、高いエッチング性能及び高いアッシング性能が得られることを証明できた。特に電子温度が低いことにより、プラズマに対するダメージが低減でき、プラズマ処理精度の低下を抑制できる。
各誘導コイル２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの長手方向に沿った長さがλ／４（又はλ／８）となるため、高周波の共振点が得られるため、整合器を設けることなく、プラズマが発生する。これより、部品点数を削減でき、小型化及び低コスト化が可能になる。
本発明は、構造特徴について極めて詳細に説明してきたが、特許請求の範囲にて定義される本発明は、開示された特定の特徴に対して必ずしも限定される必要はない、ということを理解すべきである。むしろ、本実施形態では、特許請求の範囲に記載された発明を実現化するための好ましい一例として説明されているにすぎない。
したがって、本実施形態では、発明の例示的な実施例が記述されている一方で、当業者においては、多数のバリエーションや他の具体化も起こり得る。発明の精神及び範囲から逸脱しない範囲で、このようなバリエーションや他の実施例の実現が可能である。本実施形態において使用されている文言遣いと用語は、要約と同様に、説明の目的のためであり、限定的な意味に解釈されるべきではない。
なお、本実施形態は、本発明の一態様を示したものであり、本発明がこれに限られるものではない。本実施形態例に対する設計変更程度の差異は、当然に、本発明の技術的思想の範囲内に含まれる。
１０ プラズマ処理装置
１２ プラズマ処理室（プロセス室）
１４ 誘導室
１６ 台
１８ バイアス用高周波（ＲＦ）電力源
２０ ガス導入路
２２ カバー部材
２４ 保持部材
２６Ａ 誘導コイル（コイル）
２６Ａ１ 中央位置
２６Ｂ 誘導コイル（コイル）
２６Ｂ１ 中央位置
２６Ｃ 誘導コイル（コイル）
２６Ｃ１ 中央位置
２７Ａ１ 接地端
２７Ｂ１ 接地端
２７Ｃ１ 接地端
２８ 溝
３０ アース部材
３２ 高周波電力源
Ｔ 加工品
１２ プラズマ処理室（プロセス室）
１４ 誘導室
１６ 台
１８ バイアス用高周波（ＲＦ）電力源
２０ ガス導入路
２２ カバー部材
２４ 保持部材
２６Ａ 誘導コイル（コイル）
２６Ａ１ 中央位置
２６Ｂ 誘導コイル（コイル）
２６Ｂ１ 中央位置
２６Ｃ 誘導コイル（コイル）
２６Ｃ１ 中央位置
２７Ａ１ 接地端
２７Ｂ１ 接地端
２７Ｃ１ 接地端
２８ 溝
３０ アース部材
３２ 高周波電力源
Ｔ 加工品
Claims (7)
- プラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室に隣接して設けられた誘導室と、
前記誘導室に配置され高周波誘導電界を生成する複数のコイルと、
を有するプラズマ処理装置であって、
各々の前記コイルの一端が高周波電力源に接続し、
各々の前記コイルの他端が開放端であり、
各々の前記コイルの長手方向の中央位置が接地端である、
プラズマ処理装置。 - 各々の前記コイルは、前記コイルの長手方向に沿って配列している、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 各々の前記コイルは、前記コイルの長手方向に沿って３個配列している、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 各々の前記コイルの位置を固定する保持部材を有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電力源は単一の高周波発振器である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
- 各々の前記コイルの長手方向長さがλ／８又はλ／４である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記保持部材は絶縁体で形成されている、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
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