CN111430211A - 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法 - Google Patents

用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111430211A
CN111430211A CN202010253379.2A CN202010253379A CN111430211A CN 111430211 A CN111430211 A CN 111430211A CN 202010253379 A CN202010253379 A CN 202010253379A CN 111430211 A CN111430211 A CN 111430211A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radio frequency
power supply
variable capacitor
impedance
capacitance value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010253379.2A
Other languages
English (en)
Inventor
董家伟
其他发明人请求不公开姓名
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Lixiang Wanlihui Film Equipment Co ltd
Ideal Energy Shanghai Sunflower Thin Film Equipment Ltd
Original Assignee
Shanghai Lixiang Wanlihui Film Equipment Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Lixiang Wanlihui Film Equipment Co ltd filed Critical Shanghai Lixiang Wanlihui Film Equipment Co ltd
Priority to CN202010253379.2A priority Critical patent/CN111430211A/zh
Publication of CN111430211A publication Critical patent/CN111430211A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183Matching circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法。该方法首先将匹配器的可变电容器的与等离子处理设备的多个工艺相对应的多个初置电容值存储在数据库中;然后将可变电容器初置成数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值;之后启动射频电源及其自动调频功能以驱使射频电源找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行;接着检测射频电源输出端的阻抗,根据所检测到的阻抗驱动调节马达将可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当可变电容器处于最佳电容值时,等离子体处理设备和匹配器的阻抗与射频电源的特征阻抗值相匹配。本发明能保证匹配器和射频系统总是处于反射最小的最佳工作状态,并能改进射频系统稳定性。

