JP2021103648A - アーク検出装置、および、高周波電源装置 - Google Patents
アーク検出装置、および、高周波電源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021103648A JP2021103648A JP2019234489A JP2019234489A JP2021103648A JP 2021103648 A JP2021103648 A JP 2021103648A JP 2019234489 A JP2019234489 A JP 2019234489A JP 2019234489 A JP2019234489 A JP 2019234489A JP 2021103648 A JP2021103648 A JP 2021103648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arc
- standard deviation
- frequency power
- determination
- target information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 96
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 80
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 47
- 230000008859 change Effects 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
を備え、前記判定手段は、前記対象情報の標準偏差が予め定めた閾値以上になった後、予め定めた監視時間が経過するまで、設定された範囲内にある場合に、アークが発生したと判定することを特徴とする。
したがって、「判定方法1」及び「判定方法3」に示す条件のどちらにも該当しない場合、又は、「判定方法2」及び「判定方法3」に示す条件のどちらにも該当しない場合は、ソフトアークが発生したと判定する。
標準偏差σが増加し、第1の閾値X1を超えたときに(図2の時刻t1参照)、ソフトアークが発生した可能性があると判定する。次に、標準偏差σが第1の閾値X1を超えたときから監視時間Tm(図2参照)が経過するまでの間に、図2(d)に示すように、標準偏差σが第2の閾値X2以下になるまで減少すれば、ソフトアークが発生していないと判定する。監視時間Tmは例えば数百ミリ秒であるが、状況に応じて適切と考えられる時間を設定すればよい。なお、図2(d)では、第1の閾値X1よりも第2の閾値X2を大きくしているが、第1の閾値X1よりも第2の閾値X2を小さくしてもよいし、第1の閾値X1と第2の閾値X2とを同じ値としてもよい。第1の閾値X1と第2の閾値X2とは、実験等に基づいて適切と考えられる値を設定すればよい。また、第1の閾値X1よりも第2の閾値X2が大きいときは、標準偏差σが第1の閾値X1及び第2の閾値X2を超えた後に、第2の閾値X2以下になるまで減少したときに、ソフトアークが発生していないと判定する必要がある。
標準偏差σが増加し、第1の閾値X1を超えたときに(図2の時刻t1参照)、ソフトアークが発生した可能性があると判定する。ここまでは、上記の判定方法1と同じである。次に、標準偏差σが第1の閾値X1を超えたときから監視時間Tm(図2参照)が経過するまでの間に、図2(d)に示すように、標準偏差σの最高値から見て第3の閾値X3以上減少すれば、ソフトアークが発生していないと判定する。上記の標準偏差σの最高値は、例えば、標準偏差σが第1の閾値X1を超えた後の標準偏差σの最高値とすればよい。
負荷変動によりインピーダンスがゆっくり大きく変化した場合は、図2(e)に示すように、位相角θの標準偏差σは、インピーダンスが変化している間、増加し続ける。そのため、標準偏差σが第1の閾値X1を超えたときから監視時間Tmが経過するまでの間に、標準偏差σが第4の閾値X4以上になっていれば、負荷変動等の他の要因によってインピーダンスがゆっくり大きく変化していると判定すればよい。
<判定範囲1>
標準偏差σが増加して第1の閾値X1を超えた後、監視時間Tm(図2参照)が経過するまでの間に、下限値を第2の閾値X2とし、上限値を第4の閾値X4とする範囲内に標準偏差σが収まっていれば、ソフトアークが発生したと判定する。
<判定範囲2>
標準偏差σが増加して第1の閾値X1を超えた後、監視時間Tm(図2参照)が経過するまでの間に、下限値を標準偏差σの最高値から第3の閾値X3だけ減じた値とし、上限値を第4の閾値X4とする範囲内に標準偏差σが収まっていれば、ソフトアークが発生したと判定する。
Claims (6)
- 高周波電源装置から負荷となるプラズマ処理装置に供給する高周波電力によってプラズマを発生させてプラズマ処理装置内の被加工物に所定の加工処理を行うシステムに適用するアーク検出装置であって、
前記高周波電源装置の出力端に設けられて、前記高周波電力に関する情報を検出する検出手段と、
前記高周波電力に関する情報に基づいて演算される反射係数に関する情報を対象情報として演算する反射係数情報演算手段と、
前記対象情報の標準偏差を演算する標準偏差演算手段と、
前記対象情報の標準偏差に基づいて、アークが発生したか否かを判定する判定手段と、
を備え、
前記判定手段は、前記対象情報の標準偏差が予め定めた閾値以上になった後、予め定めた監視時間が経過するまで、設定された範囲内にある場合に、アークが発生したと判定する、
アーク検出装置。 - 前記判定手段は、前記対象情報の標準偏差が前記閾値以上になった後、前記監視時間が経過するまでに、前記対象情報の標準偏差が設定された下限値以下になった場合に、アークが発生していないと判定する、
請求項1に記載のアーク検出装置。 - 前記反射係数情報演算手段は、さらに、前記対象情報とは異なる反射係数に関する情報を、第2の対象情報として演算し、
前記標準偏差演算手段は、さらに、前記第2の対象情報の標準偏差を演算し、
前記判定手段は、さらに、前記第2の対象情報の標準偏差に基づいて、アークが発生したか否かを判定し、
前記判定手段による前記対象情報の標準偏差に基づく判定と、前記第2の対象情報の標準偏差に基づく判定との両方の判定でアークが発生したと判定された場合、または、両方の判定のいずれかでアークが発生したと判定された場合に、アークが発生したと判断する判断手段をさらに備えている、
請求項1又は2に記載のアーク検出装置。 - 前記判定手段は、前記第2の対象情報の標準偏差が予め定めた第2の閾値以上になった後、前記監視時間が経過するまでに、前記第2の対象情報の標準偏差が予め定めた第2の下限値以下になった場合に、アークが発生していないと判定する、
請求項3に記載のアーク検出装置。 - 前記判定手段は、インピーダンス整合を行っていないときにアークが発生したか否かを判定する、
請求項1ないし4のいずれかに記載のアーク検出装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載のアーク検出装置を備えている、
ことを特徴とする高周波電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019234489A JP7293535B2 (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | アーク検出装置、および、高周波電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019234489A JP7293535B2 (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | アーク検出装置、および、高周波電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021103648A true JP2021103648A (ja) | 2021-07-15 |
JP7293535B2 JP7293535B2 (ja) | 2023-06-20 |
Family
