JP2014082205A - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置は、ベースが含まれた反応チャンバを含み、異なるRF周波数出力を有する複数のRF電源がRF電界を反応チャンバ内に加えることを含み、複数のRF電源のうち、少なくとも一つのパルスRF電源の出力は複数の状態を有し、処理方法は、マッチング周波数取得ステップとパルス処理ステップとを含み、マッチング周波数取得ステップにおいて、パルスRF電源の出力状態を切り替えて反応チャンバにパルス処理ステップで現れる複数のインピーダンスを有させる。可変周波数のRF電源の出力周波数を調節し、それを現れたインピーダンスとマッチングする。チューニング後の複数の出力周波数を複数のマッチング周波数として記憶して、後続のパルス処理ステップにおいて、記憶された複数のマッチング周波数によって、マッチングインピーダンスを高速に切り替える。
【選択図】図1
Description
マッチング周波数取得ステップと、パルス処理ステップとを含み、
前記マッチング周波数取得ステップは、
前記複数のRF電源はそれぞれ同時にRF電界を反応チャンバに出力し、反応チャンバが第一インピーダンスを有するようにその中のパルスRF電源の出力を第一電力出力状態に調節し、少なくとも一つの可変周波数のRF電源における可変周波数素子を調節し、第一マッチング周波数を取得して前記第一インピーダンスとマッチングする処理と、反応チャンバが第二インピーダンスを有するように前記パルスRF電源の出力を第二電力出力状態に調節し、少なくとも一つの可変周波数のRF電源における可変周波数素子を調節し、第二マッチング周波数を取得して前記第二インピーダンスとマッチングする処理とを含み、
前記パルス処理ステップは、
前記複数のRF電源はRF電界を反応チャンバに出力し、前記パルス電源の出力を第一電力出力状態を有するように設定するとともに、前記可変周波数電源の出力を第一マッチング周波数を有するように設定する処理と、前記パルス電源の出力を第二電力出力状態を有するように設定するとともに、前記可変周波数電源の出力を第二マッチング周波数を有するように設定する処理とを含む。
11 ガススプレーヘッド
20 ウェハー
21 静電チャック
22 ベース
31 第一RF電源
32 第二RF電源
100 反応チャンバ
110 ガス供給元
Claims (20)
- プラズマ処理装置のプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は処理待ち基板が固定されたベースを含む反応チャンバを含み、第一RF周波数出力を有する第一RF電源と第二RF周波数出力を有する第二RF電源とがRF電界を前記反応チャンバ内に加えることをさらに含み、前記処理方法は、
マッチング周波数取得ステップと、
パルス処理ステップと
を含み、
前記マッチング周波数取得ステップは、
第一RF電源が高電力のRF電界を反応チャンバに加えるとともに、第二RF電源によって加えられた高電力RF電界は前記第一RF電源の出力周波数をチューニングして、第一RF電源に最小の反射電力を有させる第一マッチング周波数を取得する処理と、
第一RF電源が高電力のRF電界を反応チャンバに加えるとともに、第二RF電源によって加えられた低電力RF電界は前記第一RF電源の出力周波数をチューニングして、第一RF電源に最小の反射電力を有させる第二マッチング周波数を取得する処理と
を含み、
前記パルス処理ステップは、第一RF電源は高電力のRF電界を反応チャンバに加え、第二RF電源によって反応チャンバ内に加えられたRF電界の電力を高電力と低電力との間で切り替え、第一RF電源の出力周波数を同期して第一マッチング周波数と第二マッチング周波数との間で切り替える処理を含む方法。 - 前記第一RF電源はプラズマが生じるように高周波数のRF電界をプラズマ反応チャンバに出力し、
前記第二RF電源は低周波数のRF電界を反応チャンバ内のベースに出力し、
前記高周波数のRFは10MHZより大きく、
前記低周波数のRFは10MHZより小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記マッチング周波数取得ステップにおいて、第一RF電源の出力周波数をチューニングして第一または第二マッチング周波数を取得する時間は1秒より長く、かつ前記パルス処理ステップにおける切り替えの時間は0.5秒より短いことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマ処理装置は、
前記第一RF電源とベースとの間に接続された第一マッチング回路と、
前記第二RF電源とベースとの間に接続された第二マッチング回路と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記プラズマ処理装置は、第一RF電源の出力周波数のチューニングを制御する制御装置をさらに備えるとともに、第一及び第二マッチング周波数を取得し、取得された第一及び第二マッチング周波数を前記制御装置に記憶し、前記制御装置は、前記パルス処理ステップにおける第一と第二RF電源の出力電力状態を判断し、第一RF電源の出力周波数を第一及び第二マッチング周波数として選択することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 連続処理ステップと、
パルス処理ステップと
を含み、
前記マッチング周波数取得ステップは連続処理ステップに集積されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記マッチング周波数取得ステップは、第一RF電源が低電力のRF電界を反応チャンバに加えるとともに、第二RF電源は低電力のRF電界を加え、前記第一RF電源の出力周波数をチューニングし、第一RF電源に最小の反射電力を有させる第三マッチング周波数を取得する処理をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第二RF電源によって加えられた低電力のRF電界は、前記高電力のRF電界の強度の1/2より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 同時に前記第二RF電源によって加えられる低電力のRF電界はゼロであることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- プラズマ処理装置のプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は処理待ち基板が固定されたベースを含む反応チャンバを含み、第一RF周波数出力を有する第一RF電源と第二RF周波数出力を有する第二RF電源とがRF電界を前記反応チャンバ内に加えることをさらに含み、第二RF電源出力は高電力出力と低電力出力との二種類の出力電力を有し、前記低電力出力は前記高電力出力より小さく、かつゼロより大きく、前記処理方法は、
マッチング周波数取得ステップと、
パルス処理ステップと
を含み、
前記マッチング周波数取得ステップは、
第一RF電源及び第二RF電源がRF電界を反応チャンバに加え、第二RF電源は低電力出力を有するRF電界を反応チャンバに加え、前記第二RF電源の出力周波数をチューニングし、第二RF電源に最小の反射電力を有させる第一マッチング周波数を取得する処理と、
