KR102194601B1 - 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템에 관한 것으로서, 고주파로 발진되는 RF 신호를 생성하는 플라즈마 파워 서플라이; 상기 플라즈마 파워 서플라이로부터 발생된 RF 신호를 수용하여 피처리 대상물에 플라즈마를 이용한 처리를 수행하는 플라즈마 부하; 상기 플라즈마 부하의 임피던스 변화에 의한 리액턴스 변화를 검출하는 센서; 상기 플라즈마 파워 서플라이와 상기 플라즈마 부하 사이에 직렬 연결되는 제1 가변 인덕터(L1)와, 상기 제1 가변 인덕터의 일단과 접지 사이에 설치되어 상기 플라즈마 부하에 병렬 연결되는 제2 가변 인덕터(L2)를 포함하는 임피던스 매칭회로; 및 상기 센서에서 검출된 신호에 따라 상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)를 구동하여 상기 임피던스 매칭회로의 임피던스를 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명에 따르면, 전자식으로 임피던스 성분을 가변시켜 임피던스 매칭을 수행함으로써 매칭 속도를 크게 향상시킬 수 있고, 부하측의 반사파를 검출하여 임피던스 매칭 제어 및 파워 서플라이의 주파수 변조 제어를 수행함으로써 효율적인 아크 관리가 가능한 효과가 있다.

Description

전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템{PLASMA POWER SUPPLY SYSTEM HAVING A ELECTRONIC VARIABLE IMPEDANCE MATCHING BOX}

본 발명은 임피던스 매칭박스의 인덕터를 전자식 가변 방식으로 구현하여 임피던스 매칭 시간을 단축시키는 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템에 관한 것이다.

플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각, 증착, 세정 등 분야에서 사용되고 있다.

도 1은 일반적인 플라즈마 전원 공급 시스템을 예시한 블록도이다. 도 1을 참조하면, 플라즈마 발생을 위한 설비는 크게 전력을 공급하는 플라즈마 파워 서플라이(10)와, 최대 전력 공급을 위한 임피던스 매칭박스(20)와, 플라즈마 부하(30)로 구성된다. 플라즈마 파워 서플라이(10)는 고주파로 발진되는 RF 제너레이터로 구성되며, 임피던스 매칭박스(20)는 플라즈마 파워 서플라이(10)의 출력단 임피던스와 플라즈마 부하(30), 예컨대 프로세싱 챔버와 같이 공정의 종류나 내부 환경 변화에 의하여 임피던스가 고정되지 않고 변하는 부하, 의 임피던스를 매칭시켜 프로세싱 챔버 내로 원하는 고주파 전원이 인가되도록 한다.

예를 들어, 반도체 및 디스플레이 장치의 제조 공정 중 에칭 공정 및 화학기상증착 공정 등에서 플라즈마 전원 공급 시스템이 이용되며, 플라즈마 파워 서플라이(10)의 출력단 임피던스는 대개 50 옴(ohm)으로 고정되어 있다. 반면, 플라즈마 부하(30)는 다양한 환경에 따라 임피던스가 변화하여 50 옴으로 고정되지 않는다. 임피던스 매칭박스(20)는 부하의 임피던스 변화에 따라 임피던스를 가변시켜 플라즈마 파워 서플라이(10)와 프로세싱 챔버 사이의 임피던스를 정합시킴으로써, 플라즈마 부하(30)로부터 반사파를 줄여 RF 제너레이터의 손상을 방지하고 고주파의 RF 파워가 프로세싱 챔버 내에서 손실 없이 온전히 사용될 수 있도록 한다.

도 2는 종래 가변 커패시터형 임피던스 매칭회로를 예시한 회로도이다. 도 2를 참조하면, 플라즈마 파워 서플라이(10)와 플라즈마 부하(30) 사이에서 인덕터(41)와 튜닝 커패시터(42)가 직렬 연결되며, 인덕터(41)의 입력단과 접지 사이에 분로 커패시터(43)가 설치된다. 분로 커패시터(43)는 아래의 (수식1)에서 저항값(R)과 관련이 있고, 인덕터(41)는

과 관련이 있으며, 튜닝 커패시터(42)는

과 관련이 있다.

(수식1)

종래에는 인덕터(41)의 값은 고정시킨 상태로 분로 커패시터(43)와 튜닝 커패시터(42)를 가변시켜 임피던스를 조절하였으며, 특히 튜닝 커패시터(42)에 의해 주파수가 크게 변화됨으로써 임피던스 매칭을 수행하였다.

