JP2013191554A - 状態に基づいた電力および周波数の調整 - Google Patents

状態に基づいた電力および周波数の調整 Download PDF

Info

Publication number
JP2013191554A
JP2013191554A JP2013031826A JP2013031826A JP2013191554A JP 2013191554 A JP2013191554 A JP 2013191554A JP 2013031826 A JP2013031826 A JP 2013031826A JP 2013031826 A JP2013031826 A JP 2013031826A JP 2013191554 A JP2013191554 A JP 2013191554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
power
signal
pulse signal
processor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013031826A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6420528B2 (ja
JP2013191554A5 (ja
Inventor
C Valcore John Jr
ジョン・シー．・バルコア・ジュニア
J Lyndaker Bradford
ブラッドフォード・ジェイ．・リンデーカー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/531,491 external-priority patent/US9114666B2/en
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2013191554A publication Critical patent/JP2013191554A/ja
Publication of JP2013191554A5 publication Critical patent/JP2013191554A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6420528B2 publication Critical patent/JP6420528B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00—Auxiliary systems
    • H05H2242/20—Power circuits
    • H05H2242/26—Matching networks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

【課題】プラズマインピーダンスの変化に速く応答する
システムの提供。
【解決手段】システムの第１発生器２７６は、第１高周波（ＲＦ）信号を電極１０６に供給するための第１電源を備える。第１発生器２７６は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１電源に提供するための自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。システムの第２発生器２７４は、第２ＲＦ信号を電極１０６に供給するための第２電源を備える。第２発生器２７４は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第２の周波数入力を第２電源に提供するためのＡＦＣを備える。第２発生器２７４は、パルス信号が第２の状態にある時に第３の周波数入力を第２電源に提供するためのＡＦＣを備える。システムは、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。
【選択図】図１