ID=76755702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019234489A Active JP7293535B2 (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | アーク検出装置、および、高周波電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7293535B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023176534A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、解析装置及び解析プログラム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006140440A (ja) * | 2004-09-04 | 2006-06-01 | Applied Materials Inc | 電気アークの検出および抑制 |
JP2007149596A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Daihen Corp | プラズマ処理システムのアーク検出装置 |
JP2007214254A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置 |
JP2012023105A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014056825A (ja) * | 2008-03-26 | 2014-03-27 | Kyosan Electric Mfg Co Ltd | 真空装置用異常放電抑制装置 |
JP2016170897A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 新日鐵住金株式会社 | プラズマトーチの状態監視方法およびプラズマトーチの状態監視システム |
US20190139746A1 (en) * | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Arcing protection method and processing tool |
-
2019
- 2019-12-25 JP JP2019234489A patent/JP7293535B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006140440A (ja) * | 2004-09-04 | 2006-06-01 | Applied Materials Inc | 電気アークの検出および抑制 |
JP2007149596A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Daihen Corp | プラズマ処理システムのアーク検出装置 |
JP2007214254A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置 |
JP2014056825A (ja) * | 2008-03-26 | 2014-03-27 | Kyosan Electric Mfg Co Ltd | 真空装置用異常放電抑制装置 |
JP2012023105A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2016170897A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 新日鐵住金株式会社 | プラズマトーチの状態監視方法およびプラズマトーチの状態監視システム |
US20190139746A1 (en) * | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Arcing protection method and processing tool |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023176534A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、解析装置及び解析プログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7293535B2 (ja) | 2023-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7292047B2 (en) | High-frequency power source | |
JP4837368B2 (ja) | プラズマ処理システムのアーク検出装置 | |
US20200243304A1 (en) | Adjustment of power and frequency based on three or more states | |
US9607810B2 (en) | Impedance-based adjustment of power and frequency | |
US7489206B2 (en) | High-frequency power device and method for controlling high-frequency power | |
TWI599270B (zh) | 用於多頻率射頻脈動之頻率增強阻抗相依的功率控制 | |
JP2006286254A5 (ja) | ||
US9320127B2 (en) | Tuning a parameter associated with plasma impedance | |
JP4842752B2 (ja) | プラズマ処理システムのアーク検出装置、アーク検出装置を実現するためのプログラム及び記憶媒体 | |
JPWO2005057993A1 (ja) | 高周波電力供給システム | |
JP5254533B2 (ja) | プラズマ処理装置と方法 | |
JP2008084747A5 (ja) | ||
JP2000049000A (ja) | 周波数整合器 | |
JP4837369B2 (ja) | プラズマ処理システムのアーク検出装置 | |
JP7293535B2 (ja) | アーク検出装置、および、高周波電源装置 | |
JP7293536B2 (ja) | アーク検出装置、および、高周波電源装置 | |
JP2005077248A (ja) | 高周波電源装置 | |
CN104008944A (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP4123945B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の高周波特性測定方法 | |
JP2006288009A5 (ja) | ||
JP2007214176A (ja) | 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2006288009A (ja) | 高周波電源装置 | |
JP2000048999A (ja) | プラズマ処理における高周波電源ならびに圧力計の検査 方法 | |
JP2005011858A (ja) | プラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法並びに当該設定方法を適用した半導体装置の製造装置及び上記設定方法を用いた半導体装置の製造方法 | |
US6713885B2 (en) | Power supply, a semiconductor making apparatus and a semiconductor wafer fabricating method using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7293535 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |