KR100806522B1 - 유도 결합 플라즈마 반응기 - Google Patents

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    • H01J37/32532—Electrodes
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Abstract

유도 결합 플라즈마 반응기가 개시된다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 갖는 진공 챔버, 진공 챔버의 상부에 설치되는 유전체 윈도우, 유전체 윈도우의 상부에 설치된 무선 주파수 안테나, 무선 주파수 안테나로 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원 및, 무선 주파수 안테나와 유전체 윈도우 사이에 설치되되 무선 주파수 안테나의 형상을 따라서 동일한 평면 구조를 갖는 평판 전극을 포함한다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는 평판 전극에 의해 무선 주파수 안테나의 정전 결합을 차폐하여 유전체 윈도우의 손상을 방지한다. 평판 전극은 전력 조절부에 의해 가변적인 전력을 공급받을 수 있어서 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력을 높이고 보다 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있다.
플라즈마, 안테나, 유도 결합

Description

유도 결합 플라즈마 반응기{INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예예 따른 유도 결합 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 2는 유전체 윈도우 상부에 설치된 무선 주파수 안테나, 마그네틱 코어 커버 및, 평판 전극의 조립 구조를 보여주는 평면도이다.
도 3 및 도 4는 평판 전극으로 가변 전력을 인가하기 위한 전력 조절부를 구성한 예를 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 7은 전력 조절부의 변형예들을 보여주는 도면이다.
도 8a 내지 도 8e는 무선 주파수 안테나와 평판 전극의 다양한 변형예를 보여주는 도면이다.
도 9는 가스 분배판 장착 구조의 변형예와 냉각부의 구성예를 보여주는 도면이다.
본 발명은 무선 주파수(radio frequency)를 이용한 유도 결합 플라즈마 반응기(inductively coupled plasma reactor)에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고 보다 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있는 유도 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다.
용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 반면, 무선 주파수 전원의 에너지가 거의 배타적으로 용량 결합을 통하여 플라즈마에 연결되기 때문에 플라즈마 이온 밀도는 용량 결합된 무선 주파수 전력의 증가 또는 감소에 의해서만 증가 또는 감소될 수 있다. 그러나 무선 주파수 전력의 증가는 이온 충격 에너지를 증가시킨다. 결과적으로 이온 충격에 의한 손상을 방지하기 위해서는 공급되는 무선 주파수 전력의 한계성을 갖게 된다.
한편, 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 쉽게 증가시킬 수 있으며 이에 따른 이온 충격은 상대적으로 낮아서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다. 그럼으로 유도 결합 플라즈마 소스는 고밀도의 플라즈마를 얻기 위하여 일반적으로 사용되고 있다. 유도 결합 플라즈마 소스는 대표적으로 무선 주파수 안테나(RF antenna)를 이용하는 방식과 변압기를 이용한 방식(변압기 결합 플라즈마(transformer coupled plasma)라고도 함)으로 기술 개발이 이루어지고 있다. 여기에 전자석이나 영구 자석을 추가하거나, 용량 결합 전극을 추가하여 플라즈마의 특성을 향상 시키고 재현성과 제어 능력을 높이기 위하여 기술 개발이 이루어지고 있다.
무선 주파수 안테나는 나선 타입 안테나(spiral type antenna) 또는 실린더 타입 안테나(cylinder type antenna)가 일반적으로 사용된다. 무선 주파수 안테나는 플라즈마 반응기(plasma reactor)의 외부에 배치되며, 석영과 같은 유전체 위도우(dielectric window)를 통하여 플라즈마 반응기의 내부로 유도 기전력을 전달한다. 무선 주파수 안테나를 이용한 유도 결합 플라즈마는 고밀도의 플라즈마를 비교적 손쉽게 얻을 수 있으나, 안테나의 구조적 특징에 따라서 플라즈마 균일도가 영향을 받는다. 그럼으로 무선 주파수 안테나의 구조를 개선하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 얻기 위해 노력하고 있다.
그러나 대면적의 플라즈마를 얻기 위하여 안테나의 구조를 넓게 하거나 안테나에 공급되는 전력을 높이는 것은 한계성을 갖는다. 예를 들어, 정상파 효과(standing wave effect)에 의해 방사선상으로 비균일한 플라즈마가 발생되는 것 으로 알려져 있다. 또한, 안테나에 높은 전력이 인가되는 경우 무선 주파수 안테나의 용량성 결합(capacitive coupling)이 증가하게 됨으로 유전체 윈도우를 두껍게 해야 하며, 이로 인하여 무선 주파수 안테나와 플라즈마 사이의 거리가 증가함으로 전력 전달 효율이 낮아지는 문제점이 발생된다.
