JP2009246091A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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Abstract
【解決手段】このプラズマ処理装置では、バイアス制御用高周波(LF)のパワーをプロセスに応じた特性てパルス変調するだけでなく、LFパワーのパルス変調に同期してその周波数(LF周波数)もパルス変調する。すなわち、LFパワーとLF周波数との間に、1サイクル内で、LFパワーがHレベルの設定値PAを維持する期間TAの間はLF周波数もHレベルの設定値FAを維持し、LFパワーがレベルの設定値PBを維持する期間TBの間はLF周波数もLレベルの設定値FBを維持するような同期関係を持たせる。
【選択図】図1
Description
PB=PMB+J〜n ・・・・(1)
PA=PMA+J〜m ・・・・(2)
12 サセプタ(下部電極)
24 排気装置
28 (バイアス制御用)高周波電源
32 下部整合器
56 上部電極(シャワーヘッド)
70 (プラズマ生成用)高周波電源
72 上部整合回路
65 処理ガス供給部
80 制御部
82 発振器
84 パワーアンプ
90 整合回路
92 コントローラ
94 RFセンサ
100 ゲート回路
102 (プラズマ生成用)高周波電源
104 整合器
Claims (45)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する第1電極と、
前記処理容器内で前記第1電極の上に設定された処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で前記処理ガスを励起してプラズマを生成するプラズマ励起部と、
前記プラズマからイオンを前記被処理基板に引き込むために前記第1電極に第1高周波を印加する第1高周波給電部と、
前記第1高周波のパワーを所定の周期で変調する第1高周波パワー変調部と、
前記第1高周波のパワー変調に実質的に同期して前記第1高周波の周波数を変調する第1周波数変調部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記第1高周波パワー変調部は、1サイクルを第1、第2、第3および第4のステートに分割し、前記第1高周波のパワーが前記第1ステートでは第1パワー設定値を維持し、前記第2ステートでは前記第1パワー設定値からそれよりも高い第2パワー設定値に遷移し、前記第3ステートでは前記第2パワー設定値を維持し、前記第4ステートでは前記第2パワー設定値から前記第1パワー設定値に遷移するように、前記第1高周波のパワーを制御し、
前記第1周波数変調部は、前記第1高周波の周波数が前記第1ステートでは第1周波数設定値を維持し、前記第2ステートでは前記第1周波数設定値からそれよりも高い第2周波数設定値に遷移し、前記第3ステートでは第2周波数設定値を維持し、前記第4ステートでは前記第2周波数設定値から前記第1周波数設定値に遷移するように、前記第1高周波の周波数を制御する請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1高周波給電部が、
前記第1高周波を発生する第1高周波電源と、
前記第1高周波電源の出力端子と前記第1電極との間に電気的に接続された可変リアクタンス素子を含む整合回路と、前記整合回路を含めた負荷インピーダンスを測定するためのセンサと、前記センサの出力信号に応答して前記負荷インピーダンスを基準インピーダンスに一致させるように前記可変リアクタンス素子を可変するコントローラとを含む整合器と、
前記第1ステートまたは前記第3ステートのいずれか一方においてインピーダンスの整合がとれるように前記整合器を制御するマッチング制御部と
を有する請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極側から前記第1高周波電源へ伝送線路上を伝播してくる反射波のパワーを測定する反射波測定部を有する請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マッチング制御部が、前記第3ステートの中に設定された所定期間の間だけ前記センサの出力信号を前記コントローラにフィードバックさせる請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1周波数変調部は、前記第1ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように前記第1周波数設定値を選定する請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マッチング制御部が、前記第1ステートの中に設定された所定期間の間だけ前記センサの出力信号を前記コントローラにフィードバックさせる請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1周波数変調部は、前記第3ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように前記第3周波数設定値を選定する請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように、前記第1高周波パワー変調部が前記第1高周波のパワーを所定の立ち上がり特性で前記第1パワー設定値から前記第2パワー設定値に遷移させると同時に、前記第1周波数変調部が前記第1高周波の周波数を所定の立ち上がり特性で前記第1周波数設定値から前記第2周波数設定値に遷移させる請求項4〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第4ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように、前記第1高周波パワー変調部が前記第1高周波のパワーを所定の立ち下がり特性で前記第2パワー設定値から前記第1パワー設定値に遷移させると同時に、前記第1周波数変調部が前記第1高周波の周波数を所定の立ち下がり特性で前記第2周波数設定値から前記第1周波数設定値に遷移させる請求項4〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1高周波パワー変調部が、前記第1ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値に基づいて、後続の前記第1ステート中に負荷に供給されるロードパワーが目標値に一致するように前記第1パワー設定値を補正する請求項4〜10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1高周波パワー変調部が、前記第3ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値に基づいて、後続の前記第3ステート中に負荷に供給されるロードパワーが目標値に一致するように前記第3パワー設定値を補正する請求項4〜11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記反射波測定部より前記反射波パワーの測定値が移動平均値として与えられる請求項11または請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ励起部が、