第二RF電源は高電力出力を有するRF電界を反応チャンバに加え、前記第二RF電源の出力周波数をチューニングし、第二RF電源に最小の反射電力を有させる第二マッチング周波数を取得する処理と
を含み、
前記パルス処理ステップは、第二RF電源の反応チャンバ内に加えたRF電界の電力を高電力と低電力との間で切り替え、第二RF電源の出力周波数を第二RF電源の出力電力と同期して第一マッチング周波数と第二マッチング周波数との間で切り替える処理を含む方法。 - プラズマ処理装置のプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は処理待ち基板が固定されたベースを含む反応チャンバを含み、異なるRF周波数出力を有する複数のRF電源がRF電界を前記反応チャンバ内に加えることをさらに含み、前記複数のRF電源のうちの少なくとも一つのパルスRF電源の出力電力は複数の電力状態を有し、前記処理方法は、
マッチング周波数取得ステップと、
パルス処理ステップと
を含み、
前記マッチング周波数取得ステップは、
前記複数のRF電源はそれぞれ同時にRF電界を反応チャンバに出力し、反応チャンバが第一インピーダンスを有するようにその中のパルスRF電源の出力を第一電力出力状態に調節し、少なくとも一つの可変周波数のRF電源における可変周波数素子を調節し、第一マッチング周波数を取得して前記第一インピーダンスとマッチングする処理と、
反応チャンバが第二インピーダンスを有するように前記パルスRF電源の出力を第二電力出力状態に調節し、少なくとも一つの可変周波数のRF電源における可変周波数素子を調節し、第二マッチング周波数を取得して前記第二インピーダンスとマッチングする処理を含み、
前記パルス処理ステップは、
前記複数のRF電源はRF電界を反応チャンバに出力し、前記パルス電源の出力を第一電力出力状態を有させるように設定するとともに、前記可変周波数電源の出力を第一マッチング周波数を有させるように設定する処理と、
前記パルス電源の出力を第二電力出力状態を有させるように設定するとともに、前記可変周波数電源の出力を第二マッチング周波数を有させるように設定する処理と
を含む方法。 - 前記パルス処理ステップにおいて、パルスRF電源の出力電力状態の切り替えの時間は0.5秒より短いことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記パルスRF電源によって加えられた第一電力出力状態の電力出力は、前記第二電力出力状態の電力出力の1/2より小さいことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記第一電力出力状態の場合に、前記パルスRF電界の出力はゼロであることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記第一電力出力状態の場合に、前記パルスRF電界の出力はゼロより大きく、前記パルスRF電源と前記可変周波数RF電源とは同一のRF電源であることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- プラズマ処理装置のプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は処理待ち基板が固定されたベースを含む反応チャンバを含み、異なるRF周波数出力を有する複数のRF電源がRF電界を前記反応チャンバの内部に加えることをさらに含み、前記複数のRF電源のうちの少なくとも一つのパルスRF電源の出力電力は複数の電力状態を有し、前記処理方法は、
マッチング周波数取得ステップと、
パルス処理ステップと
を含み、
前記マッチング周波数取得ステップは、
前記複数のRF電源はそれぞれ同時にRF電界を反応チャンバに出力し、反応チャンバが第一インピーダンスを有するようにその中のパルスRF電源の出力を第一出力状態に調節し、少なくとも一つの可変周波数のRF電源の可変周波数素子を調節し、第一マッチング周波数を取得して前記第一インピーダンスとマッチングする処理と、
反応チャンバが第二インピーダンスを有するように前記パルスRF電源の出力を第二出力状態に調節し、少なくとも一つの可変周波数のRF電源の可変周波数素子を調節し、第二マッチング周波数を取得して前記第二インピーダンスとマッチングする処理と
を含み、
前記パルス処理ステップは、
前記複数のRF電源はRF電界を反応チャンバに出力し、前記パルスRF電源出力を第一出力状態を有させるように設定するとともに、前記可変周波数電源の出力を第一マッチング周波数を有させるように設定する処理と、
前記パルスRF電源出力を第二出力状態を有させるように設定するとともに、前記可変周波数電源の出力を第二マッチング周波数を有させるように設定する処理と
を含む方法。 - 前記パルス処理ステップにおいて、パルスRF電源の出力状態の切り替えの時間は0.5秒より短いことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記パルスRF電源の第一出力状態は第一RF周波数を有し、第二出力状態は第二RF周波数を有し、第一RF周波数は第二RF周波数より1.5倍大きいことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記可変周波数のRF電源は、第一出力状態及び第二出力状態を有し、第一出力状態及び第二出力状態は異なる反射電力を有することを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記可変周波数のRF電源の第一出力状態及び第二出力状態は、同じ出力電力を有することを特徴とする請求項19に記載の方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017130528A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP2021503167A (ja) * | 2017-11-15 | 2021-02-04 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板を処理するための周波数同調と整合同調とを重複させずに適用するためのシステムおよび方法 |
JP2021535574A (ja) * | 2018-09-28 | 2021-12-16 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマチャンバの電極への電力送出を最適化するシステムおよび方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9318304B2 (en) * | 2013-11-11 | 2016-04-19 | Applied Materials, Inc. | Frequency tuning for dual level radio frequency (RF) pulsing |