그런데, 분로 커패시터(43) 및 튜닝 커패시터(42)는 모두 진공 가변 커패시터(VVC: Vacuum Variable Capacitor)로 구성되며, 이러한 용량 가변 소자의 가변 턴(turn) 수가 20턴 이상이 되어 매칭이 지연되는 현상이 발생된다. 이러한 매칭 지연 현상에 기인하여 프로세싱 챔버의 순간적인 임피던스 변화에 취약한 문제점이 생기며, 연속되는 공정에서 페일(fail)이 자주 발생되어 챔버 효율이 떨어지는 문제점이 있다.

한편, 대한민국 특허공개 제10-2005-0089114호는 반도체 제조설비의 고주파 파워 정합장치에 관한 것으로서, 플라즈마 파워 서플라이와 프로세싱 챔버 간의 임피던스 정합이 안정적으로 이루어지며 정합 포지션을 찾는 소요시간을 단축시킬 수 있는 기술을 개시하고 있다. 하지만, 동 선행문헌은 상술한 바와 같이 임피던스 정합장치에 진공 가변 커패시터를 이용함으로 인해 매칭 지연 현상이 발생되는 문제점이 여전히 존재한다.

대한민국 특허공개 제10-2005-0089114호

본 발명은 커패시턴스를 고정시키고 인덕턴스 성분을 전자식으로 가변하여 임피던스 매칭을 수행함으로써 매칭 지연 현상을 방지하고 매칭 속도를 향상시켜 부하에서의 반사파를 억제하며 RF 파워의 전달 특성을 향상시킨 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템을 제공함에 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 프로세싱 챔버에서 반사되는 반사파를 검출하고 검출 신호에 따라 임피던스 가변 제어와 RF 제너레이터의 주파수 튜닝을 수행함으로써, RF 제너레이터의 손상을 방지하고 플라즈마 발생 효율을 높일 수 있도록 함에 다른 목적이 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템은, 고주파로 발진되는 RF 신호를 생성하는 플라즈마 파워 서플라이; 상기 플라즈마 파워 서플라이로부터 발생된 RF 신호를 수용하여 피처리 대상물에 플라즈마를 이용한 처리를 수행하는 플라즈마 부하; 상기 플라즈마 부하의 임피던스 변화에 의한 리액턴스 변화를 검출하는 센서; 상기 플라즈마 파워 서플라이와 상기 플라즈마 부하 사이에 직렬 연결되는 제1 가변 인덕터(L1)와, 상기 제1 가변 인덕터의 일단과 접지 사이에 설치되어 상기 플라즈마 부하에 병렬 연결되는 제2 가변 인덕터(L2)를 포함하는 임피던스 매칭회로; 및 상기 센서에서 검출된 신호에 따라 상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)를 구동하여 상기 임피던스 매칭회로의 임피던스를 제어하는 제어부를 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템은, 상기 임피던스 매칭회로는 상기 제1 가변 인덕터(L1)에 직렬로 연결되는 제1 커패시터(C1)와, 상기 제2 가변 인덕터(L2)에 직렬로 연결되는 제2 커패시터(C2)를 더 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템은, 상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)는 각각 말굽 형상을 가지며 말굽 형상의 양단이 대향 배치되고 각각 코일이 권취된 제1 마그네틱 코어 및 제2 마그네틱 코어와, 상기 제1 마그네틱 코어 및 상기 제2 마그네틱 코어의 상대적 위치를 가변시키는 구동수단을 포함하며, 상기 제어부는 상기 구동수단을 동작시켜 상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)의 인덕턴스를 가변시킨다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템은, 상기 플라즈마 부하로부터 반사되는 반사파를 측정하는 반사파 검출부; 및 상기 반사파 검출부로부터 검출된 반사파의 주파수를 스캔하고, 스캔 결과를 이용하여 상기 플라즈마 파워 서플라이의 RF 발진 주파수를 조정하는 주파수 튜닝회로부를 더 포함하며, 상기 제어부는 상기 센서에서 검출된 신호와 상기 반사파 검출된 신호에 기반하여 상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)의 인덕턴스를 가변 제어한다.

본 발명의 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템에 따르면, 전자식으로 임피던스 성분을 가변시켜 임피던스 매칭을 수행함으로써 매칭 속도를 크게 향상시킬 수 있고, 부하측의 반사파를 검출하여 임피던스 매칭 제어 및 파워 서플라이의 주파수 변조 제어를 수행함으로써 효율적인 아크 관리가 가능한 효과가 있다.

도 1은 일반적인 플라즈마 전원 공급 시스템을 예시한 블록도,
도 2는 종래 가변 커패시터형 임피던스 매칭박스를 예시한 회로도,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 전원 공급 시스템을 예시한 블록도,
도 4는 본 발명에 따른 전자식 인덕턴스 가변의 예를 보인 도면, 및
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 전원 공급 시스템을 예시한 블록도이다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구체적인 실시예가 설명된다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대하여 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

명세서 전체에 걸쳐 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 그리고 본 발명에 첨부된 도면은 설명의 편의를 위한 것으로서, 그 형상과 상대적인 척도는 과장되거나 생략될 수 있다.

실시예를 구체적으로 설명함에 있어서, 중복되는 설명이나 당해 분야에서 자명한 기술에 대한 설명은 생략되었다. 또한, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 기재된 구성요소 외에 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

또한, 명세서에 기재된 "~부", "~기", "~모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분과 전기적으로 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 다른 구성을 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 전원 공급 시스템을 예시한 블록도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 전원 공급 시스템은 일반적인 플라즈마 전원 공급 시스템과 마찬가지로 크게 플라즈마 파워 서플라이(100)와, 임피던스 매칭박스(200)와, 플라즈마 부하(300)를 포함한다.

플라즈마 파워 서플라이(100)는 고주파로 발진되는 RF 신호를 발생시키는 전원 공급장치로서, 도시하지 않았지만 고주파로 발진되는 발진기와 전원을 증폭시켜 고출력의 RF(Radio Frequency) 파워를 발생시키는 전력 증폭기를 포함한다.

임피던스 매칭박스(200)는 플라즈마 파워 서플라이(100)와 플라즈마 부하(300) 사이에서 임피던스를 매칭시키며, 도시된 바와 같이 센서(210)와, 제어부(220)와, 매칭회로로 구성된다.

플라즈마 부하(300)는 반도체 또는 LCD의 제조 공정 중 에칭 공정이나 화학기상증착 공정 등에서 사용되는 프로세싱 챔버이며, 이러한 프로세싱 챔버는 공정의 종류나 내부 환경 변화에 의하여 임피던스가 고정되지 않고 변화된다. 예를 들어, 플라즈마 파워 서플라이(100)의 임피던스는 50 옴(ohm)으로 고정되는 반면, 플라즈마 부하(300)의 임피던스는 50 옴으로 고정되지 않고 가변된다.

임피던스 매칭박스(200)는 임피던스 성분을 가변시켜 플라즈마 파워 서플라이(100)와 플라즈마 부하(300) 사이에서 임피던스를 매칭시키며, 임피던스 매칭에 의해 고출력의 RF 파워가 반사되지 않고 프로세싱 챔버 내에서 사용될 수 있도록 한다.

구체적으로 설명하면, 센서(210)는 플라즈마 부하(300)의 임피던스 변화에 의한 리액턴스 변화를 검출한다. 센서에서 검출된 신호른 제어부(220)로 전달된다. 제어부(220)는 리액턴스 값으로부터 부하(300)의 임피던스 변화를 결정하며, 부하의 임피던스 변화에 대응하여 임피던스 매칭회로의 가변 소자를 전자식으로 가변시켜 임피던스 매칭을 수행한다.

도 3을 참조하면, 임피던스 매칭회로는 플라즈마 파워 서플라이(100)와 플라즈마 부하(300) 사이에서 직렬 연결되는 제1 커패시터(C1)와 제1 가변 인덕터(L1), 및, 제1 커패시터(C1)의 입력단과 접지 사이에 설치되어 플라즈마 부하(300)에 병렬 연결되는 제2 커패시터(C2)와 제2 가변 인덕터(L2)로 구성된다. 제1 커패시터(C1)와 제2 커패시터(C2)는 고정 커패시턴스를 가지며, 제1 가변 인덕터(L1) 및 제2 가변 인덕터(L2)는 인덕턴스가 가변된다.

