JP2008130398A - 高周波電源装置および高周波電力供給方法 - Google Patents
高周波電源装置および高周波電力供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008130398A JP2008130398A JP2006314962A JP2006314962A JP2008130398A JP 2008130398 A JP2008130398 A JP 2008130398A JP 2006314962 A JP2006314962 A JP 2006314962A JP 2006314962 A JP2006314962 A JP 2006314962A JP 2008130398 A JP2008130398 A JP 2008130398A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- frequency power
- power supply
- unit
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 115
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 69
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 129
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 24
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B7/00—Heating by electric discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/02—Circuits or systems for supplying or feeding radio-frequency energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 プラズマ処理室5へ、第1の周波数f1の高周波電力を供給する第1高周波電源部11および第2の周波数f2(f1>f2)の高周波電力を供給する第2高周波電源部71を、少なくとも備え、第1高周波電源部11に、第1の周波数の高周波電力を発振する、周波数可変の第1高周波発振部16と、第1高周波発振部の出力を受けて、その電力を増幅する第1電力増幅部15と、反射波をヘテロダイン検波するヘテロダイン検波部13と、ヘテロダイン検波部で検波された信号および進行波信号を受信し、第1高周波発振部の発振周波数および第1電力増幅部の出力を制御する第1制御部14とを備える。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1における高周波電源装置10を示すブロック図である。図1において、プラズマ処理室5に、第1高周波電源部11から第1の周波数f1の高周波電力を、また第2高周波電源部71から、第1の周波数より低い第2の周波数f2の高周波電力を供給する。図1では、プラズマ処理室5は、電極板5aと電極板5bとを備える平行平板プラズマ処理室が例示されるが、高周波電力を供給されてプラズマを生成するものであればどのような装置形式であってもよく、また図1では、プラズマ処理される基板(たとえば半導体ウエハ)は、電極板5bに装着されているが、電極板5aに装着されてもよい。第1の周波数の高周波電力は、上記の2枚の平行平板5a,5b間に高周波電界を形成して、そこにガスを導入してプラズマを形成する。また、第2の周波数の高周波電力は、電極板近くのイオンの挙動を制御するために供給されるイオン制御用の高周波電力である。第1の周波数f1は60MHz程度(第1制御部14により制御され、所定範囲内で可変である)とし、第2の周波数f2は2MHz程度とするが、第1および第2の周波数は、より高くてもよいし、低くてもよい。本実施の形態では、第2の周波数は、可変であってもなくてもよい。また、図1には、電極板に周波数f3の高周波電源部(図示せず)が接続されるように表示してあるが、直流電源部(したがってf3=0)または周波数f3の高周波電源部を接続してもよい。これにより3周波合成タイプの高周波電源装置を構成することができる。ただし、この周波数f3の高周波電源部は無くてもよく、第1および第2の周波数の2周波合成タイプの高周波電源装置であってもよい。
図5は、本発明の実施の形態2の高周波電源装置に用いられる第2高周波電源部71を示すブロック図である。プラズマ生成用の高周波電力を供給する第1高周波電源部には、実施の形態1と同じものを用いる。実施の形態1では、イオン制御用の高周波電源部71は、第1の周波数より低い周波数の高周波電力を供給できれば、どのような高周波電源でもよかった。しかし、本実施の形態では、イオン制御用の高周波電源部の発振部(第2高周波発振部)76の発振周波数および電力増幅器(第2電力増幅部)75の出力を制御する制御基板(第2制御部)74が設けられ、その第2制御部74が、周波数制御信号K1および出力制御信号K2を、発振部76および電力増幅器75にそれぞれ入力する点に特徴がある。イオン制御用の高周波電力は、プラズマ生成用の電極板にプラズマ中のイオンを引き込むイオン引き込み制御に用いられる。プラズマは電気的中性条件を維持するが、上記のイオンの引き込みは、電気的中性条件の確保に必須であり、このイオン制御が欠けると不安定性を増すことになる。このため、イオン制御用の第2の高周波電力の供給の制御はプラズマ(プラズマ密度、プラズマ圧力、プラズマ温度等)の安定維持に非常に重要である。
Claims (8)
- プラズマ処理室へ、第1の周波数の高周波電力を供給する第1高周波電源部および前記第1の周波数より低い第2の周波数の高周波電力を供給する第2高周波電源部を、少なくとも、備える高周波電源装置であって、
前記第1高周波電源部に、
前記第1の周波数の高周波電力を発振する、周波数可変の第1高周波発振部と、
前記第1高周波発振部の出力を受けて、その電力を増幅する第1電力増幅部と、
前記プラズマ処理室からの反射波および前記第1電力増幅部からの進行波が入力される第1方向性結合器と、
前記第1方向性結合器からの反射波信号をヘテロダイン検波する反射波第1ヘテロダイン検波部と、
前記反射波第1ヘテロダイン検波部で検波された信号および前記第1方向性結合器からの進行波信号を受信し、前記第1高周波発振部の発振周波数および前記第1電力増幅部の出力を制御する第1制御部とを備えることを特徴とする、高周波電源装置。 - 前記第1高周波電源部に進行波第1ヘテロダイン検波部を備え、その進行波第1ヘテロダイン検波部は、前記第1方向性結合器からの進行波信号をヘテロダイン検波して、前記第1制御部がその進行波信号のヘテロダイン検波信号を受信することを特徴とする、請求項1に記載の高周波電源装置。
- 前記第2高周波電源部に、前記第2の周波数の高周波電力を発振する、周波数可変の第2高周波発振部と、前記第2高周波発振部の出力を受けて、その電力を増幅する第2電力増幅部と、前記プラズマ処理室からの反射波および前記第2電力増幅部からの進行波が入力される第2方向性結合器と、前記第2方向性結合器からの反射波信号を検波する反射波第2検波部と、前記反射波第2検波部で検波された検波信号および前記第2方向性結合器からの進行波信号を受信し、前記第2高周波発振部の発振周波数および前記第2電力増幅部の出力を制御する第2制御部とを備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の高周波電源装置。
- 前記反射波第2検波部が前記反射波信号をヘテロダイン検波する反射波第2ヘテロダイン検波部であり、前記第2制御部は、その反射波第2ヘテロダイン検波部で検波された信号を受信し、前記第2高周波発振部の発振周波数および前記第2電力増幅部の出力を制御することを特徴とする、請求項3に記載の高周波電源装置。