최근 반도체 제조 산업에서는 반도체 소자의 초미세화, 반도체 회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판의 대형화, 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판의 대형화 그리고 새로운 처리 대상 물질 등장 등과 같은 여러 요인으로 인하여 더욱 향상된 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 대면적의 피처리물에 대한 우수한 처리 능력을 갖는 향상된 플라즈마 소스 및 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고 보다 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있는 유도 결합 플라즈마 반응기를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 유도 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는: 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 갖는 진공 챔버; 진공 챔버의 상부에 설치되는 유전체 윈도우; 유전체 윈도우의 상부에 설치된 무선 주파수 안테나; 무선 주파수 안테나로 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원; 및 무선 주파수 안테나와 유전체 윈도우 사이 에 설치되되 무선 주파수 안테나의 형상을 따라서 동일한 평면 구조를 갖는 평판 전극을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 무선 주파수 안테나를 따라서 덮어지도록 설치되어 자속 출입구가 유전체 윈도우를 향하도록 설치되는 마그네틱 코어 커버를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 진공 챔버의 내측 상부에서 유전체 윈도우의 아래로 설치된 하나 이상의 가스 분배 격판; 및 유전체 윈도우의 중앙 부분에 구성된 가스 입구를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 진공챔버의 상부 테두리를 따라서 설치되며 유전체 윈도우가 안착되고 하나 이상의 가스 분배 격판이 진공 챔버의 내측에 위치하여 장착되는 링형 프레임을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 평판 전극은 접지 전압 레벨을 갖는다.
일 실시예에 있어서, 평판 전극에 인가되는 전력을 조절하기 위한 전력 조절부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전력 조절부는: 무선 주파수 안테나와 접지 사이에 구성되는 전압 분압 수단; 및 전압 분압 수단에 의해 분압된 전압 중 어느 하나를 평판 전극으로 인가하는 멀티 탭 스위칭 회로를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 무선 주파수 안테나의 과열을 방지하기 위한 냉각 수단을 포함한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도 면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예예 따른 유도 결합 플라즈마 반응기의 단면도이고, 도 2는 유전체 윈도우 상부에 설치된 무선 주파수 안테나, 마그네틱 코어 커버 및 평판 전극의 구조를 보여주는 평면도이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 반응기의 단면도이다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는 챔버 바디(110)와 챔버 바디(110)의 천정을 형성하는 유전체 윈도우(200)로 구성되는 진공 챔버(100)를 구비한다. 유전체 윈도우(200)와 챔버 바디(110) 사이에는 진공 절연을 위한 오링(120)이 구성된다. 진공 챔버(100)의 내부에는 피처리 기판(114)이 놓이는 기판 지지대(112)가 구비된다. 챔버 바디(110)의 하단에는 가스 배기를 위한 가스 출 구(118)가 구비된다. 가스 출구(118)는 진공 펌프(미도시)에 연결된다. 피처리 기판(114)은 예를 들어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판 이다.
챔버 바디(110)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 재작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 챔버 바디(110)를 전체적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 재작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다. 유전체 윈도우(200)는 예들 들어, 석영이나 세라믹과 같은 절연 물질로 구성된다.
유전체 윈도우(200)의 상부에는 무선 주파수 안테나(220)가 설치된다. 무선 주파수 안테나(220)는 평판 나선형 구조를 갖는다. 무선 주파수 안테나(210)의 일단은 임피던스 정합기(310)를 통하여 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원(300)에 연결되고 타단은 접지된다. 전원 공급원(300)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전원의 제어가 가능한 전원 공급원을 사용하여 구성할 수도 있다.
무선 주파수 안테나(220)나와 유전체 윈도우(200)의 사이에는 평판 전극(230)이 설치된다. 평판 전극(230)은 무선 주파수 안테나(220)의 형상을 따라서 동일한 평면 구조를 갖는다. 즉, 무선 주파수 안테나(220)가 평판 나선형 구조를 갖는 경우 평판 전극(230)도 그와 동일하게 평판 나선형 구조를 갖는다. 평판 전극(230)은 무선 주파수 안테나(220)의 아래에 위치하고 접지로 연결된다. 평판 전 극(230)은 무선 주파수 안테나(220)에 의한 진공 챔버(100) 내부의 플라즈마와의 정전 결합을 차폐하여 유전체 윈도우(200)가 손상되는 것을 방지한다.