CN105591629B (zh) * | 2014-10-22 | 2018-01-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 自动频率调谐阻抗匹配的匹配频率的获取方法和装置 |
EP3029711B1 (en) | 2014-12-03 | 2019-10-16 | Comet AG | Frequency tuning of a RF-generator within a plasma process |
JP6410592B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
CN104900472B (zh) * | 2015-04-22 | 2018-04-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理的方法 |
US9947514B2 (en) | 2015-09-01 | 2018-04-17 | Mks Instruments, Inc. | Plasma RF bias cancellation system |
CN106876239B (zh) * | 2015-12-14 | 2018-10-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置 |
KR102092213B1 (ko) * | 2016-03-23 | 2020-03-23 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 임피던스 매칭 시스템, 임피던스 매칭 방법 및 반도체 공정장비 |
US20170330764A1 (en) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for controlling transitions between continuous wave and pulsing plasmas |
US10424467B2 (en) | 2017-03-13 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Smart RF pulsing tuning using variable frequency generators |
JP6752357B2 (ja) | 2017-03-31 | 2020-09-09 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN109148250B (zh) * | 2017-06-15 | 2020-07-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 阻抗匹配装置和阻抗匹配方法 |
CN107426908A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-12-01 | 大连理工大学 | 一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置及产生方法 |
KR102586362B1 (ko) * | 2018-01-31 | 2023-10-06 | 삼성전자주식회사 | 펄스 측정 시스템 및 방법 |
CN110416047B (zh) * | 2018-04-27 | 2021-03-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备 |
JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
CN110648888B (zh) * | 2018-06-27 | 2020-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 射频脉冲匹配方法及其装置、脉冲等离子体产生系统 |
CN111293022B (zh) * | 2018-12-07 | 2023-01-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置 |
CN110299279B (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种射频电源系统、等离子体处理器及其调频匹配方法 |
CN110888380B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-11-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体设备中滤波电路的控制方法和半导体设备 |
CN112538619A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-03-23 | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) | 一种射频电源的控制方法及装置 |
US11626853B2 (en) | 2021-02-05 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | RF power delivery architecture with switchable match and frequency tuning |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310245A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-11-09 | Daihen Corp | 高周波電源装置および高周波電源の制御方法 |
JP2008130398A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Pearl Kogyo Co Ltd | 高周波電源装置および高周波電力供給方法 |
JP2009246091A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2010118222A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
WO2012094416A1 (en) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | Advanced Energy Industries, Inc. | System level power delivery to a plasma processing load |
JP2013191554A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-26 | Lam Research Corporation | 状態に基づいた電力および周波数の調整 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7320734B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