Description

本実施形態は、プラズマインピーダンスの変化に対する応答時間の改善に関し、特に、状態に基づいた電力および周波数の調整のための装置、方法、および、コンピュータプログラムに関する。
一部のプラズマ処理システムでは、複数の高周波（ＲＦ）信号が、プラズマチャンバ内の１または複数の電極に供給される。ＲＦ信号は、プラズマチャンバ内でプラズマを生成する助けとなる。プラズマは、様々な動作、例えば、下側電極上に設置された基板の洗浄、基板のエッチングなどに用いられる。
ＲＦ信号を生成するＲＦ電源とプラズマチャンバとの間には、通常、インピーダンス整合回路が配置される。インピーダンス整合回路は、負荷（例えば、プラズマチャンバ内のプラズマ）のインピーダンスを供給源（例えば、ＲＦ電源）のインピーダンスと整合させる。しかしながら、特定の状況では、インピーダンス整合は、プラズマインピーダンスの変化に応答するのに十分なほど速くない。
本開示の実施形態は、このような課題に対処するものである。
本開示の実施形態は、状態に基づいて電力および周波数を調整するための装置、方法、および、コンピュータプログラムを提供する。本実施形態は、処理、装置、システム、デバイス、または、方法など、種々の形態で実施できることを理解されたい。以下に、いくつかの実施形態を記載する。
一実施形態では、デジタルパルス信号の状態の変化に伴って、複数のＲＦ源によって生成されるＲＦ信号の電力および／または周波数が変更される。例えば、デジタルパルス信号の状態がＳ１にある時、第１のＲＦ源が、第１の電力値および第１の周波数を有する電力信号を生成し、第２のＲＦ源が、第２の電力値および第２の周波数を有する電力信号を生成する。状態Ｓ１の受信が、第１の電力値および第１の周波数を有する電力信号の生成と、第２の電力値および第２の周波数を有する電力信号の生成とをトリガする。この例において、デジタルパルス信号の状態がＳ０の時、第１のＲＦ源は、第３の電力値および第３の周波数を有する電力信号を生成する。第３の周波数は、第１の周波数と同じであっても同じでなくてもよい。この例において、デジタルパルス信号の状態がＳ０の時、第２のＲＦ源は、第４の電力値および第４の周波数を有する電力信号を生成する。第４の周波数は、第２の周波数と同じであっても同じでなくてもよい。状態Ｓ０の受信が、第３の電力値および第３の周波数を有する電力信号の生成と、第４の電力値および第４の周波数を有する電力信号の生成とをトリガする。トリガの結果、プラズマチャンバ内のプラズマインピーダンスの変化に応答するための応答時間が短くなる。一実施形態では、第２および第４の電力値は同じである。
一実施形態では、システムが、電極に接続された第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するための第１電源を備える。第１発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１電源に提供するための自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。システムは、さらに、電極に接続された第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を電極に供給するための第２電源を備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第２の周波数入力を第２電源に提供するためのＡＦＣを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第３の周波数入力を第２電源に提供するためのＡＦＣを備える。システムは、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。
一実施形態では、システムが、基板を支持するための表面を有する下側電極をさらに備えたプラズマチャンバを備える。プラズマチャンバは、下側電極の上方に配置された上側電極を備える。上側電極は、電気的に接地されている。システムは、下側電極に接続された第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を下側電極に供給するための第１電源を備える。システムは、さらに、下側電極に接続された第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を下側電極に供給するための第２電源を備える。システムは、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。デジタルパルス源は、第１発生器および第２発生器に接続される。第１発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１電源に提供するための第１の自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。第２発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第２の周波数入力を第２電源に提供するための第２のＡＦＣを備える。さらに、第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第３の周波数入力を第２電源に提供するための第３のＡＦＣを備える。
一実施形態では、システムが、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。システムは、さらに、第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を第１電源に提供するか否かを決定するために第１プロセッサに接続された電力コントローラを備える。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
一実施形態において、システムは、さらに、第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を電極に供給するために電極に接続された第２電源を備える。第２発生器は、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラを備える。第２発生器は、さらに、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１のＡＦＣを備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の第１の周波数入力を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第２のＡＦＣを備える。第２のＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の第２の周波数入力を提供するよう構成される。
一実施形態では、システムが、基板を支持するための表面を有する下側電極をさらに備えたプラズマチャンバを備える。プラズマチャンバは、下側電極の上方に配置された上側電極を備える。上側電極は、電気的に接地されている。システムは、２つの状態の間で移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。システムは、さらに、第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、さらに、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を第１電源に提供するか否かを決定するために第１プロセッサに接続された電力コントローラを備える。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
この実施形態において、システムは、さらに、第２ＲＦ信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第２電源を備えた第２発生器を備える。第２発生器は、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラを備える。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１のＡＦＣを備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第２のＡＦＣを備える。第２のＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
一実施形態では、システムが、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。システムは、第１発生器を備える。第１発生器は、さらに、第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、さらに、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の第１の第１周波数入力を提供するよう構成される。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第２の第１ＡＦＣを備える。第２の第１ＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第１ＲＦ信号の第２の第１周波数入力を提供するよう構成される。
この実施形態において、システムは、第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を電極に供給するために電極に接続された第２電源を備える。第２発生器は、さらに、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１の第２ＡＦＣを備える。第１の第２ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の第１の第２周波数入力を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第２の第２ＡＦＣを備える。第２の第２ＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の第２の第２周波数入力を提供するよう構成される。
一実施形態では、システムが、基板を支持するための表面を有する下側電極を備えたプラズマチャンバを備える。プラズマチャンバは、下側電極の上方に配置された上側電極を備える。上側電極は、電気的に接地されている。システムは、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。パルス信号は、２つの状態の間を移行する。システムは、第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、さらに、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、さらに、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、さらに、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第２の第１ＡＦＣを備える。第２の第１ＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
この実施形態において、システムは、第２ＲＦ信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第２電源をさらに備えた第２発生器を備える。第２発生器は、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、さらに、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１の第２ＡＦＣを備える。第１の第２ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続され、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２の第２ＡＦＣを備える。
一実施形態では、方法が、デジタルパルス信号を受信する工程を備える。デジタルパルス信号は、２つの状態を有する。方法は、さらに、デジタルパルス信号が２つの状態の内の第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１ＲＦ電源に印加することから、デジタルパルス信号が２つの状態の内の第２の状態にある時に第２の周波数入力を第１ＲＦ電源に印加することに切り換える工程を備える。方法は、デジタルパルス信号が第１の状態にある時に第３の周波数入力を第２ＲＦ電源に印加することを決定する工程を備える。
上述の実施形態のいくつかの利点は、プラズマチャンバ内のプラズマインピーダンスの変化に応答するための応答時間を削減することを含む。例えば、複数のＲＦ電源によって供給される周波数および／または電力を制御するために、状態信号（例えば、トランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）信号など）を用いる場合、ＲＦ電源の内の第１の電源は、ＲＦ電源の内の第２の電源の電力および／または周波数の変化に応答するための時間を必要としない。通常、第１のＲＦ電源に入力される周波数および／または電力が変更されると、プラズマインピーダンスが変化し、第１のＲＦ電源は、インピーダンスの変化に応答する。この応答には時間が掛かり、それによって、プラズマチャンバ内で行われる処理（例えば、エッチング、蒸着、洗浄など）に悪影響が生じる。ＲＦ電源が、所定の周波数および／または所定の電力を有する状態信号の状態の変化に応答する際に、プラズマインピーダンスの変化に応答する時間が削減される。この時間の削減の結果、処理に悪影響を与える時間が短くなる。
添付の図面を参照して行う以下の詳細な説明から、別の態様が明らかになる。
実施形態は、添付の図面に関連して行う以下の説明を参照することによって最も良好に理解できる。
本開示に記載された一実施形態に従って、プラズマインピーダンスの変化に応じて電力コントローラおよび／または周波数チューナを調整する時間を削減するためのシステムを示すブロック図。
本開示に記載された一実施形態に従って、トランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）信号の状態の変化に伴う高周波（ＲＦ）電力信号の状態の変化を示すと共に、ガンマの変化に基づいた電力信号の周波数および／または電力値の調整を示す表の一実施形態を示す図。
本開示に記載された一実施形態に従って、プラズマインピーダンスの変化に応じて電力コントローラおよび／または周波数チューナ（電力コントローラおよび／または周波数チューナは非ゼロ値を提供しない）を調整する時間を削減するためのシステムを示す図。
本開示に記載された一実施形態に従って、一方が一定値または様々な値を有する２つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、両方が様々な値を有する２つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値を有すると共に別の信号が一定値または様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値を有すると共にそれ以外の２つの信号が様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値または様々な値を有すると共にそれ以外の２つの信号が様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、いずれも様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値または様々な値を有すると共にそれ以外の信号が様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、いずれも様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
本開示に記載された一実施形態に従って、ＴＴＬ信号の状態に基づいて自動周波数チューナ（ＡＦＴ）の間で選択を行うためのシステムを示すブロック図。
本開示に記載された一実施形態に従って、第１の組の電力値および第１の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するか、第２の組の電力値および第２の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するかを決定するための方法を示すフローチャート。
以下の実施形態では、状態に基づいた電力および周波数の調整のためのシステムおよび方法を記載する。本実施形態は、これらの具体的な詳細事項の一部またはすべてがなくとも実施可能であることが明らかである。また、本実施形態が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の詳細な説明は省略した。
図１は、プラズマインピーダンスの変化に従って電力コントローラおよび／または周波数チューナを調整する時間を削減するためのシステム１８０の一実施形態を示すブロック図である。２メガヘルツ（ＭＨｚ）高周波（ＲＦ）電源が、インピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２の下側電極１０４にＲＦ電力を供給する。同様に、６０ＭＨｚ電源が、インピーダンス整合回路１８６を介して下側電極１０４にＲＦ電力を供給する。一実施形態では、ＲＦ電力を下側電極に供給するために、６０ＭＨｚ電源の代わりに、２７ＭＨｚ電源が用いられることに注意されたい。さらに、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および、６０ＭＨｚという値は、例として提供されており、限定を意図したものではないことに注意されたい。例えば、２ＭＨｚ電源の代わりに２．５ＭＨｚ電源が用いられてもよいし、６０ＭＨｚ電源の代わりに６５ＭＨｚ電源が用いられてもよい。別の実施形態では、２ＭＨｚ電源および６０ＭＨｚ電源に加えて、ＲＦ電力を下側電極１０４に供給するために２７ＭＨｚ電源が用いられる。
インピーダンス整合回路は、電子回路素子、例えば、インダクタ、コンデンサなどを備えており、インピーダンス整合回路に接続された電源のインピーダンスを、インピーダンス整合回路に接続された負荷のインピーダンスと整合させる。例えば、インピーダンス整合回路１８２は、２ＭＨｚ電源のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０２内に生成されたプラズマのインピーダンスと整合させる。別の例として、インピーダンス整合回路１８６は、６０ＭＨｚ電源のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０２内に生成されたプラズマのインピーダンスと整合させる。さらに別の例として、インピーダンス整合回路１８２は、２ＭＨｚ電源のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０２の一部（例えば、プラズマおよび下側電極１０４）のインピーダンスと整合させる。一実施形態において、インピーダンス整合回路は、インピーダンス整合回路に接続されたＲＦ電源のインピーダンスと第１の負荷のインピーダンスとの間の整合を実現するように調整される。電源および負荷の間のインピーダンス整合がなされると、負荷から電源に電力が反射される可能性が低減される。
プラズマチャンバ１０２は、下側電極１０４と、上側電極１１０と、その他の構成要素（図示せず）、例えば、上側電極１１０を取り囲む上側誘電体リング、上側誘電体リングを取り囲む下側電極延長部、下側電極を取り囲む下側誘電体リング、下側誘電体リングを取り囲む下側電極延長部、上側プラズマ排除区域（ＰＥＺ）リング、下側ＰＥＺリングなど、とを備える。上側電極１１０は、下側電極１０４に対向するように配置される。基板１０８（例えば、半導体ウエハ）が、下側電極１０４の上面１０６上に支持される。集積回路（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）など）が、基板１０８から製造され、それらの集積回路は、様々なデバイス、例えば、携帯電話、タブレット、スマートフォン、コンピュータ、ラップトップ、ネットワーク装置などで利用される。下側電極１０４は、金属（例えば、陽極酸化アルミニウム、アルミニウム合金など）で形成される。また、上側電極１１０も、金属（例えば、アルミニウム、アルミニウム合金など）で形成される。
一実施形態において、上側電極１１０は、中央ガス供給部（図示せず）につながる穴を備える。中央ガス供給部は、ガス供給源（図示せず）から１または複数の処理ガスを受け入れる。処理ガスの例としては、酸素含有ガス（Ｏ2など）が挙げられる。処理ガスのほかの例は、フッ素含有ガス、例えば、テトラフルオメタン（ＣＦ4）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）などを含む。上側電極１１０は、接地されている。下側電極１０４は、インピーダンス整合回路１８２を介して２ＭＨｚＲＦ電源に接続されると共に、インピーダンス整合回路１８６を介して６０ＭＨｚＲＦ電源に接続されている。
処理ガスが、上側電極１１０および下側電極１０４の間に供給され、電源（例えば、２ＭＨｚ電源および／または６０ＭＨｚ電源）が、対応するインピーダンス整合回路を介して下側電極１０４に電力を供給すると、処理ガスは、点火されてプラズマチャンバ１０２内でプラズマを生成する。例えば、２ＭＨｚ電源は、インピーダンス整合回路１８２を介して電力を供給し、処理ガスに点火してプラズマを生成する。
コンピュータ（図示せず）上のツールユーザインターフェース（ＵＩ）１９０が、デジタルパルス信号であるトランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）信号１１２を生成するために用いられる。一実施形態において、コンピュータは、ＴＴＬ回路を備える。本明細書で用いられているように、コンピュータの代わりに、プロセッサ、コントローラ、ＡＳＩＣ、または、ＰＬＤという用語も利用され、これらの用語は本明細書では交換可能に用いられる。ＴＴＬ信号１１２は、状態Ｓ１およびＳ０を含む。ＴＴＬ信号１１２は、５０％のデューティサイクルを有する。一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２は、５％から９５％の範囲のデューティサイクルを有する。状態Ｓ１の一例は、オン状態、値「１」を有する状態、または、ハイ状態を含む。状態Ｓ０の一例は、オフ状態、値「０」を有する状態、または、ロー状態を含む。高値は、低値よりも大きい。
別の実施形態では、コンピュータの代わりにクロック発振器（例えば、水晶振動子）を用いてアナログクロック信号を生成し、その信号をアナログデジタル変換器によってＴＴＬ信号１１２と同様のデジタル信号に変換する。例えば、水晶振動子は、水晶振動子の近くまたは上にある電極に電圧を印加することによって、電界内で振動するように形成されている。
ＴＴＬ信号１１２は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）１４０およびその他のＤＳＰ１５０に送信される。各ＤＳＰ１４０および１５０は、ＴＴＬ信号１１２を受信し、ＴＴＬ信号１１２の状態Ｓ０およびＳ１を識別する。例えば、ＤＳＰ１４０は、状態Ｓ０とＳ１とを区別する。別の例として、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２が第１の組の期間中に第１の大きさを有すると共に、第２の組の期間中に第２の大きさを有することを決定する。ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２が第１の組の期間中に状態Ｓ１を有すると共に、第２の組の期間中に状態Ｓ０を有することを決定する。さらに別の例として、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２の大きさを予め格納された値と比較して、ＴＴＬ信号１１２の大きさが第１の組の期間中に予め格納された値よりも大きいと共に、ＴＴＬ信号１１２の状態Ｓ０中の大きさが第２の組の期間中に予め格納された値以下であることを決定する。クロック発振器が用いられる実施形態において、各ＤＳＰ１４０および１５０は、クロック発振器からアナログクロック信号を受信し、アナログ信号をデジタル形式に変換し、次いで、２つの状態Ｓ０およびＳ１を識別する。
各ＤＳＰ１４０および１５０は、状態Ｓ０およびＳ１をＤＳＰ内の１または複数のメモリデバイスの記憶場所に格納する。メンバデバイスの例としては、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）が挙げられる。メモリデバイスは、フラッシュメモリ、ハードディスク、ストレージデバイス、コンピュータ読み取り可能な媒体などであってもよい。
各ＤＳＰ１４０および１５０は、対応する記憶場所から対応する自動周波数チューナ（ＡＦＴ）１１４、１１８、および、１２０、ならびに、対応する電力コントローラ１４２、１５２、および、１５４に、識別した状態Ｓ０およびＳ１を提供する。例えば、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ１およびｔ２の間に状態Ｓ１にあることを、ＡＦＴ１１４および電力コントローラ１４２に示す。別の例として、ＤＳＰ１５０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ１およびｔ２の間に状態Ｓ１にあることを、ＡＦＴ１１８および電力コントローラ１５２に示す。さらに別の例として、ＤＳＰ１５０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ２およびｔ３の間に状態Ｓ０にあることを、ＡＦＴ１２０および電力コントローラ１５４に示す。チューナおよびコントローラ（制御部）という用語は、本明細書では交換可能に用いられる。ＡＦＴの一例が、米国特許第６，０２０，７９４号に提供されており、その特許は、参照によって本明細書にその全体が組み込まれる。
各ＡＦＴ１１４、１１８、および、１２０は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて周波数値を決定し、各電力コントローラ１４２、１５２、および、１５４は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて電力値を決定する。例えば、ＡＦＴ１１４は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定し、電力コントローラ１４２は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に電力値Ｐ１１が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。別の例として、ＡＦＴ１１８は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供され、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。さらに別の例として、電力コントローラ１５０は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に電力値Ｐ２０が６０ＭＨｚ電源に提供され、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に電力値Ｐ２１が６０ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。
一実施形態において、周波数値Ｆ２１および電力値Ｐ２１は、トレーニングルーチンに基づいて生成される。トレーニングルーチン中、２ＭＨｚ電源がそのＲＦ電力信号を低電力値から高電力値に変化させる時、プラズマチャンバ１０２内の１または複数の部分と６０ＭＨｚ電源との間のインピーダンス不整合がある。高電力値は、低電力値よりも高い。２ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚＲＦ電源に提供されるＴＴＬ信号１１２またはクロック信号の状態がＳ０からＳ１に変化すると、そのＲＦ電力信号を変化させる。この場合、６０ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚ電源が高い電力値で電力供給を始めた時に、周波数および電力を調整される。インピーダンス不整合を低減するために、６０ＭＨｚ電源は、周波数値および電力値の調整（例えば、収束）を開始する。収束は、標準偏差または別の技術に基づいてＤＳＰ１５０によって決定されてよい。６０ＭＨｚ電源がより多くの時間を周波数値および電力値の収束に費やすことを可能にするために、２ＭＨｚ電源は、通常の期間よりも長い期間にわたって高い電力値に維持される。通常の期間は、インピーダンス不整合が低減（例えば、除去）されない期間である。通常の期間の一例は、ＴＴＬ信号１１２の周期の半分に等しい。６０ＭＨｚ電源が周波数値および電力値に収束すると、収束周波数値はＡＦＴ１１８内に周波数値Ｆ２１として格納され、収束電力値は電力コントローラ１５２内に電力値Ｐ２１として格納される。同様に、トレーニングルーチン中、周波数値Ｆ２０およびＦ１１ならびに電力値Ｐ１１およびＰ２０が生成される。周波数値Ｆ２０は、ＡＦＴ１２０に格納され、周波数値Ｆ１１はＡＦＴ１４４に格納され、電力値Ｐ１１は電力コントローラ１４２に格納され、電力値Ｐ２０は電力コントローラ１５４に格納される。
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１を２ＭＨｚ電源に提供し、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１を６０ＭＨｚコントローラに提供する。状態Ｓ１の間、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１を２ＭＨｚ電源に提供し、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１を６０ＭＨｚ電源に提供する。
さらに、一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。また、この実施形態において、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。
一実施形態において、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供され、同時に、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供されるのと同じＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの間に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供される。
一実施形態において、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供されるのとほぼ同じ時刻に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１は、ＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの出現の前または後に、瞬時（例えば、数マイクロ秒、ミリ秒、ナノ秒後など）に２ＭＨｚ電源に提供される。この例では、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１は、クロックエッジの出現中に６０ＭＨｚ電源に提供される。
２ＭＨｚ電源は、状態Ｓ１中に周波数値Ｆ１１および電力値Ｐ１１を受信する。値Ｆ１１およびＰ１１を受信すると、２ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ１１のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ１１を有する。さらに、６０ＭＨｚ電源は、状態Ｓ１中に周波数値Ｆ２１および電力値Ｐ２１を受信する。値Ｆ２１およびＰ２１を受信すると、６０ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ２１のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ２１を有する。
一実施形態において、ＲＦ電源は、増幅器へと続くドライバを備える。増幅器は、伝送線路を介してプラズマチャンバ１０２に順方向電力を供給する。例えば、２ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ１１に比例する（例えば、同じ、数倍など）電力値を有すると共に周波数値Ｆ１１を有する順方向電力を、伝送線路２３０およびインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。別の例として、６０ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ２１に比例する電力値を有すると共に周波数値Ｆ２１を有する順方向電力を、伝送線路２３２およびインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時、２ＭＨｚ電源には電力値が提供されず、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０を６０ＭＨｚコントローラに提供する。状態Ｓ０の間、２ＭＨｚ電源には周波数値が提供されず、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０を６０ＭＨｚ電源に提供する。
さらに、一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限し、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。また、この実施形態において、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限し、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。
一実施形態において、状態Ｓ０中に、２ＭＨｚ電源には電力値および周波数値が提供されず、同時に、６０ＭＨｚ電源には電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が提供される。例えば、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるのと同じＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの間に、電力値「０」および周波数値「０」が２ＭＨｚ電源に提供される。
２ＭＨｚ電源は、周波数および電力値を受信しない、例えば、状態Ｓ０中に、周波数値「０」および電力値「０」を受信する。電力値および周波数値を受信せずに、２ＭＨｚ電源は、周波数値がゼロのＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力はゼロの電力値を有する。さらに、６０ＭＨｚ電源は、状態Ｓ０中に周波数値Ｆ２０および電力値Ｐ２０を受信する。値Ｆ２０およびＰ２０を受信すると、６０ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ２０のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ２０を有する。
２ＭＨｚ電源の増幅器は、順方向電力を供給しない、例えば、伝送線路２３０およびインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に、電力値「０」および周波数値「０」を有する順方向電力を供給する。６０ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ２０に比例する電力値を有すると共に周波数値Ｆ２０を有する順方向電力を、伝送線路２３２およびインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
一実施形態において、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１０が、プラズマチャンバ１０２のプラズマから反射されたＲＦ電力である反射電力を伝送線路２３０上で検知する。さらに、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１０は、順方向電力が２ＭＨｚＲＦ電源から伝送線路２３０を介してプラズマチャンバ１０２に送られた時に、伝送線路２３０上で順方向電力を検知する。同様に、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１２が、プラズマチャンバ１０２のプラズマからの反射電力を検知する。センサ２１２によって検知される反射電力は、プラズマチャンバ１０２のプラズマから伝送線路２３２に反射されたものである。さらに、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１２は、順方向電力が６０ＭＨｚＲＦ電源から伝送線路２３２を介してプラズマチャンバ１０２に送られた時に、伝送線路２３２上で順方向電力を検知する。
アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）２２０が、センサ２１０によって検知された反射電力信号および順方向電力信号をアナログ形式からデジタル形式に変換し、ＡＤＣ２２２が、センサ２１２によって検知された反射電力信号および順方向電力信号をアナログ形式からデジタル形式に変換する。状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、ＤＳＰ１４０は、センサ２１０によって検知された反射電力信号および順方向電力信号のデジタル値を受信し、ＤＳＰ１５０は、センサ２１２によって検知された反射電力信号および順方向電力信号のデジタル値を受信する。ＤＳＰ１４０は、ガンマ値を生成するために、関係性（例えば、デジタル反射電力信号とデジタル順方向電力信号との比、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）など）を状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に計算する。ガンマ値「１」は、電源と負荷との間でインピーダンスの不整合の程度が高いことを示し、ガンマ値「０」は、電源と負荷との間でインピーダンスの不整合の程度が低いことを示す。同様に、ＤＳＰ１５０は、ガンマ値を生成するために、デジタル反射電力信号およびデジタル順方向電力信号の間の関係性を状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に計算する。ＶＳＷＲは、ＲＣ−１およびＲＣ＋１の比に等しいものとして計算され、ここで、ＲＣは反射係数である。
状態Ｓ１中にＤＳＰ１４０からＡＦＴ１１４にガンマ値が送信され、状態Ｓ１中にＤＳＰ１５０からＡＦＴ１１８にガンマ値が送信される。状態Ｓ１中に、ＡＦＴ１１４は、ＤＳＰ１４０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定し、ＡＦＴ１１８は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定する。状態Ｓ１中に、ＡＦＴ１１４は、ガンマ値に基づいて生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ１１を調整し、調整した周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ１中に、ＡＦＴ１１８は、ガンマ値に基づいて生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ２１を調整し、調整した周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。
さらに、状態Ｓ１中に、電力コントローラ１４２は、ＤＳＰ１４０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定し、電力コントローラ１５２は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定する。状態Ｓ１中に、電力コントローラ１４２は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ１１を調整し、調整した電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ１中に、電力コントローラ１５２は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ２１を調整し、調整した電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。
状態Ｓ１中に、２ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ１１４から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１４２から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。同様に、状態Ｓ１中に、６０ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ１１８から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１５２から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
さらに、状態Ｓ０中には、２ＭＨｚ電源への電力値および周波数値の提供はなく、２ＭＨｚ電源のゼロ周波数値および電力値を調整するために、状態Ｓ０中に生成されたガンマ値が利用されることはない。状態Ｓ０中に、ＡＦＴ１２０は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定する。状態Ｓ０中に、ＡＦＴ１２０は、ガンマ値から生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ２０を調整し、調整した周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ０中に、電力コントローラ１５４は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定する。状態Ｓ０中に、電力コントローラ１５４は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ２０を調整し、調整した電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。状態Ｓ０中に、６０ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ１２０から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１５４から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
電力コントローラ１４２、ＡＦＴ１１４、および、ＤＳＰ１４０は、発生器コントローラ２７０の一部である。発生器コントローラ２７０、ＡＤＣ２２０、センサ２１０、および、２ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚ発生器２７４の一部である。同様に、電力コントローラ１５２、電力コントローラ１５４、ＡＦＴ１１４および１２０、ならびに、ＤＳＰ１５０は、発生器コントローラ２７２の一部である。発生器コントローラ２７２、ＡＤＣ２２２、センサ２１２、および、６０ＭＨｚ電源は、６０ＭＨｚ発生器２７６の一部である。
一実施形態において、システム１８０は、インピーダンス整合回路１８２および／または１８６を備えない。一実施形態において、電力コントローラ１４２およびＡＦＴ１１４の代わりに単一のコントローラが用いられ、電力コントローラ１５２およびＡＦＴ１１８の代わりに単一のコントローラが用いられ、電力コントローラ１５４およびＡＦＴ１２０の代わりに単一のコントローラが用いられる。
２ＭＨｚおよび６０ＭＨｚの電源に加えて２７ＭＨｚ電源が用いられる実施形態において、２７ＭＨｚ発生器は、６０ＭＨｚ電源の代わりに２７ＭＨｚ電源を備えることを除けば、６０ＭＨｚ発生器２７６と同様である。２７ＭＨｚ発生器は、インピーダンス整合回路（図示せず）および伝送線路（図示せず）を介してプラズマチャンバ１０２の下側電極１０４に接続される。さらに、２７ＭＨｚ電源は、ＴＴＬ信号１１２を受信するために、ツールＵＩ１９０に接続される。２７ＭＨｚ発生器は、２つの電力コントローラ、２つのＡＦＴ、ＤＳＰ、ＡＤＣ、センサ、および、２７ＭＨｚ電源を備える。
図２は、ＴＴＬ信号１１２の状態の変化に伴うＲＦ電力信号の状態の変化を示すと共に、ガンマの変化に基づいた電力信号の周波数値および／または電力値の調整を示す表２５０の一実施形態である。ＴＴＬ信号１１２が状態Ｓ１であるとき、２ＭＨｚおよび６０ＭＨｚ電源によって供給される電力信号も状態Ｓ１を有する。例えば、２ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態が変化すると同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。また、この例において、６０ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態が変化すると同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。別の例として、２ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態の変化が起きたのとほぼ同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。また、この例において、６０ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態の変化が起きたのとほぼ同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。
さらに、図２に示すように、状態Ｓ１中に、周波数値Ｆ１１およびＦ２１ならびに電力値Ｐ２１は、状態Ｓ１中に生成されたガンマ値に基づいて調整され、状態Ｓ０中に、周波数値Ｆ２０および電力値Ｐ２０は、状態Ｓ０中に生成されたガンマ値に基づいて調整される。
図３は、プラズマインピーダンスの変化に応じて電力コントローラおよび／または周波数チューナ（電力コントローラおよび／または周波数チューナは非ゼロ値を提供しない）を調整する時間を削減するためのシステム２６２の一実施形態を示す図である。システム２６２は、それぞれ非ゼロ値を提供する電力コントローラ１７２およびＡＦＴ２６４を備えることを除いては、図１のシステム１８０と同様である。
ＤＳＰ１４０は、識別された状態Ｓ０を、対応する記憶場所からＡＦＴ２６４および電力コントローラ１７２に提供する。一例として、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ２およびｔ３の間に状態Ｓ０にあることを、ＡＦＴ２６４および電力コントローラ１７２に示す。ＡＦＴ２６４は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて周波数値を決定し、電力コントローラ１７２は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて電力値を決定する。例えば、ＡＦＴ２６４は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定し、電力コントローラ１７２は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に電力値Ｐ１０が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。一実施形態において、値Ｆ１０およびＰ１０は、正の値である。
トレーニングルーチン中、周波数値Ｆ１０および電力値Ｐ１０は、上述したのと同様の方法で生成される。周波数値Ｆ１０はＡＦＴ２６４に格納され、電力値Ｐ１０は電力コントローラ１７２に格納される。ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０を２ＭＨｚ電源に提供し、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０を２ＭＨｚ電源に提供する。
さらに、一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。また、この実施形態において、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。
一実施形態において、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供され、同時に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるのと同じＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの間に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供される。
一実施形態において、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるのとほぼ同じ時刻に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０は、ＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの出現の前または後に、瞬時に２ＭＨｚ電源に提供される。この例では、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０は、クロックエッジの出現中に６０ＭＨｚ電源に提供される。
２ＭＨｚ電源は、状態Ｓ０中に周波数値Ｆ１０および電力値Ｐ１０を受信する。値Ｆ１０およびＰ１０を受信すると、２ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ１０のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ１０を有する。２ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ１０に比例する電力値を有すると共に周波数値Ｆ１０を有する順方向電力を、伝送線路２３０およびインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
一実施形態において、状態Ｓ０中に、ＡＦＴ２６４は、ＤＳＰ１４０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定する。状態Ｓ０中に、ＡＦＴ２６４は、ガンマ値から生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ１０を調整し、調整した周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ０中に、電力コントローラ１７２は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定する。状態Ｓ０中に、電力コントローラ１７２は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ１０を調整し、調整した電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。また、状態Ｓ０中に、２ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ２６４から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１７２から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
電力コントローラ１４２および１７２、ＡＦＴ１１４および２６４、ならびに、ＤＳＰ１４０は、発生器コントローラ２９０の一部である。発生器コントローラ２９０、ＡＤＣ２２０、センサ２１０、および、２ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚ発生器２９２の一部である。
図４Ａは、グラフ３０２、３０４、３０６、および、３０８の実施形態を示す。各グラフ３０２、３０４、３０６、および、３０８は、時刻ｔの関数としてキロワット（ｋＷ）で電力値を示している。グラフ３０２に示すように、２ＭＨｚ電力信号（２ＭＨｚ電源によって供給される電力信号）は、状態Ｓ１中に電力値ａ１を有し、状態Ｓ０中に電力値０を有する。電力値ａ１は、電力値Ｐ１１の一例である。また、６０ＭＨｚ電力信号（６０ＭＨｚ電源によって提供される電力信号）は、状態Ｓ１中に電力値ａ２を有し、状態Ｓ０中に電力値ａ３を有する。電力値ａ２は電力値Ｐ２１の一例であり、電力値ａ３は電力値Ｐ２０の一例である。
グラフ３０４に示すように、６０ＭＨｚ電力信号は、状態Ｓ１およびＳ０中に電力値ａ２を有する。さらに、グラフ３０６に示すように、２ＭＨｚ信号は、状態Ｓ０中に電力値ａ４を有する。電力値ａ４は、電力値Ｐ１０の一例である。グラフ３０８に示すように、６０ＭＨｚ信号は、２ＭＨｚ信号が電力値ａ４を有する時に、電力値ａ２を有する。
図４Ｂは、グラフ３１０、３１２、３１４、および、３１６の実施形態を示す。各グラフ３１０、３１２、３１４、および、３１６は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３１０に示すように、６０ＭＨｚ信号は、電力値ａ２から電力値ａ３に移行する（図４Ａ）代わりに、電力値ａ２から電力値０に移行する。
さらに、グラフ３１２に示すように、６０ＭＨｚ信号は、電力値ａ２から電力値ａ５に移行する。電力値ａ５は、電力値Ｐ２０の一例である。グラフ３１４に示すように、６０ＭＨｚ信号は、２ＭＨｚ信号が非ゼロ電力値ａ４を有する状態Ｓ０中に電力値０を有する。グラフ３１６に示すように、６０ＭＨｚ電力信号は、２ＭＨｚ信号が非ゼロ電力値ａ４を有する状態Ｓ０中に非ゼロ電力値ａ５を有する。
図５Ａは、グラフ３１８、３２０、３２２、および、３２４の実施形態を示す。各グラフ３１８、３２０、３２２、および、３２４は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３１８、３２０、３２２、および、３２４が、２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３１８はグラフ３０２（図４Ａ）と同様であり、グラフ３２０はグラフ３０４（図４Ａ）と同様であり、グラフ３２０はグラフ３０６（図４Ａ）と同様であり、グラフ３２２はグラフ３０８（図４Ａ）と同様である。２７ＭＨｚ信号は、２７ＭＨｚ発生器の２７ＭＨｚ電源（図示せず）から生成される。２７ＭＨｚ信号は、状態Ｓ１およびＳ０の両方の間、電力値ａ６を有するＲＦ信号である。
図５Ｂは、グラフ３２６、３２８、３３０、および、３３２の実施形態を示す。各グラフ３２６、３２８、３３０、および、３３２は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３２６、３２８、３３０、および、３３２が、電力値ａ６を有する２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３２６はグラフ３１０（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３２８はグラフ３１２（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３３０はグラフ３１４（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３３２はグラフ３１６（図４Ｂ）と同様である。