무선 주파수 안테나(220)는 마그네틱 코어 커버(210)에 의해 덮여진다. 마그네틱 코어 커버(210)는 수직 단면 구조가 말편자 형상을 갖고 무선 주파수 안테나(220)를 따라서 덮어지도록 설치되어 자속 출입구가 유전체 윈도우를 향하도록 설치된다. 전체적으로 마그네틱 코어 커버(210)의 내측에 무선 주파수 안테나(210)와 평판 전극(230)이 위치하는 구조를 갖는다. 그럼으로 무선 주파수 안테나(220)에 의해 발생된 자기장은 마그네틱 코어 커버(210)에 의해 집속되어 진공 챔버(100)의 내측에 발생된다. 이 자기장에 의해 유도되는 전기장은 유전체 윈도우(220)에 본질적으로 평행하게 발생된다.
마그네틱 코어 커버(210)는 페라이트 재질로 제작되지만 다른 대안의 재료로 제작될 수 도 있다. 마그네틱 코어 커버(34)는 다수의 말편자 형상의 페라이트 코어 조각들을 조립하여 구성할 수 있다. 또는 일체형의 페라이트 코어를 사용할 수도 있다. 여러 개의 조각을 사용하여 구성하는 경우에는 각 조각의 조립면에 절연 물질과 같은 비자성 물질층을 삽입하여 연결할 수 있다.
진공 챔버(100)의 내측 상부에서 유전체 윈도우(200)의 아래로 다수개의 관통된 홀이 형성된 하나 이상의 가스 분배 격판(400)이 설치된다. 유전체 윈도우(200)의 중앙 부분에는 가스 공급원(미도시)에 연결된 가스 입구(116)가 구성된다. 가스 입구(116)를 통하여 주입되는 공정 가스는 하나 이상의 가스 분배 격판(400)을 통하여 고르게 분산되어 진공 챔버(100)의 내부로 분사된다.
기판 지지대(114)는 바이어스 전원을 공급하는 전원 공급원(320)에 임피던스 정합기(330)를 통하여 전기적으로 연결되어 바이어스 된다. 바이어스 전원을 공급하는 전원 공급원(320)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전원의 제어가 가능한 전원 공급원을 사용하여 구성할 수도 있다. 또한 기판 지지대(112)는 기본적으로 단일 바이어스 구조를 갖지만, 서로 다른 주파수의 무선 주파수를 공급받는 이중 바이어스 구조로 변형 실시도 가능하다.
도 3 및 도 4는 평판 전극으로 가변 전력을 인가하기 위한 전력 조절부를 구성한 예를 보여주는 도면이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는 평판 전극(230)에 전력을 인가하기 위한 전력 조절부(500)를 포함할 수 있다. 전력 조절부(500)는 도 3에 도시된 바와 같이 무선 주파수 안테나(220)의 후단과 접지 사이에 연결되거나, 또는 도 4에 도시된 바와 같이 무선 주파수 안테나(220)의 전단과 접지 사이에 연결될 수 있다. 전력 조절부(500)는 전압 분압 수단(116)과 전압 분압 수단(116)에 의해 분압된 전압 중 어느 하나를 평판 전극(230)으로 인가하는 멀티 탭 스위칭 회로(520)로 구성된다. 전압 분압 수단(210)은 인덕터 코일로 구성할 수 있다.
이와 같은 전력 조절부(500)에 의해서 평판 전극(230)으로 인가되는 전력을 가변적으로 제어할 수 있다. 그럼으로 진공 챔버(100)의 내부에서 발생되는 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력을 높일 수 있어서 피처리 기판에 대한 보다 균일한 플라즈마 처리와 고품질의 박막을 형성할 수 있다.
도 5 내지 도 7은 전력 조절부의 변형예들을 보여주는 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 일 변형예의 전력 조절부(500a)는 무선 주파수 안테나(220)와 접지 사이에 일차측이 연결되고 이차측으로 분압된 전압을 출력하기 위한 멀티 탭을 갖는 트랜스포머(510a)로 전압 분압 수단을 구성할 수 있다. 또는 도 6에 도시된 바와 같이, 다른 변형 예의 전력 조절부(500b)는 분압된 전압을 출력하기 위한 멀티 탭을 갖는 직렬 커패시터 어레이(510b)로 전압 분압 수단을 구성할 수 있다. 또는 도 7에 도시된 바와 같이, 또 다른 변형 예의 전력 조절부(500c)는 무선 주파수 안테나(220)를 따라서 병렬로 권선되며 분압된 전압을 출력하기 위한 멀티 탭을 갖는 인덕터 코일(510c)로 전압 분압 수단을 구성할 수 있다.
도 8a 내지 도 8e는 무선 주파수 안테나와 평판 전극의 다양한 변형예를 보여주는 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기에 탑재되는 무선 주파수 안테나(230)는 다양한 구조로 변형 실시될 수 있으며, 두 개 이상의 복수개의 무선 주파수 안테나로 구성할 수 있다. 복수개의 무선 주파수 안테나는 직렬로 연결되거나 병렬로 전기적인 연결을 가질 수 있다.