- 前記第2高周波電源部に進行波第2ヘテロダイン検波部を備え、その進行波第2ヘテロダイン検波部は、前記第2方向性結合器からの進行波信号をヘテロダイン検波して、前記第2制御部がその進行波信号のヘテロダイン検波信号を受信することを特徴とする、請求項4に記載の高周波電源装置。
- 前記プラズマ処理室へ高周波電力を供給する高周波電源部を、さらに1つまたは2つ以上備え、当該1つまたは2つ以上の高周波電源部は、前記第1および第2の周波数と異なる周波数の高周波電力を出力することを特徴とする、請求項3〜5のいずれかに記載の高周波電源装置。
- 前記1つまたは2つ以上の高周波電源部の少なくとも1つの高周波電源部は、反射波信号および進行波信号のうち少なくとも反射波信号に対してヘテロダイン検波を行うヘテロダイン検波部と、そのヘテロダイン検波部で検波された反射波信号を受信し、当該高周波電源部の発振周波数および出力の制御を行う制御部とを備えることを特徴とする、請求項6に記載の高周波電源装置。
- プラズマ処理室へ、少なくとも、第1の周波数の第1高周波電力および当該第1の周波数より低い第2の周波数の第2高周波電力を供給する高周波電力供給方法であって、
前記第1高周波電力を第1高周波電源部で、また第2高周波電力を第2高周波電源部で、それぞれ電力増幅して、前記プラズマ処理室へ供給する工程と、
前記第1高周波電源部において、前記プラズマ処理室からの反射波をヘテロダイン検波する工程と、
前記ヘテロダイン検波された反射波信号および前記第1高周波電力の進行波の信号を受信し、前記第1高周波電源部における発振周波数および電力増幅を制御する工程と、
前記第2高周波電源部において、前記プラズマ処理室からの反射波および前記第2高周波電力の進行波を検波する工程と、
前記検波された反射波信号および進行波信号を受信し、前記第2高周波電源部における発振周波数および電力増幅を制御する工程とを備えることを特徴とする、高周波電力供給方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006314962A JP5426811B2 (ja) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | 高周波電源装置 |
TW096132839A TWI430715B (zh) | 2006-11-22 | 2007-09-04 | 高頻電源裝置及高頻功率供給方法 |
CN2007101883736A CN101188901B (zh) | 2006-11-22 | 2007-11-20 | 高频电源装置及高频功率供给方法 |
US11/943,759 US20080128087A1 (en) | 2006-11-22 | 2007-11-21 | High frequency power supply device and high frequency power supplying method |
KR1020070119106A KR100980165B1 (ko) | 2006-11-22 | 2007-11-21 | 고주파 전원 장치 및 고주파 전력 공급 방법 |
EP07121366.4A EP1926352B1 (en) | 2006-11-22 | 2007-11-22 | High frequency power supply device and high frequency power supplying method |
US14/745,273 US10201069B2 (en) | 2006-11-22 | 2015-06-19 | High frequency power supply device and high frequency power supplying method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006314962A JP5426811B2 (ja) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | 高周波電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008130398A true JP2008130398A (ja) | 2008-06-05 |
JP5426811B2 JP5426811B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=39125160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006314962A Active JP5426811B2 (ja) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | 高周波電源装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20080128087A1 (ja) |
EP (1) | EP1926352B1 (ja) |
JP (1) | JP5426811B2 (ja) |
KR (1) | KR100980165B1 (ja) |
CN (1) | CN101188901B (ja) |
TW (1) | TWI430715B (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010108839A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP2011216369A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
WO2013125260A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、および高周波発生器 |
JP2013171840A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Lam Research Corporation | 多周波数rfパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御 |
JP2013179047A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-09 | Lam Research Corporation | インピーダンスに基づいた電力および周波数の調整 |
WO2013132591A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電源装置およびその整合方法 |
JP2013250231A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Daihen Corp | 位相差検出装置、位相差検出プログラム及び位相差検出装置を用いたプラズマ処理システム |
JP2014082205A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP2014515869A (ja) * | 2011-04-27 | 2014-07-03 | サイレム・ソシエテ・プール・ラプリカション・アンデュストリエール・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・アン・エレクトロニック・エ・ミクロ・オンデ | 負荷のマイクロ波処理のための設備 |
JP2018536251A (ja) * | 2015-10-13 | 2018-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrfパルス反射の低減 |
JP2020129549A (ja) * | 2015-09-01 | 2020-08-27 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | プラズマrfバイアス消去システム |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5426811B2 (ja) | 2006-11-22 | 2014-02-26 | パール工業株式会社 | 高周波電源装置 |
KR101124419B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2012-03-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | 마이크로파 플라즈마 생성을 위한 휴대용 전력 공급 장치 |
WO2011062278A1 (ja) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | マスプロ電工株式会社 | 電子回路 |
JP4891384B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2012-03-07 | 株式会社新川 | プラズマ発生装置 |
DE102011007597B4 (de) * | 2011-04-18 | 2014-07-10 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur Impendanzanpassung und Hochfrequenz-Leistungsversorgung |
DE102011007598B4 (de) * | 2011-04-18 | 2014-06-26 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zur Impedanzanpassung |
CN103456591B (zh) * | 2012-05-31 | 2016-04-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室 |
JP6078419B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2017-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
KR101472794B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2014-12-15 | 한국기계연구원 | 플라즈마 점화 제어 방법 |
DE102013010408A1 (de) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum detektieren einer plasmazündung |
JP6353223B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US9591739B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-03-07 | Reno Technologies, Inc. | Multi-stage heterodyne control circuit |
JP6474985B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-02-27 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源 |
CN105413968A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-23 | 深圳市欣驰科技有限公司 | 一种自动识别电源频率的过胶机及其过胶方法 |
US9748076B1 (en) * | 2016-04-20 | 2017-08-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus for frequency tuning in a RF generator |
CN106153832B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-08-07 | 北京航天环境工程有限公司 | 基于物联网的有机废气监测系统 |
CN106422691A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-02-22 | 北京航天环境工程有限公司 | 用于有机废气等离子体处理装置中的高频电源电路 |
CN110959312A (zh) * | 2017-08-14 | 2020-04-03 | 株式会社国际电气 | 等离子体生成装置、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法 |
JP6772117B2 (ja) | 2017-08-23 | 2020-10-21 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法およびエッチング装置 |
US10395894B2 (en) * | 2017-08-31 | 2019-08-27 | Lam Research Corporation | Systems and methods for achieving peak ion energy enhancement with a low angular spread |
CN111602471A (zh) * | 2018-01-23 | 2020-08-28 | 株式会社富士 | 等离子体发生装置和信息处理方法 |
US10432248B1 (en) * | 2018-03-15 | 2019-10-01 | Lam Research Corporation | RF metrology system for a substrate processing apparatus incorporating RF sensors with corresponding lock-in amplifiers |
JP6963097B2 (ja) | 2019-04-22 | 2021-11-05 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
CN112447471A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子处理系统和等离子处理系统的运行方法 |
CN114080662A (zh) | 2020-06-16 | 2022-02-22 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及等离子处理方法 |
JP6928407B1 (ja) * | 2021-03-15 | 2021-09-01 | 株式会社アドテックプラズマテクノロジー | 出力する高周波電力の経時変化パターンを任意に設定可能な高周波電源 |
CN117998716A (zh) * | 2022-11-01 | 2024-05-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电容耦合等离子处理器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064696A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10241895A (ja) * | 1996-11-04 | 1998-09-11 | Applied Materials Inc | プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善 |