図５Ｃは、グラフ３３４、３３６、３３８、および、３４０の実施形態を示す。各グラフ３３４、３３６、３３８、および、３４０は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３３４、３３６、３３８、および、３４０が、２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３３４はグラフ３０２（図４Ａ）と同様であり、グラフ３３６はグラフ３０４（図４Ａ）と同様であり、グラフ３３８はグラフ３０６（図４Ａ）と同様であり、グラフ３４０はグラフ３０８（図４Ａ）と同様である。２７ＭＨｚ信号は、状態Ｓ１中の電力値ａ７から状態Ｓ０中の電力値ａ８に移行する。電力値ａ７は、電力値ａ８よりも小さい。
図５Ｄは、グラフ３４２、３４４、３４６、および、３４８の実施形態を示す。各グラフ３４２、３４４、３４６、および、３４８は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３４２、３４４、３４６、および、３４８が、電力値ａ７およびａ８を有する２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３４２はグラフ３１０（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３４４はグラフ３１２（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３４６はグラフ３１４（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３４８はグラフ３１６（図４Ｂ）と同様である。
図５Ｅは、グラフ３５０、３５２、３５４、および、３５６の実施形態を示す。各グラフ３５０、３５２、３５４、および、３５６は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３５０、３５２、３５４、および、３５６が、２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３５０はグラフ３０２（図４Ａ）と同様であり、グラフ３５２はグラフ３０４（図４Ａ）と同様であり、グラフ３５４はグラフ３０６（図４Ａ）と同様であり、グラフ３５６はグラフ３０８（図４Ａ）と同様である。２７ＭＨｚ信号は、状態Ｓ１中の電力値ａ９から状態Ｓ０中の電力値ａ１０に移行する。電力値ａ９は、電力値ａ１０よりも大きい。
図５Ｆは、グラフ３５８、３６０、３６２、および、３６４の実施形態を示す。各グラフ３５８、３６０、３６２、および、３６４は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３５８、３６０、３６２、および、３６４が、電力値ａ９およびａ１０を有する２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３５８はグラフ３１０（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３６０はグラフ３１２（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３６２はグラフ３１４（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３６４はグラフ３１６（図４Ｂ）と同様である。
上述のグラフ３０２、３０４、３０６、３０８、３１０、３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、３２４、３２６、３２８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８、３４０、３４２、３４４、３４６、３４８、３５０、３５２、３５４、３５６、および、３５８において、２ＭＨｚ信号は実線で示され、６０ＭＨｚ信号は破線で示され、２７ＭＨｚ信号は点線で示されている。
一実施形態において、２ＭＨｚ信号、２７ＭＨｚ信号、および、６０ＭＨｚ信号の状態（例えば、ハイ、ローなど）を、ＴＴＬ信号１１２の状態に同期させる代わりに、一実施形態において、ＲＦ信号（例えば、２７ＭＨｚ信号、６０ＭＨｚ信号など）の状態は、別のＲＦ信号（例えば、２ＭＨｚ信号など）の状態に同期されることに注意されたい。
図６は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいてＡＦＴ１１４および２６４の間で選択を行うためのシステム３１０の一実施形態を示すブロック図である。ＴＴＬ信号１１２が状態Ｓ１である時、システム３１０の選択ロジック１２８はＡＦＴ１１４を選択し、ＴＴＬ信号１１２が状態Ｓ０である時、選択ロジック１２８はＡＦＴ２６４を選択する。選択ロジック１２８の例としては、マルチプレクサが挙げられる。選択ロジック１２８がマルチプレクサを含む場合、ＴＴＬ信号１１２は、マルチプレクサの選択入力で受信される。例えば、ロー状態のＴＴＬ信号がマルチプレクサの第１の選択入力で受信され、ハイ状態のＴＴＬ信号がマルチプレクサの第２の選択入力で受信される。一実施形態において、選択ロジック１２８は、プロセッサを備える。一実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０内に実装される。
ＡＦＴ１１４が選択されると、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１を２ＭＨｚ電源に提供する。同様に、ＡＦＴ２６４が選択されると、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０を２ＭＨｚ電源に提供する。
２ＭＨｚ電源は、クロック源３１２から受信したクロック信号と同期する２ＭＨｚ信号を生成する。一実施形態において、クロック源３１２のクロック信号は、ＴＴＬ信号１１２と同期する。一実施形態において、クロック源３１２のクロック信号は、ＴＴＬ信号１１２とほぼ同じ位相を有する。例えば、クロック源３１２のクロック信号の立ち上がりエッジは、ＴＴＬ信号１１２の立ち上がりエッジより一瞬、後または前にある。一実施形態において、クロック源３１２からのクロック信号の代わりに、ＴＴＬ信号１１２が２ＭＨｚ電源に提供される。
図１に図示した実施形態において、ＡＦＴ１１４および２６４の間で選択を行う代わりに、状態Ｓ１中にＡＦＴ１１４が選択され、状態Ｓ０中にＡＦＴは選択されない。例えば、状態Ｓ０中に、選択ロジック１２８は、いずれのＡＦＴも選択しない。
一実施形態において、選択ロジック１２８は、ＡＦＴ１１４および２６４の代わりに、電力コントローラ１４２および１７２（図３）の間で選択を行う。電力コントローラ１４２が状態Ｓ１中に選択されると、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１を２ＭＨｚ電源に提供し、電力コントローラ１７２が状態Ｓ０中に選択されると、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０を２ＭＨｚ電源に提供する。
さらに、図１に図示した実施形態において、電力コントローラ１４２および１７２の間で選択を行う代わりに、状態Ｓ１中に電力コントローラ１４２が選択され、状態Ｓ０中に電力コントローラは選択されない。
一実施形態において、選択ロジック１２８は、６０ＭＨｚ発生器２７６（図１）内に実装される。この実施形態は、ＡＦＴ１１４および２６４の間で選択を行う代わりに、選択ロジック１２８がＡＦＴ１１８および１２０（図１）の間で選択を行うことを除けば、図６で説明した実施形態と同様である。ＡＦＴ１１８が状態Ｓ１中に選択されると、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１を６０ＭＨｚ電源に提供し、ＡＦＴ１２０が状態Ｓ０中に選択されると、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０を６０ＭＨｚ電源に提供する。さらに、この実施形態において、選択ロジック１２８は、電力コントローラ１５２および１５４の間で選択を行うよう実装される。電力コントローラ１５２が状態Ｓ１中に選択されると、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１を６０ＭＨｚ電源に提供し、電力コントローラ１５４が状態Ｓ０中に選択されると、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０を６０ＭＨｚ電源に提供する。
一実施形態において、選択ロジック１２８は、選択ロジック１２８が２ＭＨｚ発生器２７４（図１）または２９２（図３）もしくは６０ＭＨｚ発生器２７６（図１および図３）内に実装されるのと同様の方法で２７ＭＨｚ発生器内に実装される。
任意のガンマ値が、選択ロジック１２８によって、状態Ｓ１またはＳ０に基づいてＡＦＴ１１４または２６４に転送される。例えば、状態がＳ１である時、ＤＳＰ１４０は、第１のガンマ値を選択ロジック１２８に提供し、第１のガンマ値は、状態Ｓ１中に測定された反射電力および順方向電力に基づいて決定されたものである。この例において、状態Ｓ１中にＡＦＴ１１４を選択した選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０から受信した第１のガンマ値をＡＦＴ１１４に転送する。別の例として、状態がＳ０である時、ＤＳＰ１４０は、第２のガンマ値を選択ロジック１２８に提供し、第２のガンマ値は、状態Ｓ０中に測定された反射電力および順方向電力に基づいて決定されたものである。この例において、状態Ｓ０中にＡＦＴ２６４を選択した選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０から受信した第２のガンマ値をＡＦＴ２６４に転送する。
同様に、電力コントローラ１４２および１７２（図３）が用いられる実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０から受信した第１のガンマ値を状態Ｓ１中に電力コントローラ１４２に転送し、ＤＳＰ１４０から受信した第２のガンマ値を電力コントローラ１７２に転送する。さらに、ＡＦＴ２６４を利用せずにＡＦＴ１１４が用いられる実施形態において、選択ロジック１２８は、状態Ｓ０中に第２のガンマ値を転送しないように自身を制限する。
さらに、選択ロジック１２８が６０ＭＨｚ発生器２７６（図１）内に実装され、電力コントローラ１５２および１５４に接続される実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１５０から受信した第３のガンマ値を状態Ｓ１中に電力コントローラ１５２に転送し、ＤＳＰ１５０から受信した第４のガンマ値を状態Ｓ０中に電力コントローラ１５４に転送する。この実施形態において、第３のガンマ値は、状態Ｓ１中に伝送線路２３２上の順方向電力および反射電力に基づいて生成される。また、この実施形態において、順方向電力および反射電力の両方は、センサ２１２によって検知される。この実施形態において、第４のガンマ値は、状態Ｓ０中に伝送線路２３２上の順方向電力および反射電力に基づいて生成される。
さらに、選択ロジック１２８が６０ＭＨｚ発生器内に実装され、ＡＦＴ１１８および１２０に接続される実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１５０から受信した第３のガンマ値を状態Ｓ１中にＡＦＴ１１８に転送し、ＤＳＰ１５０から受信した第４のガンマ値を状態Ｓ１中にＡＦＴ１２０に転送する。
図７は、第１の組の電力値および第１の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するか、第２の組の電力値および第２の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するかを決定するための方法３２１の一実施形態を示すフローチャートである。動作３２３において、プラズマが、プラズマチャンバ１０２（図１）内で点火（例えば、生成）される。また、動作３２５において、ＴＴＬ信号１１２が、２ＭＨｚ発生器（例えば、発生器２７４（図１）、発生器２９２（図３）など）によって受信されると共に、６０ＭＨｚ発生器２７６（図１および図３）によって受信される。例えば、ＤＳＰ１４０（図１）が、ツールＵＩ１９０からＴＴＬ信号１１２を受信し、ＤＳＰ１５０（図２）が、ツールＵＩ１９０からＴＴＬ信号１５０を受信する。
動作３２７において、ＤＳＰ（例えば、ＤＳＰ１４０、ＤＳＰ１５０など）は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１であるかＳ０であるかを判定する。例えば、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２の状態がハイであるかローであるかを判定する。別の例として、ＤＳＰ１５０は、ＴＴＬ信号の状態が１であるか０であるかを判定する。
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１であるとの判定に応じて、動作３２９において、ＴＴＬ信号１１２は、状態Ｓ１を達成するために、ＤＳＰ（例えば、ＤＳＰ１４０、ＤＳＰ１５０など）によって、対応するＡＦＴまたは電力コントローラ（例えば、ＡＦＴ１１４、ＡＦＴ１１８、電力コントローラ１４２、電力コントローラ１５２など）に送信される。例えば、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１を達成して状態Ｓ１をさらに達成するために、状態Ｓ１の識別が、ＤＳＰ１４０からＡＦＴ１１４および電力コントローラ１４２に送信される。この例において、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１に対応する状態Ｓ１を含む第１のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ１１を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１に対応する状態Ｓ１を含む第２のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ１１を提供する。この例において、第１のルックアップテーブルはＡＦＴ１１４内に格納され、第２のルックアップテーブルは電力コントローラ１４２内に格納される。
別の例として、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１を達成して状態Ｓ１を達成するために、状態Ｓ１が、ＤＳＰ１５０からＡＦＴ１１８および電力コントローラ１５２に送信される。この例において、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１に対応する状態Ｓ１を含む第３のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ２１を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１に対応する状態Ｓ１を含む第４のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ２１を提供する。この例において、第３のルックアップテーブルはＡＦＴ１１８内に格納され、第４のルックアップテーブルは電力コントローラ１５２内に格納される。
動作３３１において、反射電力（プラズマチャンバ１０２内のプラズマから反射されたＲＦ電力）および順方向電力が、伝送線路２３０（図１）で測定される。反射電力および順方向電力は、センサ２１０（図１）によって測定される。順方向電力および反射電力の測定アナログ値が、センサ２１０によってＡＤＣ２２０に提供され、ＡＤＣ２２０は、アナログ値をデジタル値に変換する。さらに、動作３３１において、反射電力および順方向電力が、伝送線路２３２（図１）で測定される。反射電力および順方向電力は、センサ２１２（図１）によって測定される。順方向電力および反射電力の測定アナログ値が、センサ２１２によってＡＤＣ２２２に提供され、ＡＤＣ２２２は、アナログ値をデジタル値に変換する。
動作３３３において、ＤＳＰ１４０は、センサ２１０によって測定された順方向電力および反射電力のデジタル値を受信し、それらの値からガンマを決定する。また、動作３３３において、ＤＳＰ１５０は、センサ２１２によって測定された順方向電力および反射電力のデジタル値を受信し、それらの値からガンマを決定する。
動作３３５において、ガンマは、周波数値Ｆ１１を調整するために、ＤＳＰ１４０によってＡＦＴ１１４に提供され、電力値Ｐ１１を調整するために、ＤＳＰ１４０によって電力コントローラ１４２に提供される。一例として、ＡＦＴ１１４は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ１１以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。さらに、動作３３５において、ガンマは、電力値Ｐ１１を調整するために、ＤＳＰ１４０によって電力コントローラ１４２に提供される。一例として、電力コントローラ１４２は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ１１以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。
さらに、動作３３５において、ガンマは、周波数値Ｆ２１を調整するために、ＤＳＰ１５０によってＡＦＴ１１８に提供され、電力値Ｐ２１を調整するために、ＤＳＰ１５０によって電力コントローラ１５２に提供される。一例として、ＡＦＴ１１８は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ２１以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。別の例として、電力コントローラ１５２は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ２１以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。方法３２１は、動作３３５の後に動作３２５に戻る。
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０であるとの判定に応じて、動作３３７において、ＴＴＬ信号１１２は、状態Ｓ０を達成するために、ＤＳＰ（例えば、ＤＳＰ１４０、ＤＳＰ１５０など）によって、対応するＡＦＴまたは電力コントローラ（例えば、ＡＦＴ２６４、ＡＦＴ１２０、電力コントローラ１７２、電力コントローラ１５４など）に送信される。例えば、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０を達成して状態Ｓ０をさらに達成するために、状態Ｓ０の識別が、ＤＳＰ１４０からＡＦＴ２６４および電力コントローラ１７２に送信される。この例において、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０に対応する状態Ｓ０を含む第５のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ１０を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０に対応する状態Ｓ０を含む第６のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ１０を提供する。この例において、第５のルックアップテーブルはＡＦＴ２６４内に格納され、第６のルックアップテーブルは電力コントローラ１７２内に格納される。
例えば、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０を達成して状態Ｓ０を達成するために、状態Ｓ０の識別が、ＤＳＰ１５０からＡＦＴ１２０および電力コントローラ１５４に送信される。この例において、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０に対応する状態Ｓ０を含む第７のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ２０を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０に対応する状態Ｓ０を含む第８のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ２０を提供する。この例において、第７のルックアップテーブルはＡＦＴ１２０内に格納され、第８のルックアップテーブルは電力コントローラ１５４内に格納される。
動作３３９は動作３３１と同じであり、動作３４１は動作３３３と同じである。動作３４３において、ガンマは、周波数値Ｆ１０を調整するために、ＤＳＰ１４０によってＡＦＴ２６４に提供され、電力値Ｐ１０を調整するために、ＤＳＰ１４０によって電力コントローラ１７２に提供される。一例として、ＡＦＴ２６４は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ１０以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。さらに、動作３４３において、ガンマは、ＤＳＰ１４０によって、電力値Ｐ１０を調整する電力コントローラ１７２へ提供される。一例として、電力コントローラ１７２は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ１０以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。
さらに、動作３４３において、ガンマは、周波数値Ｆ２０を調整するために、ＤＳＰ１５０によってＡＦＴ１２０に提供され、電力値Ｐ２０を調整するために、ＤＳＰ１５０によって電力コントローラ１５４に提供される。一例として、ＡＦＴ１２０は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ２０以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。さらに、動作３４３において、ガンマは、電力値Ｐ２０を調整するために、ＤＳＰ１５０によって電力コントローラ１５４に提供される。一例として、電力コントローラ１５４は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ２１以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。方法３２０は、動作３４３の後に動作３２５に戻る。
一実施形態において、動作３３１、３３３、３３５、３３９、３４１、および、３４３は、任意選択である。例えば、動作３２９および３３７の後に動作３２５に戻り、動作３３１、３３３、３３５、３３９、３４１、および、３４３は実行されない。
上述の実施形態は、２ＭＨｚＲＦ信号および／または６０ＭＨｚ信号および／または２７ＭＨｚ信号を下側電極１０４に供給し、上側電極１１０を接地することに関するが、いくつかの実施形態では、２ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、および、２７ＭＨｚ信号が上側電極１１０に提供され、下側電極１０４が接地されることに注意されたい。
さらに、一実施形態では、ＴＴＬ信号１１２の状態Ｓ１およびＳ０を生成するために、プラズマのインピーダンスの変化が用いられない。状態Ｓ１およびＳ０は、プラズマのインピーダンスの変化と無関係である。
また、一実施形態において、入力（例えば、周波数入力、電力入力など）またはレベル（例えば、電力レベル、周波数レベル）は、別の値の閾値内にある１または複数の値を含むことに注意されたい。例えば、電力レベルは、電力値Ｐ２１と、電力値Ｐ２１の閾値内にある他の電力値とを含む。この例において、電力レベルは、別の状態に対する任意の電力値（例えば、状態Ｓ０に対する電力値Ｐ２０）を除外する。別の例として、周波数入力は、周波数値Ｆ１１と、周波数値Ｆ１１の閾値内にある他の周波数値とを含む。この例において、周波数入力は、別の状態に対する任意の周波数値（例えば、状態Ｓ０に対する周波数値Ｆ１０）を除外する。
上述の実施形態は、平行板プラズマチャンバに関して説明されているが、一実施形態において、上述の実施形態は、その他のタイプのプラズマチャンバ、例えば、誘電結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタを備えるプラズマチャンバ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）リアクタを備えるプラズマチャンバなど、に適用されることに注意されたい。例えば、２ＭＨｚおよび６０ＭＨｚ電源は、ＩＣＰプラズマチャンバ内のインダクタに接続される。
一実施形態において、発生器コントローラのＡＦＴおよび／または電力コントローラによって実行される動作は、発生器コントローラのＤＳＰによって実行される。例えば、ＡＦＴ１１８および１２０によって実行される本明細書に記載の動作は、ＤＳＰ１５０（図３）によって実行される。別の例として、ＡＦＴ１１４、ＡＦＴ２６４、電力コントローラ１４２、および、電力コントローラ１７２によって実行される本明細書に記載の動作は、ＤＳＰ１４０（図３）によって実行される。
本明細書に記載の実施形態は、ハンドヘルドデバイス、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースまたはプログラム可能な家電、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなど、様々なコンピュータシステム構成で実施されてもよい。実施形態は、ネットワークを通して接続された遠隔処理デバイスによってタスクが実行される分散コンピューティング環境で実施されてもよい。
上述の実施形態を念頭に置いて、本実施形態は、コンピュータシステムに格納されたデータを含め、コンピュータに実装された様々な動作を利用できることを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理操作を必要とするものである。本実施形態の一部を形成する本明細書で説明した動作はいずれも、有用な機械動作である。本実施形態は、さらに、これらの動作を実行するためのデバイスまたは装置に関する。装置は、専用コンピュータ向けに特別に構成されてよい。専用コンピュータとして規定された場合、コンピュータは、特殊目的に含まれない他の処理、プログラム実行、または、ルーチンも実行しつつ、特殊目的のために動作することができる。あるいは、動作は、コンピュータメモリ、キャッシュに格納されたまたはネットワークを介して取得された１または複数のコンピュータプログラムによって選択的にアクティベートまたは構成された汎用コンピュータで処理されてもよい。データがネットワークを介して取得されると、そのデータは、ネットワーク上の他のコンピュータ（例えば、クラウドのコンピューティング資源）によって処理されてよい。
１または複数実施形態は、コンピュータ読み取り可能な媒体上にコンピュータ読み取り可能なコードとして製造されてもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータシステムによって読み出し可能であるようにデータを格納できる任意のデータ記憶装置である。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）、ＣＤ−レコーダブル（ＣＤ−Ｒ）、ＣＤ−リライタブル（ＣＤ−ＲＷ）、磁気テープ、および、その他の光学式および非光学式のデータ記憶装置が挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータ読み取り可能なコードが分散的に格納および実行されるように、ネットワーク接続されたコンピュータシステム上に分散されたコンピュータ読み取り可能なタンジブル媒体を含みうる。
方法の動作は特定の順番で記載されているが、オーバーレイ動作の処理が望ましく実行される限りは、他のハウスキーピング動作が動作の合間に実行されてもよいし、動作が若干異なる時間に実行されるように調整されてもよいし、処理に関連した様々な間隔で処理動作が起きることを許容するシステムに分散されてもよいことを理解されたい。
本開示に記載された様々な実施形態に記載された範囲を逸脱することなしに、任意の実施形態の１または複数の特徴が、任意の他の実施形態の１または複数の特徴と組み合わされてもよい。
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。

Claims (30)

  1. システムであって、
    電極に接続された第１発生器であって、第１高周波（ＲＦ）信号を前記電極に供給するための第１電源と、パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を前記第１電源に提供するための自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、を含む、第１発生器と、
    前記電極に接続された第２発生器であって、第２ＲＦ信号を前記電極に供給するための第２電源と、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第２の周波数入力を前記第２電源に提供するためのＡＦＣと、前記パルス信号が第２の状態である時に第３の周波数入力を前記第２電源に提供するためのＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
    前記パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
    を備える、システム。
  2. 請求項１に記載のシステムであって、
    前記第２発生器は、デジタル信号プロセッサから受信した前記第２の周波数入力または前記第３の周波数入力を前記第２電源に転送するためのセレクタを含む、システム。
  3. システムであって、
    基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
    前記下側電極に接続された第１発生器であって、第１高周波（ＲＦ）信号を前記下側電極に供給するための第１電源を含む、第１発生器と、
    前記下側電極に接続された第２発生器であって、第２ＲＦ信号を前記下側電極に供給するための第２電源を含む、第２発生器と、
    パルス信号を生成するためのデジタルパルス源であって、前記第１発生器および前記第２発生器に接続され、前記パルス信号は２つの状態の間を移行する、デジタルパルス源と、
    を備え、
    前記第１発生器は、前記パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を前記第１電源に提供するための第１の自動周波数制御部（ＡＦＣ）を含み、
    前記第２発生器は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第２の周波数入力を前記第２電源に提供するための第２のＡＦＣを含み、
    前記第２発生器は、前記パルス信号が第２の状態にある時に第３の周波数入力を前記第２電源に提供するための第３のＡＦＣを含む、システム。
  4. 請求項３に記載のシステムであって、さらに、
    前記第２のＡＦＣおよび前記第３のＡＦＣの間で選択を行って前記第２の周波数入力または前記第３の周波数入力を前記第２電源に提供するために、前記デジタルパルス源と前記第２および第３のＡＦＣとの間に接続されたセレクタを備え、
    前記セレクタは、前記パルス信号の前記状態に基づいて前記第２のＡＦＣおよび前記第３のＡＦＣの間で選択を行うよう構成されている、システム。
  5. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記２つの状態の一方はオン状態であり、前記２つの状態のもう一方はオフ状態である、システム。
  6. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記第１ＲＦ信号は、前記第２ＲＦ信号より低い周波数を有する、システム。
  7. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
    前記第２ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルよりも低い、システム。
  8. 請求項７に記載のシステムであって、
    前記第３の電力レベルはゼロまたは正の値である、システム。
  9. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
    前記第２ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルと同じである、システム。
  10. 請求項９に記載のシステムであって、
    前記第３の電力レベルは正の値である、システム。
  11. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
    前記第２ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルよりも高い、システム。
  12. 請求項１１に記載のシステムであって、
    前記第３の電力レベルはゼロまたは正の値である、システム。
  13. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記デジタルパルス源は、クロック発振器またはトランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）を含む、システム。
  14. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記第１の周波数入力は、前記第２の周波数入力および前記第３の周波数入力とは異なる、システム。
  15. 請求項３に記載のシステムであって、
    前記セレクタは、マルチプレクサを含む、システム。
  16. システムであって、
    パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
    第１発生器であって、
    第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために前記電極に接続された第１電源と、
    前記パルス信号を受信して前記パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を前記第１電源に提供するか否かを決定するために前記第１プロセッサに接続された電力コントローラと、
    前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、を含む、第１発生器と、
    第２発生器であって、
    第２ＲＦ信号を前記電極に供給するために前記電極に接続された第２電源と、
    前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラと、
    前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の第１の周波数入力を提供するよう構成された第１のＡＦＣと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の第２の周波数入力を提供するよう構成された第２のＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
    を備える、システム。
  17. 請求項１６に記載のシステムであって、
    前記第２発生器は、前記第２プロセッサから受信した前記第１の周波数入力または前記第２の周波数入力を前記第２電源に転送するためのセレクタを含む、システム。
  18. システムであって、
    基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
    ２つの状態の間を移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
    第１発生器であって、
    第１高周波（ＲＦ）信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第１電源と、
    前記パルス信号を受信して、前記パルス信号の前記２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために、前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を前記第１電源に提供するか否かを決定するために前記第１プロセッサに接続された電力コントローラと、
    前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、を含む、第１発生器と、
    第２発生器であって、
    第２ＲＦ信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第２電源と、
    前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラと、
    前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第１のＡＦＣと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２のＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
    を備える、システム。
  19. 請求項１８に記載のシステムであって、
    前記２つの状態の一方はオン状態であり、前記２つの状態のもう一方はオフ状態である、システム。
  20. 請求項１８に記載のシステムであって、
    前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
    前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値よりも低い、システム。
  21. 請求項１８に記載のシステムであって、
    前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
    前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値と同じである、システム。
  22. 請求項１８に記載のシステムであって、
    前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
    前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値よりも高い、システム。
  23. 請求項１８に記載のシステムであって、
    前記パルス信号が前記第１の状態にある時、前記第１電力値は正の電力値である、システム。
  24. 請求項１８に記載のシステムであって、
    前記第１の第２電力値は、前記第２の第２電力値よりも低い、同じ、または、高い、システム。
  25. システムであって、
    パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
    第１発生器であって、
    第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために前記電極に接続された第１電源と、
    前記パルス信号を受信して、前記パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために、前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラと、
    前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラと、
    前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号に第１の第１周波数入力を提供するよう構成された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、
    前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第１ＲＦ信号に第２の第１周波数入力を提供するよう構成された第２の第１ＡＦＣと、を含む、第１発生器と、
    第２発生器であって、
    第２ＲＦ信号を前記電極に供給するために前記電極に接続された第２電源と、
    前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラと、
    前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号に第１の第２周波数入力を提供するよう構成された第１の第２ＡＦＣと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号に第２の第２周波数入力を提供するよう構成された第２の第２ＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
    を備える、システム。
  26. 請求項２５に記載のシステムであって、
    前記第１発生器は、前記第１プロセッサから受信した前記第１の第１周波数入力または前記第２プロセッサから受信した前記第２の第１周波数入力を前記第１電源に転送するよう構成されたセレクタを含み、
    前記第２発生器は、前記第２プロセッサから受信した前記第１の第２周波数入力または前記第２のプロセッサから受信した前記第２の第２周波数入力を前記第２電源に転送するよう構成されたセレクタを含む、システム。
  27. システムであって、
    基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
    ２つの状態の間を移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
    第１発生器であって、
    第１高周波（ＲＦ）信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第１電源と、
    前記パルス信号を受信して前記パルス信号の前記２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラと、
    前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラと、
    前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、
    前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２の第１ＡＦＣと、を含む、第１発生器と、
    第２発生器であって、
    第２ＲＦ信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第２電源と、
    前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
    前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラと、
    前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第１の第２ＡＦＣと、
    前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２の第２ＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
    を備える、システム。
  28. 請求項２７に記載のシステムであって、
    前記第１の第２電力値は、前記第２の第１電力値よりも低い、同じ、または、高い、システム。
  29. 方法であって、
    ２つの状態を有するデジタルパルス信号を受信する工程と、
    前記デジタルパルス信号が前記２つの状態の内の第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１ＲＦ電源に印加することから、前記デジタルパルス信号が前記２つの状態の内の第２の状態にある時に第２の周波数入力を前記第１ＲＦ電源に印加することに切り換える工程と、
    前記デジタルパルス信号が前記第１の状態にある時に第３の周波数入力を第２ＲＦ電源に印加することを決定する工程と、
    を備える、方法。
  30. 請求項２９に記載の方法であって、
    前記方法は、半導体ウエハを処理して集積回路を製造するために利用される、方法。
JP2013031826A 2012-02-22 2013-02-21 状態に基づいた電力および周波数の調整 Active JP6420528B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261602040P 2012-02-22 2012-02-22
US61/602,040 2012-02-22
US13/531,491 US9114666B2 (en) 2012-02-22 2012-06-22 Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
US13/531,491 2012-06-22
US13/620,386 US9197196B2 (en) 2012-02-22 2012-09-14 State-based adjustment of power and frequency
US13/620,386 2012-09-14

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013191554A true JP2013191554A (ja) 2013-09-26
JP2013191554A5 JP2013191554A5 (ja) 2016-04-07
JP6420528B2 JP6420528B2 (ja) 2018-11-07

Family

ID=48981370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013031826A Active JP6420528B2 (ja) 2012-02-22 2013-02-21 状態に基づいた電力および周波数の調整

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9197196B2 (ja)
JP (1) JP6420528B2 (ja)
KR (2) KR102025950B1 (ja)
CN (1) CN103298235B (ja)
SG (1) SG193130A1 (ja)
TW (2) TWI640226B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014082205A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP2017073247A (ja) * 2015-10-06 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法
JP2019053978A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ イオンの方向性を増大させるためのマルチレジームプラズマウエハ処理

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8952765B2 (en) 2012-03-23 2015-02-10 Mks Instruments, Inc. System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators
US9408288B2 (en) * 2012-09-14 2016-08-02 Lam Research Corporation Edge ramping
US9299574B2 (en) 2013-01-25 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Silicon dioxide-polysilicon multi-layered stack etching with plasma etch chamber employing non-corrosive etchants
CN103476196B (zh) * 2013-09-23 2016-02-03 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及等离子体处理方法
US9318304B2 (en) 2013-11-11 2016-04-19 Applied Materials, Inc. Frequency tuning for dual level radio frequency (RF) pulsing
CN104242298B (zh) * 2014-07-17 2016-09-14 浙江大学 一种全分布式结构的孤岛交流微电网的频率控制方法
US9627186B2 (en) * 2014-08-29 2017-04-18 Lam Research Corporation System, method and apparatus for using optical data to monitor RF generator operations
KR102156893B1 (ko) * 2014-09-30 2020-09-17 세메스 주식회사 플라즈마 공정 챔버의 셀프 바이어스 전압 측정 장치 및 방법
EP3029711B1 (en) * 2014-12-03 2019-10-16 Comet AG Frequency tuning of a RF-generator within a plasma process
US9667303B2 (en) * 2015-01-28 2017-05-30 Lam Research Corporation Dual push between a host computer system and an RF generator
US9788405B2 (en) 2015-10-03 2017-10-10 Applied Materials, Inc. RF power delivery with approximated saw tooth wave pulsing
US9741539B2 (en) 2015-10-05 2017-08-22 Applied Materials, Inc. RF power delivery regulation for processing substrates
US9754767B2 (en) 2015-10-13 2017-09-05 Applied Materials, Inc. RF pulse reflection reduction for processing substrates
US10009028B2 (en) * 2016-09-30 2018-06-26 Lam Research Corporation Frequency and match tuning in one state and frequency tuning in the other state
US9872373B1 (en) 2016-10-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Smart multi-level RF pulsing methods
KR102452835B1 (ko) * 2016-12-05 2022-10-07 램 리써치 코포레이션 다중 제어 모드
US10410836B2 (en) * 2017-02-22 2019-09-10 Lam Research Corporation Systems and methods for tuning to reduce reflected power in multiple states
PL3648550T3 (pl) * 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
EP3648552B1 (en) * 2017-06-27 2022-04-13 Canon Anelva Corporation Plasma treatment device
PL3648554T3 (pl) * 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
CN114666965A (zh) 2017-06-27 2022-06-24 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
US10224183B1 (en) 2018-03-21 2019-03-05 Lam Research Corporation Multi-level parameter and frequency pulsing with a low angular spread
US10304660B1 (en) 2018-03-21 2019-05-28 Lam Research Corporation Multi-level pulsing of DC and RF signals
WO2020003557A1 (ja) 2018-06-26 2020-01-02 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体
CN110648888B (zh) * 2018-06-27 2020-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 射频脉冲匹配方法及其装置、脉冲等离子体产生系统
US11011351B2 (en) 2018-07-13 2021-05-18 Lam Research Corporation Monoenergetic ion generation for controlled etch
US10504744B1 (en) * 2018-07-19 2019-12-10 Lam Research Corporation Three or more states for achieving high aspect ratio dielectric etch
JP2022102688A (ja) 2020-12-25 2022-07-07 株式会社ダイヘン 高周波電源システム
JP2022122425A (ja) * 2021-02-10 2022-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び監視装置
US11706723B2 (en) 2021-06-09 2023-07-18 XP Power Limited Radio frequency generator with automatic level control
JP2023097863A (ja) 2021-12-28 2023-07-10 株式会社ダイヘン 高周波電源システム
CN116840734B (zh) * 2023-07-07 2024-04-05 西安航空学院 一种数字脉冲参数检测系统及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883776A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Aneruba Kk 表面処理装置
JP2004158247A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2008252067A (ja) * 2007-01-30 2008-10-16 Applied Materials Inc 複数のｖｈｆ源を用いるイオン分布均一性制御器を備えたプラズマリアクタ
US20090255800A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method, and computer readable storage medium
JP2010532549A (ja) * 2007-06-29 2010-10-07 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 強化された電荷中和及びプロセス制御を具えたプラズマ処理
US20110031216A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching
JP2011172410A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Mitsubishi Electric Corp デジタル制御電源装置