JP4137419B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2004107825A1 (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Tokyo Electron Limited | プラズマ源及びプラズマ処理装置 |
US7692916B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method |
CN100452945C (zh) * | 2007-06-20 | 2009-01-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室 |
JP5224837B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8264154B2 (en) | 2008-05-14 | 2012-09-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for pulsed plasma processing using a time resolved tuning scheme for RF power delivery |
US8002945B2 (en) * | 2008-05-29 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of an unmatched low power RF generator |
KR101510775B1 (ko) | 2008-11-24 | 2015-04-10 | 삼성전자주식회사 | 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비 |
TWM370181U (en) * | 2009-07-03 | 2009-12-01 | Advanced Micro Fab Equip Inc | A plasma processing apparatus |
CN101989525A (zh) | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 具备可切换偏置频率的等离子体处理腔及可切换匹配网络 |
CN102474971B (zh) * | 2009-08-07 | 2015-03-04 | 株式会社京三制作所 | 脉冲调制高频功率控制方法以及脉冲调制高频电源装置 |
US9114666B2 (en) * | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
US9030101B2 (en) * | 2012-02-22 | 2015-05-12 | Lam Research Corporation | Frequency enhanced impedance dependent power control for multi-frequency RF pulsing |
US9408288B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
-
2012
- 2012-10-16 CN CN201210393470.XA patent/CN103730316B/zh active Active
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013203619A patent/JP5871875B2/ja active Active
- 2013-10-11 US US14/052,650 patent/US9275870B2/en active Active
- 2013-10-14 KR KR20130121761A patent/KR101478626B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-16 TW TW102137388A patent/TW201417138A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310245A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-11-09 | Daihen Corp | 高周波電源装置および高周波電源の制御方法 |
JP2008130398A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Pearl Kogyo Co Ltd | 高周波電源装置および高周波電力供給方法 |
JP2009246091A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2010118222A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
WO2012094416A1 (en) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | Advanced Energy Industries, Inc. | System level power delivery to a plasma processing load |
JP2013191554A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-26 | Lam Research Corporation | 状態に基づいた電力および周波数の調整 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017130528A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP2021503167A (ja) * | 2017-11-15 | 2021-02-04 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板を処理するための周波数同調と整合同調とを重複させずに適用するためのシステムおよび方法 |
JP7210579B2 (ja) | 2017-11-15 | 2023-01-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板を処理するための周波数同調と整合同調とを重複させずに適用するためのシステムおよび方法 |
JP2021535574A (ja) * | 2018-09-28 | 2021-12-16 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマチャンバの電極への電力送出を最適化するシステムおよび方法 |
JP7066920B2 (ja) | 2018-09-28 | 2022-05-13 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマチャンバの電極への電力送出を最適化するシステムおよび方法 |
Also Published As
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