前記処理容器内で前記第1電極と平行に向かい合って配置される第2電極と、
前記処理ガスのプラズマを生成するのに適した周波数の第2高周波を前記第2電極に印加する第2高周波給電部と
を有する請求項1〜13のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ励起部が、
前記処理容器内で前記第1電極と平行に向かい合って配置される第2電極と、
前記処理ガスのプラズマを生成するのに適した周波数の第2高周波を前記第1電極に印加する第2高周波給電部と
を有する請求項1〜13のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1高周波のパワー変調に実質的に同期して前記第2高周波の周波数を変調する第2周波数変調部を有する請求項14または請求項15に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1高周波のパワー変調に実質的に同期して前記第2高周波のパワーを変調する第2高周波パワー変調部を有する請求項14〜16のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で前記処理ガスを励起してプラズマを生成するために前記処理容器の中または近傍に配置された第1電極またはアンテナに第1高周波を印加する第1高周波給電部と、
前記第1高周波のパワーを所定の周期で変調する第1高周波パワー変調部と、
前記第1高周波のパワー変調に実質的に同期して前記第1高周波の周波数を変調する第1周波数変調部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記第1高周波パワー変調部は、1サイクルを第1、第2、第3および第4のステートに分割し、前記第1高周波のパワーが前記第1ステートでは第1パワー設定値を維持し、前記第2ステートでは前記第1パワー設定値からそれよりも高い第2パワー設定値に遷移し、前記第3ステートでは前記第2パワー設定値を維持し、前記第4ステートでは前記第2パワー設定値から前記第1パワー設定値に遷移するように、前記第1高周波のパワーを制御し、
前記第1周波数変調部は、前記第1高周波の周波数が前記第1ステートでは第1周波数設定値を維持し、前記第2ステートでは前記第1周波数設定値からそれよりも低い第2周波数設定値に遷移し、前記第3ステートでは第2周波数設定値を維持し、前記第4ステートでは前記第2周波数設定値から前記第1周波数設定値に遷移するように、前記第1高周波の周波数を制御する請求項18に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1高周波給電部が、
前記第1高周波を発生する第1高周波電源と、
前記第1高周波電源の出力端子と前記第1電極との間に電気的に接続された可変リアクタンス素子を含む整合回路と、前記整合回路を含めた負荷インピーダンスを測定するためのセンサと、前記センサの出力信号に応答して前記負荷インピーダンスを基準インピーダンスに一致させるように前記可変リアクタンス素子を可変するコントローラとを含む整合器と、
前記第1ステートまたは前記第3ステートのいずれか一方においてインピーダンスの整合がとれるように前記整合器を制御するマッチング制御部と
を有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極側から前記第1高周波電源へ伝送線路上を伝播してくる反射波のパワーを測定する反射波測定部を有する請求項20に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マッチング制御部が、前記第3ステートの中に設定された所定期間の間だけ前記センサの出力信号を前記コントローラにフィードバックさせる請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1周波数変調部は、前記第1ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように前記第1周波数設定値を選定する請求項22に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マッチング制御部が、前記第1ステートの中に設定された所定期間の間だけ前記センサの出力信号を前記コントローラにフィードバックさせる請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1周波数変調部は、前記第3ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように前記第3周波数設定値を選定する請求項24に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように、前記第1高周波パワー変調部が前記第1高周波のパワーを所定の立ち上がり特性で前記第1パワー設定値から前記第2パワー設定値に遷移させると同時に、前記第1周波数変調部が前記第1高周波の周波数を所定の立ち下がり特性で前記第1周波数設定値から前記第2周波数設定値に遷移させる請求項21〜25のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第4ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように、前記第1高周波パワー変調部が前記第1高周波のパワーを所定の立ち下がり特性で前記第2パワー設定値から前記第1パワー設定値に遷移させると同時に、前記第1周波数変調部が前記第1高周波の周波数を所定の立ち上がり特性で前記第2周波数設定値から前記第1周波数設定値に遷移させる請求項21〜26のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1高周波パワー変調部が、前記第1ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値に基づいて、後続の前記第1ステート中に負荷に供給されるロードパワーが目標値に一致するように前記第1パワー設定値を補正する請求項21〜27のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1高周波パワー変調部が、前記第3ステート中に前記反射波測定部より得られる反射波パワーの測定値に基づいて、後続の前記第3ステート中に負荷に供給されるロードパワーが目標値に一致するように前記第3パワー設定値を補正する請求項21〜28のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記反射波測定部より前記反射波パワーの測定値が移動平均値として与えられる請求項28または請求項29に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内で前記第1電極が被処理基板を支持する請求項18〜30のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内で前記第1電極が被処理基板を支持する第2電極と平行に向かい合う請求項18〜30のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマからイオンを前記基板に引き込むために前記第1電極に第2高周波を印加する第2高周波給電部を有する請求項31または請求項32に記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器の中またはその近傍に設けられた電極またはアンテナに印加する高周波のパワーを一定周期で変調するプラズマ処理方法であって、
前記高周波のパワー変調に実質的に同期して前記高周波の周波数を変調するプラズマ処理方法。 - 1サイクル内で、前記第1高周波のパワーおよび周波数を少なくとも2段階に同時に可変する請求項34に記載のプラズマ処理方法。
- 1サイクルを第1、第2、第3および第4のステートに分割し、
前記第1高周波のパワーを、前記第1ステートでは第1パワー設定値を維持し、前記第2ステートでは前記第1のパワー設定値から第2パワー設定値に遷移し、前記第3ステートでは前記第2パワー設定値を維持し、前記第4ステートでは前記第2パワー設定値から前記第1パワー設定値に遷移するように制御し、
前記第1高周波の周波数を、前記第1ステートでは第1周波数設定値を維持し、前記第2ステートでは前記第1周波数設定値から第2周波数設定値に遷移し、前記第3ステートでは第2周波数設定値を維持し、前記第4ステートでは前記第2周波数設定値から前記第1周波数設定値に遷移するように制御する請求項34または請求項35に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1ステートおよび前記第3ステートのうちの一方において、前記第1高周波を発生する第1高周波電源側のインピーダンスに前記プラズマを含む負荷側のインピーダンスを整合させる請求項36に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1ステートおよび前記第3ステートのうちの一方の中に設定された所定期間の間だけ負荷インピーダンスを測定し、前記負荷インピーダンスの測定値を基準インピーダンスに一致させるように、前記第1高周波電源の出力端子と前記第1電極との間に電気的に接続された整合回路内の可変リアクタンス素子を可変する請求項37に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1ステートおよび前記第3ステートのうちの他方において前記第1電極側から前記第1高周波電源へ伝送線路上を伝播してくる反射波のパワーを測定し、後続の当該ステート中に前記反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように前記第1の周波数設定値を選定する請求項38のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2ステート中に前記第1電極側から前記第1高周波電源へ伝送線路上を伝播してくる反射波のパワーを測定し、後続の前記第2ステート中に前記反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように、前記第1高周波のパワーを前記第1パワー設定値から前記第2パワー設定値に所定の立ち上がり特性で遷移させると同時に、前記第1高周波の周波数を前記第1周波数設定値から前記第2周波数設定値に所定の立ち上がり特性または立ち下がり特性で遷移させる請求項36〜39のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第4ステート中に前記第1電極側から前記第1高周波電源へ伝送線路上を伝播してくる反射波のパワーを測定し、後続の前記第4ステート中に前記反射波パワーの測定値が最小値またはその付近の値になるように、前記第2高周波のパワーを前記第2パワー設定値から前記第1パワー設定値に所定の立ち下がり特性で遷移させると同時に、前記第2高周波の周波数を前記第2周波数設定値から前記第1周波数設定値に所定の立ち下がり特性または立ち上がり特性で遷移させる請求項36〜40のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1ステート中に前記第1電極側から前記第1高周波電源へ伝送線路上を伝播してくる反射波のパワーを測定し、前記反射波パワーの測定値に基づいて後続の前記第1ステート中に負荷に供給されるロードパワーが目標値に一致するように前記第1パワー設定値を補正する請求項36〜41のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第3ステート中に前記第1電極側から前記第1高周波電源へ伝送線路上を伝播してくる反射波のパワーを測定し、前記反射波パワーの測定値に基づいて後続の前記第3ステート中に負荷に供給されるロードパワーが目標値に一致するように前記第3パワー設定値を補正する請求項36〜42のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記反射波パワーの測定値を移動平均値として求める請求項42または請求項43に記載のプラズマ処理方法。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項34〜44のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法が行われるようにプラズマ処理装置を制御することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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