Description

用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法
技术领域
本发明涉及射频电源领域,特别涉及用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法。
背景技术
现有射频系统包括半固定匹配器及具有调频功能的射频电源。匹配器和射频电源通过通讯接口与控制计算机相连接。控制计算机将可变电容器的多个初置电容值存储到数据库,所述多个初置电容值与所述等离子处理设备的多个工艺相对应。在对射频系统进行调节时,控制计算机首先驱动调节马达将匹配器内的可变电容器置于初置电容值,然后射频电源启动并输出功率,接着射频电源自身的自动调频功能开始工作直至找到反射功率最小的最佳频率工作点而稳定下来。上述对射频系统的调节主要存在以下问题:
第一,若初置电容值不恰当,通过电源射频电源自身的自动调频功能最终无法找到最佳频率工作点;
第二,即使找到最佳频率工作点,随着负载的缓慢变化,反射功率会逐渐升高。
第三,当各射频系统之间存在差异时,很难对每个射频系统各自优化。
因此,如何提供一种用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法以提高调节有效性及其稳定性,已成为业内亟待解决的技术问题。
发明内容
针对现有技术的上述问题,本发明提出了一种用于等离子体处理设备的射频系统,包括射频电源以及匹配器,所述匹配器包括电感元件、固定电容器和可变电容器,所述射频系统还包括:数据库,其用于存储可变电容器的多个初置电容值,所述多个初置电容值与所述等离子处理设备的多个工艺相对应;调节马达,其用于在预设区间内调节可变电容器;阻抗检测模块,其用于检测所述射频电源输出端的阻抗;以及控制模块,其用于驱动所述调节马达将所述可变电容器初置成所述数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值,并在将所述可变电容器初置成所述初置电容值之后启动所述射频电源及其自动调频功能,通过所述自动调频功能驱使所述射频电源找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行,所述控制模块还根据所述阻抗检测模块检测到的阻抗,驱动所述调节马达将所述可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当所述可变电容器处于所述最佳电容值时,所述等离子体处理设备和匹配器的阻抗与射频电源的特征阻抗值相匹配。
在一实施例中,所述可变电容器的两端分别连接地和所述射频电源,所述电感元件和固定电容器串联连接并且一端连接到所述射频电源,另一端连接到等离子处理设备的一个电极。
在一实施例中,所述预设区间为200至2000皮法。
在一实施例中,所述初置电容值为800皮法、850皮法、900皮法或950皮法。
在一实施例中,所述最佳电容值为1000皮法。
在一实施例中,所述射频电源的所述特征阻抗值为50欧姆。
在一实施例中,所述射频电源的频率为13.56MHz,额定功率为1000W。
在一实施例中,所述调节马达为直线电机,所述控制模块根据检测到的阻抗的相位和幅度,确定所述调节马达调节所述可变电容器的方向和步长。
本发明还公开一种用于上述任一项所述的射频系统的调节方法,所述方法包括以下步骤:(a)、将可变电容器的多个初置电容值存储在数据库中,所述多个初置电容值与所述等离子处理设备的多个工艺相对应;(b)、驱动所述调节马达将所述可变电容器初置成所述数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值;(c)、启动所述射频电源及其自动调频功能,通过所述自动调频功能驱使所述射频电源找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行;以及(d)、检测所述射频电源输出端的阻抗,根据所检测到的阻抗驱动所述调节马达将所述可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当所述可变电容器处于所述最佳电容值时,所述等离子体处理设备和匹配器的阻抗与射频电源的特征阻抗值相匹配。
在一实施例中,在步骤(c)中,根据检测到的阻抗的相位和幅度,确定所述调节马达针对所述可变电容器进行调节的方向和步长,所述调节马达为直线电机。
与现有技术中将可变电容器初置成初置电容值后不再调节相比,本发明先驱动调节马达将匹配器的可变电容器初置成数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值,之动启动所述射频电源及其自动调频功能,通过所述自动调频功能驱使所述射频电源找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行,然后检测射频电源的阻抗,并根据阻抗检测模块检测到的阻抗,驱动调节马达将所述可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当所述可变电容器处于所述最佳电容值时,所述等离子体处理设备和匹配器的阻抗与射频电源的特征阻抗值相匹配,在射频电源输出端检测到的阻抗值仅具有实部电阻值。本发明能保证匹配器和射频系统总是处于反射最小的最佳工作状态,并能最小化每个射频系统之间的差异,改进射频系统稳定性,保证射频系统在处理工艺的各阶段都处于最佳工作状态。
附图说明
在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后,能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中,各组件不一定是按比例绘制,并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1为本发明的用于等离子体处理设备的射频系统的组成结构示意图。
图2为用于图1的射频系统的调节方法的示例性流程图。
具体实施方案