Family Cites Families (217)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4314879A (en) 1979-03-22 1982-02-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Production of field-reversed mirror plasma with a coaxial plasma gun
US4377961A (en) 1979-09-10 1983-03-29 Bode Harald E W Fundamental frequency extracting system
US4353777A (en) 1981-04-20 1982-10-12 Lfe Corporation Selective plasma polysilicon etching
US4457820A (en) 1981-12-24 1984-07-03 International Business Machines Corporation Two step plasma etching
US4420790A (en) 1982-04-02 1983-12-13 Honeywell Inc. High sensitivity variable capacitance transducer
US4454001A (en) 1982-08-27 1984-06-12 At&T Bell Laboratories Interferometric method and apparatus for measuring etch rate and fabricating devices
US4500563A (en) 1982-12-15 1985-02-19 Pacific Western Systems, Inc. Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing
JPS6113625A (ja) * 1984-06-29 1986-01-21 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
DE3923662A1 (de) 1989-07-18 1991-01-24 Leybold Ag Schaltungsanordnung zum automatischen abstimmen eines anpassungsnetzwerks
US5645796A (en) 1990-08-31 1997-07-08 Abtox, Inc. Process for plasma sterilizing with pulsed antimicrobial agent treatment
US5084239A (en) 1990-08-31 1992-01-28 Abtox, Inc. Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent treatment
US5244629A (en) 1990-08-31 1993-09-14 Caputo Ross A Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent pretreatment
US5254237A (en) * 1991-03-01 1993-10-19 Snaper Alvin A Plasma arc apparatus for producing diamond semiconductor devices
DE9109503U1 (ja) 1991-07-31 1991-10-17 Magtron Magneto Elektronische Geraete Gmbh, 7583 Ottersweier, De
US5202623A (en) 1992-02-26 1993-04-13 Digital Equipment Corporation Laser-activated plasma chamber for non-contact testing
US5788801A (en) 1992-12-04 1998-08-04 International Business Machines Corporation Real time measurement of etch rate during a chemical etching process
US5479340A (en) 1993-09-20 1995-12-26 Sematech, Inc. Real time control of plasma etch utilizing multivariate statistical analysis
US5571366A (en) 1993-10-20 1996-11-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
DE69408405T2 (de) * 1993-11-11 1998-08-20 Nissin Electric Co Ltd Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung
US5980767A (en) 1994-02-25 1999-11-09 Tokyo Electron Limited Method and devices for detecting the end point of plasma process
US5556549A (en) 1994-05-02 1996-09-17 Lsi Logic Corporation Power control and delivery in plasma processing equipment
US5474648A (en) 1994-07-29 1995-12-12 Lsi Logic Corporation Uniform and repeatable plasma processing
US5989999A (en) 1994-11-14 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Construction of a tantalum nitride film on a semiconductor wafer
US6042686A (en) 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
US5810963A (en) 1995-09-28 1998-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma processing apparatus and method
US5812361A (en) 1996-03-29 1998-09-22 Lam Research Corporation Dynamic feedback electrostatic wafer chuck
US5892198A (en) 1996-03-29 1999-04-06 Lam Research Corporation Method of and apparatus for electronically controlling r.f. energy supplied to a vacuum plasma processor and memory for same
US6110214A (en) 1996-05-03 2000-08-29 Aspen Technology, Inc. Analyzer for modeling and optimizing maintenance operations
US5764471A (en) 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
US5917286A (en) 1996-05-08 1999-06-29 Advanced Energy Industries, Inc. Pulsed direct current power supply configurations for generating plasmas
US5689215A (en) 1996-05-23 1997-11-18 Lam Research Corporation Method of and apparatus for controlling reactive impedances of a matching network connected between an RF source and an RF plasma processor
US6048435A (en) 1996-07-03 2000-04-11 Tegal Corporation Plasma etch reactor and method for emerging films
US6246972B1 (en) 1996-08-23 2001-06-12 Aspen Technology, Inc. Analyzer for modeling and optimizing maintenance operations
US5654043A (en) 1996-10-10 1997-08-05 Eaton Corporation Pulsed plate plasma implantation system and method
US5737177A (en) 1996-10-17 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for actively controlling the DC potential of a cathode pedestal
US5866985A (en) 1996-12-03 1999-02-02 International Business Machines Corporation Stable matching networks for plasma tools
US5694207A (en) 1996-12-09 1997-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Etch rate monitoring by optical emission spectroscopy
US5889252A (en) 1996-12-19 1999-03-30 Lam Research Corporation Method of and apparatus for independently controlling electric parameters of an impedance matching network
US5894400A (en) 1997-05-29 1999-04-13 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Method and apparatus for clamping a substrate
JP2001516963A (ja) 1997-09-17 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 ガスプラズマ処理を監視しかつ管理するためのシステムおよび方法
US6020794A (en) 1998-02-09 2000-02-01 Eni Technologies, Inc. Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator
US6157867A (en) 1998-02-27 2000-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and system for on-line monitoring plasma chamber condition by comparing intensity of certain wavelength
US6198616B1 (en) 1998-04-03 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system
WO1999063585A1 (fr) 1998-06-02 1999-12-09 Nikon Corporation Organe d'alignement de balayage, son procede de fabrication et procede de fabrication de dispositif
US6021672A (en) 1998-09-18 2000-02-08 Windbond Electronics Corp. Simultaneous in-situ optical sensing of pressure and etch rate in plasma etch chamber
JP4408313B2 (ja) 1999-10-29 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3533105B2 (ja) 1999-04-07 2004-05-31 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
JP2000306884A (ja) 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7361287B2 (en) 1999-04-30 2008-04-22 Robert Bosch Gmbh Method for etching structures in an etching body by means of a plasma
US6431112B1 (en) 1999-06-15 2002-08-13 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck
US6528751B1 (en) 2000-03-17 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma
US6441555B1 (en) 2000-03-31 2002-08-27 Lam Research Corporation Plasma excitation coil
US6472822B1 (en) 2000-04-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Pulsed RF power delivery for plasma processing
US6441620B1 (en) 2000-06-20 2002-08-27 John Scanlan Method for fault identification in a plasma process
US7465478B2 (en) 2000-08-11 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7137354B2 (en) 2000-08-11 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
JP4240259B2 (ja) 2000-08-21 2009-03-18 富士電機システムズ株式会社 プラズマ電位測定方法と測定用プローブ
US6492774B1 (en) 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
JP3670206B2 (ja) 2000-11-06 2005-07-13 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置
JP3670209B2 (ja) 2000-11-14 2005-07-13 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置
US7871676B2 (en) 2000-12-06 2011-01-18 Novellus Systems, Inc. System for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6726804B2 (en) 2001-01-22 2004-04-27 Liang-Guo Wang RF power delivery for plasma processing using modulated power signal
JP4270872B2 (ja) 2001-03-16 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 インピーダンスをモニターするシステム並びに方法
US6522121B2 (en) 2001-03-20 2003-02-18 Eni Technology, Inc. Broadband design of a probe analysis system
IE20010288A1 (en) 2001-03-23 2002-10-02 Scient Systems Res Ltd Endpoint Detection in the Etching of Dielectric Layers
US7096819B2 (en) 2001-03-30 2006-08-29 Lam Research Corporation Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density
US6750711B2 (en) 2001-04-13 2004-06-15 Eni Technology, Inc. RF power amplifier stability
US6669783B2 (en) 2001-06-28 2003-12-30 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US7678705B2 (en) * 2001-07-05 2010-03-16 Tegal Corporation Plasma semiconductor processing system and method
US6727655B2 (en) 2001-10-26 2004-04-27 Mcchesney Jon Method and apparatus to monitor electrical states at a workpiece in a semiconductor processing chamber
JP4006982B2 (ja) 2001-11-16 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 プリンタ及びプリンタユニット
CN1305353C (zh) 2001-12-10 2007-03-14 东京毅力科创株式会社 高频电源及其控制方法、和等离子体处理装置
US20030119308A1 (en) 2001-12-20 2003-06-26 Geefay Frank S. Sloped via contacts
US6826489B2 (en) 2002-02-14 2004-11-30 Scientific Systems Research Limited Fault classification in a plasma process chamber
US7480571B2 (en) 2002-03-08 2009-01-20 Lam Research Corporation Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load
JP2003282545A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置
US7557591B2 (en) 2002-03-28 2009-07-07 Tokyo Electron Limited System and method for determining the state of a film in a plasma reactor using an electrical property
WO2003102724A2 (en) 2002-05-29 2003-12-11 Tokyo Electron Limited Method and system for data handling, storage and manipulation
US7505879B2 (en) 2002-06-05 2009-03-17 Tokyo Electron Limited Method for generating multivariate analysis model expression for processing apparatus, method for executing multivariate analysis of processing apparatus, control device of processing apparatus and control system for processing apparatus
US20040000385A1 (en) 2002-06-26 2004-01-01 Ratte Robert W. Fishing sinker
WO2004003822A1 (en) 2002-06-28 2004-01-08 Tokyo Electron Limited Controlling a material processing tool and performance data
US20040028837A1 (en) 2002-06-28 2004-02-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for plasma processing
TWI259546B (en) 2002-06-28 2006-08-01 Tokyo Electron Ltd Method and system for predicting process performance using material processing tool and sensor data
WO2004003968A2 (en) 2002-06-28 2004-01-08 Tokyo Electron Limited Method and system for arc suppression in a plasma processing system
US6664166B1 (en) 2002-09-13 2003-12-16 Texas Instruments Incorporated Control of nichorme resistor temperature coefficient using RF plasma sputter etch
US6808607B2 (en) 2002-09-25 2004-10-26 Advanced Energy Industries, Inc. High peak power plasma pulsed supply with arc handling
US6873114B2 (en) 2002-09-26 2005-03-29 Lam Research Corporation Method for toolmatching and troubleshooting a plasma processing system
US20040060660A1 (en) 2002-09-26 2004-04-01 Lam Research Inc., A Delaware Corporation Control of plasma density with broadband RF sensor
TW200420201A (en) 2002-12-16 2004-10-01 Japan Science & Tech Agency Plasma generation device, plasma control method and substrate manufacturing method
US20040127031A1 (en) 2002-12-31 2004-07-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a plasma in a material processing system
JP2004239211A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Denso Corp 吸気モジュール
JP4388287B2 (ja) 2003-02-12 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び高周波電力供給装置
US6781317B1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Applied Science And Technology, Inc. Methods and apparatus for calibration and metrology for an integrated RF generator system
JP2004335594A (ja) 2003-05-02 2004-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
US7976673B2 (en) * 2003-05-06 2011-07-12 Lam Research Corporation RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor
US7247218B2 (en) 2003-05-16 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power
US7795153B2 (en) 2003-05-16 2010-09-14 Applied Materials, Inc. Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters
WO2004105101A2 (en) 2003-05-16 2004-12-02 Tokyo Electron Limited A process system health index and method of using the same
US6862557B2 (en) 2003-06-12 2005-03-01 Lam Research Corporation System and method for electronically collecting data in a fabrication facility
US7867457B2 (en) 2003-06-20 2011-01-11 Drexel University Plasma reactor for the production of hydrogen-rich gas
US7169625B2 (en) 2003-07-25 2007-01-30 Applied Materials, Inc. Method for automatic determination of semiconductor plasma chamber matching and source of fault by comprehensive plasma monitoring
US7625460B2 (en) 2003-08-01 2009-12-01 Micron Technology, Inc. Multifrequency plasma reactor
US6902646B2 (en) 2003-08-14 2005-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments
US7405521B2 (en) 2003-08-22 2008-07-29 Lam Research Corporation Multiple frequency plasma processor method and apparatus
US7015414B2 (en) 2003-09-30 2006-03-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for determining plasma impedance
US7042311B1 (en) 2003-10-10 2006-05-09 Novellus Systems, Inc. RF delivery configuration in a plasma processing system
JP2005130198A (ja) 2003-10-23 2005-05-19 Ulvac Japan Ltd 高周波装置
US7838430B2 (en) 2003-10-28 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing
JP3768999B2 (ja) 2003-10-29 2006-04-19 澄英 池之内 プラズマ処理装置とその制御方法
US7190119B2 (en) 2003-11-07 2007-03-13 Lam Research Corporation Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system
US6983215B2 (en) 2003-12-02 2006-01-03 Mks Instruments, Inc. RF metrology characterization for field installation and serviceability for the plasma processing industry
US7879185B2 (en) 2003-12-18 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Dual frequency RF match
US7157857B2 (en) 2003-12-19 2007-01-02 Advanced Energy Industries, Inc. Stabilizing plasma and generator interactions
US6972524B1 (en) 2004-03-24 2005-12-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control
JP2005284046A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Kumamoto Univ パターンずれ量検出方法及び露光装置
US20050217795A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Armen Avoyan Method of plasma etch endpoint detection using a V-I probe diagnostics
US7435926B2 (en) 2004-03-31 2008-10-14 Lam Research Corporation Methods and array for creating a mathematical model of a plasma processing system
US20050241762A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Applied Materials, Inc. Alternating asymmetrical plasma generation in a process chamber
KR101144018B1 (ko) 2004-05-28 2012-05-09 램 리써치 코포레이션 복수 ｒｆ 주파수에 반응하는 전극을 갖는 플라즈마 처리기
US7430496B2 (en) 2004-06-16 2008-09-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for using a pressure control system to monitor a plasma processing system
FR2875304B1 (fr) 2004-09-16 2006-12-22 Ecole Polytechnique Etablissem Sonde de mesure de caracteristiques d'un courant d'excitation d'un plasma, et reacteur a plasma associe
EP1803142A1 (en) 2004-09-24 2007-07-04 Zond, Inc. Apparatus for generating high-current electrical discharges
US7323116B2 (en) 2004-09-27 2008-01-29 Lam Research Corporation Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring self-bias voltage
US20060065632A1 (en) 2004-09-27 2006-03-30 Chia-Cheng Cheng Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring a plasma frequency
US20060065631A1 (en) 2004-09-27 2006-03-30 Chia-Cheng Cheng Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring impedance
US7666464B2 (en) 2004-10-23 2010-02-23 Applied Materials, Inc. RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor
US20060100824A1 (en) 2004-10-27 2006-05-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, abnormal discharge detecting method for the same, program for implementing the method, and storage medium storing the program
JP4773079B2 (ja) 2004-11-26 2011-09-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置の制御方法
US7459100B2 (en) 2004-12-22 2008-12-02 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sequentially alternating among plasma processes in order to optimize a substrate
US7364623B2 (en) 2005-01-27 2008-04-29 Lam Research Corporation Confinement ring drive
US7820020B2 (en) 2005-02-03 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for plasma-enhanced physical vapor deposition of copper with RF source power applied through the workpiece with a lighter-than-copper carrier gas
US9607719B2 (en) 2005-03-07 2017-03-28 The Regents Of The University Of California Vacuum chamber for plasma electric generation system
US7602127B2 (en) 2005-04-18 2009-10-13 Mks Instruments, Inc. Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source
US7359177B2 (en) 2005-05-10 2008-04-15 Applied Materials, Inc. Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output
ATE441203T1 (de) * 2005-06-10 2009-09-15 Bird Technologies Group Inc System und verfahren zur analyse des stromflusses in halbleiter-plasmaerzeugungssystemen
US20070021935A1 (en) 2005-07-12 2007-01-25 Larson Dean J Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber
US7375038B2 (en) 2005-09-28 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication
EP1783904B1 (de) * 2005-10-17 2008-04-16 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG HF-Plasmaversorgungseinrichtung
US20080179948A1 (en) 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
TWI425767B (zh) 2005-10-31 2014-02-01 Mks Instr Inc 無線電頻率電力傳送系統
US7780864B2 (en) 2006-04-24 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution
US7829468B2 (en) 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
US7722778B2 (en) 2006-06-28 2010-05-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
CN100530529C (zh) 2006-07-17 2009-08-19 应用材料公司 具有静电卡盘电压反馈控制的双偏置频率等离子体反应器
US20080029385A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US8920600B2 (en) 2006-08-22 2014-12-30 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma source with high coupling efficiency
US8192576B2 (en) 2006-09-20 2012-06-05 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for measuring and controlling wafer potential in pulsed RF bias processing
US7902991B2 (en) 2006-09-21 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Frequency monitoring to detect plasma process abnormality
US20080119055A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Lam Research Corporation Reducing twisting in ultra-high aspect ratio dielectric etch
US7732728B2 (en) 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
US7858898B2 (en) 2007-01-26 2010-12-28 Lam Research Corporation Bevel etcher with gap control
US7728602B2 (en) 2007-02-16 2010-06-01 Mks Instruments, Inc. Harmonic derived arc detector
US7718538B2 (en) 2007-02-21 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system with pulsed sample bias for etching semiconductor substrates
US7771606B2 (en) 2007-02-22 2010-08-10 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system with pulsed reaction gas replenish for etching semiconductors structures
US7737042B2 (en) 2007-02-22 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system for etching semiconductor structures
US20080230008A1 (en) * 2007-03-21 2008-09-25 Alexander Paterson Plasma species and uniformity control through pulsed vhf operation
US8073646B2 (en) 2007-03-30 2011-12-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, radio frequency generator and correction method therefor
US8241457B2 (en) 2007-03-30 2012-08-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, plasma measurement system, plasma measurement method, and plasma control system
KR100870121B1 (ko) 2007-04-19 2008-11-25 주식회사 플라즈마트 임피던스 매칭 방법 및 이 방법을 위한 매칭 시스템
CN101295345B (zh) 2007-04-29 2010-06-16 晨星半导体股份有限公司 射频识别读取装置
US7589473B2 (en) 2007-08-06 2009-09-15 Plasma Surgical Investments, Ltd. Pulsed plasma device and method for generating pulsed plasma
US7768269B2 (en) 2007-08-15 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Method of multi-location ARC sensing with adaptive threshold comparison
US7965805B2 (en) * 2007-09-21 2011-06-21 Qualcomm Incorporated Signal generator with signal tracking
JP5026916B2 (ja) 2007-10-19 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
DK2599506T3 (en) 2007-11-06 2018-10-08 Creo Medical Ltd Microwave Plasma Masterization Applicator
CN101952945B (zh) 2007-11-29 2013-08-14 朗姆研究公司 控制微负载的脉冲式偏置等离子体工艺
US9074285B2 (en) 2007-12-13 2015-07-07 Lam Research Corporation Systems for detecting unconfined-plasma events
US7586100B2 (en) 2008-02-12 2009-09-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Closed loop control and process optimization in plasma doping processes using a time of flight ion detector
JP2011525682A (ja) 2008-05-14 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｒｆ電力供給のための時間分解チューニングスキームを利用したパルス化プラズマ処理の方法及び装置
US7967944B2 (en) 2008-05-29 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Method of plasma load impedance tuning by modulation of an unmatched low power RF generator
US8324525B2 (en) 2008-05-29 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Method of plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of a source power or bias power RF generator
US8337661B2 (en) 2008-05-29 2012-12-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of an unmatched low power RF generator
US8264238B1 (en) 2008-06-13 2012-09-11 Mks Instruments, Inc. Method for calibrating a broadband voltage/current probe
US20090308734A1 (en) 2008-06-17 2009-12-17 Schneider Automation Inc. Apparatus and Method for Wafer Level Arc Detection
WO2010019430A2 (en) 2008-08-12 2010-02-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
US8103492B2 (en) 2008-09-05 2012-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma fluid modeling with transient to stochastic transformation
WO2010033924A2 (en) 2008-09-22 2010-03-25 Applied Materials, Inc. Etch reactor suitable for etching high aspect ratio features
US8313664B2 (en) 2008-11-21 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Efficient and accurate method for real-time prediction of the self-bias voltage of a wafer and feedback control of ESC voltage in plasma processing chamber
KR101510775B1 (ko) * 2008-11-24 2015-04-10 삼성전자주식회사 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비
JP5141519B2 (ja) 2008-12-02 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法
US8040068B2 (en) 2009-02-05 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power control system
WO2010102125A2 (en) 2009-03-05 2010-09-10 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor having rf phase control and methods of use thereof
US8382999B2 (en) 2009-03-26 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Pulsed plasma high aspect ratio dielectric process
US8674606B2 (en) 2009-04-27 2014-03-18 Advanced Energy Industries, Inc. Detecting and preventing instabilities in plasma processes
US9305750B2 (en) 2009-06-12 2016-04-05 Lam Research Corporation Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems
KR101315950B1 (ko) * 2009-06-24 2013-10-08 엘지전자 주식회사 플라즈마 증착 장치 및 이 장치를 이용한 박막 제조 방법
US8271121B2 (en) 2009-06-30 2012-09-18 Lam Research Corporation Methods and arrangements for in-situ process monitoring and control for plasma processing tools
US8473089B2 (en) 2009-06-30 2013-06-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers
US8901004B2 (en) 2009-07-27 2014-12-02 Lam Research Corporation Plasma etch method to reduce micro-loading
JP5642181B2 (ja) 2009-08-21 2014-12-17 マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． 基体を処理する装置及び基体の処理方法
US20110097901A1 (en) 2009-10-26 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly
US8901935B2 (en) 2009-11-19 2014-12-02 Lam Research Corporation Methods and apparatus for detecting the confinement state of plasma in a plasma processing system
JP2013511814A (ja) 2009-11-19 2013-04-04 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理システムを制御するための方法および装置
US8501631B2 (en) 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
US9076646B2 (en) 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US20120000887A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
JP2012033409A (ja) 2010-07-30 2012-02-16 Origin Electric Co Ltd 直流プラズマ用逆極性パルス発生回路及び直流プラズマ電源装置
KR20120022251A (ko) 2010-09-01 2012-03-12 삼성전자주식회사 플라즈마 식각방법 및 그의 장치
US9076826B2 (en) 2010-09-24 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assembly for plasma processing chambers
US8779662B2 (en) 2010-10-20 2014-07-15 Comet Technologies Usa, Inc Pulse mode capability for operation of an RF/VHF impedance matching network with 4 quadrant, VRMS/IRMS responding detector circuitry
US8723423B2 (en) 2011-01-25 2014-05-13 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source
US8679358B2 (en) 2011-03-03 2014-03-25 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and computer-readable storage medium
US9907908B2 (en) 2011-03-08 2018-03-06 Baxter International Inc. Non-invasive radio frequency medical fluid level and volume detection system and method
CA2742060C (en) 2011-05-31 2013-09-10 Vln Advanced Technologies Inc. Reverse-flow nozzle for generating cavitating or pulsed jets
US8692467B2 (en) 2011-07-06 2014-04-08 Lam Research Corporation Synchronized and shortened master-slave RF pulsing in a plasma processing chamber
US8872429B2 (en) 2011-07-28 2014-10-28 Kirk Rosener Pulsed plasma generator
US8974684B2 (en) 2011-10-28 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Synchronous embedded radio frequency pulsing for plasma etching
US8808561B2 (en) 2011-11-15 2014-08-19 Lam Research Coporation Inert-dominant pulsing in plasma processing systems
US8883028B2 (en) 2011-12-28 2014-11-11 Lam Research Corporation Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems
US9224618B2 (en) 2012-01-17 2015-12-29 Lam Research Corporation Method to increase mask selectivity in ultra-high aspect ratio etches
US10157729B2 (en) 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US9320126B2 (en) 2012-12-17 2016-04-19 Lam Research Corporation Determining a value of a variable on an RF transmission model
US9295148B2 (en) 2012-12-14 2016-03-22 Lam Research Corporation Computation of statistics for statistical data decimation
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
US9408288B2 (en) 2012-09-14 2016-08-02 Lam Research Corporation Edge ramping
US9514959B2 (en) 2012-10-30 2016-12-06 American Air Liquide, Inc. Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch
US9460894B2 (en) 2013-06-28 2016-10-04 Lam Research Corporation Controlling ion energy within a plasma chamber

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883776A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Aneruba Kk 表面処理装置
JP2004158247A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2008252067A (ja) * 2007-01-30 2008-10-16 Applied Materials Inc 複数のｖｈｆ源を用いるイオン分布均一性制御器を備えたプラズマリアクタ
JP2010532549A (ja) * 2007-06-29 2010-10-07 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 強化された電荷中和及びプロセス制御を具えたプラズマ処理
US20090255800A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method, and computer readable storage medium
JP2009246091A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US20110031216A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching
JP2011172410A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Mitsubishi Electric Corp デジタル制御電源装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014082205A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US9275870B2 (en) 2012-10-16 2016-03-01 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, Shanghai Plasma processing method and plasma processing device
JP2017073247A (ja) * 2015-10-06 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法
TWI711083B (zh) * 2015-10-06 2020-11-21 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置之阻抗匹配用的方法
JP2019053978A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ イオンの方向性を増大させるためのマルチレジームプラズマウエハ処理
JP7195810B2 (ja) 2017-09-13 2022-12-26 ラム リサーチ コーポレーション イオンの方向性を増大させるためのマルチレジームプラズマウエハ処理

Also Published As

Publication number Publication date
JP6420528B2 (ja) 2018-11-07
US20160044775A1 (en) 2016-02-11
TWI640226B (zh) 2018-11-01
KR102130921B1 (ko) 2020-08-05
CN103298235A (zh) 2013-09-11
US10231321B2 (en) 2019-03-12
SG193130A1 (en) 2013-09-30
KR102025950B1 (ko) 2019-09-26
TW201410080A (zh) 2014-03-01
TW201737763A (zh) 2017-10-16
KR20130096678A (ko) 2013-08-30
US20130213573A1 (en) 2013-08-22
US9197196B2 (en) 2015-11-24
CN103298235B (zh) 2017-04-12
TWI640225B (zh) 2018-11-01
KR20190112254A (ko) 2019-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6420528B2 (ja) 状態に基づいた電力および周波数の調整
US11361942B2 (en) Adjustment of power and frequency based on three or more states
JP6400272B2 (ja) インピーダンスに基づいた電力および周波数の調整
US9673026B2 (en) Edge ramping
KR102165741B1 (ko) 세 개 이상의 상태에 기초한 전력 및 주파수의 조절
JP2013191554A5 (ja)
JP2014089945A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160222

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170502

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171024

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181002

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181012

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6420528

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250