도 4는 본 발명에 따른 전자식 인덕턴스 가변의 예를 보여준다. 도시한 바와 같이, 제1 가변 인덕터(L1) 및 제2 가변 인덕터(L2)는 말굽 형상을 가지며 말굽 형상의 양단이 대향 배치되는 제1 마그네틱 코어(241) 및 제2 마그네틱 코어(242)와, 각 마그네틱 코어(241, 242)에 권취된 코일로 구성될 수 있다. 제1 마그네틱 코어(241)와 제2 마그네틱 코어(242)는 구동수단(230)에 의해 위치가 이동될 수 있다. 구동수단(230)은 예컨대 제어부(220)에 구동 제어되는 모터이다.

도 4에서 화살표로 도시한 바와 같이, 제어부(220)는 구동수단(230)을 동작시켜 제1 마그네틱 코어(241)과 제2 마그네틱 코어(242)의 상대적 위치를 가변시킨다. 예컨대, 제1 마그네틱 코어(241)와 제2 마그네틱 코어(242) 중 어느 하나 또는 둘 모두를 수평 방향으로 이동시켜 서로 간의 거리를 증감하거나, 상하로 이동시켜 대향하는 말굽단이 어긋나는 간격을 조절하거나, 수평축 방향으로 회전시켜 대향각을 조절할 수 있다. 이와 같은 이동으로 두 마그네틱 코어(241, 242) 간의 갭이 변경되고, 제1 가변 인덕터(L1) 및 제2 가변 인덕터(L2)의 인덕턴스를 변경시킬 수 있다.

인덕턴스를 전자식으로 가변함에 따르는 이점은 매칭 지연 현상을 방지할 수 있다는 점이다. 매칭 지연 현상을 방지함으로써, 플라즈마 부하(300)의 순간적인 임피던스 변화에도 신속한 매칭 동작이 가능하게 된다.

한편, 임피던스 매칭에 의해 플라즈마 부하(300)로 입사된 RF 전력이 프로세싱 챔버 내에서 온전히 소비되지만, 일부 RF 전력이 플라즈마 파워 서플라이(100) 측으로 반사되는 반사파가 발생될 수 있다. 본 발명은 이러한 반사파에 대한 대응책으로서 임피던스 매칭 제어 및 플라즈마 파워 서플라이(100)의 RF 주파수 튜닝을 더 수행할 수 있다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 플라즈마 전원 공급 시스템은 반사파 검출부(400)와, 주파수 튜닝회로부(500)를 더 포함할 수 있다.

반사파 검출부(400)는 플라즈마 부하(300)로부터 반사되는 반사파를 검출한다. 반사파는 플라즈마 부하(300)에서 플라즈마 파워 서플라이(100)로 반사되는 파장으로서, RF 전력 값으로 측정된다. 반사파 검출부(400)에서 검출된 신호는 제어부(220)와 주파수 튜닝회로부로 전달된다.

먼저, 제어부(220)는 센서(210)에서 검출된 신호와 반사파 검출부(400)에서 검출된 신호에 기반하여 제1 가변 인덕터(L1) 및 제2 가변 인덕터(L2)의 인덕턴스를 가변 제어한다. 예를 들어, 센서(210)에서 검출된 신호에 의해 인덕턴스 변화분을 산출하고, 반사파 검출부(400)에서 검출된 신호를 기반으로 인덕턴스 변화분을 보정하는 것으로 반사파에 의한 영향을 줄일 수 있다.

다음으로, 주파수 튜닝회로부(500)는 다단계의 스캔 동작을 통해 검출된 반사파로부터 반사 에너지를 결정하고, 결정된 반사 에너지에 따라 플라즈마 파워 서플라이(100)의 RF 발진 주파수를 조정할 수 있다.

예를 들어, 주파수 튜닝회로부(500)는 예비 스캔 단계 및 상세 스캔 단계를 통해 검출된 반사파를 스캔한다. 예비 스캔 단계는 반사파의 주파수를 다수 개의 측정 포인트로 분할하고, 다수 개의 측정 포인트를 1차적으로 스캔하여 반사 에너지가 높게 측정되는 측정 포인트를 확인한다. 이때, 반사 에너지에 대한 기준값을 설정하여 기준값보다 높게 수신되는 반사 에너지를 측정할 수 있다.