예를 들어, 도 8a 내지 도 8c에 도시된 바와 같이, 동심원 구조로 배열된 서로 다른 직경을 갖는 복수개의 무선 주파수 안테나(220)가 사용될 수 있다. 또는 도 8c 및 도 8d에 도시된 바와 같이, 두 개 이상의 무선 주파수 안테나(220)를 평판 나선 구조로 중복 또는 병렬 배열하여 구성할 수 있다. 또한 무선 주파수 안테나(220)의 전체적인 구조도 원형이나 사각형 등과 같이 다양한 구조를 가질 수 있다. 이러한 다양한 변형 구조를 갖는 무선 주파수 안테나(220)가 사용되는 경우 각각의 무선 주파수 안테나(220)의 평면 구조와 동일하게 평판 전극(230)도 동일한 평면 구조를 갖는다.
도 9는 가스 분배판 장착 구조의 변형예와 냉각부의 구성예를 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하여, 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기의 가스 분배 격판(400)과 유전체 윈도우(200)의 진공 챔버(100)의 상부에 설치되는 링형 프레임(410)에 설치되는 구조로 변형 실시될 수 있다.
링형 프레임(410)은 진공 챔버(100)의 상부 테두리를 따라서 설치되며 유전체 윈도우(200)가 안착되고 하나 이상의 가스 분배 격판(400)이 진공 챔버(100)의 내측에 위치하도록 장착된다. 챔버 하우징(110)과 링형 프레임(410) 사이에는 제1 오링(120)이 설치되고, 유전체 윈도우(200)와 링형 프레임(410) 사이에는 제2 오링(130)이 설치되어 각각 진공 절연된다.
유전체 윈도우(200)에 무선 주파수 안테나(200)의 과열을 방지하기 위한 냉각 수단(240)이 설치된다. 냉각 수단(240)은 다양한 형태로 실시될 수 있는 예를 들어, 마그네틱 코어 커버(210)의 상부와 접촉되는 냉각관으로 구성될 수 있다. 또는 마그네틱 코어 커버(210)의 내측으로 설치되는 냉각관으로 구성될 수 있다. 또는 무선 주파수 안테나(220)에 씌워지는 냉각관으로 구성될 수 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아 닌 것으로 이해되어야 한다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기에 의하면, 무선 주파수 안테나와 동일한 평면 구조를 갖는 평판 전극에 의해 무선 주파수 안테나의 정전 결합을 차폐하여 유전체 윈도우의 손상을 방지할 수 있으며, 유도 기전력의 전달 효율은 높일 수 있다. 또는 마그네틱 코어 커버에 의해 자속 전달 효율을 높일 수 있음으로 고밀도의 플라즈마를 발생할 수 있다. 또한 평판 전극은 전력 조절부에 의해 가변적인 전력을 공급받을 수 있어서 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력을 높이고 보다 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있다.

Claims (8)

  1. 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 갖는 진공 챔버;
    진공 챔버의 상부에 설치되는 유전체 윈도우;
    유전체 윈도우의 상부에 설치된 무선 주파수 안테나;
    무선 주파수 안테나로 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원;
    무선 주파수 안테나와 유전체 윈도우 사이에 설치되되 무선 주파수 안테나의 형상을 따라서 동일한 평면 구조를 갖는 평판 전극; 및
    무선 주파수 안테나를 따라서 덮어지도록 설치되어 자속 출입구가 유전체 윈도우를 향하도록 설치되는 마그네틱 코어 커버를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 진공 챔버의 내측 상부에서 유전체 윈도우의 아래로 설치된 하나 이상의 가스 분배 격판; 및
    유전체 윈도우의 중앙 부분에 구성된 가스 입구를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  4. 제3항에 있어서, 진공챔버의 상부 테두리를 따라서 설치되며 유전체 윈도우 가 안착되고 하나 이상의 가스 분배 격판이 진공 챔버의 내측에 위치하여 장착되는 링형 프레임을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 평판 전극은 접지 전압 레벨을 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  6. 제1항에 있어서, 평판 전극에 인가되는 전력을 조절하기 위한 전력 조절부를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전력 조절부는: 무선 주파수 안테나와 접지 사이에 구성되는 전압 분압 수단; 및 전압 분압 수단에 의해 분압된 전압 중 어느 하나를 평판 전극으로 인가하는 멀티 탭 스위칭 회로를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 무선 주파수 안테나의 과열을 방지하기 위한 냉각 수단을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
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