以下结合附图和具体实施例对本发明作详细描述,以便更清楚理解本发明的目的、特点和优点。应理解的是,以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的,而不应被理解为对本发明的保护范围进行任何限制。除非上下文明确地另外指明,否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。
参见图1,其显示了本发明的用于等离子体处理设备2的射频系统1。射频系统1包括射频电源10、匹配器11、数据库12、调节马达13、控制模块14和阻抗检测模块15。等离子体处理设备2可为等离子体镀膜设备或等离子体刻蚀设备等。
射频电源10的两端分别与匹配器11和地G连接。射频电源10为业界成熟的模块化电源,其具有通过调节内部构件参数,从而实现在其工作频率附近在较小幅度内调整频率的功能。在一实施例中,射频电源10的工作频率为13.56MHz,额定功率为1000W。
在其他实施例中,射频电源10的工作频率可为27.12MHz、40.68MHz或其他业界常用的工作频率,其额定功率可根据等离子体处理设备2对应负载的大小具体确定。
匹配器11包括电感元件L1、可变电容器C1和固定电容器C2。如图1中的示例性匹配器11所示,可变电容器C1的两端分别连接地G和射频电源10,电感元件L1和固定电容器C2串联连接并且一端连接到射频电源10,另一端连接到等离子处理设备2的上电极20。电感元件L1、可变电容器C1和固定电容器C2的值及相互间的连接结构可根据具体的射频电源10和等离子体处理设备2进行确定,并根据具体情况进行适应性调整。
在一实施例中,电感元件L1为1μH、可变电容器C1的电容调节范围为200至2000皮法,固定电容器C2为1000皮法。
数据库12用于存储可变电容器C1的多个初置电容值,多个初置电容值与等离子处理设备2的多个工艺相对应。在一些实施例中,初置电容值可为800皮法(pF)、850皮法、900皮法或950皮法等。
调节马达13用于在预设区间内调节可变电容器C1,预设区间可具体根据匹配器11的参数值进行确定,通常可为可变电容器C1的整个可调节范围。在一实施例中,预设区间为200至2000皮法。
控制模块14用于驱动调节马达13将可变电容器C1初置成数据库12中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值。在一实施例中,控制模块14驱动调节马达13将可变电容器C1初置成900皮法。
射频电源10具有驱使其寻找并运行到与初置电容值相对应的最佳频率工作点的自动调频功能,射频电源10在最佳频率工作点反射功率最小。控制模块14在将可变电容器C1初置成初置电容值之后启动射频电源10及其自动调频功能,自动调频功能驱使射频电源10找到与初置电容值C1相对应的最佳频率工作点并在此运行。
阻抗检测模块15用于检测射频电源10输出端的阻抗。控制模块14还用于根据阻抗检测模块15检测到的阻抗,驱动调节马达13将可变电容器C1从初置电容值调节至最佳电容值,当可变电容器C1处于最佳电容值时,等离子体处理设备2和匹配器11的阻抗与射频电源10的特征阻抗值相匹配,阻抗检测模块15在射频电源10输出端检测到的阻抗值仅具有实部电阻值。在一实施例中,射频电源10的特征阻抗值为50欧姆,阻抗检测模块15在射频电源输出端检测到的阻抗值也为50欧姆,最佳电容值为1000皮法。
在一实施例中,调节马达13为直线电机,控制模块14根据检测到的阻抗的相位和幅度,确定调节马达13调节可变电容器C1的方向和步长,从而将阻抗检测模块15检测到的阻抗值调节成仅具有实部电阻值,例如射频电源10的示例性特征阻抗值50欧姆。
参见图2,其显示了本发明用于图1的射频系统的调节方法,所述方法S20首先进行步骤S200,将可变电容器C1的多个初置电容值存储在数据库12中,所述多个初置电容值与等离子处理设备2的多个工艺相对应。
所述方法S20继续进行步骤S220,驱动调节马达13将可变电容器C1初置成数据库12中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值。所述多个初置电容值设置的目的是便于直接根据具体工艺直接从数据库12中进行调取,现有技术中将可变电容器C1设定为相应的初置电容值后便不再进行调节。
所述方法S20继续进行步骤S240,启动射频电源10及其自动调频功能,所述自动调频功能驱使射频电源10找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行。射频电源的自动调频功能为业界成熟的射频电源模块自身所带的功能,在此不再对此结构、原理及具体的自动调频过程进行赘述。
所述方法S20继续进行步骤S260,检测射频电源10输出端的阻抗,根据检测到的阻抗,驱动调节马达13将可变电容器C1从初置电容值调节至最佳电容值,当可变电容器C1处于所述最佳电容值时,等离子体处理设备2和匹配器11的阻抗与射频电源10的特征阻抗值相匹配。步骤S260中阻抗的检测是通过图1中所示的阻抗检测模块15进行的,当可变电容器C1处于所述最佳电容值时,在射频电源10输出端检测到的阻抗值仅具有实部电阻值。在步骤S260中,根据检测到的阻抗的相位和幅度,确定所述调节马达13针对所述可变电容器C1进行调节的方向和步长,所述调节马达13为直线电机。
本发明先驱动调节马达将匹配器的可变电容器初置成数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值,然后检测射频电源的阻抗,并根据检测到的阻抗驱动调节马达将所述可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当所述可变电容器处于所述最佳电容值时,在射频电源输出端检测到的阻抗值为只有实部欧姆值的预设阻抗值。本发明能保证匹配器和射频系统总是处于反射最小的工作状态,并能最小化每个射频系统之间的差异,保证每个射频系统都工作在最佳状态,改进射频系统稳定性,保证射频系统在处理工艺的各阶段都处于最佳工作状态。
上述实施例是提供给熟悉本领域内的人员来实现或使用本发明的,熟悉本领域的人员可在不脱离本发明的发明思想的情况下,对上述实施例做出种种修改或变化,因而本发明的保护范围并不被上述实施例所限,而应该是符合权利要求书提到的创新性特征的最大范围。

Claims (10)

1.一种用于等离子体处理设备的射频系统,包括射频电源以及匹配器,所述匹配器包括电感元件、固定电容器和可变电容器,所述射频系统还包括:
数据库,其用于存储可变电容器的多个初置电容值,所述多个初置电容值与所述等离子处理设备的多个工艺相对应;
调节马达,其用于在预设区间内调节可变电容器;
阻抗检测模块,其用于检测所述射频电源输出端的阻抗;以及
控制模块,其用于驱动所述调节马达将所述可变电容器初置成所述数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值,并在将所述可变电容器初置成所述初置电容值之后启动所述射频电源及其自动调频功能,通过所述自动调频功能驱使所述射频电源找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行,所述控制模块还根据所述阻抗检测模块检测到的阻抗,驱动所述调节马达将所述可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当所述可变电容器处于所述最佳电容值时,所述等离子体处理设备和匹配器的阻抗与射频电源的特征阻抗值相匹配。
2.如权利要求1所述的射频系统,其特征在于,所述可变电容器的两端分别连接地和所述射频电源,所述电感元件和固定电容器串联连接并且一端连接到所述射频电源,另一端连接到等离子镀膜设备的一个电极。
3.如权利要求1或2所述的射频系统,其特征在于,所述预设区间为200至2000皮法。
4.如权利要求3所述的射频系统,其特征在于,所述初置电容值为800皮法、850皮法、900皮法或950皮法。
5.如权利要求1所述的射频系统,其特征在于,所述最佳电容值为1000皮法。
6.如权利要求1所述的射频系统,其特征在于,所述射频电源的所述特征阻抗值为50欧姆。
7.如权利要求1所述的射频系统,其特征在于,所述射频电源的工作频率为13.56MHz,额定功率为1000W。
8.如权利要求1所述的射频系统,其特征在于,所述调节马达为直线电机,所述控制模块根据检测到的阻抗的相位和幅度,确定所述调节马达调节所述可变电容器的方向和步长。
9.一种用于权利要求1至8中任一项所述的射频系统的调节方法,所述方法包括以下步骤:
(a)、将可变电容器的多个初置电容值存储在数据库中,所述多个初置电容值与所述等离子处理设备的多个工艺相对应;
(b)、驱动所述调节马达将所述可变电容器初置成所述数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值;
(c)、启动所述射频电源及其自动调频功能,通过所述自动调频功能驱使所述射频电源找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行;以及
(d)、检测所述射频电源输出端的阻抗,根据所检测到的阻抗驱动所述调节马达将所述可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当所述可变电容器处于所述最佳电容值时,所述等离子体处理设备和匹配器的阻抗与射频电源的特征阻抗值相匹配。
10.如权利要求9所述的调节方法,其特征在于,在步骤(d)中,根据检测到的阻抗的相位和幅度,确定所述调节马达针对所述可变电容器进行调节的方向和步长,所述调节马达为直线电机。
CN202010253379.2A 2020-04-02 2020-04-02 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法 Pending CN111430211A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010253379.2A CN111430211A (zh) 2020-04-02 2020-04-02 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010253379.2A CN111430211A (zh) 2020-04-02 2020-04-02 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111430211A true CN111430211A (zh) 2020-07-17

