JP2005011858A - プラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法並びに当該設定方法を適用した半導体装置の製造装置及び上記設定方法を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】経時変化及びイベント等による変動要因をなくしたプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法を得る。
【解決手段】μ波パワーを変化させたときのプラズマにかかるバイアス用の高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐを測定するＶｐｐ測定回路１５を有し、μ波パワー依存性におけるＶｐｐ特性を予め把握しておき、このＶｐｐ特性に基づき、半導体装置の処理枚数を重ねてもＶｐｐが安定した領域にあるようにμ波電源制御回路１７にμ波パワー値を設定し、このμ波電源制御回路１７により、μ波電源１０を制御して、μ波パワー設定値を出力し、ウエハ処理枚数を重ねてもプロセス変動が起きにくくする。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法並びに当該設定方法を適用した半導体装置の製造装置及び上記設定方法を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体装置の製造装置、特にドライエッチング装置は、高周波放電によって発生されるプラズマを用いて半導体装置を製造している。ここで、安定して半導体装置を製造するために、このプラズマを安定的に制御することが要求されている。
一般的なμ波放電のプラズマエッチング装置では、μ波パワー、圧力、ガス流量等のプロセスパラメータを変化させ、所望のエッチング形状を得るために、処理基板を処理し最適な条件を導き出す。一度得られた最適な条件にて、同一形式の半導体装置の製造装置にて同一プロセスでの量産への適用を行う。
特許文献１は、高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐを測定し、この結果に基づいてプラズマを発生させる高周波電源を制御して、Ｖｐｐがある設定値を保つようにして、経時変化に対応することが記載されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−２６９１９５号公報（第４〜５頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
最適な処理条件が得られ、その条件を他号機に展開し量産しようとする場合、装置間機差により同一機種の半導体装置の製造装置、同一条件のプロセスであっても、所望の形状が得られない場合が数多く発生する。この場合、μ波パワー、圧力、ガス流量、磁場条件等のプロセスパラメータを再度微調整し、半導体装置の製造装置毎に最適化を行う必要がある。この最適化は、半導体装置の品種及び工程毎に行う必要性が生じる等の問題点があった。
また、装置間機差が小さく最適化を行う必要がない場合であっても、処理枚数または処理時間等による経時変化、及びウェットクリーニングや部品交換等のイベントにより、半導体装置の製造に対し、許し難いプロセス変動が生じる場合がある。
また、μ波パワーがあるパワーを越えたとき、Ｖｐｐが急激に変化するプラズマの不安定な領域が発生するが、特許文献１による方法では、このプラズマの不安定な領域では、Ｖｐｐがある設定値を保つように制御できないという問題があった。
【０００５】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、経時変化及びイベント等による変動要因をなくしたプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法を得ることを第一の目的にしている。
また、装置間機差による装置特性の違いを調整することができるプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法を得ることを第二の目的にしている。
また、経時変化及びイベント等による変動要因をなくしたプラズマを用いた半導体装置の製造装置を得ることを第三の目的にしている。
また、装置間機差による装置特性の違いを調整することができるプラズマを用いた半導体装置の製造装置を得ることを第四の目的にしている。
さらに、経時変化及びイベント等による変動要因をなくすることができ、また装置間機差による装置特性の違いを調整することができるプラズマを用いた半導体装置の製造方法を得ることを第五の目的にしている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わるプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法においては、高周波放電及びμ波放電により発生されるプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法において、μ波電源のμ波パワーを順次変化させて、変化させたときのプラズマにかかるバイアス用の高周波のピーク間電圧Ｖｐｐを測定し、Ｖｐｐのμ波パワー依存性を把握する工程、及びＶｐｐのμ波パワー依存性に基づき、半導体装置の処理枚数を重ねてもＶｐｐが安定した領域にあるようにμ波電源を制御するμ波電源制御回路にμ波パワー値を設定する工程を含むものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１によるドライエッチング装置とその周辺回路の構成を示す概略図であり、μ波放電プラズマにＲＦバイアスを印加可能なドライエッチング装置を示している。
図１において、装置本体１８は、ＲＦバイアス用の高周波電源１４を有し、ウエハ３８を保持するカソード電極３７を収容し、μ波導入用導波管１１を通してμ波が導入されることによって放電プラズマ１２を発生する反応ガスが導入される反応真空容器１３を有している。さらに、放電プラズマ１２にかかる高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐを測定するためのＶｐｐ測定回路１５と、測定されたＶｐｐを制御するＶｐｐ制御回路１６と、このＶｐｐ制御回路１６の出力により、μ波電源１０の出力を調整するμ波電源制御回路１７を有している。
【０００８】
図２は、図１のドライエッチング装置のウェットクリーニング前後のμ波パワー依存性におけるＶｐｐ特性を表す図であり、図１に示したドライエッチング装置にてμ波パワーを変化させた時のＶｐｐの特性を調査した結果を示している。ドライエッチング装置は、ウェットクリーニングを行い、清浄化されるが、図２には、この場合のウェットクリーニング直後（半導体装置の処理枚数ゼロの状態）のＶｐｐ特性１９と、ウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性２０（所定枚数の半導体装置を処理した状態）を示す。なお、Ｖｐｐの値が急激に変化する放電不安定領域２１が示されている。
【０００９】
図３は、図１のドライエッチング装置のウエハ処理枚数依存性におけるＶｐｐの特性を表す図であり、図２におけるμ波パワー設定値２２でのウエハ処理枚数依存性におけるＶｐｐの特性を示している。
これらの図２、図３で、高プラズマモード２４、低プラズマモード２５が示されている。プロセス特性から見ると、μ波パワーを変化させても高プラズマモード２４内であれば、ほぼ同じプロセス結果を示す。これは、低プラズマモード２５内でも同様のことが言える。但し、高プラズマモード２４／低プラズマモード２５は、互いに異なるプロセス特性を示し、その変化領域は、放電不安定となりプロセスが変動する。つまり、図３に示したウエハ処理枚数依存性のＶｐｐ特性グラフから高プラズマモード２４で最適なプロセス特性が得られている場合、ウエハ処理を重ねる毎にドライエッチング装置内のインピーダンスの変化に伴い、プラズマモードが変化しており、これによってプロセス特性が変化していることは容易に予想される。
【００１０】
図４は、図１のドライエッチング装置のウェットクリーニング前後のμ波パワー依存性におけるＶｐｐ特性を表すグラフにμ波の設定値を追加した図である。図４では、ウェットクリーニング直後が実線（ウェットクリーニング直後のＶｐｐ特性１９）で、ウエハ処理枚数を重ねた場合が破線（ウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性２０）で示されている。
図５は、図４のグラフをウエハ処理枚数依存性におけるＶｐｐの特性として表す図である。
図４、図５は、上述の図２、図３に対応しており、図５では、図４のμ波パワー設定値２２でのＶｐｐ特性を細線、図４のμ波パワー設定値２３でのＶｐｐ特性を太線で示している。
図４のＶｐｐ特性は、ウェットクリーニング直後では、ウェットクリーニング直後のＶｐｐ特性１９のように、μ波パワー設定値２２で安定して問題ないの対し、処理枚数を重ねる毎に、ウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性２０のように、Ｖｐｐが変動し、不安定の領域に入る。このＶｐｐの変動は、μ波パワーを上昇させたときと同じような変動であり、このため、ウエハ処理のスタート当初のμ波パワー設定を、μ波パワー設定値２３のように、変動する方向と逆の低μ波パワー側に設定することで、ウエハ処理枚数を重ねてもプロセス変動が起きにくくすることが可能となる。
また、これによりウェットクリーニングの頻度を延長することが可能となる。
【００１１】
次に、この設定ポイントの決め方について、さらに詳しく説明する。
一度ウェットクリーニング直後のウエハを処理していない状態で、μ波パワーを１００Ｗ、２００Ｗ、３００Ｗ・・・と変化させた時のプラズマの状態をモニタリングするＶｐｐの値を読み取り、グラフを書く。これは、図４のように、横軸にμ波パワー、縦軸にＶｐｐとなり、Ｖｐｐ特性と呼ばれる。
大抵の場合、μパワーを変化させてもＶｐｐがあまり変化しない安定領域があり、一方、あるパワーを越えた辺りから急激に変化する放電不安定領域がある（図４参照）。
次に、図５のように、ウエハ処理枚数を重ねた状態で同じようなデータをとる。この場合、ウエハ処理枚数を重ねていることで、装置のチャンバー状態が変化しているため、Ｖｐｐ特性が変化する。
【００１２】
このＶｐｐ特性は、μ波パワー設定値２２のμ波設定を５００Ｗで運用した場合、装置状態の変動により、処理枚数を重ねるに従い、図４のウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性２０のように不安定な領域に入る。このため、最初から、μ波を変動方向の逆の４００Ｗに設定しておけば、ウエハ枚数を重ねた場合でも、ウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性２０のようにＶｐｐは安定した領域にある。したがって、ウエハ処理枚数を重ねた時の変動幅を考慮してμ波パワーの設定を決めるようにすればよい。
このように、同じμ波パワーでもウエハ処理枚数により、Ｖｐｐが変わるので、処理枚数に依存しない条件のμ波パワー、例えば図４では４００Ｗ、を使用する。
【００１３】
このμ波の設定は、図１のμ波電源制御回路１７により行う。このμ波電源制御回路１７からの出力により、μ波電源１０は指定された値を出力する。すなわち、μ波電源制御回路１７にて、μ波出力を一定に設定するモードの場合、予め指定された数値を常にμ波電源１０に対し出力し、それをもとに実際のμ波パワーが出力されるようになる。
なお、上記μ波出力を一定に設定するモードの他に、Ｖｐｐ制御を行うモードがあり、この場合には、Ｖｐｐ制御回路１６を通ってＶｐｐが指定された数値になるように計算されたμ波の出力値をμ波電源制御回路１７に返され、この値をμ波電源１０へ出力し、μ波が発振されることになる。しかし、この発明は、上記μ波出力を一定に設定するモードについてのものである。
【００１４】
実施の形態１によれば、当初のμ波パワー設定値を、ウエハ処理枚数により変動する方向と逆の低μ波パワー側に設定することで、ウエハ処理枚数を重ねてもプロセス変動が起きにくくすることが可能となる。
また、これによりウェットクリーニングの頻度を延長することが可能となる。
【００１５】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２によるドライエッチング装置２台でのμ波パワー依存性におけるＶｐｐ特性を表す図であり、２台のドライエッチング装置でＶｐｐ特性を調査した結果である。