JP2003179030A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 高周波電源及びその制御方法 |
US6791274B1 (en) * | 2003-07-15 | 2004-09-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | RF power control device for RF plasma applications |
US20050264218A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5179264A (en) * | 1989-12-13 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Solid state microwave powered material and plasma processing systems |
TW283250B (en) * | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
JP2884056B2 (ja) | 1995-12-07 | 1999-04-19 | パール工業株式会社 | 放電プラズマ発生用高周波電源装置及び半導体製造装置 |
US6020794A (en) * | 1998-02-09 | 2000-02-01 | Eni Technologies, Inc. | Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator |
JPH11354296A (ja) | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sony Corp | 高周波電源 |
JP3865289B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2007-01-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | マイクロ波によるプラズマ発生装置 |
JP3778842B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2006-05-24 | パール工業株式会社 | 高周波検出方法および高周波検出回路 |
CN1305353C (zh) * | 2001-12-10 | 2007-03-14 | 东京毅力科创株式会社 | 高频电源及其控制方法、和等离子体处理装置 |
US7084369B2 (en) * | 2002-08-20 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Limited | Harmonic multiplexer |
JP4846190B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびその制御方法 |
US7359177B2 (en) | 2005-05-10 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output |
JP2006314962A (ja) | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Takaharu Yoshida | 濾過器 |
JP5426811B2 (ja) | 2006-11-22 | 2014-02-26 | パール工業株式会社 | 高周波電源装置 |
-
2006
- 2006-11-22 JP JP2006314962A patent/JP5426811B2/ja active Active
-
2007
- 2007-09-04 TW TW096132839A patent/TWI430715B/zh active
- 2007-11-20 CN CN2007101883736A patent/CN101188901B/zh active Active
- 2007-11-21 KR KR1020070119106A patent/KR100980165B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-21 US US11/943,759 patent/US20080128087A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-22 EP EP07121366.4A patent/EP1926352B1/en not_active Not-in-force
-
2015
- 2015-06-19 US US14/745,273 patent/US10201069B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064696A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10241895A (ja) * | 1996-11-04 | 1998-09-11 | Applied Materials Inc | プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善 |
JP2003179030A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 高周波電源及びその制御方法 |
US6791274B1 (en) * | 2003-07-15 | 2004-09-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | RF power control device for RF plasma applications |
JP2007532028A (ja) * | 2003-07-15 | 2007-11-08 | アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド | Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス |
US20050264218A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
JP2008501224A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | ラム リサーチ コーポレーション | 多重rf周波数に応答する電極を有するプラズマプロセッサ |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010108839A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP2011216369A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP2014515869A (ja) * | 2011-04-27 | 2014-07-03 | サイレム・ソシエテ・プール・ラプリカション・アンデュストリエール・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・アン・エレクトロニック・エ・ミクロ・オンデ | 負荷のマイクロ波処理のための設備 |