Family

ID=71550889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010253379.2A Pending CN111430211A (zh) 2020-04-02 2020-04-02 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111430211A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112259433A (zh) * 2020-10-13 2021-01-22 北京北方华创微电子装备有限公司 阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备
CN112345814A (zh) * 2020-10-30 2021-02-09 北京北方华创微电子装备有限公司 直流偏压检测方法、装置、治具以及下电极系统
CN114188204A (zh) * 2020-09-14 2022-03-15 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理方法、射频发生器以及装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1937882A (zh) * 2005-12-09 2007-03-28 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种射频系统的控制方法及其射频匹配器
JP2010135298A (ja) * 2008-10-27 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
CN103715052A (zh) * 2012-10-09 2014-04-09 诺发系统公司 用于电感耦合等离子体系统的混合阻抗匹配
CN104349567A (zh) * 2013-07-29 2015-02-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 射频电源系统和利用射频电源系统进行阻抗匹配的方法
CN104377106A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体反应腔室阻抗自动匹配方法
CN108012401A (zh) * 2016-10-28 2018-05-08 北京北方华创微电子装备有限公司 射频阻抗匹配方法、匹配器和半导体处理装置
US10395897B1 (en) * 2018-04-24 2019-08-27 Newpowerplasma Co., Ltd. Virtual impedance auto matching method
CN110858530A (zh) * 2018-08-24 2020-03-03 北京北方华创微电子装备有限公司 匹配网络、阻抗匹配器以及阻抗匹配方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1937882A (zh) * 2005-12-09 2007-03-28 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种射频系统的控制方法及其射频匹配器
JP2010135298A (ja) * 2008-10-27 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
CN103715052A (zh) * 2012-10-09 2014-04-09 诺发系统公司 用于电感耦合等离子体系统的混合阻抗匹配
CN104349567A (zh) * 2013-07-29 2015-02-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 射频电源系统和利用射频电源系统进行阻抗匹配的方法
CN104377106A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体反应腔室阻抗自动匹配方法
CN108012401A (zh) * 2016-10-28 2018-05-08 北京北方华创微电子装备有限公司 射频阻抗匹配方法、匹配器和半导体处理装置
US10395897B1 (en) * 2018-04-24 2019-08-27 Newpowerplasma Co., Ltd. Virtual impedance auto matching method
CN110858530A (zh) * 2018-08-24 2020-03-03 北京北方华创微电子装备有限公司 匹配网络、阻抗匹配器以及阻抗匹配方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188204A (zh) * 2020-09-14 2022-03-15 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理方法、射频发生器以及装置
CN114188204B (zh) * 2020-09-14 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理方法、射频发生器以及装置
CN112259433A (zh) * 2020-10-13 2021-01-22 北京北方华创微电子装备有限公司 阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备
WO2022078336A1 (zh) * 2020-10-13 2022-04-21 北京北方华创微电子装备有限公司 阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备
CN112259433B (zh) * 2020-10-13 2023-08-18 北京北方华创微电子装备有限公司 阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备
TWI813037B (zh) * 2020-10-13 2023-08-21 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半導體製程設備
JP7478906B2 (ja) 2020-10-13 2024-05-07 北京北方華創微電子装備有限公司 インピーダンス整合方法、インピーダンス整合器及び半導体プロセス装置
CN112345814A (zh) * 2020-10-30 2021-02-09 北京北方华创微电子装备有限公司 直流偏压检测方法、装置、治具以及下电极系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111430211A (zh) 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法
KR100513614B1 (ko) Rf소스와rf플라즈마프로세서사이에연결된정합회로망의무효성임피던스를조절하기위한방법및장치
EP0752757B1 (en) Rf match detector circuit with dual directional coupler
EP0412568B1 (en) Matching network and method for using same
US6252354B1 (en) RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
CN1122361C (zh) 使可变负载阻抗与rf能量发生器阻抗相匹配的方法和装置
EP1236275B1 (en) Variable load switchable impedance matching system
EP0870317B1 (en) Apparatus for controlling matching network of a vacuum plasma processor and memory for same
US6305316B1 (en) Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system
US10395897B1 (en) Virtual impedance auto matching method
EP2675064B1 (en) Electrical circuit to impedance match a source and a load at multiple frequencies, method to design such a circuit
US7570130B2 (en) Apparatus and methods for a fixed impedance transformation network for use in connection with a plasma chamber
WO2008002305A1 (en) Resonant circuit tuning system with dynamic impedance matching
US7692389B2 (en) Method and device for load matching
CN115882806B (zh) 一种射频电源自动阻抗匹配装置、系统以及方法
US20030019581A1 (en) Rf bias control in plasma deposition and etch systems with multiple rf power sources
KR102194601B1 (ko) 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템
ZA864917B (en) A method of automatically matching the impedance of a transmitter to an antenna
JPH0888097A (ja) プラズマ装置用マッチング回路
US4379341A (en) Series resonance drive circuit for magnetic bubble memory
CN218730791U (zh) 阻抗匹配器及半导体工艺设备
KR200248563Y1 (ko) 자동정합장치
WO2022103765A1 (en) Systems and methods for radiofrequency signal generator-based control of impedance matching system
CN114664627A (zh) 具有匹配盒的等离子体处理装置
CN116759284A (zh) 半导体工艺设备及最优阻抗值获取方法、扫频匹配方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 201306 plant 3, Lane 2699, Jiangshan Road, Lingang xinpian District, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai

Applicant after: Ideal Wanlihui Semiconductor Equipment (Shanghai) Co.,Ltd.

Address before: 201620, Room 403, room 3255, Si Xian Road, Songjiang District, Shanghai

Applicant before: SHANGHAI LIXIANG WANLIHUI FILM EQUIPMENT Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information