상세 스캔 단계는 전 단계에서 반사 에너지가 높게 측정된 측정 포인트를 기반으로 상세 스캔 대역을 설정하고, 이러한 상세 스캔 대역을 다시 다수 개의 측정 포인트로 분할하여 다수 개의 측정 포인트를 2차적으로 스캔한다. 이때 다시 반사 에너지가 높게 측정되는 측정 포인트를 확인한다.

주파수 튜닝회로부(500)는 반사 에너지가 높은 주파수 대역이 확인되지 않으면, 무선 주파수 전원을 그대로 유지할 수 있다. 만약, 반사 에너지가 높은 주파수 대역이 확인된다면 발진 주파수를 조절하여 무선 주파수 전원이 최적의 주파수로 매칭될 수 있도록 주파수를 높이거나 낮출 수 있다.

위에서 개시된 발명은 기본적인 사상을 훼손하지 않는 범위 내에서 다양한 변형예가 가능하다. 즉, 위의 실시예들은 모두 예시적으로 해석되어야 하며, 한정적으로 해석되지 않는다. 따라서 본 발명의 보호범위는 상술한 실시예가 아니라 첨부된 청구항에 따라 정해져야 하며, 첨부된 청구항에 한정된 구성요소를 균등물로 치환한 경우 이는 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 보아야 한다.

100 : 플라즈마 파워 서플라이 200 : 임피던스 매칭박스
210 : 센서 220 : 제어부
230 : 구동수단 241 : 제1 마그네틱 코어
242 : 제2 마그네틱 코어 300 : 플라즈마 부하
400 : 반사파 검출부 500 : 주파수 튜닝회로부

Claims (4)

1. 고주파로 발진되는 RF 신호를 생성하는 플라즈마 파워 서플라이;
   상기 플라즈마 파워 서플라이로부터 발생된 RF 신호를 수용하여 피처리 대상물에 플라즈마를 이용한 처리를 수행하는 플라즈마 부하;
   상기 플라즈마 부하의 임피던스 변화에 의한 리액턴스 변화를 검출하는 센서;
   상기 플라즈마 파워 서플라이와 상기 플라즈마 부하 사이에 직렬 연결되는 제1 가변 인덕터(L1)와, 상기 제1 가변 인덕터의 일단과 접지 사이에 설치되어 상기 플라즈마 부하에 병렬 연결되는 제2 가변 인덕터(L2)를 포함하는 임피던스 매칭회로;
   상기 센서에서 검출된 신호에 따라 상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)를 구동하여 상기 임피던스 매칭회로의 임피던스를 제어하는 제어부;
   상기 플라즈마 부하로부터 반사되는 반사파를 측정하는 반사파 검출부; 및
   상기 반사파 검출부로부터 검출된 반사파의 주파수를 다수 개의 측정 포인트로 분할하여 1차 스캔하고 반사 에너지가 높게 측정되는 측정 포인트를 확인하는 예비 스캔 단계와, 상기 예비 스캔 단계에서 반사 에너지가 높게 측정된 측정 포인트를 기반으로 상세 스캔 대역을 설정하고 상기 상세 스캔 대역을 다수 개의 측정 포인트로 분할하여 2차 스캔하여 반사 에너지가 높게 측정되는 측정 포인트를 확인하는 상세 스캔 단계를 수행하며, 상기 상세 스캔 단계에서 반사 에너지가 설정된 기준값보다 높은 주파수 대역이 확인되면 상기 플라즈마 파워 서플라이의 RF 발진 주파수를 조절하는 주파수 튜닝회로부
   를 포함하며,
   상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)는 각각 말굽 형상을 가지며 말굽 형상의 양단이 대향 배치되고 각각 코일이 권취된 제1 마그네틱 코어 및 제2 마그네틱 코어와, 상기 제1 마그네틱 코어 및 상기 제2 마그네틱 코어의 상대적 위치를 가변시키는 구동수단을 포함하며,
   상기 제어부는 상기 센서에서 검출된 신호와 상기 반사파 검출부에서 검출된 상기 반사파의 주파수에 기반하여 상기 구동수단을 동작시켜 상기 제1 가변 인덕터(L1) 및 상기 제2 가변 인덕터(L2)의 인덕턴스를 가변시키는 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 임피던스 매칭회로는 상기 제1 가변 인덕터(L1)에 직렬로 연결되는 제1 커패시터(C1)와, 상기 제2 가변 인덕터(L2)에 직렬로 연결되는 제2 커패시터(C2)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템.
   
3. 삭제
4. 삭제

Images