JP2013171840A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Lam Research Corporation | 多周波数rfパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御 |
JP2013179047A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-09 | Lam Research Corporation | インピーダンスに基づいた電力および周波数の調整 |
WO2013125260A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、および高周波発生器 |
US10510513B2 (en) | 2012-02-23 | 2019-12-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device and high-frequency generator |
JPWO2013125260A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2015-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、および高周波発生器 |
JPWO2013132591A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2015-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電源装置およびその整合方法 |
WO2013132591A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電源装置およびその整合方法 |
JP2013250231A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Daihen Corp | 位相差検出装置、位相差検出プログラム及び位相差検出装置を用いたプラズマ処理システム |
JP2014082205A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US9275870B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-03-01 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, Shanghai | Plasma processing method and plasma processing device |
JP2020129549A (ja) * | 2015-09-01 | 2020-08-27 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | プラズマrfバイアス消去システム |
JP2018536251A (ja) * | 2015-10-13 | 2018-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrfパルス反射の低減 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080128087A1 (en) | 2008-06-05 |
US10201069B2 (en) | 2019-02-05 |
TW200829087A (en) | 2008-07-01 |
JP5426811B2 (ja) | 2014-02-26 |
EP1926352A1 (en) | 2008-05-28 |
TWI430715B (zh) | 2014-03-11 |
KR100980165B1 (ko) | 2010-09-03 |
CN101188901B (zh) | 2012-05-23 |
KR20080046591A (ko) | 2008-05-27 |
EP1926352B1 (en) | 2016-03-09 |
US20150289355A1 (en) | 2015-10-08 |
CN101188901A (zh) | 2008-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5426811B2 (ja) | 高周波電源装置 | |
US8286581B2 (en) | High frequency power source and its control method, and plasma processing apparatus | |
KR102038617B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
US7292047B2 (en) | High-frequency power source | |
US7157857B2 (en) | Stabilizing plasma and generator interactions | |
US7615983B2 (en) | High frequency power device for protecting an amplifying element therein | |
JP2006286254A5 (ja) | ||
JP2008181846A (ja) | 高周波装置 | |
JP6055537B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
WO2019003345A1 (ja) | 高周波電源装置及びそれを用いたプラズマ処理装置 | |
JP2003179030A (ja) | 高周波電源及びその制御方法 | |
JP4176813B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101214861B1 (ko) | 진폭변조를 이용하여 플라즈마를 생성하는 방법 및 이를위한 플라즈마 발생장치 | |
JP4593948B2 (ja) | 高周波電源装置 | |
JP2011023356A (ja) | プラズマ処理装置及び基板処理方法 | |
JP2021103648A (ja) | アーク検出装置、および、高周波電源装置 | |
JP4490142B2 (ja) | 高周波電源の出力電力制御方法および高周波電源装置 | |
JP2006288009A5 (ja) | ||
JP2017123214A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5398058B2 (ja) | 高周波電源装置 | |
JP2006288009A (ja) | 高周波電源装置 | |
JP4763247B2 (ja) | 高周波電源の出力電力制御方法および高周波電源装置 | |
JP2016046391A (ja) | プラズマエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120223 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130322 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130327 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130520 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5426811 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |