JP2021518629A - 低角度拡散のマルチレベルパラメータおよび周波数パルス - Google Patents

Abstract

【解決手段】マルチレベルパルスのパラメータおよびマルチレベルパルスの周波数の無線周波数（ＲＦ）信号のためのシステムおよび方法が記載される。周波数が低レベルから高レベルにパルス化される間に、パラメータが低レベルから高レベルにパルス化される。パラメータおよび周波数は、同時にパルス化されて、ウエハを処理する速度を増加させ、マスク選択性を増加させ、プラズマチャンバ内のイオンの角度拡散を低減する。【選択図】図１

Description

本実施形態は、低角度拡散のマルチレベルパラメータおよびマルチレベル周波数パルスのためのシステムならびに方法に関する。

本明細書に記載の背景技術の説明は、本開示の内容を一般的に提示するためである。現在名前が挙げられている発明者の発明は、本背景技術欄、および出願時の先行技術に該当しない説明の態様において記載される範囲で、本開示に対する先行技術として明示的にも黙示的にも認められない。

プラズマツールは、無線周波数（ＲＦ）生成器、インピーダンス整合回路、およびプラズマチャンバを含む。ＲＦ生成器は、インピーダンス整合回路に供給される無線周波数波形を生成する。インピーダンス整合回路は、無線周波数波形を受信して、プラズマチャンバに供給される無線周波数信号を出力する。ウエハは、無線周波数信号がプロセスガスと共に供給されるときに生成されるプラズマによって、プラズマチャンバ内で処理される。例えば、ウエハは、無線周波数信号に従ってプラズマチャンバ内でエッチングされる。

ここでは、本開示で説明される実施形態が生じる。

本開示の実施形態は、低角度拡散のマルチレベルパラメータおよびマルチレベル周波数パルスのためのシステム、装置、方法、ならびにコンピュータプログラムを提供する。本開示は、様々な方法（例えば、プロセス、装置、システム、デバイス、またはコンピュータ可読媒体における方法）で実施されうることを理解されたい。以下に、いくつかの実施形態が説明される。

イオン（高エネルギイオンおよび低エネルギイオンの両方など）を生成するために、無線周波数（ＲＦ）バイアスは、例えば、１メガヘルツ（ＭＨｚ）の低周波で増加する。ＲＦバイアスは、連続的な波形を有する。低エネルギイオンは、低電圧を有するため、高角度拡散を有する。高角度拡散は、ウエハをエッチングするエッチング速度を低減させる。

ＲＦバイアス量の増加によって、高アスペクト比のエッチングが実現される。しかし、電力量の増加は、マスクの浸食を増加させる。また、ＲＦバイアス量を規定量より大きくする（例えば、約５キロボルトより大きい）ことは、プラズマシースが厚いため角度拡散を低減しない。

角度拡散は、５００ボルトより大きい高バイアス電圧などの複数の電圧レベルを用いることによって低減されるが、それでも低エネルギイオンは、約２００電子ボルト（ｅＶ）の比較的高エネルギを有する可能性がある。複数の周波数レベルの複数の電圧レベルを印加することは、低エネルギイオンのエネルギを１００電子ボルト未満に低減することに加えて、角度拡散を低減する。低減した角度拡散を有する低エネルギイオンは、マスク層を保護すると同時に、基板層をエッチングする。基板層は、マスク層に比べて低いエッチング閾値を有する。

複数の電圧レベルおよび高バイアス電圧の複数の周波数レベルが印加された場合は、低エネルギイオンおよび角度拡散のエネルギの低減が生じる。例えば、低周波レベルは低電圧レベルが印加され、高周波レベルは高電圧レベルが印加される。低周波レベルから高周波レベルへの遷移、および低電圧レベルから高電圧レベルへの遷移の後に、高周波数レベルおよび高電圧レベルによって高電場が低エネルギイオンに印加される。低エネルギイオンに関連したプラズマシースを変更するのに時間がかかるため、高電場は低エネルギイオンに印加される。高電圧レベルの間に、低電圧レベルの電圧の大きさは、低エネルギイオンに電圧昇圧を与える。また、低エネルギイオンは、電圧レベルが低いため低温を有する。高電場は、高電圧レベルを実質的に増加することなく低エネルギイオンの速度およびエネルギを増加させて、低エネルギイオンの指向性を増加させる、または低エネルギイオンの角度拡散を低減させる。例えば、角度拡散は、約２度から約１度などに低減される。指向性は、低エネルギイオンの低温によっても増加される。指向性の増加は、プラズマシースの貫通を促して、基板をエッチングするエッチング速度を増加させる。低エネルギイオンの角度拡散を低減するために、いくつかの複数電圧レベルおよび各電圧レベルのデューティサイクルが最適化される。

また、ＲＦ信号の高電圧レベルおよび高周波レベルは、低角度拡散を有する高エネルギイオンを生成する。低電圧レベルおよび低周波レベルは、高角度拡散を有する低エネルギイオンを生成する。高エネルギイオンは、基板のフィーチャをより速くエッチングし、低エネルギイオンは、マスク選択性を向上させる。

角度拡散の低減は、連続波形を印加することによって実現されるものと比べてマスク選択性を増加させ、連続波形を印加することによって実現されるものと比べて基板内の経路の限界寸法（厚さなど）を低減し、連続波形を印加することによって実現されるものと比べて基板のより優れた高アスペクト比エッチングを実現する。例えば、連続波形を用いたものと比べて、マスク選択性は約２０％以上向上し、エッチング速度は約４０％以上増加し、限界寸法は約１２％以上減少する。

いくつかの実施形態では、方法が説明される。この方法は、一定期間に複数のパラメータレベル間および複数の周波数レベル間で同時にパルス化するＲＦ信号を生成するようにＲＦ生成器を制御することを含む。複数のパラメータレベルは、第１のパラメータレベルおよび第２のパラメータレベルを含み、複数の周波数レベルは、第１の周波数レベルおよび第２の周波数レベルを含む。一定期間に、第１の周波数レベルから第２の周波数レベルへの遷移は、第１のパラメータレベルから第２のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こり、第２の周波数レベルから第１の周波数レベルへの遷移は、第２のパラメータレベルから第１のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こる。

様々な実施形態では、コントローラが説明される。コントローラは、一定期間に複数のパラメータレベル間および複数の周波数レベル間で同時にパルス化するＲＦ信号を生成するようＲＦ生成器を制御するように構成されたプロセッサを含む。複数のパラメータレベルは、第１のパラメータレベルおよび第２のパラメータレベルを含み、複数の周波数レベルは、第１の周波数レベルおよび第２の周波数レベルを含む。一定期間に、第１の周波数レベルから第２の周波数レベルへの遷移は、第１のパラメータレベルから第２のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こり、第２の周波数レベルから第１の周波数レベルへの遷移は、第２のパラメータレベルから第１のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こる。コントローラは、プロセッサに接続されたメモリデバイスを含む。

いくつかの実施形態では、システムが説明される。システムは、ＲＦ生成器およびＲＦ生成器に接続されたコントローラを含む。コントローラは、一定期間に複数のパラメータレベル間および複数の周波数レベル間に同時にパルス化するＲＦ信号を生成するようＲＦ生成器を制御するように構成されている。複数のパラメータレベルは、第１のパラメータレベルおよび第２のパラメータレベルを含む。複数の周波数レベルは、第１の周波数レベルおよび第２の周波数レベルを含む。一定期間に、第１の周波数レベルから第２の周波数レベルへの遷移は、第１のパラメータレベルから第２のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こり、第２の周波数レベルから第１の周波数レベルへの遷移は、第２のパラメータレベルから第１のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こる。

他の態様は、添付の図面と併せて挙げられる以下の発明を実施するための形態から明らかになるだろう。

実施形態は、添付の図面と併せて挙げられる以下の発明を実施するための形態を参照して十分に理解されうる。

マルチレベルパラメータパルスおよびマルチレベル周波数パルスの適用を表すシステムの実施形態図。

無線周波数（ＲＦ）生成器によって生成されるＲＦ信号の３レベルパルスのパラメータおよびＲＦ信号の２レベルパルスの周波数を表すグラフの実施形態。

ＲＦ信号の３レベルパルスのパラメータと比較する反転したＲＦ信号の２レベルパルスの周波数を表すグラフの実施形態。

ＲＦ信号の４レベルパルスのパラメータおよびＲＦ信号の２レベルパルスの周波数を表すグラフの実施形態。

ＲＦ信号の４レベルパルスのパラメータと比較する反転したＲＦ信号の２レベルパルスの周波数を表すグラフの実施形態。

ＲＦ信号の２レベルパルスの周波数およびＲＦ信号の４レベルパルスのパラメータを表すグラフの実施形態。

ＲＦ信号の４レベルパルスのパラメータと比較する反転したＲＦ信号の２レベルパルスの周波数を表すグラフの実施形態。

ＲＦ信号の５レベルパルスのパラメータおよびＲＦ信号の２レベルパルスの周波数を表すグラフの実施形態。

ＲＦ信号の５レベルパルスのパラメータと比較する反転したＲＦ信号の２レベルパルスの周波数を表すグラフの実施形態。

２００ボルトの連続波電圧信号がバイアス電圧としてウエハ支持体に印加されたときのプラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布を表すグラフの実施形態。

４００ボルトの連続波電圧信号がバイアス電圧としてウエハ支持体に印加されたときのプラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布を表すグラフの実施形態。

８００ボルトの連続波電圧信号がバイアス電圧としてウエハ支持体に印加されたときのプラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布を表すグラフの実施形態。

１６００ボルトの連続波電圧信号がバイアス電圧としてウエハ支持体に印加されたときのプラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布を表すグラフの実施形態。

連続波信号の電圧の増加に伴う角度分布の減少を表すグラフの実施形態。

３００ボルトの連続波電圧信号がウエハ支持体に印加されたときの角度分布に対するプラズマリアクタ内のプラズマイオンエネルギを表すグラフの実施形態。

２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号が基板支持体に印加され、ＲＦ信号が一定の周波数レベルを有するときの、プラズマチャンバ内のプラズマイオンエネルギを表すグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号が基板支持体に印加され、ＲＦ信号が一定の周波数レベルを有するときの、プラズマチャンバ内のプラズマイオンエネルギを表すグラフの実施形態。

２レベルパルスの周波数のＲＦ信号の印加に加えて、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号が基板支持体に印加されたときの、プラズマチャンバ内のプラズマイオンエネルギを表すグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号が基板支持体に印加され、ＲＦ信号が一定の周波数レベルを有するときの、プラズマチャンバ内のプラズマイオンエネルギを表すグラフの実施形態。

連続波電圧信号を用いて実現された角度分布と、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号を用いて実現された角度拡散との比較を表すグラフの実施形態。

連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定周波数レベルのＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定周波数レベルのＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定周波数レベルのＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定周波数レベルのＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号が基板支持体に印加されたときに生成されるグラフの実施形態。

２レベルパルスのパラメータおよび一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、基板支持体における時間ｔに対する直流（ＤＣ）バイアスを表すグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータおよび一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、基板支持体における時間ｔに対するＤＣバイアスを表すグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータおよび２レベルパルスの周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、基板支持体における時間ｔに対するＤＣバイアスを表すグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータおよび一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、基板支持体における時間ｔに対するＤＣバイアスを表すグラフの実施形態。

連続波電圧信号がウエハ支持体に印加されたときにプラズマリアクタ内で形成されるプラズマのシース電圧を表すグラフの実施形態。

２レベルパルスのパラメータおよび一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときにプラズチャンバ内で形成されるプラズマのシース電圧を表すグラフの実施形態。

４レベルパルスのパラメータおよび一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときにプラズチャンバ内で形成されるプラズマのシース電圧を表すグラフの実施形態。

マルチレベルパルスのパラメータおよび一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、基板支持体における時間ｔに対するＲＦ信号によるＤＣバイアスを表すグラフの実施形態。

マルチレベルパルスのパラメータおよび２レベルパルスの周波数が基板支持体に印加されたときの、基板支持体における時間ｔに対するＲＦ信号によるＤＣバイアスを表すグラフの実施形態。

連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときの、ウエハ全体の水平距離に対するウエハ全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、基板全体の水平距離に対する基板全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、基板全体の水平距離に対する基板全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号が基板支持体に印加されたときの、基板全体の水平距離に対する基板全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定の周波数レベルのＲＦ信号が基板支持体に印加されたときの、基板全体の水平距離に対する基板全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

マスク層が処理されないときの基板のマスク層全体の水平距離に対する基板のマスク層全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときの、マスク層全体の水平距離に対するマスク層全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、マスク層全体の水平距離に対するマスク層全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定の周波数レベルが基板支持体に印加されたときの、マスク層全体の水平距離に対するマスク層全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号が基板支持体に印加されたときの、マスク層全体の水平距離に対するマスク層全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号および一定の周波数レベルのＲＦ信号が基板支持体に印加されたときの、マスク層全体の水平距離に対するマスク層全体の垂直距離を表すグラフの実施形態。

マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号が一定の周波数レベルと共に印加されたとき、または、マルチレベルパルスのパラメータが２レベルパルスの周波数のＲＦ信号と共に印加されたときの、マスク浸食の減少を表すグラフの実施形態。

以下の実施形態は、低角度拡散のマルチレベルパラメータパルスおよびマルチレベル周波数パルスのためのシステムおよび方法を説明する。本実施形態がこれらの特定の詳細の一部または全てが無しに実施されてよいことは明らかだろう。他の例では、周知のプロセス動作は、本実施形態を不必要に曖昧にしないように詳細には説明されていない。

図１は、マルチレベルパラメータパルスおよびマルチレベル周波数パルスの適用を表すシステム１００の実施形態図である。システム１００は、無線周波数（ＲＦ）生成器ＲＦＧＡ、インピーダンス整合器１０４、プラズマチャンバ１１２、別のインピーダンス整合器１２０、別のＲＦ生成器ＲＦＧＢ、ホストコンピュータ１０６、ＲＦケーブル１２８、ＲＦ伝送路１２６、別のＲＦケーブル１３０、および別のＲＦ伝送路１３２を含む。ホストコンピュータ１０６の例は、デスクトップ型コンピュータ、ラップトップ型コンピュータ、サーバ、コントローラ、タブレット型端末、およびスマートフォンを含む。

本明細書に記載のインピーダンス整合器は、インピーダンス整合器の出力に接続された負荷のインピーダンスをインピーダンス整合器の入力に接続されたソースのインピーダンスと一致させるために、１つ以上の抵抗器、または１つ以上のコンデンサ、または１つ以上のインダクタ、またはこれらの組み合わせのネットワークを含む。インピーダンス整合器１０４の出力に接続された負荷の例は、プラズマチャンバ１１２およびＲＦ伝送路１２６を含む。また、インピーダンス整合器１０４の入力に接続されたソースの例は、ＲＦケーブル１２８およびＲＦ生成器ＲＦＧＡを含む。

ホストコンピュータ１０６は、プロセッサ１０８およびメモリデバイス１１０を含む。本明細書で用いられるプロセッサは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、またはプログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）、または中央処理装置（ＣＰＵ）、またはマイクロプロセッサ、またはマイクロコントローラである。本明細書で用いられるコントローラは、ＡＳＩＣ、またはＰＬＤ、またはＣＰＵ、またはマイクロプロセッサ、またはマイクロコントローラ、またはプロセッサである。メモリデバイスの例は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。例えば、メモリデバイスは、フラッシュメモリ、ハードディスク、または記憶装置などである。メモリデバイスは、コンピュータ可読媒体の一例である。

プラズマチャンバ１１２は、基板１１８が処理のために設置される基板支持体１１４を含む。プラズマチャンバ１１２は、誘電体窓１３４をさらに含む。基板支持体１１４の例は、静電チャックおよびウエハプラテンを含む。基板支持体１１４は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属からなる下部電極を含む。トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）コイルは、プラズマチャンバ１１２の外側で誘電体窓１３４の上方に設置される。

ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰＡ）、ならびに、複数のパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）、およびパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）（Ｎは０より大きい整数）を含む。本明細書で用いられるパラメータの例は、電圧および電力を含む。ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、さらに、複数の周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）および周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）（Ｍは２、３、４、または５などの０より大きい整数）を含む。ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、さらに、ドライバシステムＤＲＶＲＡおよびＲＦ電源１０２を含む。本明細書で用いられるドライバシステムの例は、１つ以上のトランジスタを含む。本明細書で用いられるドライバシステムの別の例は、増幅器に接続される１つ以上のトランジスタを含む。本明細書で用いられるＲＦ電源の例は、４００キロヘルツ（ｋＨｚ）から１００メガヘルツ（ＭＨｚ）を含む範囲などの周波数で正弦信号を生成するＲＦ発振器を含む。

デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）ないしパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）に接続され、周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）ないし周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）に接続されている。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）ないしパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）の各々、および周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）ないし周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）の各々は、ドライバシステムＤＲＶＲＡに接続され、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、ＲＦ電源１０２に接続されている。プロセッサ１０８は、メモリデバイス１１０およびデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに接続されている。

ＲＦ電源１０２は、ＲＦケーブル１１２を介してインピーダンス整合器１０４の入力に接続されている。インピーダンス整合器１０２の出力は、基板支持体１１４に接続されている。ＲＦ生成器ＲＦＧＢは、ＲＦケーブル１３２を介してインピーダンス整合器１２０に接続されたＲＦ電源を含み、インピーダンス整合器１２０は、ＲＦ伝送路１３２を介してＴＣＰコイル１１６に接続されている。

ＲＦ生成器ＲＦＧＢのＲＦ電源は、正弦信号などのＲＦ信号１４４を生成し、ＲＦケーブル１３０を介してインピーダンス整合器１２０にＲＦ信号１４４を供給する。例えば、プロセッサ１０８は、接続媒体１４８を介してＲＦ信号１４４のパラメータレベルおよび周波数レベルをＲＦ生成器ＲＦＧＢに送信する。接続媒体１４８は、プロセッサ１０８をＲＦ生成器ＲＦＧＢに接続する。ＲＦ生成器ＲＦＧＢは、プロセッサ１０８からパラメータレベルおよび周波数レベルを受信すると、そのパラメータレベルおよび周波数レベルを有するＲＦ信号１４４を生成する。本明細書で用いられる接続媒体の例は、コンダクタまたはコンダクタの群である。例えば、接続媒体は、シリアル転送ケーブル、パラレル転送ケーブル、またはユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）ケーブルである。

ＲＦ信号１４４は、連続波信号である。例えば、ＲＦ信号１４４は、１つの状態から別の状態にパルス化されない。別の例として、ＲＦ信号１４４のパラメータレベルの全ての電力の大きさは、１８％、１９％、または２０％などの既定範囲内である。例えば、ＲＦ信号１４４のパラメータレベルの最低パラメータの大きさは、ＲＦ信号１４４のパラメータレベルの最高パラメータの大きさより２０％低い。さらに別の例として、ＲＦ信号１４４は、単一パラメータレベルを有する。

インピーダンス整合器１２０は、インピーダンス整合器１２０の出力に接続された負荷（ＲＦ伝送路１３２およびプラズマチャンバ１１２など）のインピーダンスを、インピーダンス整合器１２０の入力に接続されたソース（ＲＦケーブル１３０およびＲＦ生成器ＲＦＧＢなど）のインピーダンスと一致させて、修正ＲＦ信号１４６を生成する。修正ＲＦ信号１４６は、ＲＦケーブル１３０を介して受信されたＲＦ信号１４４から生成される。インピーダンス整合器１２０から出力された修正ＲＦ信号は、ＲＦ伝送路１３２を通ってＴＣＰコイル１１６に供給される。

また、プロセッサ１０８は、クロック信号などのデジタルパルス信号１３６を生成し、デジタルパルス信号１３６をデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに提供する。さらに、プロセッサ１０８は、別のデジタルパルス信号１３８を生成し、デジタルパルス信号１３８をデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに提供する。デジタルパルス信号１３６は、接続媒体１４２を介してデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに供給される。同様に、デジタルパルス信号１３８は、別の接続媒体１４２を介してデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに供給される。接続媒体１４０は、プロセッサ１０８をデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに接続し、接続媒体１４２は、プロセッサ１０８をデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに接続する。

デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６を受信すると、デジタルパルス信号１３６の発生状態を特定する。例えば、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６のロジックレベルが既定閾値より高いか低いかかを決定する。デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６のロジックレベルが既定閾値より高いことを決定すると、デジタルパルス信号１３６の発生状態がＳ１であると特定する。一方、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６のロジックレベルが既定閾値より低いことを決定すると、デジタルパルス信号１３６の発生状態がＳ０であると特定する。別の例として、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６のロジックレベルが０か１かを決定する。デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６のロジックレベルが１であることを決定すると、デジタルパルス信号１３６の発生状態がＳ１であると特定する。一方、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６のロジックレベルが０であることを決定すると、デジタルパルス信号１３６の発生状態がＳ０であると特定する。

同様に、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８を受信すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態を特定する。例えば、デジタルパルス信号１３８が５つの状態を有するときは、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが第１の既定範囲、第２の既定範囲、第３の既定範囲、第４の既定範囲、または第５の既定範囲にあるかどうかを決定する。デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが第１の既定範囲内であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ１であると特定する。同様に、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが第２の既定範囲内であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ２であると特定する。また、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが第３の既定範囲内であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ３であると特定する。さらに、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが第４の既定範囲内であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ４であると特定する。デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが第５の既定範囲内であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ５であると特定する。

別の例として、デジタルパルス信号１３８が５つの状態を有するときは、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが１、２、３、４、または５かどうかを決定する。デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが１であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ１であると特定する。同様に、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが２であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ２であると特定する。また、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが３であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ３であると特定する。さらに、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが４であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ４であると特定する。デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３８のロジックレベルが５であることを決定すると、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ５であると特定する。

デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタルパルス信号１３６の発生状態がＳ０であるとの特定に応答して、周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）に信号を送信する。周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）は、デジタルパルス信号１３６の発生状態Ｓ０の間に信号を受信すると、周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）内に格納された周波数レベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにその周波数レベルを提供する。周波数レベルは、本明細書に記載の周波数制御装置内（周波数制御装置のメモリデバイス内）に格納され、周波数レベルは、周波数制御装置のプロセッサによって周波数制御装置のメモリデバイスからアクセスされることに注意されたい。周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）に格納された周波数レベルの例は、以下にさらに詳細に説明される周波数レベルｆ１を含む。

同様に、デジタルパルス信号１３６の発生状態がＳ１であるとの特定に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）に信号を送信する。周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）は、デジタルパルス信号１３６の発生状態Ｓ０の間に信号を受信すると、周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）内に格納された周波数レベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにその周波数レベルを提供する。周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）に格納された周波数レベルの例は、以下にさらに詳細に説明される周波数レベルｆ２を含む。

また、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ１であるとの特定に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）に信号を送信する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１の発生の間に信号を受信すると、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）内に格納されたパラメータレベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにそのパラメータレベルを提供する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）に格納された、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１についてのパラメータレベルの例は、以下にさらに詳細に説明される、パラメータレベルＰＲ１（図２Ａおよび図２Ｂ）、パラメータレベルＰＲ１１（図３Ａ〜図３Ｄ）、およびパラメータレベルＰＲ１１１（図４Ａおよび図４Ｂ）を含む。

同様に、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ２であるとの特定に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−３）に信号を送信する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−３）は、デジタルパルス信号１３８の発生状態Ｓ２の間に信号を受信すると、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−３）内に格納されたパラメータレベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにそのパラメータレベルを提供する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−３）に格納された、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ２についてのパラメータレベルの例は、以下にさらに詳細に説明される、パラメータレベルＰＲ２（図２Ａおよび図２Ｂ）、パラメータレベルＰＲ２１（図３Ａ〜図３Ｄ）、およびパラメータレベルＰＲ２１１（図４Ａおよび図４Ｂ）を含む。

また、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ３であるとの特定に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−２）に信号を送信する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−２）は、デジタルパルス信号１３８の発生状態Ｓ３の間に信号を受信すると、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−２）内に格納されたパラメータレベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにそのパラメータレベルを提供する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−２）に格納された、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ３についてのパラメータレベルの例は、以下にさらに詳細に説明される、パラメータレベルＰＲ３（図２Ａおよび図２Ｂ）、パラメータレベルＰＲ３１（図３Ａ〜図３Ｄ）、およびパラメータレベルＰＲ３１１（図４Ａおよび図４Ｂ）を含む。

さらに、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ４であるとの特定に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）に信号を送信する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）は、デジタルパルス信号１３８の発生状態Ｓ４の間に信号を受信すると、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）内に格納されたパラメータレベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにそのパラメータレベルを提供する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）に格納された、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ４についてのパラメータレベルの例は、以下にさらに詳細に説明される、パラメータレベルＰＲ４１（図３Ａ〜図３Ｄ）およびパラメータレベルＰＲ４１１（図４Ａおよび図４Ｂ）を含む。

デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ５であるとの特定に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）に信号を送信する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）は、デジタルパルス信号１３８の発生状態Ｓ５の間に信号を受信すると、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）内に格納されたパラメータレベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにそのパラメータレベルを提供する。パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）に格納された、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ５についてのパラメータレベルの例は、以下にさらに詳細に説明されるパラメータレベルＰＲ５１１（図４Ａおよび図４Ｂ）を含む。

デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１の発生の間に、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、パラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ１１、またはパラメータレベルＰＲ１１１に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２に電流信号を提供する。また、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１の発生の間にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１の発生の間、パラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ１１、またはパラメータレベルＰＲ１１１を有する。

同様に、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ２の発生の間に、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、パラメータレベルＰＲ２、パラメータレベルＰＲ２１、またはパラメータレベルＰＲ２１１に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２に電流信号を提供する。また、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ２の発生の間にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ２の発生の間、パラメータレベルＰＲ２、パラメータレベルＰＲ２１、またはパラメータレベルＰＲ２１１を有する。

また、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ３の発生の間に、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、パラメータレベルＰＲ３、パラメータレベルＰＲ３１、またはパラメータレベルＰＲ３１１に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２に電流信号を提供する。加えて、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ３の発生の間にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ３の発生の間、パラメータレベルＰＲ３、パラメータレベルＰＲ３１、またはパラメータレベルＰＲ３１１を有する。

さらに、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ４の発生の間に、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、パラメータレベルＰＲ４１またはパラメータレベルＰＲ４１１に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２に電流信号を提供する。また、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ４の発生の間にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ４の発生の間、パラメータレベルＰＲ４１またはパラメータレベルＰＲ４１１を有する。

また、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ５の発生の間に、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、パラメータレベルＰＲ５１１に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２に電流信号を提供する。加えて、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ５の発生の間にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ５の発生の間、パラメータレベルＰＲ５１１を有する。

デジタルパルス信号１３６の状態Ｓ０の発生の間に、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、周波数レベルｆ０に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２に電流信号を提供する。また、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３６の状態Ｓ０の発生の間にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３６の状態Ｓ０の発生の間、周波数レベルｆ０を有する。

同様に、デジタルパルス信号１３６の状態Ｓ１の発生の間に、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、周波数レベルｆ１に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２に電流信号を提供する。また、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３６の状態Ｓ１の発生の間にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３６の状態Ｓ１の発生の間、周波数レベルｆ１を有する。

インピーダンス整合器１０４は、ＲＦケーブル１２８を通じてＲＦ信号１２２を受信し、インピーダンス整合器１０４の出力に接続された負荷のインピーダンスをインピーダンス整合器１０４の入力に接続されたソースのインピーダンスと一致させて、修正ＲＦ信号１２４を生成する。修正ＲＦ信号１２４は、インピーダンス整合器１０４の出力から基板支持体１１４に供給される。例えば、修正ＲＦ信号１２４は、ＲＦ伝送路１２６によって基板支持体１１４の下部電極に供給される。

修正ＲＦ信号１４６および修正ＲＦ信号１２４の供給に加えて、１つ以上のプロセスガスがプラズマチャンバ１２２に供給されるときは、プラズマは、基板１１８を処理するためにプラズマチャンバ１１２内において発生されるまたは維持される。１つ以上のプロセスガスの例は、Ｏ₂などの酸素含有ガスを含む。１つ以上のプロセスガスの他の例は、フッ素含有ガス（例えば、テトラフルオロメタン（ＣＦ₄）、六フッ化硫黄（ＳＦ₆）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ₂Ｆ₆）など）を含む。基板１１９の処理の例は、基板１１８の上に材料を堆積することと、基板１１８をエッチングすることと、基板１１８を洗浄することと、基板１１８をスパッタリングすることとを含む。

いくつかの実施形態では、本明細書に記載のインピーダンス整合器は、インピーダンス整合回路またはインピーダンス整合ネットワークを意味する。

様々な実施形態では、任意の数（２つ、３つ、または４つなど）のＴＣＰコイルが誘電体窓１３４の上方に設置される。いくつかの実施形態では、１つ以上のＴＣＰコイルがプラズマチャンバ１１２の側壁に隣接して設置される。

いくつかの実施形態では、ＴＣＰプラズマチャンバであるプラズマチャンバ１１２ではなく、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）チャンバが用いられる。ＣＣＰチャンバは、容量性プレートなどの上部電極、およびチャックを含む。チャックは、上部電極に面する。上部電極は、ＲＦ伝送路１３２に接続されている。上部電極は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属からなる。

いくつかの実施形態では、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）ないしパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）、周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）ないし周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）、およびデジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、ＲＦ生成器ＲＦＧＡの制御装置の一部である。例えば、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）ないしパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）、周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ−Ｍ）ないし周波数制御装置ＦＣＳ（ｍ）、およびデジタル信号プロセッサＤＳＰＡによって実施される本明細書に記載の機能は、ＲＦ生成器ＲＦＧＡの制御装置によって実施される。

様々な実施形態では、プロセッサ１０８ではなく、クロック発振器または電子発振器などのクロックソースがデジタルパルス信号１３６を生成する。

いくつかの実施形態では、ＴＣＰコイル１１６は、プラズマチャンバ１１２の一部とみなされる。

いくつかの実施形態では、デジタルパルス信号１３８が状態Ｓ４および状態Ｓ５のない状態Ｓ１ないし状態Ｓ３の３つの状態を有するときは、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡが状態Ｓ４および状態Ｓ５を特定しないこと以外は、デジタルパルス信号がデジタルパルス信号１３８の５つの状態を特定するのと同じ方法で、３つの状態がＳ１、Ｓ２、およびＳ３であると特定する。また、様々な実施形態では、デジタルパルス信号１３８が状態Ｓ５のない状態Ｓ１ないし状態Ｓ４の４つの状態を有するときは、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡが状態Ｓ５を特定しないこと以外は、デジタルパルス信号がデジタルパルス信号１３８の５つの状態を特定するのと同じ方法で、４つの状態がＳ１、Ｓ２、Ｓ３、およびＳ４であると特定する。

様々な実施形態では、デジタルパルス信号１３８が状態Ｓ４および状態Ｓ５のない状態Ｓ１ないしＳ３の３つの状態を有するときは、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ１、Ｓ２、またはＳ３であるとの特定に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）、およびパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）のうちの対応する１つに信号を送信する。対応するパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）、またはパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１、状態Ｓ２、または状態Ｓ３の発生中に信号を受信すると、パラメータ制御装置に格納されたパラメータレベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにパラメータレベルを提供する。いくつかの実施形態では、デジタルパルス信号１３８が状態Ｓ５のない状態Ｓ１ないし状態Ｓ４の４つの状態を有するときは、デジタルパルス信号１３８の発生状態がＳ１、Ｓ２、Ｓ３、またはＳ４であるとの認識に応答して、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡは、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−２）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）、およびパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）のうちの対応する１つに信号を送信する。対応するパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−２）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）、およびパラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１、状態Ｓ２、状態Ｓ３、または状態Ｓ４の発生中に信号を受信すると、パラメータ制御装置に格納されたパラメータレベルにアクセスし、ドライバシステムＤＲＶＲＡにパラメータレベルを提供する。

様々な実施形態では、デジタルパルス信号１３８が状態Ｓ４および状態Ｓ５のない状態Ｓ１ないし状態Ｓ３の３つの状態を有するときは、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ３の３つの状態のうちの１つの発生中に、パラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ２、およびパラメータレベルＰＲ３のうちの対応する１つに基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２にその電源信号を提供する。また、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ３の３つの状態のうちの１つの発生中に、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ３の３つの状態のうちの１つの発生中にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受信すると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ３の３つの状態のうちの１つの発生中に、パラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ２、およびパラメータレベルＰＲ３のうちの対応する１つを有する。

いくつかの実施形態では、デジタルパルス信号１３８が状態Ｓ５のない状態Ｓ１ないし状態Ｓ４の４つの状態を有するときは、ドライバシステムＤＲＶＲＡは、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ４の４つの状態のうちの１つの発生中に、パラメータレベルＰＲ１１、パラメータレベルＰＲ２１、パラメータレベルＰＲ３１、およびパラメータレベルＰＲ４１のうちの対応する１つに基づいて電流信号を生成し、ＲＦ電源１０２にその電流信号を提供する。また、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ４の４つの状態のうちの１つの発生中に、ＲＦ電源１０２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ４の４つの状態のうちの１つの発生中にドライバシステムＤＲＶＲＡから電流信号を受け取ると、ＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、デジタルパルス信号１３８の状態Ｓ１ないし状態Ｓ４の４つの状態のうちの１つの発生中に、パラメータレベルＰＲ１１、パラメータレベルＰＲ２１、パラメータレベルＰＲ３１、およびパラメータレベルＰＲ４１のうちの対応する１つを有する。

いくつかの実施形態では、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、ＲＦケーブル１２８、インピーダンス整合器１０４、およびＲＦ伝送路１２６を介して、基板支持体１１４にではなくＴＣＰコイル１１６に接続される。また、ＲＦ生成器ＲＦＧＢは、ＲＦケーブル１４８、インピーダンス整合器１２０、およびＲＦ伝送路１３２を介して、ＴＣＰコイル１１６にではなく基板支持体１１４に接続される。例えば、修正ＲＦ信号１２４は、基板支持体１１４ではなくＴＣＰコイル１１６に供給される。また、修正ＲＦ信号１４６は、ＴＣＰコイル１１６ではなく基板支持体１１４に供給される。

様々な実施形態では、ＴＣＰコイルは、ＲＦ生成器ＲＦＧＢではなく接地電位に接続される。

いくつかの実施形態では、ＲＦ生成器ＲＦＧＡはＴＣＰコイル１１６に接続され、基板支持体１１４は接地電位に接続される。

いくつかの実施形態では、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡ、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）ないしラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）、および周波数制御装置ＦＣＳ（ｎ−Ｎ）ないし周波数制御装置ＦＣＳ（ｎ）の組み合わせは、本明細書では時にコントローラを意味する。例えば、デジタル信号プロセッサＤＳＰＡ、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−Ｎ）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ−１）、パラメータ制御装置ＰＲＡＳ（ｎ）、周波数制御装置ＦＣＳ（ｎ−Ｎ）、および周波数制御装置ＦＣＳ（ｎ）の各々は、ハードウェア回路またはソフトウェアモジュールなど、コントローラの一部である。

様々な実施形態では、本明細書に記載のＲＦ信号１２２の任意のパラメータレベルは、プロセッサ１０８から接続媒体１４２または別の接続媒体を介してデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに提供される。いくつかの実施形態では、本明細書に記載のＲＦ信号１２２の任意の周波数レベルは、プロセッサ１０８から接続媒体１４０または別の接続媒体を介してデジタル信号プロセッサＤＳＰＡに提供される。本明細書に記載のＲＦ信号１２２のパラメータレベルおよび周波数レベルは、メモリデバイス１１０に格納される。

図２Ａは、ＲＦ生成器ＲＦＧＡ（図１）によって生成された３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）、および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２を表すグラフ２０２、グラフ２０６、グラフ２１０、およびグラフ２１４の実施形態を示す。グラフ２０２は、デジタルパルス信号２０４の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号２０４は、図１のデジタルパルス信号１３８の例である。

状態Ｓ１の間、グラフ２０２は１のロジックレベルを有する。また、状態Ｓ２の間、グラフ２０２は２のロジックレベルを有する。さらに、状態Ｓ３間、グラフ２０２は３のロジックレベルを有する。例えば、０からｔ１２の期間中のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは１であり、ｔ１２からｔ２２の期間中のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは２であり、ｔ２２からｔ３２の期間中のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは３である。

デジタルパルス信号２０４の状態Ｓ１から状態Ｓ３は、時間ｔ３２の後に定期的に繰り返す。例えば、時間ｔ３２から時間ｔ４２の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは１であり、時間ｔ４２から時間ｔ５２の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは２であり、時間ｔ５２から時間ｔ６２の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは３である。別の例として、時間ｔ６２から時間ｔ７２の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは１であり、時間ｔ７２から時間ｔ８２の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは２であり、時間ｔ８２から時間ｔ９２の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは３である。

状態Ｓ１の間のデジタルパルス信号２０４のデューティサイクルは、ｐ％（ｐは、１００未満の正の実数）であることに注意されたい。例えば、ｐ％は、２０％から４０％を含む範囲である。また、状態Ｓ２の間のデジタルパルス信号２０４のデューティサイクルは、ｑ％（ｑは、１００％未満の正の実数）である。例えば、ｑ％は、２０％から４０％を含む範囲である。加えて、状態Ｓ３の間のデジタルパルス信号２０４のデューティサイクルは、（１００−ｐ−ｑ）％である。例えば、状態Ｓ３の間のデジタルパルス信号２０４のデューティサイクルは、２０％から４０％を含む範囲である。デジタルパルス信号２０４の状態Ｓ１から状態Ｓ３のデューティサイクルは、デジタルパルス信号２０４の１回のサイクル発生である１００％に増えることに注意されたい。

グラフ２０６は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号２０８の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号２０８は、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有する。例えば、デジタルパルス信号２０８は、時間０から時間ｔ１２の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ１２から時間ｔ３２の期間に１のロジックレベルを有する。

デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ３２の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ３２から時間ｔ４２の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ４２から時間ｔ６２の期間に１のロジックレベルを有し、ｔ６２から時間ｔ７２の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ７２から時間ｔ９２の期間に１のロジックレベルを有する。

グラフ２１０は、図１のＲＦ信号１２２のパラメータ２１２の時間ｔに対するパラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ２、およびパラメータレベルＰＲ３を表す。パラメータ２１２は、デジタルパルス信号２０４と同時発生（例えば、実質的に同期）する。例えば、パラメータ２１２は、時間０から時間ｔ１２の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ１２から時間ｔ２２の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ２２から時間ｔ３２の期間に状態Ｓ３を有する。例えば、パラメータ２１２は、時間０から時間ｔ１２の期間にパラメータレベルＰＲ１を有し、時間ｔ１２から時間ｔ２２の期間にパラメータレベルＰＲ２を有し、時間ｔ２２から時間ｔ３２の期間にパラメータレベルＰＲ３を有する。

別の例として、パラメータ２１２は、デジタルパルス信号２０４がロジックレベル１からロジックレベル２に遷移する時間ｔ１２において、または時間ｔ１２から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ１からパラメータレベルＰＲ２に遷移する。さらに別の例として、パラメータ２１２は、デジタルパルス信号２０４がロジックレベル２からロジックレベル３に遷移する時間ｔ２２において、または時間ｔ２２から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ２からパラメータレベルＰＲ３に遷移する。別の例として、パラメータ２１２は、デジタルパルス信号２０４がロジックレベル３からロジックレベル１に遷移する時間ｔ３２において、または時間ｔ３２から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ３からパラメータレベルＰＲ１に遷移する。本明細書で用いられる一定時間からの既定期間の例は、その時間から０〜１０％以内の期間である。例えば、時間ｔ３２からの既定期間は、時間ｔ３２から１〜１０％以内である。別の例として、時間ｔ１２からの既定期間は、時間ｔ１２から１〜１０％以内である。

別の例として、パラメータレベルＰＲ１からパラメータレベルＰＲ３は、時間ｔ３２の後に定期的に繰り返す。例えば、パラメータ２１２は、時間ｔ３２から時間ｔ４２の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ４２から時間ｔ５２の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ５２から時間ｔ６２の期間に状態Ｓ３を有する。別の例として、パラメータ２１２は、時間ｔ６２から時間ｔ７２の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ７２から時間ｔ８２の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ８２から時間ｔ９２の期間に状態Ｓ３を有する。別の例として、パラメータ２１２は、デジタルパルス信号２０４がロジックレベル１からロジックレベル２に遷移する時間ｔ４２において、または時間ｔ４２から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ１からパラメータレベルＰＲ２に遷移する。さらに別の例として、パラメータ２１２は、デジタルパルス信号２０４がロジックレベル２からロジックレベル３に遷移する時間ｔ５２において、または時間ｔ５２から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ２からパラメータレベルＰＲ３に遷移する。別の例として、パラメータ２１２は、デジタルパルス信号２０４がロジックレベル３からロジックレベル１に遷移する時間ｔ６２において、または時間ｔ６２から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ３からパラメータレベルＰＲ１に遷移する。

パラメータレベルＰＲ１からパラメータレベルＰＲ３までは段階的な増加がある。例えば、パラメータレベルＰＲ２はパラメータレベルＰＲ１より大きく、パラメータレベルＰＲ３はパラメータレベルＰＲ２より大きい。

パラメータレベルＰＲ１の例は、図１の基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のａ１％である。ａ１％の例は、０％から３５％を含む範囲である。同様に、パラメータレベルＰＲ２の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のｂ１％である。ｂ１％の例は、３５％から７０％を含む範囲である。また、パラメータレベルＰＲ３の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のｃ１％である。ｃ１％の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量の７０％から１００％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ３の別の例は、５ボルトから２キロボルト（ｋＶ）を含む範囲である。例として、ＲＦ生成器ＲＦＧＡが最大の大きさのパラメータを有するＲＦ信号１２２を生成するときに、最大量のバイアス電圧が基板支持体１１４に供給される。この例では、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、最大の大きさのパラメータより大きい大きさは生成できない。

パラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ２、およびパラメータレベルＰＲ３のうちの任意の２つの連続するパラメータレベル間の差は、１５％から３５％を含む範囲であることに注意されたい。例えば、パラメータレベルＰＲ２は、パラメータレベルＰＲ１より少なくとも２０％大きく、パラメータレベルＰＲ３は、パラメータレベルＰＲ２より少なくとも２０％大きい。別の例として、パラメータレベルＰＲ１からパラメータレベルＰＲ２への増加、またはパラメータレベルＰＲ２からパラメータレベルＰＲ３のパラメータレベルへの増加は、３０％から３５％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ２は、パラメータレベルＰＲ１に連続する。同様に、パラメータレベルＰＲ３は、パラメータレベルＰＲ２に連続する。

グラフ２１４は、ＲＦ信号１２２の周波数２１６の時間ｔに対する周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２を表す。周波数レベルｆ１は、０．８メガヘルツから２メガヘルツの範囲である。例えば、周波数レベルｆ１は、１メガヘルツである。周波数レベルｆ２は、１０メガヘルツから１４メガヘルツの範囲である。例えば、周波数レベルｆ２は、１０メガヘルツから１３．５メガヘルツを含む範囲である。

周波数２１６は、デジタルパルス信号２０８と同時発生（例えば、実質的に同期）する。例えば、周波数２１６は、状態Ｓ０の間は周波数レベルｆ１にあり、状態Ｓ１の間は周波数レベルｆ２にある。例えば、周波数２１６は、時間０から時間ｔ１２の期間は周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ１２から時間ｔ３２の期間は周波数レベルｆ２にある。別の例として、周波数２１６は、デジタルパルス信号２０８がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ１２において、または時間ｔ１２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。さらに別の例として、周波数２１６は、デジタルパルス信号２０８がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ３２において、または時間ｔ３２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。

別の例として、周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２は、時間ｔ３２の後に定期的に繰り返す。例えば、周波数２１６は、時間ｔ３２から時間ｔ４２の期間に周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ４２から時間ｔ６２の期間に周波数レベルｆ２にある。別の例として、周波数２１６は、時間ｔ６２から時間ｔ７２の期間に周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ７２から時間ｔ９２の期間に周波数レベルｆ２にある。別の例として、周波数２１６は、デジタルパルス信号２０８がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ４２において、または時間ｔ４２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。さらに別の例として、周波数２１６は、デジタルパルス信号２０８がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ６２において、または時間ｔ６２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。

周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との差は、既定範囲より大きい。例として、周波数レベルｆ２は、周波数レベルｆ１より少なくとも２０％大きい。例えば、周波数レベルｆ１の例は、４００ｋＨｚから２ＭＨｚを含む範囲であり、周波数レベルｆ２の例は、１０ＭＨｚから１３ＭＨｚを含む範囲である。

周波数２１６の低レベルでのパルス化と同時にパラメータ２１２が低レベルでパルス化され、周波数２１６の高レベルでのパルス化と同時にパラメータ２１２が高レベルでパルス化されるときは、図１のプラズマチャンバ１１２内部でプラズマイオンの角度拡散が低減する。角度拡散の低減は、図１の基板１１８のエッチングなどの処理の速度を増加させる。低レベルの周波数２１６の例は、周波数レベルｆ１であり、高レベルの周波数２１６は、周波数レベルｆ１である。低レベルのパラメータ２１２の例は、パラメータレベルＰＲ１であり、高レベルのパラメータ２１２の例は、パラメータレベルＰＲ３である。

いくつかの実施形態では、周波数２１６が周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化する代わりに、ＲＦ信号１２２は、一定の周波数レベルを有する。例えば、一定周波数レベルの任意の２つの値の差は、既定範囲未満である。例えば、一定周波数レベルの最高値は、一定周波数レベルの最低値から最大で２０％である。

様々な実施形態では、周波数２１６のデューティサイクルは、図２Ａに表されたものと異なる。例えば、周波数２１６のデューティサイクルは、６６．６６％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

図２Ｂは、図１のＲＦ信号１２２のパラメータ２１２のパルスと比較したＲＦ信号１２２の周波数２２４の反転パルスを表すグラフ２０２およびグラフ２１０ならびにグラフ２１８およびグラフ２２２の実施形態を示す。

グラフ２１８は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号２２０の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号２２０は、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有し、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、図２Ａのデジタルパルス信号２０８に対して反転してパルス化される。例えば、デジタルパルス信号２２０は、時間０から時間ｔ１２の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ１２から時間ｔ３２の期間に０のロジックレベルを有する。

デジタルパルス信号２２０は、時間ｔ３２の後は状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号２２０は、時間ｔ３２から時間ｔ４２の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ４２から時間ｔ６２の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ６２から時間ｔ７２の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ７２から時間ｔ９２の期間に０のロジックレベルを有する。

グラフ２２２は、ＲＦ信号１２２の時間ｔに対する周波数２２４を表す。周波数２２４は、デジタルパルス信号２２０と同時発生（例えば、実質的に同期）し、図２Ａの周波数２１６に対して反転してパルス化される。例えば、周波数２２４は、時間０から時間ｔ１２の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ１２から時間ｔ３２の期間に状態Ｓ０を有する。例えば、周波数２２４は、時間０から時間ｔ１２の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ１２から時間ｔ３２の期間に周波数レベルｆ１を有する。別の例として、周波数２２４は、デジタルパルス信号２２０がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ１２において、または時間ｔ１２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。さらに別の例として、周波数２２４は、デジタルパルス信号２２０がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ３２において、または時間ｔ３２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。

周波数２２４は、時間ｔ３２の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、周波数２２４は、時間ｔ３２から時間ｔ４２の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ４２から時間ｔ６２の期間に周波数レベルｆ１を有し、時間ｔ６２から時間ｔ７２の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ７２から時間ｔ９２の期間に周波数レベルｆ１を有する。

パラメータ２１２が低レベルでパルス化されるときは、周波数２２４は、周波数レベルｆ２などの高レベルでパルス化される。例えば、時間０から時間ｔ１２の期間に、パラメータ２１２はパラメータレベルＰＲ１にあり、周波数２２４は周波数レベルｆ２にある。別の例として、パラメータ２１２が高レベルでパルス化されるときは、周波数２２４は、周波数レベルｆ１などの低レベルでパルス化される。例えば、時間ｔ２２から時間ｔ３２の期間に、パラメータ２１２はパラメータレベルＰＲ３にあり、周波数２２４は周波数レベルｆ１にある。周波数２２４のパルスが低レベルであるのと同時にパラメータ２１２のパルスが高レベルであり、周波数２２４のパルスが高レベルであるのと同時にパラメータ２１２のパルスが低レベルであることは、基板１１８のマスク選択性を増加させることに注意されたい。いくつかの実施形態では、マスク選択性は、通常、基板１１８のマスク層下方にある基板１１８の基板層をエッチングするエッチング速度と、マスク層をエッチングするエッチング速度との比率である。マスク層は、基板１１８の基板層の上に置かれる。基板層１１８は、基板１１８のシリコン層の上に置かれる。マスク層によって、極細フィーチャを有するパターンが基板層の上に形成されることが可能になる。例えば、マスク層は、マスク層の下方およびシリコン層の上方に設置された、構造層などの基板層を保護する。

時間ｔ２２と時間ｔ１２との時間差は、時間ｔ１２と時間０との時間差と同じであることに注意されたい。同様に、時間ｔ３２と時間ｔ２２との時間差は、時間ｔ２２と時間ｔ１２との時間差と同じであり、時間ｔ４２と時間ｔ３２との時間差は、時間ｔ３２と時間ｔ２２との時間差と同じである。また、時間ｔ５２と時間ｔ４２との時間差は、時間ｔ４２と時間ｔ３２との時間差と同じであり、時間ｔ６２と時間ｔ５２との時間差は、時間ｔ５２と時間ｔ４２との時間差と同じである。時間ｔ７２と時間ｔ６２との時間差は、時間ｔ６２と時間ｔ５２との時間差と同じであり、時間ｔ８２と時間ｔ７２との時間差は、時間ｔ７２と時間ｔ６２との時間差と同じである。時間ｔ９２と時間ｔ８２との時間差は、時間ｔ８２と時間ｔ７２との時間差と同じである。

様々な実施形態では、周波数２２４のデューティサイクルは、図２Ｂに表されたものと異なる。例えば、周波数２２４のデューティサイクルは、３３．３３％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

図３Ａは、ＲＦ生成器ＲＦＧＡ（図１）によって生成された４レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）、および、２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２を表す、グラフ３０２、グラフ３０６、グラフ３１０、ならびにグラフ３１４の実施形態を示す。グラフ３０２は、デジタルパルス信号３０４の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号３０４は、図１のデジタルパルス信号１３８の例である。

状態Ｓ１の間に、グラフ３０２は１のロジックレベルを有する。また、状態Ｓ２の間に、グラフ３０２は２のロジックレベルを有する。加えて、状態Ｓ３の間に、グラフ３０２は３のロジックレベルを有する。状態Ｓ４の間に、グラフ３０２は４のロジックレベルを有する。例えば、時間０から時間ｔ１３の期間に、デジタルパルス信号３０４のロジックレベルは１であり、時間ｔ１３から時間ｔ２３の期間に、デジタルパルス信号３０４のロジックレベルは２であり、時間ｔ２３から時間ｔ３３の期間に、デジタルパルス信号３０４のロジックレベルは３であり、時間ｔ３３から時間ｔ４３の期間に、デジタルパルス信号３０４のロジックレベルは４である。

デジタルパルス信号３０４の状態Ｓ１から状態Ｓ４は、時間ｔ４３の後に定期的に繰り返す。例えば、時間ｔ４３から時間ｔ５３の期間のデジタルパルス信号３０４のロジックレベルは１であり、時間ｔ５３から時間ｔ６３の期間のデジタルパルス信号３０４のロジックレベルは２であり、時間ｔ６３から時間ｔ７３の期間のデジタルパルス信号３０４のロジックレベルは３であり、時間ｔ７３から時間ｔ８３の期間のデジタルパルス信号３０４のロジックレベルは４である。別の例として、時間ｔ８３から時間ｔ９３の期間のデジタルパルス信号３０４のロジックレベルは１であり、時間ｔ９３から時間ｔ１０３の期間のデジタルパルス信号３０４のロジックレベルは２であり、時間ｔ１０３から時間ｔ１１３の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは３であり、時間ｔ１１３から時間ｔ１２３の期間のデジタルパルス信号２０４のロジックレベルは４である。

状態Ｓ１の間のデジタルパルス信号３０４のデューティサイクルは、ｐ１１％（ｐ１１は、１００未満の正の実数）であることに注意されたい。例えば、ｐ１１％は、１５％から３５％を含む範囲である。また、状態Ｓ２の間のデジタルパルス信号３０４のデューティサイクルは、ｑ１１％（ｑ１１は、１００％未満の正の実数）である。例えば、ｑ１１％は、１５％から３５％を含む範囲である。加えて、状態Ｓ３の間のデジタルパルス信号３０４のデューティサイクルは、ｒ１１％である。例えば、ｒ１１％は、１５％から３５％を含む範囲である。状態Ｓ４の間のデジタルパルス信号３０４のデューティサイクルは、（１００−ｐ１１−ｑ１１−ｒ１１）％である。状態Ｓ１から状態Ｓ４の間のデジタルパルス信号３０４のデューティサイクルは、デジタルパルス信号３０４の１サイクルの発生である１００％まで増加する。

グラフ３０６は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号３０８の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号３０８は、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有する。例えば、デジタルパルス信号３０８は、時間０から時間ｔ１３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ１３から時間ｔ４３の期間に１のロジックレベルを有する。

デジタルパルス信号３０８は、時間ｔ４３の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号３０８は、時間ｔ４３から時間ｔ５３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ５３から時間ｔ８３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ８３から時間ｔ９３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ９３から時間ｔ１２３の期間に１のロジックレベルを有する。

グラフ３１０は、図１のＲＦ信号１２２のパラメータ３１２の時間ｔに対するパラメータレベルＰＲ１１、パラメータレベルＰＲ２１、パラメータレベルＰＲ３１、パラメータレベルＰＲ４１を表す。パラメータ３１２は、デジタルパルス信号３０４と同時発生（例えば、実質的に同期）する。例えば、時間０から時間ｔ１３の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ１３から時間ｔ２３の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ２３から時間ｔ３３の期間に状態Ｓ３を有し、時間ｔ３３から時間ｔ４３の期間に状態Ｓ４を有する。例えば、パラメータ３１２は、時間０から時間ｔ１３の期間にパラメータレベルＰＲ１１を有し、時間ｔ１３から時間ｔ２３の期間にパラメータレベルＰＲ２１を有し、時間ｔ２３から時間ｔ３３の期間にパラメータレベルＰＲ３１を有し、時間ｔ３３から時間ｔ４３の期間にパラメータレベルＰＲ４１を有する。

別の例として、パラメータ３１２は、デジタルパルス信号３０４がロジックレベル１からロジックレベル２に遷移する時間ｔ１３において、または時間ｔ１３から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ１１からパラメータレベルＰＲ２１に遷移する。さらに別の例として、パラメータ３１２は、デジタルパルス信号３０４がロジックレベル２からロジックレベル３に遷移する時間ｔ２３において、または時間ｔ２３から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ２１からパラメータレベルＰＲ３１に遷移する。別の例として、パラメータ３１２は、デジタルパルス信号３０４がロジックレベル３からロジックレベル４に遷移する時間ｔ３３において、または時間ｔ３３から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ３１からパラメータレベルＰＲ４１に遷移する。別の例として、パラメータ３１２は、デジタルパルス信号３０４がロジックレベル４からロジックレベル１に遷移する時間ｔ４３において、または時間ｔ４３から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ４１からパラメータレベルＰＲ１１に遷移する。

別の例として、パラメータレベルＰＲ１１からパラメータレベルＰＲ４１は、時間ｔ４３の後は定期的に繰り返す。例えば、パラメータ３１２は、時間ｔ４３から時間ｔ５３の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ５３から時間ｔ６３の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ６３から時間ｔ７３の期間に状態Ｓ３を有し、時間ｔ７３から時間ｔ８３の期間に状態Ｓ４を有する。別の例として、パラメータ３１２は、時間ｔ８３から時間ｔ９３の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ９３から時間ｔ１０３の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ１０３から時間ｔ１１３の期間に状態Ｓ３を有し、時間ｔ１１３から時間ｔ１２３の期間に状態Ｓ４を有する。

パラメータレベルＰＲ１１からパラメータレベルＰＲ４１までは段階的な増加がある。例えば、パラメータレベルＰＲ２１はパラメータレベルＰＲ１１より大きく、パラメータレベルＰＲ３１はパラメータレベルＰＲ２１より大きく、パラメータレベルＰＲ４１はパラメータレベルＰＲ３１より大きい。

パラメータレベルＰＲ１１の例は、図１の基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のａ１１％である。ａ１１％の例は、最大値の０％から２５％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ２１の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のｂ１１％である。ｂ１１％の例は、最大値の２５％から５０％を含む範囲である。また、パラメータレベルＰＲ３１の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のｃ１１％である。ｃ１１％の例は、最大値の５０％から７５％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ４１の例は、５Ｖから２ｋＶを含む範囲である。パラメータレベルＰＲ４１は、最大値の７５％から１００％を含む範囲である。

パラメータレベルＰＲ１１、パラメータレベルＰＲ２１、パラメータレベルＰＲ３１、およびパラメータレベルＰＲ４１のうちの任意の２つの連続するパラメータ間の差は、１５％から３０％を含む範囲であることに注意されたい。例えば、パラメータレベルＰＲ２１は、パラメータレベルＰＲ１１より少なくとも２０％大きく、パラメータレベルＰＲ３１は、パラメータレベルＰＲ２１より少なくとも２０％大きく、パラメータレベルＰＲ４１は、パラメータレベルＰＲ３１より少なくとも２０％大きい。別の例として、パラメータレベルＰＲ１１からパラメータレベルＰＲ２１、またはパラメータレベルＰＲ２１からパラメータレベルＰＲ３１、またはパラメータレベルＰＲ３１からパラメータレベルＰＲ４１のパラメータレベルの増加は、２０％から３０％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ２１は、パラメータレベルＰＲ１１に連続している。同様に、パラメータレベルＰＲ３１は、パラメータレベルＰＲ２１に連続し、パラメータレベルＰＲ４１は、パラメータレベルＰＲ３１に連続している。

グラフ３１４は、ＲＦ信号１２２の周波数３１６の時間ｔに対する周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２を表す。周波数３１６は、デジタルパルス信号３０８と同時発生（例えば、実質的に同期）する。例えば、周波数３１６は、状態Ｓ０の間は周波数レベルｆ１にあり、状態Ｓ１の間は周波数レベルｆ２にある。例えば、周波数３１６は、時間０から時間ｔ１３の期間は周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ１３から時間ｔ４３の期間は周波数レベルｆ２にある。別の例として、周波数３１６は、デジタルパルス信号３０８がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ１３において、または時間ｔ１３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。さらに別の例として、周波数３１６は、デジタルパルス信号３０８がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ４３において、または時間ｔ４３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。

別の例として、周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２は、時間ｔ４３の後は定期的に繰り返す。例えば、周波数３１６は、時間ｔ４３から時間ｔ５３の期間は周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ５３から時間ｔ８３の期間は周波数レベルｆ２にある。別の例として、周波数３１６は、時間ｔ８３から時間ｔ９３の期間は周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ９３から時間ｔ１２３の期間は周波数レベルｆ２にある。別の例として、周波数３１６は、デジタルパルス信号３０８がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ５３において、周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。さらに別の例として、周波数３１６は、デジタルパルス信号３０８がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ８３において、周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。

周波数３１６の低レベルでのパルス化と同時にパラメータ３１２が低レベルでパルス化され、周波数３１６の高レベルでのパルス化と同時にパラメータ３１２が高レベルでパルス化されるときは、図１のプラズマチャンバ１１２内部のプラズマイオンの角度拡散は減少する。角度拡散の減少は、図１の基板１１８を処理する速度を増加させる。低レベルの周波数３１６の例は周波数レベルｆ１であり、高レベルの周波数３１６は周波数レベルｆ２である。低レベルのパラメータ３１２の例はパラメータレベルＰＲ１１であり、高レベルのパラメータ３１２の例はパラメータレベルＰＲ４１である。高レベルのパラメータ３１２の別の例は、パラメータレベルＰＲ３１である。

周波数３１６が低レベルにあるときは、プラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンの温度が低下することにさらに注意されたい。イオンの温度、イオンに供給される電圧、および角度拡散の関係は、下記式１で表される（θは角度拡散、Ｔｉはイオンの温度、Ｖｓは、プラズマチャンバ１１２内のプラズマのプラズマシースのシース電圧）。

いくつかの実施形態では、周波数３１６が周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化する代わりに、ＲＦ信号１２２は、一定の周波数レベルを有する。

様々な実施形態では、周波数３１６のデューティサイクルは、図３Ａに表されるものとは異なる。例えば、周波数３１６のデューティサイクルは、７５％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

図３Ｂは、図１のＲＦ信号１２２のパラメータ３１２のパルスと比較したＲＦ信号１２２の周波数３２４の反転したパルスを表すグラフ３０２およびグラフ３１０、ならびにグラフ３１８およびグラフ３２２の実施形態を示す。グラフ３１８は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号３２０の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号３２０は、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有し、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、図３Ａのデジタルパルス信号３０８に対して反転してパルス化される。例えば、デジタルパルス信号３２０は、時間０から時間ｔ１３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ１３から時間ｔ４３の期間に０のロジックレベルを有する。

デジタルパルス信号３２０は、時間ｔ４３の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号３２０は、時間ｔ４３から時間ｔ５３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ５３から時間ｔ８３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ８３から時間ｔ９３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ９３から時間ｔ１２３の期間に０のロジックレベルを有する。

グラフ３２２は、時間ｔに対するＲＦ信号１２２の周波数３２４を表す。周波数３２４は、デジタルパルス信号３２０と同時発生（例えば、実質的に同期）し、図２Ａの周波数３１６に対して反転してパルス化される。例えば、周波数３２４は、時間０から時間ｔ１３の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ１３から時間ｔ４３の期間に状態Ｓ０を有する。例えば、周波数３２４は、時間０から時間ｔ１３の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ１３から時間ｔ４３の期間に周波数レベルｆ１を有する。別の例として、周波数３２４は、デジタルパルス信号３２０がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ１３において、または時間ｔ１３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。さらに別の例として、周波数３２４は、デジタルパルス信号３２０がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ４３において、または時間ｔ４３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。

周波数３２４は、時間ｔ４３の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、周波数３２４は、時間ｔ４３から時間ｔ５３の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ５３から時間ｔ８３の期間に周波数レベルｆ１を有し、時間ｔ８３から時間ｔ９３の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ９３から時間ｔ１２３の期間に周波数レベルｆ１を有する。

パラメータ３１２が低レベルでパルス化されるときは、周波数３２４は、周波数レベルｆ２などの高レベルでパルス化される。例えば、時間０から時間ｔ１３の期間に、パラメータ３１２はパラメータレベルＰＲ１１にあり、周波数３２４は周波数レベルｆ２にある。別の例として、パラメータ３１２が高レベルでパルス化されるときは、周波数３２４は、周波数レベルｆ１などの低レベルでパルス化される。例えば、時間ｔ３３から時間ｔ４３の期間に、パラメータ３１２はパラメータレベルＰＲ４１にあり、周波数３２４は周波数レベルｆ１にある。別の例として、時間ｔ２３から時間ｔ３３の期間に、パラメータ３１２はパラメータレベルＰＲ３１にあり、周波数３２４は周波数レベルｆ１にある。周波数３２４のパルスが低レベルであるのと同時にパラメータ３１２のパルスが高レベルであり、周波数３２４のパルスが高レベルであるのと同時にパラメータ３１２のパルスが低レベルであることは、マスク選択性を増加させることに注意されたい。

時間ｔ２３から時間ｔ１３の時間差は、時間ｔ１３から時間０の時間差と同じであることに注意されたい。同様に、時間ｔ３３から時間ｔ２３の時間差は、時間ｔ２３から時間ｔ１３の時間差と同じであり、時間ｔ４３から時間ｔ３３の時間差は、時間ｔ３３から時間ｔ２３の時間差と同じである。同様に、時間ｔ５３から時間ｔ４３の時間差は、時間ｔ４３から時間ｔ３３の時間差と同じであり、時間ｔ６３から時間ｔ５３の時間差は、時間ｔ５３から時間ｔ４３の時間差と同じである。時間ｔ７３から時間ｔ６３の時間差は、時間ｔ６３から時間ｔ５３の時間差と同じであり、時間ｔ８３から時間ｔ７３の時間差は、時間ｔ７３から時間ｔ６３の時間差と同じである。時間ｔ９３から時間ｔ８３の時間差は、時間ｔ８３から時間ｔ７３の時間差と同じであり、時間ｔ１０３から時間ｔ９３の時間差は、時間ｔ９３から時間ｔ８３の時間差と同じである。また、時間ｔ１１３から時間ｔ１０３の時間差は、時間ｔ１０３から時間ｔ９３の時間差と同じであり、時間ｔ１２３から時間ｔ１１３の時間差は、時間ｔ１１３から時間ｔ１０３の時間差と同じである。

様々な実施形態では、周波数３２４のデューティサイクルは、図３Ｂに表されるものとは異なる。例えば、周波数３２４のデューティサイクルは、２５％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

図３Ｃは、図１のＲＦ信号１２２の周波数３３２のパルス、および、ＲＦ信号１２２のパラメータ３１２のパルスを表すグラフ３０２およびグラフ３１０、ならびにグラフ３２６およびグラフ３３０の実施形態を示す。グラフ３２６は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号３２８の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号３２８は、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有し、図３Ａのデジタルパルス信号３０８とは異なるデューティサイクルを有する。例えば、デジタルパルス信号３２８は、時間０から時間ｔ２３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ２３から時間ｔ４３の期間に１のロジックレベルを有する。別の例として、デジタルパルス信号３２８は５０％のデューティサイクルを有し、デジタルパルス信号３０８は７５％のデューティサイクルを有する。

デジタルパルス信号３２８は、時間ｔ４３の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号３２８は、時間ｔ４３から時間ｔ６３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ６３から時間ｔ８３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ８３から時間ｔ１０３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ１０３から時間ｔ１２３の期間に１のロジックレベルを有する。

グラフ３３０は、ＲＦ信号１２２の時間ｔに対する周波数３３２を表す。周波数３３２は、デジタルパルス信号３２８と同時発生（例えば、実質的に同期）する。例えば、周波数３３２は、時間０から時間ｔ２３の期間に状態Ｓ０を有し、時間ｔ２３から時間ｔ４３の期間に状態Ｓ１を有する。例えば、周波数３３２は、時間０から時間ｔ２３の期間に周波数レベルｆ１を有し、時間ｔ２３から時間ｔ４３の期間に周波数レベルｆ２を有する。別の例として、周波数３３２は、デジタルパルス信号３２８がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ２３において、または時間ｔ２３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。さらに別の例として、周波数３３２は、デジタルパルス信号３０８がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ４３において、または時間ｔ４３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。

周波数３３２は、時間ｔ４３の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、周波数３３２は、時間ｔ４３から時間ｔ６３の期間に周波数レベルｆ１を有し、時間ｔ６３から時間ｔ８３の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ８３から時間ｔ１０３の期間に周波数レベルｆ１を有し、時間ｔ１０３から時間ｔ１２３の期間に周波数レベルｆ２を有する。

周波数３３２が低レベルでパルス化されると同時にパラメータ３２８が低レベルでパルス化され、周波数３３２が高レベルでパルス化されると同時にパラメータ３２８が高レベルでパルス化されるときは、図１のプラズマチャンバ１１２内部のプラズマイオンの角度拡散は減少する。低レベルの周波数３３２の例は周波数レベルｆ１であり、高レベルの周波数３３２は周波数レベルｆ２である。低レベルのパラメータ３２８の例はパラメータレベルＰＲ１１であり、高レベルのパラメータ３２８の例はパラメータレベルＰＲ４１である。低レベルのパラメータ３２８の別の例はパラメータレベルＰＲ２１であり、高レベルのパラメータ３２８の別の例はパラメータレベルＰＲ３１である。

様々な実施形態では、周波数３３２のデューティサイクルは、図３Ｃに表されるものとは異なる。例えば、周波数３３２のデューティサイクルは、５０％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

図３Ｄは、図１のＲＦ信号１２２のパラメータ３１２のパルスと比較した、ＲＦ信号１２２の周波数３４０の反転したパルスを表すグラフ３０２およびグラフ３１０、ならびにグラフ３３４およびグラフ３３８の実施形態を示す。グラフ３３４は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号３３６の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号３３６は、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有し、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、図３Ｃのデジタルパルス信号３２８に対して反転してパルス化される。例えば、デジタルパルス信号３３６は、時間０から時間ｔ２３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ２３から時間ｔ４３の期間に０のロジックレベルを有する。

デジタルパルス信号３３６は、時間ｔ４３の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号３３６は、時間ｔ４３から時間ｔ６３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ６３から時間ｔ８３の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ８３から時間ｔ１０３の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ１０３から時間ｔ１２３の期間に０のロジックレベルを有する。

グラフ３３８は、ＲＦ信号１２２の時間ｔに対する周波数３４０を表す。周波数３４０は、デジタルパルス信号３３６と同時発生（例えば、実質的に同期）し、図３Ｃの周波数３３２に対して反転してパルス化される。例えば、周波数３４０は、時間０から時間ｔ２３の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ２３から時間ｔ４３の期間に状態Ｓ０を有する。例えば、周波数３４０は、時間０から時間ｔ２３の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ２３から時間ｔ４３の期間に周波数レベルｆ１を有する。別の例として、周波数３４０は、デジタルパルス信号３３６がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ２３において、または時間ｔ２３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。さらに別の例として、周波数３４０は、デジタルパルス信号３３６がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ４３において、または時間ｔ４３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。

周波数３４０は、時間ｔ４３の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、周波数３４０は、時間ｔ４３から時間ｔ６３の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ６３から時間ｔ８３の期間に周波数レベルｆ１を有し、時間ｔ８３から時間ｔ１０３の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ１０３から時間ｔ１２３の期間に周波数レベルｆ１を有する。

パラメータ３１２が低レベルでパルス化されるときは、周波数３４０は高レベルでパルス化される。例えば、時間０から時間ｔ１３の期間に、パラメータ３１２はパラメータレベルＰＲ１１にあり、周波数３４０は周波数レベルｆ２にある。別の例として、時間ｔ１３から時間ｔ２３の期間に、パラメータ３１２はパラメータレベルＰＲ２１にあり、周波数３４０は周波数レベルｆ２にある。別の例として、パラメータ３１２が高レベルでパルス化されるときは、周波数３４０は低レベルでパルス化される。例えば、時間ｔ３３から時間ｔ４３の期間に、パラメータ３１２はパラメータレベルＰＲ４１にあり、周波数３４０は周波数レベルｆ１にある。別の例として、時間ｔ２３から時間ｔ３３の期間に、パラメータ３１２はパラメータレベルＰＲ３１にあり、周波数３４０は周波数レベルｆ１にある。周波数３４０のパルスが低レベルであるのと同時にパラメータ３１２のパルスが高レベルにあり、周波数３４０のパルスが高レベルであるのと同時にパラメータ３１２のパルスが低レベルにあることは、マスク選択性を増加させることに注意されたい。

様々な実施形態では、周波数３４０のデューティサイクルは、図３Ｄに表されるものとは異なる。例えば、周波数３４０のデューティサイクルは、５０％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

図４Ａは、ＲＦ生成器ＲＦＧＡ（図１）によって生成された５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）、および、２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２を表すグラフ４０２、グラフ４０６、グラフ４１０、およびグラフ４１４の実施形態を示す。グラフ４０２はデジタルパルス信号４０４の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号４０４は、図１のデジタルパルス信号１３８の例である。

状態Ｓ１の間、グラフ４０２は、１のロジックレベルを有する。また、状態Ｓ２の間、グラフ４０２は２のロジックレベルを有する、加えて、状態Ｓ３の間、グラフ４０２は３のロジックレベルを有する。状態Ｓ４の間、グラフ４０２は４のロジックレベルを有する。状態Ｓ５の間、グラフ４０２は５のロジックレベルを有する。例えば、０からｔ１４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは１であり、ｔ１４からｔ２４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは２であり、ｔ２４からｔ３４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは３であり、ｔ３４からｔ４４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは４であり、ｔ４４からｔ５４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは５である。

デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１ないし状態Ｓ５は、時間ｔ５４の後に定期的に繰り返す。例えば、ｔ５４からｔ６４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは１であり、ｔ６４からｔ７４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは２であり、ｔ７４からｔ８４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは３であり、ｔ８４からｔ９４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは４であり、ｔ９４からｔ１０４の期間に、デジタルパルス信号４０４のロジックレベルは５である。

状態Ｓ１の間のデジタルパルス信号４０４のデューティサイクルは、ｐ１１１％であることに注意されたい（ｐ１１１は、１００未満の正の実数）。例えば、ｐ１１１％は、１０％から２４％を含む範囲である。また、状態Ｓ２の間のデジタルパルス信号４０４のデューティサイクルは、ｑ１１１％である（ｑ１１１は、１００％未満の正の実数）。例えば、ｑ１１１％は、１０％から２４％を含む範囲である。加えて、状態Ｓ３の間のデジタルパルス信号４０４のデューティサイクルは、ｒ１１１％である。例えば、ｒ１１１％は、１０％から２４％を含む範囲である。状態Ｓ４の間のデジタルパルス信号４０４のデューティサイクルは、ｓ１１１％である。例えば、ｓ１１１％は、１０％から２４％を含む範囲である。状態Ｓ５の間のデジタルパルス信号３０４のデューティサイクルは、（１００−ｐ１１１−ｑ１１１−ｒ１１１−ｓ１１１）％である。デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１から状態Ｓ５のデューティサイクルは、デジタルパルス信号４０４の１サイクルの発生である１００％まで増加する。

グラフ４０６は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号４０８の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号４０８は、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有する。例えば、デジタルパルス信号４０８は、時間０から時間ｔ３４の期間に０のロジックレベルを有し、時間ｔ３４から時間ｔ５４の期間に１のロジックレベルを有する。

デジタルパルス信号４０８は、時間ｔ５４の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号４０８は、ｔ５４からｔ８４の期間に０のロジックレベルを有し、ｔ８４からｔ１０４の期間に１のロジックレベルを有する。

グラフ４１０は、図１のＲＦ信号１２２のパラメータ４１２の時間ｔに対するパラメータレベルＰＲ１１１、パラメータレベルＰＲ２１１、パラメータレベルＰＲ３１１、パラメータレベルＰＲ４１１、およびパラメータレベルＰＲ５１１を表す。パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４と同時発生（例えば、実質的に同期）する。例えば、パラメータ４１２は、時間０から時間ｔ１４の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ１４から時間ｔ２４の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ２４から時間ｔ３４の期間に状態Ｓ３を有し、時間ｔ３４から時間ｔ４４の期間に状態Ｓ４を有し、時間ｔ４４から時間ｔ５４の期間に状態Ｓ５を有する。例えば、パラメータ４１２は、時間０から時間ｔ１４の期間にパラメータレベルＰＲ１１１を有し、時間ｔ１４から時間ｔ２４の期間にパラメータレベルＰＲ２１１を有し、時間ｔ２４から時間ｔ３４の期間にパラメータレベルＰＲ３１１を有し、時間ｔ３４から時間ｔ４４の期間にパラメータレベルＰＲ４１１を有し、時間ｔ４４から時間ｔ５４の期間にパラメータレベルＰＲ５１１を有する。

別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル１からロジックレベル２に遷移する時間ｔ１４において、または時間ｔ１４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ１１１からパラメータレベルＰＲ２１１に遷移する。さらに別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル２からロジックレベル３に遷移する時間ｔ２４において、または時間ｔ２４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ２１１からパラメータレベルＰＲ３１１に遷移する。別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル３からロジックレベル４に遷移する時間ｔ３４において、または時間ｔ３４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ３１１からパラメータレベルＰＲ４１１に遷移する。さらに別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル４からロジックレベル５に遷移する時間ｔ４４において、または時間ｔ４４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ４１１からパラメータレベルＰＲ５１１に遷移する。別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル５からロジックレベル１に遷移する時間ｔ５４において、または時間ｔ５４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ５１１からパラメータレベルＰＲ１１１に遷移する。

別の例として、パラメータレベルＰＲ１１１からパラメータレベルＰＲ５１１は、時間ｔ５４の後に定期的に繰り返す。例えば、パラメータ４１２は、時間ｔ５４から時間ｔ６４の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ６４から時間ｔ７４の期間に状態Ｓ２を有し、時間ｔ７４から時間ｔ８４の期間に状態Ｓ３を有し、時間ｔ８４から時間ｔ９４の期間に状態Ｓ４を有し、時間ｔ９４から時間ｔ１０４の期間に状態Ｓ５を有する。別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル１からロジックレベル２に遷移する時間ｔ６４において、または時間ｔ６４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ１１１からパラメータレベルＰＲ２１１に遷移する。さらに別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル２からロジックレベル３に遷移する時間ｔ７４において、または時間ｔ７４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ２１１からパラメータレベルＰＲ３１１に遷移する。別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル３からロジックレベル４に遷移する時間ｔ８４において、または時間ｔ８４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ３１１からパラメータレベルＰＲ４１１に遷移する。さらに別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル４からロジックレベル５に遷移する時間ｔ９４において、または時間ｔ９４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ４１１からパラメータレベルＰＲ５１１に遷移する。別の例として、パラメータ４１２は、デジタルパルス信号４０４がロジックレベル５からロジックレベル１に遷移する時間ｔ１０４において、または時間ｔ１０４から既定の期間内になど、ほぼ同時にパラメータレベルＰＲ５１１からパラメータレベルＰＲ１１１に遷移する。

パラメータレベルＰＲ１１１からパラメータレベルＰＲ５１１までは段階的な増加がある。例えば、パラメータレベルＰＲ２１１はパラメータレベルＰＲ１１１より大きく、パラメータレベルＰＲ３１１はパラメータレベルＰＲ２１１より大きく、パラメータレベルＰＲ４１１はパラメータレベルＰＲ３１１より大きく、パラメータレベルＰＲ５１１はパラメータレベルＰＲ４１１より大きい。

パラメータレベルＰＲ１１１の例は、図１の基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のａ１１１％である。ａ１１１％の例は、最大値の０％から２０％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ２１１の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のｂ１１１％である。ｂ１１１％の例は、最大値の２０％から４０％を含む範囲である。また、パラメータレベルＰＲ３１１の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のｃ１１１％である。ｃ１１１％の例は、最大値の４０％から６０％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ４１１の例は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量のｄ１１１％である。ｄ１１１％の例は、最大値の６０％から８０％を含む範囲である。パラメータレベルＰＲ５１１の例は、５Ｖから２ｋＶを含む範囲である。パラメータレベルＰＲ５１１は、基板支持体１１４に供給されるバイアス電圧の最大量の８０％から１００％を含む範囲である。

パラメータレベルＰＲ１１１、パラメータレベルＰＲ２１１、パラメータレベルＰＲ３１１、パラメータレベルＰＲ４１１、およびパラメータレベルＰＲ５１１のうちの任意の２つの連続するパラメータレベル間の差は、１５％から２５％を含む範囲であることに注意されたい。例えば、パラメータレベルＰＲ２１１は、パラメータレベルＰＲ１１１より少なくとも２０％大きく、パラメータレベルＰＲ３１１は、パラメータレベルＰＲ２１１より少なくとも２０％大きく、パラメータレベルＰＲ４１１は、パラメータレベルＰＲ３１１より少なくとも２０％大きく、パラメータレベルＰＲ５１１は、パラメータレベルＰＲ４１１より少なくとも２０％大きい。別の例として、パラメータレベルＰＲ１１１からパラメータレベルＰＲ２１１、またはパラメータレベルＰＲ２１１からパラメータレベルＰＲ３１１、またはパラメータレベルＰＲ３１１からパラメータレベルＰＲ４１１、またはパラメータレベルＰＲ４１１からパラメータレベルＰＲ５１１のパラメータレベルの増加は、１５％から２５％を含む範囲である。パラメータレベルの増加は、プラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのピークエネルギ量の増加、およびイオンの拡散角度の減少を促進する。パラメータレベルＰＲ２１１は、パラメータレベルＰＲ１１１に連続している。同様に、パラメータレベルＰＲ３１１は、パラメータレベルＰＲ２１１に連続し、パラメータレベルＰＲ４１１は、パラメータレベルＰＲ３１１に連続し、パラメータレベルＰＲ５１１は、パラメータレベルＰＲ４１１に連続している。

グラフ４１４は、ＲＦ信号１２２の周波数４１６の時間ｔに対する周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２を表す。周波数４１６は、デジタルパルス信号４０８と同時発生（例えば、実質的に同期）する。例えば、周波数４１６は、状態Ｓ０の間に周波数レベルｆ１にあり、状態Ｓ１の間に周波数レベルｆ２にある。例えば、周波数４１６は、時間０から時間ｔ３４の期間に周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ３４から時間ｔ５４の期間に周波数レベルｆ２にある。別の例として、周波数４１６は、デジタルパルス信号４０８がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ３４において、または時間ｔ３４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。さらに別の例として、周波数４１６は、デジタルパルス信号４０８がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ５４において、または時間ｔ５４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。別の例として、周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２は、時間ｔ５４の後に定期的に繰り返す。例えば、周波数４１６は、時間ｔ５４から時間ｔ８４の期間に周波数レベルｆ１にあり、時間ｔ８４から時間ｔ１０４の期間に周波数レベルｆ２にある。

周波数４１６が低レベルでパルス化されると同時にパラメータ４１２が低レベルでパルス化され、周波数４１６が高レベルでパルス化されると同時にパラメータ４１２が高レベルでパルス化されるときは、図１のプラズマチャンバ１１２内部のプラズマイオンの角度拡散は減少する。低レベルの周波数４１６の例は周波数レベルｆ１であり、高レベルの周波数４１６は周波数レベルｆ２である。低レベルのパラメータ４１２の例はパラメータレベルＰＲ１１１であり、高レベルのパラメータ４１２の例はパラメータレベルＰＲ５１１である。低レベルのパラメータ４１２の別の例はパラメータレベルＰＲ２１１であり、高レベルのパラメータ４１２の別の例はパラメータレベルＰＲ４１１である。周波数４１６が低レベルにあるときは、プラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンの温度は低下することに注意されたい。

いくつかの実施形態では、周波数４１６が周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化する代わりに、ＲＦ信号１２２は、一定の周波数レベルを有する。

様々な実施形態では、周波数４１６のデューティサイクルは、図４Ａに表されるものとは異なる。例えば、周波数４１６のデューティサイクルは、４０％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

図４Ｂは、ＲＦ信号１２２のパラメータ４１２のパルスと比較した、図１のＲＦ信号１２２の周波数４２４の反転したパルスを表すグラフ４０２およびグラフ４１０、ならびに、グラフ４１８およびグラフ４２２の実施形態を示す。

グラフ４１８は、図１のデジタルパルス信号１３６の例であるデジタルパルス信号４２０の時間ｔに対するロジックレベルを表す。デジタルパルス信号４２０は、状態Ｓ１の間に１のロジックレベルを有し、状態Ｓ０の間に０のロジックレベルを有し、図４Ａのデジタルパルス信号４０８に対して反転してパルス化される。例えば、デジタルパルス信号４２０は、時間０から時間ｔ３４の期間に１のロジックレベルを有し、時間ｔ３４から時間ｔ５４の期間に０のロジックレベルを有する。

デジタルパルス信号４２０は、時間ｔ５４の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、デジタルパルス信号４２０は、時間ｔ５４から時間ｔ８４の期間に１のロジックレベルを有し、ｔ８４からｔ１０４の期間に０のロジックレベルを有する。

グラフ４２２は、ＲＦ信号１２２の時間ｔに対する周波数４２４を表す。周波数４２４は、デジタルパルス信号４２０と同時発生（例えば、実質的に同期）し、図４Ａの周波数４１６と比較して反転してパルス化される。例えば、周波数４２４は、時間０から時間ｔ３４の期間に状態Ｓ１を有し、時間ｔ３４から時間ｔ５４の期間に状態Ｓ０を有する。例えば、周波数４２４は、時間０から時間ｔ３４の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ３４から時間ｔ５４の期間に周波数レベルｆ１を有する。別の例として、周波数４２４は、デジタルパルス信号４２０がロジックレベル１からロジックレベル０に遷移する時間ｔ３４において、または時間ｔ３４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２から周波数レベルｆ１に遷移する。さらに別の例として、周波数４２４は、デジタルパルス信号４２０がロジックレベル０からロジックレベル１に遷移する時間ｔ５４において、または時間ｔ５４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１から周波数レベルｆ２に遷移する。

周波数４２４は、時間ｔ５４の後に状態Ｓ０および状態Ｓ１を繰り返す。例えば、周波数４２４は、時間ｔ５４から時間ｔ８４の期間に周波数レベルｆ２を有し、時間ｔ８４から時間ｔ１０４の期間に周波数レベルｆ１を有する。

パラメータ４１２が低レベルでパルス化されるときは、周波数４２４は、周波数レベルｆ２などの高レベルでパルス化される。例えば、時間０から時間ｔ１４の期間に、パラメータ４１２はパラメータレベルＰＲ１１にあり、周波数４２４は周波数レベルｆ２にある。別の例として、時間ｔ１４から時間ｔ２４の期間に、パラメータ４１２はパラメータレベルＰＲ２１にあり、周波数４２４は周波数レベルｆ２にある。別の例として、パラメータ４１２が高レベルでパルス化されるときは、周波数４２４は周波数レベルｆ１などの低レベルでパルス化される。例えば、時間ｔ４４から時間ｔ５４の期間に、パラメータ４１２はパラメータレベルＰＲ５１１にあり、周波数４２４は周波数レベルｆ１にある。別の例として、時間ｔ３４から時間ｔ４４の期間に、パラメータ４１２はパラメータレベルＰＲ４１１にあり、周波数４２４は周波数レベルｆ１にある。周波数４２４のパルスが低レベルであるのと同時にパラメータ４１２のパルスが高レベルにあり、周波数４２４のパルスが高レベルであるのと同時にパラメータ４１２のパルスが低レベルにあることは、マスク選択性を増加させることに注意されたい。

時間ｔ２４から時間ｔ１４の時間差は、時間ｔ１４から時間０の時間差と同じであることに注意されたい。同様に、時間ｔ３４から時間ｔ２４の時間差は、時間ｔ２４から時間ｔ１４の時間差と同じであり、時間ｔ４４から時間ｔ３４の時間差は、時間ｔ３４から時間ｔ２４の時間差と同じである。同様に、時間ｔ５４から時間ｔ４４の時間差は、時間ｔ４４から時間ｔ３４の時間差と同じであり、時間ｔ６４から時間ｔ５４の時間差は、時間ｔ５４から時間ｔ４４の時間差と同じである。時間ｔ７４から時間ｔ６４の時間差は、時間ｔ６４から時間ｔ５４の時間差と同じであり、時間ｔ８４から時間ｔ７４の時間差は、時間ｔ７４から時間ｔ６４の時間差と同じである。時間ｔ９４から時間ｔ８４の時間差は、時間ｔ８４から時間ｔ７４の時間差と同じであり、時間ｔ１０４から時間ｔ９４の時間差は、時間ｔ９４から時間ｔ８４の時間差と同じである。

時間ｔは、ナノ秒またはマイクロ秒で測定される。例えば、本明細書に記載のデジタルパルス信号の各パルスは、数ナノ秒から数マイクロ秒の範囲である。別の例として、時間ｔ２２（図２Ａおよび図２Ｂ）または時間ｔ４３（図３Ａ〜図３Ｄ）または時間ｔ５４は、数ナノ秒または数マイクロ秒である。

ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のプロセッサ１０８によって制御されて、一定期間に複数のパラメータレベル間および複数の周波数レベル間で同時にパルス化するＲＦ信号１２２を生成することにさらに注意されたい。例えば、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のプロセッサ１０８によって制御されて、複数の周波数レベル間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成しながら、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のプロセッサ１０８によって制御されて、複数のパラメータレベル間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成する。例えば、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のデジタルパルス信号１３８の受信に応答して、図２Ａおよび図２ＢのパラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ２、およびパラメータレベルＰＲ３の間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、図２Ａおよび図２Ｂの時間ｔ９２から時間０の期間にパラメータレベルＰＲ１からパラメータレベルＰＲ３の間でパルス化する。また、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のデジタルパルス信号１３６の受信に応答して、図２Ａおよび図２Ｂの周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、時間ｔ９２から時間０の期間に周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化する。

別の例として、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のデジタルパルス信号１３８の受信に応答して、図３Ａ〜図３ＤのパラメータレベルＰＲ１１、パラメータレベルＰＲ２１、パラメータレベルＰＲ３１、およびパラメータレベルＰＲ４１の間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、図３Ａ〜図３Ｄの時間ｔ１２３から時間０の期間にパラメータレベルＰＲ１１からパラメータレベルＰＲ４１の間でパルス化する。また、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のデジタルパルス信号１３６の受信に応答して、図３Ａ〜図３Ｄの周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、時間ｔ２３から時間０の期間に周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化する。

さらに別の例として、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のデジタルパルス信号１３８の受信に応答して、図４Ａおよび図４ＢのパラメータレベルＰＲ１１１、パラメータレベルＰＲ２１１、パラメータレベルＰＲ３１１、パラメータレベルＰＲ４１１、およびパラメータレベルＰＲ５１１の間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、図４Ａおよび図４Ｂの時間ｔ１０４から時間０の期間にパラメータレベルＰＲ１１１からパラメータレベルＰＲ５１１の間でパルス化する。また、ＲＦ生成器ＲＦＧＡは、図１のデジタルパルス信号１３６の受信に応答して、図４Ａおよび図４Ｂの周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化するＲＦ信号１２２を生成する。ＲＦ信号１２２は、時間ｔ１０４から時間０の期間に周波数レベルｆ１と周波数レベルｆ２との間でパルス化する。

図２Ａに関するさらなる別の例として、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ１がパラメータレベルＰＲ２にパルス化される時間ｔ１２、もしくは時間ｔ４２、もしくは時間ｔ７２、または、時間ｔ１２、もしくは時間ｔ４２、もしくは時間ｔ７２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。また、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ３がパラメータレベルＰＲ１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ３２、もしくは時間ｔ６２、もしくは時間ｔ９２、もしくは時間ｔ４２、もしくは時間ｔ７２に、または、時間０、もしくは時間ｔ３２、もしくは時間ｔ６２、もしくは時間ｔ９２、もしくは時間ｔ４２、もしくは時間ｔ７２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。

図２Ｂに関する別の例として、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ１がパラメータレベルＰＲ２にパルス化される時間ｔ１２、もしくは時間ｔ４２、もしくは時間ｔ７２に、または、時間ｔ１２、もしくは時間ｔ４２、もしくは時間ｔ７２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。また、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ３がパラメータレベルＰＲ１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ３２、もしくは時間ｔ６２、もしくは時間ｔ９２に、または、時間０、もしくは時間ｔ３２、もしくは時間ｔ６２、もしくは時間ｔ９２から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。

図３Ａに関するさらなる別の例として、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ１１がパラメータレベルＰＲ２１にパルス化される時間ｔ１３、もしくは時間ｔ５３、もしくは時間ｔ９３に、または、時間ｔ１３、もしくは時間ｔ５３、もしくは時間ｔ９３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。また、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ４１がパラメータレベルＰＲ１１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３に、または、時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。

図３Ｂに関するさらなる別の例として、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ１１がパラメータレベルＰＲ２１にパルス化される時間ｔ１３、もしくは時間ｔ５３、もしくは時間ｔ９３に、または、時間ｔ１３、もしくは時間ｔ５３、もしくは時間ｔ９３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。また、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ４１がパラメータレベルＰＲ１１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３に、または、時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。

図３Ｃに関するさらなる別の例として、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ２１がパラメータレベルＰＲ３１にパルス化される時間ｔ２３、もしくは時間ｔ６３、もしくは時間ｔ１０３に、または、時間ｔ２３、もしくは時間ｔ６３、もしくは時間ｔ１０３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。また、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ４１がパラメータレベルＰＲ１１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３に、または、時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。

図３Ｄに関するさらなる別の例として、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ２１がパラメータレベルＰＲ３１にパルス化される時間ｔ２３、もしくは時間ｔ６３、もしくは時間ｔ１０３に、または、時間ｔ２３、もしくは時間ｔ６３、もしくは時間ｔ１０３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。また、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ４１がパラメータレベルＰＲ１１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３に、または、時間０、もしくは時間ｔ４３、もしくは時間ｔ８３、もしくは時間ｔ１２３から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。

図４Ａに関するさらなる別の例として、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ３１１がパラメータレベルＰＲ４１１にパルス化される時間ｔ３４、もしくは時間ｔ８４に、または、時間ｔ３４、もしくは時間ｔ８４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。また、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ５１１がパラメータレベルＰＲ１１１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ５４、もしくは時間ｔ１０４に、または、時間０、もしくは時間ｔ５４、もしくは時間ｔ１０４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。

図４Ｂに関する別の例として、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ３１１がパラメータレベルＰＲ４１１にパルス化される時間ｔ３４、もしくは時間ｔ８４、もしくは時間ｔ１０４に、または、時間ｔ３４、もしくは時間ｔ８４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ１にパルス化される。また、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ５１１がパラメータレベルＰＲ１１１にパルス化される時間０、もしくは時間ｔ５４、もしくは時間ｔ１０４、もしくは時間ｔ１０４に、または、時間０、もしくは時間ｔ５４、もしくは時間ｔ１０４、もしくは時間ｔ１０４から既定の期間内になど、ほぼ同時に周波数レベルｆ２にパルス化される。

「ほぼ同時に」という用語は、本明細書では時に「略同期して」を意味し、これらの用語は、本明細書では同義で用いられることに注意されたい。また、ＲＦ信号１２２の周波数は、ＲＦ信号１２２のパラメータと同時に（例えば、略同期して）パルス化することにさらに注意されたい。例えば、周波数レベルｆ２は、パラメータレベルＰＲ３１１からパラメータレベルＰＲ４１１にパルス化する時間ｔ３４、もしくは時間ｔ８４、もしくは時間ｔ１０４に、または、時間ｔ３４、もしくは時間ｔ８４から既定の期間内になど、略同期して周波数レベルｆ１にパルス化される。また、周波数レベルｆ１は、パラメータレベルＰＲ５１１からパラメータレベルＰＲ１１１にパルス化する時間０、もしくは時間ｔ５４、もしくは時間ｔ１０４、もしくは時間ｔ１０４に、または、時間０、もしくは時間ｔ５４、もしくは時間ｔ１０４、もしくは時間ｔ１０４から既定の期間内になど、略同期して周波数レベルｆ２にパルス化される。

デジタルパルス信号またはパラメータまたは周波数などの信号の発生状態は、信号の周期的サイクルの間の信号のパルスであることにさらに注意されたい。例えば、図２Ａを参照すると、デジタルパルス信号２０４の状態Ｓ１の発生は、時間ｔ１２から時間０の期間に起こるデジタルパルス信号２０４のパルスである。デジタルパルス信号２０４の状態Ｓ１の別の発生は、時間ｔ４２から時間ｔ３２の期間に起こるデジタルパルス信号２０４のパルスである。同様に、デジタルパルス信号２０４の状態Ｓ２の発生は、時間ｔ２２から時間ｔ１２の期間に起こるデジタルパルス信号２０４のパルスである。デジタルパルス信号２０４の状態Ｓ３の発生は、時間ｔ３２から時間ｔ２２の期間に起こるデジタルパルス信号２０４のパルスである。このように、時間ｔ９２から時間０の期間にデジタルパルス信号２０４の状態Ｓ１、状態Ｓ２、および状態Ｓ３の各々が３回発生する。また、時間ｔ９２から時間０の期間に、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が３回発生する。同様に、時間ｔ９２から時間０の期間にパラメータ２１２の状態Ｓ１、状態Ｓ２、および状態Ｓ３の各々が３回発生し、時間ｔ９２から時間０の期間に周波数２１６の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が３回発生する。

図３Ａを参照すると、時間ｔ１２３から時間０の期間にデジタルパルス信号３０４の状態Ｓ１、状態Ｓ２、状態Ｓ３、および状態Ｓ４の各々が３回発生する。同様に、時間ｔ１２３から時間０の期間にデジタルパルス信号３０８の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が３回発生する。時間ｔ１２３から時間０の期間にパラメータ３１２の状態Ｓ１、状態Ｓ２、状態Ｓ３、および状態Ｓ４の各々が３回発生し、時間ｔ１２３から時間０の期間に周波数３１６の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が３回発生する。

図３Ｃを参照すると、時間ｔ１２３から時間０の期間にデジタルパルス信号３２８の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が３回発生する。時間ｔ１２３から時間０の期間に周波数３３２の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が３回発生する。

図４Ａを参照すると、時間ｔ１０４から時間０の期間にデジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１、状態Ｓ１、状態Ｓ２、状態Ｓ３、状態Ｓ４、および状態Ｓ５の各々が２回発生する。同様に、時間ｔ１０４から時間０の期間にデジタルパルス信号４０８の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が２回発生する。時間ｔ１０４から時間０の期間にパラメータ４１２の状態Ｓ１、状態Ｓ２、状態Ｓ３、状態Ｓ４、および状態Ｓ５の各々が２回発生し、時間ｔ１０４から時間０の期間に周波数４１６の状態Ｓ０および状態Ｓ１の各々が２回発生する。

様々な実施形態では、周波数４２４のデューティサイクルは、図４Ｂに表されたものとは異なる。例えば、周波数４２４のデューティサイクルは、６０％ではなく２０％から８０％を含む範囲である。

ＲＦ信号１２２の任意のパラメータレベルは、ＲＦ信号１２２の複数のパラメータ値の包絡線（ピーク間の振幅または０からピーク間の振幅など）であることに注意されたい。例えば、パラメータレベルＰＲ１、パラメータレベルＰＲ２、パラメータレベルＰＲ３、パラメータレベルＰＲ１１、パラメータレベルＰＲ２１、パラメータレベルＰＲ３１、パラメータレベルＰＲ４１、パラメータレベルＰＲ１１１、パラメータレベルＰＲ２１１、パラメータレベルＰＲ３１１、パラメータレベルＰＲ４１１、およびパラメータレベルＰＲ５１１の各々は、ＲＦ信号１２２のパラメータの大きさのピーク間振幅である。

同様に、ＲＦ信号１２２の任意の周波数レベルは、ＲＦ信号１２２の複数の周波数値の包絡線（ピーク間の振幅または０からピーク間の振幅など）であることに注意されたい。例えば、周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２の各々は、ＲＦ信号１２２の周波数の大きさのピーク間振幅である。

パラメータ２１２の状態Ｓ１は、図２Ａまたは図２Ｂのデジタルパルス信号２０４の状態Ｓ１と同じであることに注意されたい。同様に、パラメータ２１２の状態Ｓ２は、図２Ａまたは図２Ｂのデジタルパルス信号２０４の状態Ｓ２と同じであり、パラメータ２１２の状態Ｓ３は、図２Ａまたは図２Ｂのデジタルパルス信号２０４の状態Ｓ３と同じである。同様に、図３Ａ、または図３Ｂ、または図３Ｃ、または図３Ｄのパラメータ３１２の状態Ｓ１は、図３Ａ、または図３Ｂ、または図３Ｃ、または図３Ｄのデジタルパルス信号３０４の状態Ｓ１と同じである。同様に、パラメータ３１２の状態Ｓ２は、デジタルパルス信号３０４の状態Ｓ２と同じであり、パラメータ３１２の状態Ｓ３は、デジタルパルス信号３０４の状態Ｓ３と同じであり、パラメータ３１２の状態Ｓ４は、デジタルパルス信号３０４の状態Ｓ４と同じである。図４Ａおよび図４Ｂのパラメータ４１２の状態Ｓ１は、図４Ａまたは図４Ｂのデジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１と同じである。同様に、パラメータ４１２の状態Ｓ２は、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ２と同じであり、パラメータ４１２の状態Ｓ３は、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ３と同じであり、パラメータ４１２の状態Ｓ４は、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ４と同じであり、パラメータ４１２の状態Ｓ５は、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ５と同じである。

図５Ａは、２００ボルトの連続波電圧信号がプラズマリアクタ（図示せず）内のウエハ支持体（図示せず）にバイアス電圧Ｖｂとして印加されたときの、プラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布（ピークエネルギ角度分布など）を表すグラフ５０２の実施形態である。グラフ５０２は、プラズマリアクタ内の角度分布に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

図５Ｂは、４００ボルトの連続波電圧信号がウエハ支持体にバイアス電圧として印加されたときの、プラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布を表すグラフ５０４の実施形態である。グラフ５０４は、プラズマリアクタ内の角度分布に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

図５Ｃは、８００ボルトの連続波電圧信号がウエハ支持体にバイアス電圧として印加されたときの、プラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布を表すグラフ５０６の実施形態である。グラフ５０６は、プラズマリアクタ内の角度分布に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

図５Ｄは、１６００ボルトの連続波電圧信号がウエハ支持体にバイアス電圧として印加されたときの、リアクタ内のプラズマイオンの角度分布を表すグラフ５０８の実施形態である。グラフ５０８は、リアクタ内の角度分布に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

グラフ５０２〜グラフ５０８に表されるように、角度分布は、ウエハ基板に印加される連続波電圧信号の大きさの増加に伴い減少することに注意されたい。例えば、２００ボルトから１６００ボルトの連続波電圧信号の大きさの増加に伴い、角度分布は減少する。

図１のＲＦ信号１２２は、連続波電圧信号ではないことにさらに注意されたい。例えば、ＲＦ信号１２２は、パラメータの状態Ｓ１から状態Ｓ５などの２つ以上の状態の間でパルス化するパルス信号である。別の例として、ＲＦ信号１２２の状態Ｓ１から状態Ｓ５のうちの１つのパラメータレベルの大きさ間の差は、状態Ｓ１から状態Ｓ５のうちの別の１つのパラメータレベルの大きさと比較して、２０％などの所定範囲を超える。

図５Ｅは、連続波信号の電圧の増加に伴う角度分布の減少を表すグラフ５１０の実施形態である。グラフ５１０は、バイアス電圧に対する角度分布を示す。グラフ５１０の区画５１０Ａは、２００ボルトのバイアス電圧がウエハ支持体に印加されたときの角度分布を表す。同様に、グラフ５１０の区画５１０Ｂは、４００ボルトのバイアス電圧がウエハ支持体に印加されたときの角度分布を表し、グラフ５１０の区画５１０Ｃは、８００ボルトのバイアス電圧がウエハ支持体に印加されたときの角度分布を表し、グラフ５１０の区画５１０Ｄは、１６００ボルトのバイアス電圧がウエハ支持体に印加されたときの角度分布を表す。区画５１０Ａないし区画５１０Ｄに示されるように、バイアス電圧の増加に伴い角度分布が減少する。

図５Ｆは、３００ボルトの連続波電圧信号がウエハ支持体に印加されたときの、プラズマリアクタ内の角度分布に対するプラズマイオンのエネルギを表すグラフ５１２の実施形態である。

図５Ｇは、２レベルパルスのパラメータの図１のＲＦ信号１２２が基板支持体１１４（図１）に印加され、ＲＦ信号１２２が一定の周波数レベルを有するときの、図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを表すグラフ５１４の実施形態である。グラフ５１４は、プラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。２レベルパルスのＲＦ信号１２２は、ＲＦ信号１２２のパラメータレベルを状態Ｓ１および状態Ｓ２の２つの状態間でパルス化することを含み、状態Ｓ３から状態Ｓ５を含まない。

図５Ｈは、３レベルパルスのパラメータの図１のＲＦ信号１２２が基板支持体１１４（図１）に印加され、ＲＦ信号１２２が一定の周波数レベルを有するときの、図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを表すグラフ５１６の実施形態である。グラフ５１６は、プラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２は、ＲＦ信号１２２のパラメータレベルを状態Ｓ１から状態Ｓ３の３つの状態の間でパルス化することを含み、状態Ｓ４から状態Ｓ５を含まない。例えば、図２Ａおよび図２Ｂのグラフ２１０は、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２を表す。また、グラフ５１６は、ＲＦ信号１２２が一定の周波数レベルを有するときに形成される。例えば、ＲＦ信号１２２の周波数は、パルス化されずに連続的である。

図５Ｉは、２レベルパルスの周波数の図１のＲＦ信号１２２の印加に加えて、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２が基板支持体１１４（図１）に印加されたときの、図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを表すグラフ５１８の実施形態である。グラフ５１８は、プラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２は、ＲＦ信号１２２の周波数レベルを状態Ｓ０および状態Ｓ１の２つの状態の間でパルス化することである。２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２は、図２Ａのグラフ２１４および図２Ｂのグラフ２２２に表されている。

図５Ｊは、５レベルパルスのパラメータの図１のＲＦ信号１２２が基板支持体１１４（図１）に印加され、ＲＦ信号１２２が一定の周波数レベルを有するときの、図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを表すグラフ５２０の実施形態である。グラフ５２０は、プラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２は、ＲＦ信号１２２のパラメータレベルを状態Ｓ１から状態Ｓ５の５つの状態の間でパルス化することである。５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２は、図４Ａおよび図４Ｂのグラフ４１０に表されている。グラフ５１４、グラフ５１６、グラフ５１８、およびグラフ５２０に表されるように、マスク層内に形成される経路の上部における角度拡散は、グラフ５０２、グラフ５０４、グラフ５０６、グラフ５０８、およびグラフ５１２に表される角度分布より小さい。また、プラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギは、経路の底部において、連続波電圧信号を用いて実現されたプラズマリアクタ内のプラズマイオンのエネルギより小さい。さらに、グラフ５１６、グラフ５８０、およびグラフ５２０に表されるように、ＲＦ信号１２２のパラメータのレベル数の増加に伴って図１の基板１１８に関するマスク選択性が増加する。

図５Ｋは、連続波電圧信号を用いて実現された角度分布と、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２を用いて実現された角度拡散との比較を表すグラフ５２２の実施形態である。グラフ５２２は、連続波電圧信号の角度分布を示し、マルチレベルパルスのパラメータの角度拡散を示す。グラフ５２２は、連続波電圧信号の角度分布の区画５２２Ａを有し、２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２の角度拡散の区画５２２Ｂを有し、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２の区画５２２Ｃを有し、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２の区画５２２Ｄを有し、５レベルパルスのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２の区画５２２Ｅを有する。区画５２２Ｂないし区画５２２Ｅのいずれかの角度拡散は、区画５２２Ａの角度分布より小さいことに注意されたい。

図６Ａは、連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときに形成されるグラフ６０２の実施形態である。グラフ６０２は、プラズマイオンの角度分布に対するプラズマリアクタ内のプラズマイオンのエネルギを示す。

図６Ｂは、５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および一定周波数レベル（１メガヘルツなど）のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ６０４の実施形態である。グラフ６０４は、イオンの角度拡散に対する図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。

図６Ｃは、５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および一定周波数レベル（２メガヘルツなど）のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ６０６の実施形態である。グラフ６０６は、イオンの角度拡散に対する図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。

図６Ｄは、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ６０８の実施形態である。グラフ６０８は、イオンの角度拡散に対する図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。

図６Ｅは、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ６１０の実施形態である。グラフ６１０は、イオンの角度拡散に対する図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。

図６Ｆは、５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ６１２の実施形態である。グラフ６１２は、イオンの角度拡散に対する図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを示す。

グラフ６０２、グラフ６０４、グラフ６０６、グラフ６０８、グラフ６１０、およびグラフ６１２に表されるように、マルチレベルパルスのパラメータの角度拡散は、経路の底部において、連続波信号の角度分布より小さい。経路の底部における角度拡散は、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに実現される。また、角度分布は、連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときに実現される。

図７Ａは、連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときに形成されるグラフ７０２の実施形態である。グラフ７０２は、プラズマリアクタ内のプラズマイオンの角度分布に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

図７Ｂは、２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ７０４の実施形態である。グラフ７０４は、図１のプラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

図７Ｃは、２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ７０６の実施形態である。グラフ７０６は、図１のプラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

図７Ｄは、３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ７０８の実施形態である。グラフ７０８は、図１のプラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマイオンのエネルギを示す。

図７Ｅは、５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２（図１）および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成されるグラフ７１０の実施形態である。グラフ７１０は、図１のプラズマチャンバ１１２内のイオンの角度拡散に対するプラズマイオンのエネルギを示す。グラフ７０２、グラフ７０４、グラフ７０６、グラフ７０８、およびグラフ７１０に表されるように、経路の底部におけるマルチレベルパルスのパラメータの角度拡散は、連続波信号の角度分布より小さい。

図８Ａは、図１の基板支持体１１４における時間ｔに対する直流（ＤＣ）バイアスを示すグラフ８０２の実施形態である。グラフ８０２は、２レベルパルスのパラメータで一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が基板支持体１１４に印加されたときを示す。

図８Ｂは、図１の基板支持体１１４における時間ｔに対するＤＣバイアスを示すグラフ８０４の実施形態である。グラフ８０４は、３レベルパルスのパラメータで一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が基板支持体１１４に印加されたときを示す。

図８Ｃは、図１の基板支持体１１４における時間ｔに対するＤＣバイアスを示すグラフ８０６の実施形態である。グラフ８０６は、３レベルパルスのパラメータで２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が基板支持体１１４に印加されたときを示す。

図８Ｄは、図１の基板支持体１１４における時間ｔに対するＤＣバイアスを示すグラフ８０８の実施形態である。グラフ８０８は、５レベルパルスのパラメータで一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が基板支持体１１４に印加されたときを示す。グラフ８０２ないしグラフ８０８を比較すると、ＲＦ信号１２２のパラメータがパルス化されるレベル数の増加に伴ってＤＣバイアスが増加することがわかる。ＤＣバイアスの増加は、図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマのプラズマシースの電圧を増加させる。プラズマシースの電圧の増加は、プラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのエネルギを増加させ、エネルギの増加は、イオンの角度拡散を減少させる。

プラズマチャンバ１１２内のプラズマのプラズマシースの電圧は、数式Ｖ_{High_Peak}＝Ｖ_High＋Ｖ_Lowｅ^(-t/RC)に基づいて充放電する（Ｖ_Highは、状態Ｓ３または状態Ｓ４または状態Ｓ５などの高状態時の電圧レベル、Ｖ_Lowは、状態Ｓ１または状態Ｓ２などの低状態時の電圧レベル、ｔは時間、ＲＣは抵抗付コンデンサ（ＲＣ）時定数、Ｖ_{High_Peak}はプラズマシースの電圧）。電圧レベルが低状態から高状態に上がるにつれて、１つのプラズマシースは、数式に基づいて別のプラズマシースに発展して統合されたプラズマシースが形成される。統合されたプラズマシースの累積電圧は、増加して図８Ａないし図８Ｄに表されたような高シース電圧をもたらす。

図９Ａは、連続波電圧信号であるＲＦ信号９０２Ｂがウエハ支持体に印加されたときにプラズマリアクタ内に生成されるプラズマのシース電圧９０２Ａを表すグラフ９０２の実施形態である。グラフ９０２は、時間ｔに対するＲＦ信号９０２Ｂを示す。グラフ９０２に表されるように、シース電圧９０２Ａは一定である。

図９Ｂは、ＲＦ信号９０４Ｂが図１の基板支持体１１４に印加されたときに図１のプラズマチャンバ１１２内に生成されるプラズマのシース電圧９０４Ａを表すグラフ９０４の実施形態である。グラフ９０４は、時間ｔに対するＲＦ信号９０４Ｂを示す。ＲＦ信号９０４Ｂは、図１のＲＦ信号１２２の例である。ＲＦ信号９０４Ｂは、２レベルパルスのＲＦ信号１２２を表す。例えば、ＲＦ信号９０４Ｂは、パラメータレベル９０８と別のパラメータレベル９１０との間でパルス化する。ＲＦ信号９０４Ｂは、正弦波信号である。パラメータレベル９１０は、パラメータレベル９０８より大きい。パラメータレベル９１０は、状態Ｓ１の間に実現され、パラメータレベル９０８は、状態Ｓ２の間に実現される。

図９Ｃは、ＲＦ信号９０６Ｂが図１の基板支持体１１４に印加されたときに図１のプラズマチャンバ１１２内に生成されるプラズマのシース電圧９０６Ａを表すグラフ９０６の実施形態である。グラフ９０６は、時間ｔに対するＲＦ信号９０６Ｂを示す。ＲＦ信号９０６Ｂは、図１のＲＦ信号１２２の例であり、正弦波信号である。ＲＦ信号９０６Ｂは、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２を表す。例えば、ＲＦ信号９０６Ｂは、パラメータレベル９１２、パラメータレベル９１４、パラメータレベル９１６、およびパラメータレベル９１８の間でパルス化する。パラメータレベル９１８はパラメータレベル９１６より大きく、パラメータレベル９１６はパラメータレベル９１４より大きい。パラメータレベル９１４は、パラメータレベル９１２より大きい。パラメータレベル９１２は、状態Ｓ１の間に実現され、パラメータレベル９１４は、状態Ｓ２の間に実現され、パラメータレベル９１６は、状態Ｓ３の間に実現され、パラメータレベル９１８は、状態Ｓ４の間に実現される。

図９Ａないし図９Ｃに関して表されるように、図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマのプラズマシースの充放電により、ＲＦ信号１２２の振幅が変調される。ＲＦ信号１２２のパラメータレベルの数が増加するにつれて、パラメータレベル９０８、パラメータレベル９１０、パラメータレベル９０８、パラメータレベル９１２、パラメータレベル９１４、パラメータレベル９１６、およびパラメータレベル９１８などの包絡線は、プラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンが従って応答できる低速度で変化する。例えば、シース電圧９０６Ａは、シース電圧９０４Ａより低速度で増加する。シース電圧９０６Ａの低速での増加は、図１のプラズマチャンバ１１２内のイオンのイオンエネルギを増加させる。イオンエネルギの増加は、基板１１８をエッチングするエッチング速度を増加させ、基板１１８の限界寸法を向上させる（例えば、減少させる）。

図１０Ａは、図１の基板支持体１１４における時間に対するＲＦ信号１２２（図１）によって生成されたＤＣバイアスを示すグラフ１００２の実施形態である。グラフ１００２は、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２、および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が基板支持体１１４に印加されたときに形成される。グラフ１００２に示されたＤＣバイアスのＲＣ時定数は、約４０マイクロ秒（μｓ）であることに注意されたい。

図１０Ｂは、図１の基板支持体１１４における時間に対するＲＦ信号１２２（図１）によって生成されたＤＣバイアスを示すグラフ１００６の実施形態である。グラフ１００６は、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２、および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が基板支持体１１４に印加されたときに形成される。グラフ１００２に示されたＤＣバイアスのＲＣ時定数は、約２００μｓであることに注意されたい。従って、ＲＦ信号１２２の周波数が一定周波数レベルにあるときと比較して、ＲＦ信号１２２の周波数がパルス化されるときは、ＲＣ時定数が増加する。ＲＣ時定数の増加は、図１のプラズマチャンバ１１２内のプラズマのシース電圧の増加を促す。また、ＲＣ時定数の増加は、プラズマチャンバ１１２内のプラズマのピークエネルギイオンの数を増加させる。ピークエネルギイオン数の増加は、イオンエネルギを増加させ、エネルギの増加は、基板１１８をエッチングするエッチング速度を増加させる。

図１０Ａおよび図１０Ｂに表されるように、周波数レベルｆ１および周波数レベルｆ２の適用は、高パラメータレベル（例えば、状態Ｓ３または状態Ｓ４または状態Ｓ５の間のパラメータレベル）から低パラメータレベル（例えば、状態Ｓ１）への遷移中、ならびに、高周波数レベル（例えば、周波数レベルｆ２）から低周波数レベル（例えば、周波数レベルｆ１）への遷移中に、プラズマチャンバ１１２内のプラズマのプラズマシースのＲＣ時定数を増加させるため、プラズマチャンバ１１２内のプラズマイオンのピークエネルギがより長く維持されて、低パラメータレベルおよび低周波数レベル中のピークイオンエネルギが増加し、図１の基板１１８をエッチングするエッチング速度が増加する。

図１１Ａは、ナノメータ（ｎｍ）で測定される水平距離Ｒに対する、同じくｎｍで測定される垂直距離Ｚを示すグラフ１１０２の実施形態である。グラフ１１０２は、連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときに形成される。グラフ１１０２は、マスク層１１０２Ａの垂直距離および基板層１１０２Ｂの垂直距離を示す。層の垂直距離は、層の高さである。また、グラフ１１０２は、エッチング動作中にマスク層１１０２Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。加えて、グラフ１１０２は、基板層１１０２Ｂ内に形成される経路の限界寸法を示す。層内に形成される経路の限界寸法は、ｎｍで測定される経路の厚さｔｈである。

図１１Ｂは、水平距離Ｒに対する垂直距離Ｚを示すグラフ１１０４の実施形態である。グラフ１１０４は、図１の２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルが図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される。グラフ１１０４は、図１の基板１１８のマスク層１１０４Ａの垂直距離、および、基板１１８の基板層１１０４Ｂの垂直距離を示す。また、グラフ１１０４は、エッチング動作中にマスク層１１０４Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。加えて、グラフ１１０４は、基板層１１０４Ｂ内に形成される経路の限界寸法を示す。

図１１Ｃは、水平距離Ｒに対する垂直距離Ｚを示すグラフ１１０６の実施形態である。グラフ１１０６は、図１の３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルが図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される。グラフ１１０６は、図１の基板１１８のマスク層１１０６Ａの垂直距離、および、基板１１８の基板層１１０６Ｂの垂直距離を示す。また、グラフ１１０６は、エッチング動作中にマスク層１１０６Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。加えて、グラフ１１０６は、基板層１１０６Ｂ内に形成される経路の限界寸法を示す。

図１１Ｄは、水平距離Ｒに対する垂直距離Ｚを示すグラフ１１０８の実施形態である。グラフ１１０８は、図１の３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２、および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される。グラフ１１０８は、図１の基板１１８のマスク層１１０８Ａの垂直距離、および、基板１１８の基板層１１０８Ｂの垂直距離を示す。また、グラフ１１０８は、エッチング動作中にマスク層１１０８Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。加えて、グラフ１１０８は、基板層１１０８Ｂ内に形成される経路の限界寸法を示す。

図１１Ｅは、水平距離Ｒに対する垂直距離Ｚを示すグラフ１１１０の実施形態である。グラフ１１１０は、図１の５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２、および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される。グラフ１１１０は、図１の基板１１８のマスク層１１１０Ａの垂直距離、および、基板１１８の基板層１１１０Ｂの垂直距離を示す。また、グラフ１１１０は、エッチング動作中にマスク層１１１０Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。加えて、グラフ１１１０は、基板層１１１０Ｂ内に形成される経路の限界寸法を示す。

一定周波数レベルと共に、または２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２と共に、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２は、エッチング動作中の図１の基板１２２をエッチングするエッチング速度を増加させる。また、一定周波数レベルと共に、または２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２と共に、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２は、図１１Ａのマスク層１１０２Ａ内に形成される経路の限界寸法と比較して、基板１１８のマスク層内に形成される経路の限界寸法を低減する。加えて、一定周波数レベルと共に、または２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２と共に、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２は、図１１Ａの基板層１１０２Ｂ内に形成される経路の限界寸法と比較して、基板１１８の基板層内に形成される経路の限界寸法を低減する。

図１１Ｆは、マスク層１１１２Ａの水平距離に対するマスク層１１１２Ａの垂直距離を示すグラフ１１１２の実施形態である。マスク層１１１２Ａは、エッチングなどの処理がまだ施されていないことに注意されたい。

図１１Ｇは、マスク層１１０２Ａの水平距離に対するマスク層１１０２Ａの垂直距離を示すグラフ１１１４の実施形態である。グラフ１１１４は、連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されるときに形成される。また、グラフ１１１４は、エッチング動作中にマスク層１１０２Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。

図１１Ｈは、マスク層１１０４Ａの水平距離に対するマスク層１１０４Ａの垂直距離を示すグラフ１１１６の実施形態である。グラフ１１１６は、図１の２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルが図１の基板支持体１１４に印加されるときに形成される。また、グラフ１１１６は、エッチング動作中にマスク層１１０４Ｂ内に形成される経路の限界寸法を示す。

図１１Ｉは、マスク層１１０６Ａの水平距離に対するマスク層１１０６Ａの垂直距離を示すグラフ１１１８の実施形態である。グラフ１１１８は、図１の３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルが図１の基板支持体１１４に印加されるときに形成される。また、グラフ１１１８は、エッチング動作中にマスク層１１０６Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。

図１１Ｊは、マスク層１１０８Ａの水平距離に対するマスク層１１０８Ａの垂直距離を示すグラフ１１２０の実施形態である。グラフ１１２０は、図１の３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２、および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されるときに形成される。また、グラフ１１２０は、エッチング動作中にマスク層１１０８Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。

図１１Ｋは、マスク層１１１０Ａの水平距離に対するマスク層１１１０Ａの垂直距離を示すグラフ１１２２の実施形態である。グラフ１１１２は、図１の５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されるときに形成される。また、グラフ１１２２は、エッチング動作中にマスク層１１１０Ａ内に形成される経路の限界寸法を示す。

一定周波数レベルと共に、または２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２と共に、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２は、エッチング動作中のマスク選択性を増加させる。例えば、図１の基板１１８のマスク層の経路の限界寸法は、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２が、一定周波数レベルと共に、または２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２と共に印加されるときに減少する。図１の基板１１８のマスク層の経路の限界寸法は、図１１Ｇのマスク層１１０２Ａの経路の限界寸法と比較して減少する。

図１１Ｌは、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２が一定周波数レベルと共に、または２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２と共に印加されたときのマスク浸食の減少を表すグラフ１１２４の実施形態である。グラフ１１２４は、連続波電圧信号がプラズマリアクタのウエハ支持体に印加されたときに形成される区画１１２４Ａを有する。また、グラフ１１２４は、図１の２レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルが図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される別の区画１１２４Ｂを有する。加えて、グラフ１１２４は、図１の３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルが図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される別の区画１１２４Ｃを有する。

また、グラフ１１２４は、図１の３レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される区画１１２４Ｄを有する。加えて、グラフ１１２４は、図１の５レベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２および一定周波数レベルのＲＦ信号１２２が図１の基板支持体１１４に印加されたときに形成される区画１１２４Ｅを有する。

図１１Ｇのマスク層１１０２Ａの浸食と比較して、図１の基板１１８のマスク層の浸食は減少することに注意されたい。浸食の減少は、マルチレベルパルスのパラメータのＲＦ信号１２２が一定周波数レベルと共に、または２レベルパルスの周波数のＲＦ信号１２２と共に印加されたときに起こる。

いくつかの実施形態では、本明細書に記載のＲＦ信号の各パラメータレベルは、ＲＦ信号の包絡線である。例えば、本明細書に記載のＲＦ信号のパラメータレベルは、ＲＦ信号の０からピーク間の大きさ、またはＲＦ信号のピーク間の大きさである。

本明細書に記載の実施形態は、ハンドヘルドハードウェアユニット、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサ搭載家電またはプログラマブル家電、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなどを含む、様々なコンピュータシステム構成を用いて実行されてよい。実施形態は、タスクがネットワークを通じてリンクされる遠隔処理ハードウェアによって実行される分散コンピューティング環境で実行されることもできる。

いくつかの実施形態では、コントローラは、上述の例の一部でありうるシステムの一部である。かかるシステムは、処理ツール、チャンバ、処理用プラットフォーム、および／または、特定の処理部品（ウエハ台座、ガス流システムなど）を含む、半導体処理装置を備える。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のそれらの動作を制御するための電子機器と統合される。電子機器は、システムの様々な部品または副部品を制御しうる「コントローラ」を意味する。コントローラは、処理条件および／またはシステムの種類に応じて、プロセスガスの配送、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、ＲＦ生成器の設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体配送設定、位置動作設定、ツールおよび他の搬送ツール、および／または、システムに接続もしくは結合されたロードロックに対するウエハ搬送を含む、本明細書に開示のプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされる。

概して、様々な実施形態では、コントローラは、命令を受け取り、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの、様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義される。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェア形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ＡＳＩＣとして定義されるチップ、ＰＬＤ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１つ以上のマイクロプロセッサ、もしくは、マイクロコントローラを含んでよい。プログラム命令は、様々な個別設定（または、プログラムファイル）の形式でコントローラに伝達される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上でもしくは半導体ウエハ向けに、またはシステムに対して実行するためのパラメータ、因数、変数などを定義する。いくつかの実施形態では、プログラム命令は、１つ以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ウエハダイの製作中における１つ以上の処理工程を実現するために、プロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部である。

いくつかの実施形態では、コントローラは、システムと統合または結合された、そうでなければシステムにネットワーク接続された、もしくはこれらが組み合わされたコンピュータの一部である、またはそのコンピュータに結合される。例えば、コントローラは、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にする、「クラウド」内にあってよい、または、ファブホストコンピュータシステムの全てもしくは一部であってよい。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の進捗状況を監視し、過去の製作動作の経歴を調査し、複数の製作動作から傾向または性能の基準を調査し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理工程を設定し、または、新しいプロセスを開始する。

いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ローカルネットワークまたはインターネットを含むネットワークを通じて、プロセスレシピをシステムに提供する。リモートコンピュータは、次にリモートコンピュータからシステムに伝達されるパラメータおよび／もしくは設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインタフェースを含む。いくつかの例では、コントローラは、１つ以上の動作中に実施される各処理工程のためのパラメータ、因数、および／または変数を特定するデータ形式の命令を受け取る。パラメータ、因数、および／または変数は、実施されるプロセスの種類、および、コントローラが接続するまたは制御するように構成されたツールの種類に固有であってよいことを理解されたい。よって、上述のように、コントローラは、例えば、互いにネットワーク接続される１つ以上の個別のコントローラを含むことや、本明細書に記載のプロセスや制御などの共通の目的に向かって協働することによって分散される。かかる目的で分散されたコントローラの例は、遠隔に（例えば、プラットフォームレベルで、または、リモートコンピュータの一部として）位置し、協働してチャンバにおけるプロセスを制御する１つ以上の集積回路と連通する、チャンバの１つ以上の集積回路を含む。

制限するのではなく、様々な実施形態では、この方法が適用される例示のシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはプラズマエッチングモジュール、堆積チャンバまたは堆積モジュール、スピンリンスチャンバまたはスピンリンスモジュール、金属めっきチャンバまたは金属めっきモジュール、クリーンチャンバまたはクリーンモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはベベルエッジエッチングモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはＰＶＤモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはＣＶＤモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはＡＬＤモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはＡＬＥモジュール、イオン注入チャンバまたはイオン注入モジュール、トラックチャンバまたはトラックモジュール、ならびに、半導体ウエハの製作および／もしくは製造において関連もしくは使用する任意の他の半導体処理システムを含む。

いくつかの実施形態では、上述の動作は、いくつかの種類のプラズマチャンバ（例えば、誘電結合型プラズマ（ＩＣＰ）リアクタ、トランス結合型プラズマチャンバ、コンダクタツール、誘電体ツール、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）リアクタを含むプラズマチャンバなど、を含むプラズマチャンバ）に適用することにさらに注意されたい。例えば、１つ以上のＲＦ生成器は、ＩＣＰリアクタ内のインダクタに結合される。インダクタの形状の例は、ソレノイド、ドーム型コイル、平型コイルなどを含む。

上記のように、ツールによって実施されるプロセス工程に応じて、ホストコンピュータは、他のツール回路もしくはツールモジュール、他のツール部品、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に設置されたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または、半導体製造工場においてツール位置および／もしくはロードポートに対してウエハ容器を搬入出する材料搬送で用いられるツール、のうちの１つ以上と連通する。

上記の実施形態を踏まえて、いくつかの実施形態は、コンピュータシステムに格納されたデータを含む様々なコンピュータ実行動作を用いる。これらの動作は、物理量を物理的に操作するものである。実施形態の一部を形成する本明細書に記載の動作のいくつかは、有効な機械動作である。

いくつかの実施形態は、これらの動作を実行するためのハードウェアユニットまたは装置にも関する。装置は、特定用途コンピュータ向けに特別に構築されている。特定用途コンピュータと定義されるときは、そのコンピュータは、特定用途のために動作する能力を有しながら、特定用途の一部ではない他の処理、プログラム実行、またはルーチンを実行する。

いくつかの実施形態では、動作は、コンピュータメモリ、キャッシュに格納された、またはコンピュータネットワークを通じて取得された１つ以上のコンピュータプログラムによって、選択的に起動または構成されたコンピュータによって処理されてよい。データがコンピュータネットワークを通じて取得されるときは、そのデータは、コンピュータネットワーク（例えば、いくつかのコンピューティング資源）の他のコンピュータによって処理されてよい。

１つ以上の実施形態は、非一時的コンピュータ可読媒体のコンピュータ可読コードとしても作成されうる。非一時的コンピュータ可読媒体は、後にコンピュータシステムによって読み込まれるデータを格納する、メモリデバイスなどの任意のデータ記憶ハードウェアユニットである。非一時的コンピュータ可読媒体の例は、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）、書き込み可能ＣＤ（ＣＤ−Ｒ）、書き換え可能ＣＤ（ＣＤ−ＲＷ）、磁気テープ、ならびに他の光学および非光学のデータ記憶ハードウェアユニットを含む。いくつかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読コードが分散されて記憶され実行されるようにネットワーク接続コンピュータシステムを通じて分散されたコンピュータ可読有形媒体を含む。

上記のいくつかの方法動作は、特定の順序で説明されたが、様々な実施形態では、他のハウスキーピング動作が動作間に実施されること、または、方法動作がわずかに異なる時間で起こるように、もしくは、方法動作が様々な間隔で起こることを可能にするシステムにおいて分散されるように、もしくは、上記とは異なる順序で実行されるように調節されることを理解されたい。

一実施形態では、上記の実施形態の１つ以上の特徴は、本開示に記載の様々な実施形態に記載の範囲から逸脱することなく他の実施形態の１つ以上の特徴と組み合わせられることにさらに注意されたい。

前述の実施形態は、理解を明確にするためにある程度詳細に説明されたが、添付の特許請求の範囲内で一定の変更および修正が行われうることは明らかだろう。従って、本実施形態は、制限的でなく例示的とみなされ、実施形態は、本明細書に記載の詳細に限定されない。

Claims (30)

1. 方法であって、
   一定期間に複数のパラメータレベル間および複数の周波数レベル間で同時にパルス化するＲＦ信号を生成するように無線周波数（ＲＦ）生成器を制御する工程であって、前記複数のパラメータレベルは、第１のパラメータレベルおよび第２のパラメータレベルを含み、前記複数の周波数レベルは、第１の周波数レベルおよび第２の周波数レベルを含む、工程を含み、
   前記一定期間に、前記第１の周波数レベルから前記第２の周波数レベルへの遷移は、前記第１のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こり、前記第２の周波数レベルから前記第１の周波数レベルへの遷移は、前記第２のパラメータレベルから前記第１のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こる、方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、
   前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御する前記工程は、
   前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   を含む、方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、
   前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御する前記工程は、
   前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから第４のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   前記ＲＦ信号を前記第４のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   を含む、方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、
   前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御する前記工程は、
   前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから第４のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   前記ＲＦ信号が前記第２周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第４のパラメータレベルから第５のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   前記ＲＦ信号を前記第５のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるように前記ＲＦ生成器を制御する工程と、
   を含む、方法。
5. 請求項１に記載の方法であって、
   前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御する前記工程は、
   第１のデジタルパルス信号を前記ＲＦ生成器に提供する工程であって、前記複数のパラメータレベルは、前記第１のデジタルパルス信号と略同期してパルス化する、工程と、
   第２のデジタルパルス信号を前記ＲＦ生成器に提供する工程であって、前記複数の周波数レベルは、前記第２のデジタルパルス信号と略同期してパルス化し、前記第１のデジタルパルス信号は、３つ以上のロジックレベル間で遷移し、前記第２のデジタルパルス信号は、２つのロジックレベル間で遷移するクロック信号である、工程と、
   を含む、方法。
6. 請求項１に記載の方法であって、
   前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御する前記工程は、前記ＲＦ信号が前記第１の周波数レベルから前記第２の周波数レベルにパルス化する前記期間前後に、前記第１のパラメータレベルから１つ以上の付加的パラメータレベルを介して前記第２のパラメータレベルまで段階的な増加傾向でパルス化する前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御する工程を含む、方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、
   前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御する前記工程は、前記複数のパラメータレベル間で段階的に遷移するように前記ＲＦ生成器を制御する工程を含む、方法。
8. 請求項１に記載の方法であって、
   前記第２の周波数レベルは、前記第１の周波数レベルより大きい、方法。
9. 請求項１に記載の方法であって、
   前記複数のパラメータレベルは、複数の電圧レベルを含む、方法。
10. 請求項１に記載の方法であって、
    前記複数のパラメータレベルは、複数の電力レベルを含む、方法。
11. コントローラであって、
    プロセッサであって、
    一定期間に複数のパラメータレベル間および複数の周波数レベル間で同時にパルス化するＲＦ信号を生成するよう無線周波数（ＲＦ）生成器を制御するように構成され、前記複数のパラメータレベルは、第１のパラメータレベルおよび第２のパラメータレベルを含み、前記複数の周波数レベルは、第１の周波数レベルおよび第２の周波数レベルを含み、前記一定期間に、前記第１の周波数レベルから前記第２の周波数レベルへの遷移は、前記第１のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こり、前記第２の周波数レベルから前記第１の周波数レベルへの遷移は、前記第２のパラメータレベルから前記第１のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こる、プロセッサと、
    前記プロセッサに接続されたメモリデバイスと、
    を備える、コントローラ。
12. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記プロセッサは、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、コントローラ。
13. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記プロセッサは、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから第４のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号を前記第４のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、コントローラ。
14. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記プロセッサは、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから第４のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第４のパラメータレベルから第５のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号を前記第５のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、コントローラ。
15. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記プロセッサは、
    第１のデジタルパルス信号を前記ＲＦ生成器に提供するように構成され、前記複数のパラメータレベルは、前記第１のデジタルパルス信号と略同期してパルス化し、
    第２のデジタルパルス信号を前記ＲＦ生成器に提供するように構成され、前記複数の周波数レベルは、前記第２のデジタルパルス信号と略同期してパルス化し、前記第１のデジタルパルス信号は、３つ以上のロジックレベル間で遷移し、前記第２のデジタルパルス信号は、２つのロジックレベル間で遷移するクロック信号である、コントローラ。
16. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記プロセッサは、前記ＲＦ信号が前記第１の周波数レベルから前記第２の周波数レベルにパルス化する前記期間前後に、前記第１のパラメータレベルから１つ以上の付加的パラメータレベルを介して前記第２のパラメータレベルまで段階的な増加傾向でパルス化する前記ＲＦ信号を生成するよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、コントローラ。
17. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記プロセッサは、前記複数のパラメータレベル間で段階的に遷移するよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、コントローラ。
18. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記第２の周波数レベルは、前記第１の周波数レベルより大きい、コントローラ。
19. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記複数のパラメータレベルは、複数の電圧レベルを含む、コントローラ。
20. 請求項１１に記載のコントローラであって、
    前記複数のパラメータレベルは、複数の電力レベルを含む、コントローラ。
21. システムであって、
    無線周波数（ＲＦ）生成器と、
    前記ＲＦ生成器に接続されたコントローラであって、一定期間に複数のパラメータレベル間および複数の周波数レベル間で同時にパルス化するＲＦ信号を生成するようＲＦ生成器を制御するように構成され、前記複数のパラメータレベルは、第１のパラメータレベルおよび第２のパラメータレベルを含み、前記複数の周波数レベルは、第１の周波数レベルおよび第２の周波数レベルを含む、コントローラと、を備え、
    前記一定期間に、前記第１の周波数レベルから前記第２の周波数レベルへの遷移は、前記第１のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こり、前記第２の周波数レベルから前記第１の周波数レベルへの遷移は、前記第２のパラメータレベルから前記第１のパラメータレベルへの遷移と略同期して起こる、システム。
22. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記コントローラは、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、システム。
23. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記コントローラは、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから第４のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号を前記第４のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、システム。
24. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記コントローラは、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する期間に、前記ＲＦ信号を前記第１のパラメータレベルから第３のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第３のパラメータレベルから第４のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号が前記第２の周波数レベルを有する前記期間に、前記ＲＦ信号を前記第４のパラメータレベルから第５のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成され、
    前記ＲＦ信号を前記第５のパラメータレベルから前記第２のパラメータレベルに遷移させるよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、システム。
25. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記コントローラは、
    第１のデジタルパルス信号を前記ＲＦ生成器に提供するように構成され、前記複数のパラメータレベルは、前記第１のデジタルパルス信号と略同期してパルス化し、
    第２のデジタルパルス信号を前記ＲＦ生成器に提供するように構成され、前記複数の周波数レベルは、前記第２のデジタルパルス信号と略同期してパルス化し、前記第１のデジタルパルス信号は、３つ以上のロジックレベル間で遷移し、前記第２のデジタルパルス信号は、２つのロジックレベル間で遷移するクロック信号である、システム。
26. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記コントローラは、前記ＲＦ信号が前記第１の周波数レベルから前記第２の周波数レベルにパルス化する前記期間前後に、前記第１のパラメータレベルから１つ以上の付加的パラメータレベルを介して前記第２のパラメータレベルまで段階的な増加傾向でパルス化する前記ＲＦ信号を生成するよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、システム。
27. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記ＲＦ信号を生成するように前記ＲＦ生成器を制御するために、前記コントローラは、前記複数のパラメータレベル間で段階的に遷移するよう前記ＲＦ生成器を制御するように構成されている、システム。
28. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記第２の周波数レベルは、前記第１の周波数レベルより大きい、システム。
29. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記複数のパラメータレベルは、複数の電圧レベルを含む、システム。
30. 請求項２１に記載のシステムであって、
    前記複数のパラメータレベルは、複数の電力レベルを含む、システム。

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