図６において、ドライエッチング装置Ａ（第一の半導体装置の製造装置）のＶｐｐ特性２６、ドライエッチング装置Ｂ（第二の半導体装置の製造装置）のＶｐｐ特性２７が示されている。ドライエッチング装置Ａの場合においては、Ｖｐｐ特性２６の変曲点を示した細線の点線２８ａからμ波パワーでマージンを持たせた細線の実線２８ｂが、最適なμ波パワー設定値である。このμ波パワー設定値２８ｂをドライエッチング装置Ｂへ適用した場合、装置機差によりドライエッチング装置Ａでは発生しない放電不安定がドライエッチング装置Ｂで発生することとなる。これは、μ波パワー設定値２８ｂのポイントでは、ドライエッチング装置ＢにおけるＶｐｐ特性の変曲点を示した太線の点線２９ａからのマージンが少ないために、ウエハ処理枚数を重ねたとき、放電不安定領域に入り込むことになるためである。
ドライエッチング装置Ｂにおいては、Ｖｐｐ特性の変曲点を示した太線の点線２９ａからμ波パワーでマージンを持たせた太線の実線２９ｂで示したポイントが最適なμ波パワー設定値である。
【００１６】
このようにドライエッチング装置により最適なμ波パワー設定値が異なり、ドライエッチング装置が複数台ある場合、それぞれのドライエッチング装置に対し、必要なマージンを確保して最適なμ波パワーを設定するために、Ｖｐｐ特性データをウェットクリーニング前後で取得することが、必要になるが、これには時間と労力が発生する。
これを解決するために、図１で示したＶｐｐ制御回路にて、１台目のドライエッチング装置Ａにて取得したデータを元に、ドライエッチング装置Ｂで取得したデータが、ドライエッチング装置Ａでの処理枚数でのどの時点に相当するかを計算し、ドライエッチング装置Ｂでの最適なμ波パワーを複数のデータ取得なしで実現することができ、装置間機差の低減が可能となる。
【００１７】
これについて、図７を用いてさらに詳しく説明する。
図７は、この発明の実施の形態２によるドライエッチング装置２台によるμ波パワー設定値を得る方法を説明した図である。
図７において、装置Ａにおけるウェットクリーニング直後のＶｐｐ特性３１と、装置Ａにおけるウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性３３と、装置Ａにおける最適なμ波パワー設定値３５は把握されているものとする。ここで、装置Ｂにおけるｎ枚数処理時のＶｐｐ特性３２を新たに取得することにより、装置Ｂにおけるウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性（予想値）３４が予測され、これを元にして、装置Ｂにおける最適なμ波パワー設定値３６が求められる。
ここで、装置Ａのウェットクリーニング直後のＶｐｐ変曲点ＸＡ０、装置Ａのウェットクリーニング直前のＶｐｐ変曲点ＸＡｍａｘは実測されて既知とし、装置Ｂのｎ枚数処理時のＶｐｐ変曲点ＸＢｎは新たに実測により取得される。装置Ｂのある時点での処理枚数ｎ、マージンのためのオフセットｋ、装置Ａのウェットクリーニング直前の処理枚数ｍａｘとするとき、装置Ｂにおける最適なμ波パワー設定値３６は、次のように求められる。
【００１８】
装置Ａは、ウェットクリーニング直前のＶｐｐ変曲点ＸＡｍａｘからマージンのためのオフセットｋを差し引いた値が、最適なμ波パワー設定値であり、装置Ｂも同様に、ウェットクリーニング直前のＶｐｐ変曲点推定値ＸＢｍａｘからオフセットｋを差し引いた値が、最適なμ波パワー設定値である。この装置Ｂのウェットクリーニング直前のＶｐｐ変曲点推定値ＸＢｍａｘを求めるために、装置Ｂのウェットクリーニング直後のＶｐｐ変曲点推定値ＸＢ０を求めるが、このときのＸＢｍａｘ−ＸＢ０は、装置Ａのウェットクリーニング直前と直後との差ＸＡｍａｘ−ＸＡ０と同じとして計算する。これにより、装置Ｂでの最適なμ波パワー設定値の計算は、次のようにして行われる。
【００１９】
まず、装置Ａでの最適なμ波パワー設定値３６は、ＸＡｍａｘ−ｋで表される。次に、装置Ａのｎ枚数処理時のＶｐｐ変曲点推定値は、
ＸＡｎ＝ＸＡ０−ｎ×（ＸＡ０−ＸＡｍａｘ）／ｍａｘ
で算出され、次いで、装置Ｂのウェットクリーニング直後のＶｐｐ変曲点推定値は、
ＸＢ０＝ＸＢｎ＋（ｎ×（ＸＡ０−ＸＡｍａｘ）／ｍａｘ）
で、推定され、これにより、装置Ｂのウェットクリーニング直前のＶｐｐ変曲点推定値は、
ＸＢｍａｘ＝ＸＢ０−（ＸＡ０−ＸＡｍａｘ）＝ＸＢｎ＋（ｎ×（ＸＡ０−ＸＡｍａｘ）／ｍａｘ）−（ＸＡ０−ＸＡｍａｘ）
で、推定され、これから、装置Ｂでの最適なμ波パワー設定値は、
ＸＢｍａｘ−ｋ＝ＸＢｎ＋（ｎ×（ＸＡ０−ＸＡｍａｘ）／ｍａｘ）−（ＸＡ０−ＸＡｍａｘ）−ｋ
で求めることができる。
【００２０】
実施の形態２によれば、ドライエッチング装置が複数台ある場合には、ドライエッチング装置Ａにて取得したデータを元に、計算により、ドライエッチング装置Ｂでの最適なμ波パワーを複数のデータ取得なしで実現することができ、装置間機差の低減が可能となる。
【００２１】
なお、上記実施の形態１及び実施の形態２の説明では、ドライエッチング装置について説明したが、この発明は、これに限らず、成膜装置にも適用することができる。
【００２２】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように、高周波放電及びμ波放電により発生されるプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法において、μ波電源のμ波パワーを順次変化させて、変化させたときのプラズマにかかるバイアス用の高周波のピーク間電圧Ｖｐｐを測定し、Ｖｐｐのμ波パワー依存性を把握する工程、及びＶｐｐのμ波パワー依存性に基づき、半導体装置の処理枚数を重ねてもＶｐｐが安定した領域にあるようにμ波電源を制御するμ波電源制御回路にμ波パワー値を設定する工程を含むので、ウエハ処理枚数を重ねてもプロセス変動が起きにくくすることが可能になり、したがってウェットクリーニングの頻度を延長することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１によるドライエッチング装置とその周辺回路の構成を示す概略図である。
【図２】図１のドライエッチング装置のウェットクリーニング前後のμ波パワー依存性におけるＶｐｐ特性を表す図である。
【図３】図１のドライエッチング装置のウエハ処理枚数依存性におけるＶｐｐの特性を表す図である。
【図４】図１のドライエッチング装置のウェットクリーニング前後のμ波パワー依存性におけるＶｐｐ特性を表すグラフにμ波の設定値を追加した図である。
【図５】図４のグラフをウエハ処理枚数依存性におけるＶｐｐの特性として表す図である。
【図６】この発明の実施の形態２によるドライエッチング装置２台でのμ波パワー依存性におけるＶｐｐ特性を表す図である。
【図７】この発明の実施の形態２によるドライエッチング装置２台によるμ波パワー設定値を得る方法を説明した図である。
【符号の説明】
１０ μ波電源、１１ μ波導入用導波管、１２ 放電プラズマ、
１３ 反応真空容器、１４ 高周波電源、１５ Ｖｐｐ測定回路、
１６ Ｖｐｐ制御回路、１７ μ波電源制御回路、１８ 装置本体、
１９ ウェットクリーニング直後のＶｐｐ特性、
２０ ウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性、
２１ 放電不安定領域、２２，２３ μ波パワー設定値、
２４ 高プラズマモード、２５ 低プラズマモード、
２６ 装置ＡのＶｐｐ特性、２７ 装置ＢのＶｐｐ特性、
２８ 装置Ａのμ波パワー設定値、２９ 装置Ｂのμ波パワー設定値、
３１ 装置Ａにおけるウェットクリーニング直後のＶｐｐ特性、
３２ 装置Ｂにおけるｎ枚数処理時のＶｐｐ特性、
３３ 装置Ａにおけるウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性、
３４ 装置Ｂにおけるウェットクリーニング直前のＶｐｐ特性（予想値）、
３５ 装置Ａにおける最適なμ波パワー設定値、
３６ 装置Ｂにおける最適なμ波パワー設定値、
３７ カソード電極、３８ ウエハ。

Claims (7)

1. 高周波放電及びμ波放電により発生されるプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法において、μ波電源のμ波パワーを順次変化させて、上記変化させたときのプラズマにかかるバイアス用の高周波のピーク間電圧Ｖｐｐを測定し、Ｖｐｐのμ波パワー依存性を把握する工程、及び上記Ｖｐｐのμ波パワー依存性に基づき、半導体装置の処理枚数を重ねてもＶｐｐが安定した領域にあるように上記μ波電源を制御するμ波電源制御回路にμ波パワー値を設定する工程を含むことを特徴とするプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法。
2. 高周波放電及びμ波放電により発生されるプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法において、μ波パワーを順次変化させて、上記変化させたときのプラズマにかかるバイアス用の高周波のピーク間電圧Ｖｐｐを測定することにより予め把握された第一の半導体装置の製造装置のＶｐｐのμ波パワー依存性と、任意の半導体装置の処理枚数時に測定された第二の半導体装置の製造装置のμ波パワーに対するＶｐｐ値とを比較して、上記第一の半導体装置の製造装置及び上記第二の半導体装置の製造装置の装置間機差を把握する工程、及び上記把握された装置間機差に基づき、半導体装置の処理枚数を重ねてもＶｐｐが安定した領域にあるように上記第二の半導体装置の製造装置のμ波電源を制御するμ波電源制御回路にμ波パワー値を設定する工程を含むことを特徴とするプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法。
3. 上記μ波電源制御回路へのμ波パワー値の設定は、所定枚数の半導体装置が処理されたときのＶｐｐのμ波パワー依存性における変曲点に対するμ波パワー値より低μ波パワー側になるように行われることを特徴とする請求項１記載のプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法。
4. 高周波放電及びμ波放電によりプラズマを発生させて半導体装置の製造に用いる半導体装置の製造装置において、バイアス用の高周波を発生する高周波電源、μ波を発生するμ波電源、このμ波電源により発生されるμ波パワーを変化させたときのプラズマにかかる上記バイアス用の高周波のピーク間電圧Ｖｐｐを測定するＶｐｐ測定回路、及び上記μ波電源を制御するμ波電源制御回路を備え、上記Ｖｐｐ測定回路を用いてＶｐｐのμ波パワー依存性を予め把握しておき、上記Ｖｐｐのμ波パワー依存性に基づき、半導体装置の処理枚数を重ねてもＶｐｐが安定した領域にあるように上記μ波電源制御回路に上記μ波パワー値を設定すると共に、上記μ波電源制御回路は、上記設定されたμ波パワー値を出力するように上記μ波電源を制御することを特徴とする半導体装置の製造装置。
5. 高周波放電及びμ波放電によりプラズマを発生させて半導体装置の製造に用いる半導体装置の製造装置において、バイアス用の高周波を発生する高周波電源、μ波を発生するμ波電源、このμ波電源により発生されるμ波パワーを変化させたときのプラズマにかかる上記バイアス用の高周波のピーク間電圧Ｖｐｐを測定するＶｐｐ測定回路、及び上記μ波電源を制御するμ波電源制御回路を備え、予め把握された他の半導体装置の製造装置のＶｐｐのμ波パワー依存性と、上記Ｖｐｐ測定回路により任意の半導体装置の処理枚数時に測定されたμ波パワーに対するＶｐｐ値とを比較して装置間機差を把握し、上記把握された装置間機差に基づき、半導体装置の処理枚数を重ねてもＶｐｐが安定した領域にあるように上記μ波電源制御回路に上記μ波パワー値を設定すると共に、上記μ波電源制御回路は、上記設定されたμ波パワー値を出力するように上記μ波電源を制御することを特徴とする半導体装置の製造装置。
6. 上記μ波電源制御回路へのμ波パワー値の設定は、所定枚数の半導体装置が処理されたときのＶｐｐのμ波パワー依存性における変曲点に対するμ波パワー値より低μ波パワー側になるように行われることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造装置。
7. 請求項１〜請求項３のいずれかに記載のプラズマを用いた半導体製造におけるμ波パワー設定方法によりμ波電源制御回路に設定されたμ波パワー値を出力するように、上記μ波電源制御回路によりμ波電源が制御されると共に、上記μ波電源の出力によりプラズマを発生させて半導体装置の製造に用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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