JP2014197676A - 電力制御モードのためのチャンバマッチング - Google Patents

Abstract

【課題】チャンバマッチングを実行するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】変数を測定するために第１のプラズマチャンバ内で第１の試験を実行し、変数を測定するために第２のプラズマチャンバ内で第２の試験を実行することを備える。第１および第２の試験は、１つのレシピに基づいて実行される。さらに、第１の試験で測定された変数と、第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、第２の試験で測定された変数と、第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に第２のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備える。電力調整は、第２のプラズマチャンバに、第１のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で処理動作を実行させる。
【選択図】図１

Description

本実施形態は、電力制御モードを用いたチャンバマッチングに関する。

プラズマチャンバは、様々な目的に用いられる。例えば、基板のエッチング、基板の洗浄、基板上への層の蒸着、または、基板に対する他の処理の実行のために、プラズマがプラズマチャンバ内で生成される。

様々なチャンバが基板を処理するために用いられる。また、基板の処理には同じチャンバが用いられる。異なるチャンバが用いられる場合、基板は、実質的に均一には処理されえない。例えば、或るプラズマチャンバを用いてエッチングされる基板は、別のプラズマチャンバを用いてエッチングされる別の基板と異なる速度でエッチングされうる。別の例として、或るプラズマチャンバで処理された基板上には、別のプラズマチャンバで基板上に蒸着されるよりも実質的に多い量の材料が蒸着されうる。

本開示の実施形態は、このような課題に対処するものである。

本開示の実施形態は、電力制御モードを用いてチャンバマッチングを行うための装置、方法、および、コンピュータプログラムを提供する。本実施形態は、処理、装置、システム、デバイス、または、コンピュータ読み取り可能な媒体に記録された方法など、種々の形態で実施できることを理解されたい。以下に、いくつかの実施形態を記載する。

一部の実施形態において、チャンバ間マッチングを実行するための方法が開示されている。その方法は、変数を測定するために、第１のプラズマチャンバ内で第１の試験を実行し、変数を測定するために、第２のプラズマチャンバ内で第２の試験を実行することを備える。第１および第２の試験は、１つのレシピに基づいて実行される。方法は、さらに、第１の試験で測定された変数と、第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、第２の試験で測定された変数と、第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に第２のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備える。電力調整は、第２のプラズマチャンバに、第１のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で処理動作を実行させる。

様々な実施形態において、チャンバ内マッチングを実行するための方法が開示されている。この方法は、プラズマチャンバに関する変数を測定するために第１の試験を実行することを備える。プラズマチャンバは、第１の試験の実行中に第１の条件にある。この方法は、さらに、プラズマチャンバに関する変数を測定するために第２の試験を実行することを備える。プラズマチャンバは、第２の試験の実行中に第２の条件にある。方法は、第１の試験を用いて測定された変数と、第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、第２の試験を用いて測定された変数と、第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中にプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備える。電力調整は、プラズマチャンバに処理条件で処理動作を実行させる。処理条件は、プラズマチャンバが第１の条件にある時に決定された条件である。

いくつかの実施形態において、チャンバ間マッチングを実行するためのプラズマシステムが開示されている。プラズマシステムは、変数を測定するための第１の試験の実行に用いられる第１のプラズマチャンバと、ＲＦ信号を第１のプラズマチャンバに伝達するために第１のプラズマチャンバに接続されている高周波（ＲＦ）伝送線路と、ＲＦ伝送線路に接続されたインピーダンス整合回路と、を備える。プラズマシステムは、さらに、ＲＦ信号を供給するためにインピーダンス整合回路に接続されているＲＦ発生器と、変数を測定するための第２の試験の実行に用いられる第２のプラズマチャンバと、を備える。第１および第２の試験は、１つのレシピに基づいて実行される。第２の試験は、第１のプラズマチャンバをＲＦ伝送線路から切り離して第２のプラズマチャンバをＲＦ伝送線路に接続した後に実行される。プラズマシステムは、さらに、プロセッサを備えているホストシステムを備える。ホストシステムは、ＲＦ発生器に接続されている。プロセッサは、第１の試験で測定された変数と、第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、第２の試験で測定された変数と、第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に第２のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されている。電力調整は、第２のプラズマチャンバに、第１のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で処理動作を実行させる。

いくつかの実施形態において、チャンバ内マッチングを実行するためのプラズマシステムが開示されている。プラズマシステムは、変数を測定するための第１の試験の実行に用いられるプラズマチャンバを備える。プラズマチャンバは、第１の試験の実行中に第１の条件にある。プラズマチャンバは、変数を測定するための第２の試験の実行に用いられる。また、プラズマチャンバは、第２の試験の実行中に第２の条件にある。プラズマシステムは、さらに、ＲＦ信号をプラズマチャンバに伝達するためにプラズマチャンバに接続されている高周波（ＲＦ）伝送線を備える。プラズマシステムは、さらに、ＲＦ伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、ＲＦ信号を供給するためにインピーダンス整合回路に接続されているＲＦ発生器と、プロセッサを備えていると共にＲＦ発生器に接続されているホストシステムと、を備える。プロセッサは、第１の試験を用いて測定された変数と、第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、第２の試験を用いて測定された変数と、第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中にプラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されている。電力調整は、プラズマチャンバに処理条件で処理動作を実行させる。処理条件は、プラズマチャンバが第１の条件にある時に決定された条件である。

一部の実施形態において、変数（例えば、電圧、電流など）の関数と電力との間の第１の関係が生成される。変数は、プラズマチャンバ内のギャップから測定され、電力は、プラズマチャンバの電極に供給された電力、または、電極に伝達された電力である。さらに、変数の関数と電力との間の第２の関係が生成される。第２の関係は、第１の関係を生成するために用いたのと同じプラズマチャンバを用いて生成されてもよいし、第１の関係を生成するために用いたのと別のプラズマチャンバを用いて生成されてもよい。第２の関係は、第１および第２の関係の間の差を決定するために、第１の関係と比較される。その差は、第２の関係から第１の関係を達成するため、または、第１の関係から第２の関係を達成するために低減される。例えば、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバに提供されたのと同じ量の電力が、第２の関係を生成するために用いられた別のプラズマチャンバに提供される。別の例として、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバに提供される電力が、第２の関係を達成するために修正される。この例では、第１および第２の関係の両方が、同じプラズマチャンバを用いて生成される。

上述の実施形態のいくつかの利点は、電力制御モードを用いてチャンバ間マッチングまたはチャンバ内マッチングを実行することを含む。例えば、第２の関係を達成するために、第１の関係が修正された場合、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバは、第２の関係を達成するように動作される。第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバが、第２の関係を達成するように動作されると、第１および第２の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバでウエハを処理する際に、実質的な均一性が実現される。

さらに、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバの条件は、経時的に変化しうる。条件の変化の結果として、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバは、ウエハ上に目に見える異なる結果を生成しうる。例えば、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバでウエハが洗浄される時、洗浄処理が、プラズマチャンバの条件を変化させる。洗浄後、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバが、別のウエハを洗浄するために用いられる時、他のウエハは、他のウエハの前に洗浄されたウエハと同じ程度（例えば、レベル、アスペクト比など）まで洗浄されえない。経時的にウエハの処理にばらつきが生じると、第１の関係を生成するために用いられたプラズマチャンバに接続された高周波（ＲＦ）伝送線路において、伝送線路を介して伝達されるＲＦ電力の損失が経時的に変化する。第１の関係の生成に用いられたプラズマチャンバで第２の関係を達成するために第１の関係を修正することには、ウエハの処理の非均一性を低減する利点がある。修正が実行されると、損失の差が補償される。

添付の図面を参照して行う以下の詳細な説明から、別の態様が明らかになる。

実施形態は、添付の図面に関連して行う以下の説明を参照することによって最も良好に理解できる。

本開示に記載の一実施形態に従って、電力制御モードを用いたチャンバ間マッチングを説明するためのグラフを示す図。

本開示に記載の一実施形態に従って、電力制御モードを用いたチャンバ内マッチングを説明するためのグラフの一実施形態を示す図。

本開示に記載の一実施形態に従って、静電チャック（ＥＳＣ）内のプローブを用いて、変数の関数とプラズマチャンバに伝達された電力との間の１または複数の関係を生成するためのプラズマシステムを示すブロック図。

本開示に記載の一実施形態に従って、高周波トンネル内のプローブを用いて、変数の関数とプラズマチャンバに伝達された電力との間の１または複数の関係を生成するためのプラズマシステムを示すブロック図。

本開示に記載の一実施形態に従って、コンピュータ生成モデルを用いてＥＳＣモデルでの変数の値を決定するためのホストシステムを示すブロック図。

本開示に記載の一実施形態に従って、図３のプラズマシステムのプラズマチャンバと、別のプラズマチャンバとの間のチャンバ間マッチングを説明するためにプラズマシステムを示すブロック図。

本開示に記載の一実施形態に従って、無プラズマ試験中の電圧および圧力の間の関係を説明するために用いられるグラフを示す図。

本開示に記載された一実施形態に従って、チャンバ間マッチングを実行するためのレシピを示す図。

本開示に記載された一実施形態に従って、チャンバ内マッチングを実行するためのレシピを示す図。

本開示に記載の一実施形態に従って、３つのプラズマチャンバの間の関係の差異を説明するために用いられるグラフを示す図。

本開示に記載のいくつかの実施形態を適用した後の３つのプラズマチャンバの間の関係の類似性を説明するために用いられるグラフの一実施形態を示す図。

以下の実施形態は、電力制御モードを用いたチャンバマッチングのためのシステムおよび方法を記載する。本実施形態は、これらの具体的な詳細事項の一部またはすべてがなくとも実施可能であることが明らかである。また、本実施形態が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の詳細な説明は省略した。

図１は、電力制御モードを用いたチャンバ間マッチングを説明するためのグラフ１０２の一実施形態を示す図である。電力制御モードを用いたチャンバ間マッチングでは、プラズマチャンバ１を用いて測定された変数の関数と、プラズマチャンバ１に関連する電力との間の関係が決定される。また、プラズマチャンバ２を用いて測定された変数の関数と、プラズマチャンバ２に関連する電力との間の関係が決定される。

変数の例としては、電流、電圧、反射係数などが挙げられる。変数の関数の例としては、変数の二乗、変数の平方根、変数のべき関数などが挙げられる。

一部の実施形態において、プラズマチャンバ２は、プラズマチャンバ１と同じ構造を有する。例えば、プラズマチャンバ２は、プラズマチャンバ１の対応する要素と同じ寸法を有する要素を備える。別の例として、プラズマチャンバ２は、プラズマチャンバ１の対応する要素と同じタイプを有する要素を備える。例示すると、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）チャンバは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）チャンバの１または複数の要素と異なるタイプの１または複数の要素を有しており、ＴＣＰおよびＩＣＰチャンバは共に、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマチャンバの１または複数の要素と異なるタイプの１または複数の要素を有する。

プラズマチャンバの要素の例としては、上側電極、下側電極、上側プラズマ排除区域（ＰＥＺ）リング、下側ＰＥＺリング、閉じ込めリングアセンブリ、エッジリング、絶縁層、ガス分配開口部、プラズマチャンバの壁、上側電極を囲む上側誘電体リング、上側誘電体リングを囲む上側電極延長部、下側電極を囲む下側誘電体リング、下側誘電体リングを囲む下側電極延長部などが挙げられる。様々な実施形態において、下側電極および下側電極延長部は、陽極酸化アルミニウム、アルミニウム合金などの金属で製造される。また、一部の実施形態において、上側電極および上側電極延長部は、アルミニウム、アルミニウム合金などの金属で製造される。いくつかの実施形態において、上側電極は、下側電極に対向して配置され、上側電極延長部は、上側電極に対向して配置される。

要素の寸法の例としては、要素のサイズ、要素の長さ、要素の奥行き、要素の幅、要素の表面積、要素の占める体積などが挙げられる。

異なるタイプの要素の例としては、プレート電極、電気コイル電極などが挙げられる。

様々な実施形態において、プラズマチャンバ２は、プラズマチャンバ１と構造的に同一であり、プラズマチャンバ１と異なる識別コードを有する。例えば、エンティティは、識別コードａａａａを用いてプラズマチャンバ１を識別し、識別コードｂｂｂｂを用いてプラズマチャンバ２を識別する。

いくつかの実施形態において、プラズマチャンバ２は、プラズマチャンバ１と構造的に同一であり、プラズマチャンバ１と同じ機能を実行するために用いられる。プラズマチャンバによって実行される機能の例としては、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、金属ＣＶＤ、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ−ＣＶＤ）機能、フォトレジスト剥離機能、フォトレジスト表面準備、紫外線熱処理（ＵＶＴＰ）などが挙げられる。

様々な実施形態において、プラズマチャンバ２は、プラズマチャンバ１と構造的および機能的に同一であり、プラズマチャンバ１と異なる識別コードを有する。

プラズマチャンバ１に伝達される電力が、プラズマチャンバ２を用いて生成された関係を達成するために調整される。いくつかの実施形態では、プラズマチャンバ２に関連する関係を達成するためにプラズマチャンバ１に伝達される電力を調整する代わりに、プラズマチャンバ２に伝達される電力が、プラズマチャンバ１を用いて生成された関係を達成するために調整される。

いくつかの実施形態において、プラズマチャンバ１が、プラズマチャンバ２よりも歩留まりの高い良好なチャンバである時、プラズマチャンバ２に伝達される電力が、プラズマチャンバ１を用いて生成された関係を達成するために調整される。また、プラズマチャンバ２が、プラズマチャンバ１よりも歩留まりの高い良好なチャンバである時、プラズマチャンバ１に伝達される電力が、プラズマチャンバ２を用いて生成された関係を達成するために調整される。

様々な実施形態において、プラズマチャンバが別のプラズマチャンバよりも高い歩留まりを有するのは以下の場合である。歩留まりの高いプラズマチャンバを用いてウエハをエッチングし、歩留まりの低いプラズマチャンバを用いて達成されるよりも高いアスペクト比を達成した場合、歩留まりの高いプラズマチャンバを用いて、歩留まりの低いプラズマチャンバを用いて洗浄されたものよりも清浄なウエハが得られた場合、歩留まりの高いプラズマチャンバが、歩留まりの低いプラズマチャンバよりも高速でエッチングする場合、歩留まりの高いプラズマチャンバが、歩留まりの低いプラズマチャンバよりも高速でウエハを洗浄する場合、歩留まりの高いプラズマチャンバが、歩留まりの低いプラズマチャンバよりも高速でウエハを処理する場合、または、これらの組み合わせ。

グラフ１０２において、変数の関数はｙ軸に沿ってプロットされ、電力はｘ軸に沿ってプロットされている。いくつかの実施形態において、ｘ軸に沿ってプロットされた電力は、伝達電力であり、プラズマチャンバに伝達された電力である。一例として、伝達電力は、供給電力および反射電力の間の差である。供給電力は、高周波（ＲＦ）発生器によってプラズマチャンバに供給された電力であり、反射電力は、プラズマチャンバからＲＦ発生器に向かって反射された電力である。様々な実施形態において、ｘ軸に沿ってプロットされる電力は、伝達電力ではなく供給電力である。

グラフ１０２の実線１０１は、プラズマチャンバ１を用いてプロットされる。例えば、プラズマチャンバ１に伝達された電力は、ｘ軸に沿ってプロットされる。さらに、ＲＦ発生器とプラズマチャンバ１内のウエハとの間に配置された要素上の点で電流が測定され、電流の二乗がｙ軸に沿ってプロットされる。別の例として、電流の代わりに、電圧がその点で測定され、電圧の二乗がｙ軸上にプロットされる。電圧の二乗は、実線１０１を生成するために、プラズマチャンバ１に伝達された電力に対してプロットされる。

いくつかの実施形態では、実線１０１で示される関係を得るために、プラズマチャンバ１を用いて、無プラズマ試験が実行される。例えば、プラズマチャンバ１内でのプラズマの点火を避けるために、圧力の大きさが、プラズマチャンバ１内で閾値より低くまたは閾値より高く維持される。別の例として、無プラズマ試験中、ＲＦ発生器が、インピーダンス整合回路およびＲＦ伝送線路を介してプラズマチャンバの下側電極に供給されるＲＦ信号を生成する。この例では、最小限の量のプラズマが、プラズマチャンバ内で点火される。

ＲＦ発生器およびウエハの間に配置された電気的要素は、ＲＦ発生器をプラズマチャンバに接続する要素を含む。ＲＦ発生器およびウエハの間の要素の例としては、ＲＦケーブル、インピーダンス整合回路、ＲＦ伝送線路、および、静電チャック（ＥＳＣ）が挙げられる。ＲＦケーブルは、ＲＦ発生器をインピーダンス整合回路に接続し、インピーダンス整合回路は、ＲＦ伝送線路を介してプラズマチャンバのＥＳＣに接続される。

グラフ１０２の破線１０３は、グラフ１０２の実線１０１がプラズマチャンバ１についてプロットされたのと同様に、プラズマチャンバ２を用いてプロットされる。例えば、プラズマチャンバ２に伝達された電力は、ｘ軸に沿ってプロットされる。さらに、ＲＦ発生器とプラズマチャンバ２内のウエハとの間に配置された要素上の点で電流が測定され、電流の二乗がｙ軸に沿ってプロットされる。別の例として、電流の代わりに、電圧がその点で測定され、電圧の二乗がｙ軸上にプロットされる。電圧の二乗は、破線１０３を生成するために、プラズマチャンバ２に伝達された電力に対してプロットされる。

いくつかの実施形態では、破線１０３で示される関係を得るために、プラズマチャンバ２を用いて、無プラズマ試験が実行される。例えば、プラズマチャンバ２内でのプラズマの点火を避けるために、圧力の大きさが、プラズマチャンバ２内で閾値より低くまたは閾値より高く維持される。

変数関数（可変関数）１（ＶＦ１）（例えば、電流値の二乗、電圧値の二乗など）から実線１０１上の点１０９を通過して破線１０３上の点１１１に交わるように、線が水平に引かれている。点１１１からｘ軸上の点Ｐ２まで垂直に線が引かれている。点Ｐ２は、Ｐ２の電力値を有する。

変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ１に電力Ｐ１を提供（例えば、伝達、供給など）する代わりに、変数関数１を達成するために電力Ｐ２をプラズマチャンバ１に提供する。例えば、プラズマチャンバ２のより高い歩留まりを達成するには、変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ１に電力Ｐ１を提供する代わりに、変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ１に電力Ｐ２を提供する。別の例として、電力Ｐ１が変数関数１を達成するためにプラズマチャンバに提供される時に、変数関数１を達成すると共にプラズマチャンバ２のより高い歩留まりを達成するためにプラズマチャンバ１に電力Ｐ２を提供する。同様に、いくつかの実施形態において、変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ２に電力Ｐ２を提供する代わりに、変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ２に電力Ｐ１を提供する。

いくつかの実施形態において、提供される電力は、伝達電力または供給電力である。

様々な実施形態において、変数関数１に対応する電力Ｐ２を決定するためにグラフ１０２内で水平および／または垂直に線を引く代わりに、実線１０１の傾き１および破線１０３の傾き２が計算される。変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ１に提供される電力Ｐ１に傾き１および傾き２の比を掛けて、プラズマチャンバ１に電力Ｐ２を提供する。例えば、破線１０３で示されるプラズマチャンバ２の高歩留まりの関係が達成される時、変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ１に電力Ｐ１を提供する代わりに、傾き１および傾き２の比を電力値Ｐ１に掛けることによって生成された電力値（例えば、電力値Ｐ２）が、変数関数１を達成するためにプラズマチャンバ１に提供される。

一部の実施形態において、プラズマチャンバ１に関連する関係が達成される時、例えば、プラズマチャンバ１のより高い歩留まりを達成すると共に変数関数１を達成するために、電力値Ｐ２に傾き２および傾き１の比を掛けて、プラズマチャンバ２に提供される電力値Ｐ１を生成する。

いくつかの実施形態において、「電力値Ｐ１」および「電力Ｐ１」という用語は、交換可能に用いられている。様々な実施形態において、「電力値Ｐ２」および「電力Ｐ２」という用語は、交換可能に用いられている。

傾き１および傾き２の各々は、変数が電圧である場合に変数が測定されるプラズマシステム内の点でのインピーダンスを提供することに注意されたい。さらに、傾き１および傾き２の各々は、変数が電流である場合に変数が測定されるプラズマシステム内の点でのインピーダンスの逆数を提供することに注意されたい。

図２は、電力制御モードを用いたチャンバ内マッチングを説明するためのグラフ１０４の一実施形態を示す図である。チャンバ内マッチングでは、変数の関数が、ｙ軸に沿ってプロットされ、プラズマチャンバ１に提供される電力が、プラズマチャンバ１の２つの異なる条件に対して同じプラズマチャンバ１についてｘ軸に沿ってプロットされる。２つの異なる条件は、条件１および条件２を含む。

実線１０５は、プラズマチャンバ１が条件１にある時のプロットである。実線１０５は、条件１下で、変数の関数とプラズマチャンバ１に伝達された電力との間の関係を示す。さらに、破線１０７は、プラズマチャンバ１が条件２にある時のプロットである。破線１０７は、条件２下で、変数の関数とプラズマチャンバ１に伝達された電力との間の関係を示す。

一部の実施形態において、条件２は、条件１の発生時刻とは異なる時刻に発生する条件である。例えば、条件２は、プラズマチャンバ１の１または複数の要素の腐食後に発生し、条件１は、腐食前に発生する。

いくつかの実施形態において、条件２は、プラズマチャンバ１の使用後に発生する条件であり、条件１は、使用前に発生する条件である。プラズマチャンバ１は、使用前には条件１にある。例えば、プラズマチャンバ１は、ウエハの湿式洗浄を実行するために用いられた後、湿式洗浄の実行前とは異なる条件（条件２）を有する。別の例において、プラズマチャンバ１は、ウエハをエッチングするために用いられた後、エッチングの実行前とは異なる条件（条件２）を有する。さらに別の例として、１または複数のガス（例えば、処理ガス、不活性ガス、それらの組み合わせなど）がプラズマチャンバ１内に供給された後、プラズマチャンバ１は、ガスの供給前とは異なる条件を有する。

プラズマチャンバ１が条件１にある時、電力がプラズマチャンバ１に提供され、電力はｘ軸に沿ってプロットされ、プラズマチャンバ１に接続されたＲＦ発生器とプラズマチャンバ１内のウエハとの間の点で変数が測定され、変数の関数がｙ軸に沿ってプロットされる。実線１０５を用いて示された関係は、プラズマチャンバ１が条件１にある時に生成されたものである。

同様に、プラズマチャンバ１が条件２にある時、プラズマチャンバ１に電力を提供し、電力をｘ軸に沿ってプロットし、プラズマチャンバ１に接続されたＲＦ発生器とプラズマチャンバ内のウエハとの間の点で変数を測定し、変数の関数を計算し、電力に対して関数をプロットすることによって、破線１０７を用いて示された関係が生成される。

さらに、プラズマチャンバ１および２の場合に上述したのと同様に、電力値Ｐ２が、変数関数１に基づいて生成される。例えば、実線１０５上の変数関数１に対応する点１１３から破線１０７上の点１１５に交わるように、線が水平に引かれる。変数関数１は、点１１３および１１５の両方で達成される。点１１５からｘ軸上の点Ｐ２（例えば、電力値Ｐ２）まで、線が垂直に引かれる。

電力値Ｐ２は、変数関数１を達成するために電力値Ｐ１を提供する代わりに、プラズマチャンバ１が条件１にある時に、プラズマチャンバ１に提供される。

一部の実施形態において、プラズマチャンバ１の条件１は、プラズマチャンバ１の条件２よりも高い歩留まりをもたらすことに注意されたい。様々な実施形態において、プラズマチャンバ１の条件２は、プラズマチャンバ１の条件１よりも高い歩留まりをもたらす。

様々な実施形態において、点１１３から水平に線を引き、さらに、点１１５からｘ軸に向かって垂直に線を引くことによって、電力値Ｐ２を生成する代わりに、点１１５から実線１０５に向かって点１１３で実線１０５と交差するように水平に線を引き、実線１０５上の点１１３から電力値Ｐ１まで垂直に線を引くことによって、電力値Ｐ１が生成される。電力値Ｐ１は、変数関数１を達成するために電力値Ｐ２を提供する代わりに、条件２下でプラズマチャンバ１に提供される。

いくつかの実施形態において、プラズマチャンバ１が条件１にあるか条件２にあるかに関わらず、線１０５および１０７で示した関係を得るために、無プラズマ試験がプラズマチャンバ１を用いて実行される。例えば、プラズマチャンバ１内でのプラズマの点火を避けるために、プラズマチャンバ１内の圧力が、閾値より低いまたは閾値より高い大きさに維持される。

さらに、いくつかの実施形態では、水平および／または垂直に線を引く代わりに、実線１０５の傾き１および破線１０７の傾き２が計算される。電力値Ｐ２は、傾き２に対する傾き１の比を電力値Ｐ１に掛けることによって決定される。電力値Ｐ２は、条件１下で電力値Ｐ１を提供する代わりに、条件１下でプラズマチャンバ１に提供される。

様々な実施形態において、傾き１および傾き２の比から電力値Ｐ２を決定する代わりに、傾き１に対する傾き２の比を電力値Ｐ２に掛けることによって、電力値Ｐ１が決定され、条件２下でプラズマチャンバ１に提供される。電力値Ｐ１は、条件２下で電力値Ｐ２を提供する代わりにプラズマチャンバ１に提供される。

図３は、ＥＳＣ１２６内のプローブ１２４を用いて、変数の関数とプラズマチャンバ１２２に伝達された電力との間の１または複数の関係を生成するシステム１２０の一実施形態を示すブロック図である。プラズマチャンバ１２２は、チャンバ１の一例である。

いくつかの実施形態において、関係の１つ（例えば、実線１０１を用いて示した関係（図１）、実線１５０を用いて示した関係（図２）など）が、プラズマチャンバ１２２の条件１中に生成され、別の関係（例えば、破線１０７を用いて示した関係（図２）など）が、プラズマチャンバ１２２の条件２中に生成される。

ホストシステム１２８が、１または複数のＲＦ発生器（例えば、ｘメガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ発生器、ｙＭＨｚＲＦ発生器、ｚＭＨｚＲＦ発生器など）に接続されている。ｘＭＨｚ発生器は、２ＭＨｚＲＦ発生器であってよく、ｙＭＨｚＲＦ発生器は、２７ＭＨｚＲＦ発生器であってよく、ｚＭＨｚＲＦ発生器は、６０ＭＨｚＲＦ発生器であってよい。

ホストシステム１２８の例は、コンピュータ、プロセッサベースのシステム、ワークステーション、ラップトップ、デスクトップ、タブレット、携帯電話などを含む。

本明細書に用いられているように、プロセッサは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）、マイクロプロセッサ、中央処理装置（ＣＰＵ）などであってよい。

いくつかの実施形態において、２ＭＨｚＲＦ発生器の代わりに、異なる周波数のＲＦ発生器（例えば、３ＭＨｚＲＦ発生器、４ＭＨｚＲＦ発生器、５ＭＨｚＲＦ発生器など）を用いてもよい。同様に、異なる周波数のＲＦ発生器が、ｙおよびｚＭＨｚＲＦ発生器の代わりに用いられてもよい。

いくつかの実施形態において、ｘＭＨｚＲＦ発生器は、２７ＭＨｚＲＦ発生器であってもよい。これらの実施形態において、ｙおよびｚＭＨｚＲＦ発生器は、２および６０ＭＨｚＲＦ発生器である。

いくつかの実施形態において、ｘＭＨｚＲＦ発生器は、６０ＭＨｚＲＦ発生器であってもよい。これらの実施形態において、ｙおよびｚＭＨｚＲＦ発生器は、２および２７ＭＨｚＲＦ発生器である。

プラズマチャンバ１２２が条件１にある時に、ホストシステム１２８は、電力値および動作周波数をｘＭＨｚＲＦ発生器のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）１３０に送信する。ＤＳＰ１３０は、ｘＭＨｚＲＦ発生器のドライバ・増幅器システム（ＤＡＳ）１３２に、電力値および周波数を送信する。

ＤＡＳ１３２は、電力値および周波数を受信し、その電力値および周波数を有するＲＦ信号を生成する。ＲＦ信号は、ＲＦケーブル１３４およびマッチボックス（インピーダンス整合回路）１３６を介して供給される。

一部の実施形態において、ＤＡＳ１３２は、ＤＡＳのドライバで生成されたＲＦ信号を増幅して、増幅ＲＦ信号を生成し、増幅ＲＦ信号は、ＲＦケーブル１３４を介してマッチボックス１３６に供給される。

様々な実施形態において、実線１０１（図１）、実線１０５（図２）、破線１０３（図１）、および／または、破線１０７（図２）を生成するために、ＲＦ信号がｘＭＨｚＲＦ発生器によって生成される時、ｙおよびｚＭＨｚＲＦ発生器は、ＲＦ信号を発生させない。例えば、ｙおよびｚＭＨｚＲＦ発生器は、ｘＭＨｚＲＦ発生器がＲＦ信号を生成するために用いられる時に、オフにされる。

インピーダンス整合回路は、電子回路素子、例えば、インダクタ、コンデンサなどを備えており、インピーダンス整合回路に接続された電源のインピーダンスを、インピーダンス整合回路に接続された負荷のインピーダンスと整合させる。例えば、マッチボックス１３６は、ｘ、ｙ、および、ｚＭＨｚＲＦ発生器の内の動作する１または複数の発生器を含む電源のインピーダンス、ならびに、ＲＦケーブル１３４、１３６、および、１３８の内の１または複数のケーブルのインピーダンスを、ＲＦ伝送線路１４０およびプラズマチャンバ１２２のインピーダンスと整合する。ＲＦケーブル１３４、１３６、および、１３８は、ｘ、ｙ、および、ｚＭＨｚＲＦ発生器にマッチボックス１３４を接続する。電源および負荷の間のインピーダンス整合がなされると、負荷から電源に電力が反射される可能性が低減される。

ＲＦ伝送線路１４０は、マッチボックス１３６およびプラズマチャンバ１２２に接続されている。ＲＦ伝送線路１４０は、ＲＦトンネル１４４に接続されたＲＦケーブル１４２を含んでおり、ＲＦトンネル１４４は、ＲＦストラップ１４８に接続されている。ＲＦトンネル１４４内には、絶縁体１５０およびＲＦロッド１５２がある。絶縁体１５０は、ＲＦトンネル１４４の被覆から、ＲＦロッド１５２を絶縁する。ＲＦロッド１５２は、コネクタ１４６を介して、ＲＦストラップ（ＲＦスプーンとも呼ぶ）１４８に接続されている。ＲＦストラップ１４８は、ＥＳＣ１２６の下側電極に接続されている。

ウエハ１５４（例えば、半導体ウエハ）が、ＥＳＣ１２６の上面１５６上に支持される。集積回路（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）など）が、ウエハ１５４上に製造され、それらの集積回路は、様々なデバイス、例えば、携帯電話、タブレット、スマートフォン、コンピュータ、ラップトップ、ネットワーク装置などで利用される。上側電極１５８が、ＥＳＣ１２６の下側電極と対向している。

プラズマチャンバ１２２は、プラズマチャンバ１２２内で生成されたプラズマを閉じ込める壁Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、および、Ｗ４を有する。一部の実施形態において、プラズマチャンバ１２２は、５以上の壁を含むことに注意されたい。いくつかの実施形態において、プラズマチャンバ１２２の壁は、隣接する壁に垂直であってよい。様々な実施形態において、プラズマチャンバ１２２の壁は、プラズマチャンバ１２２の隣接する壁と垂直でない角度を形成してもよい。

プローブ１２４は、ＥＳＣ１２６内に埋め込まれている。いくつかの実施形態において、ＥＳＣ１２６内に埋め込む代わりに、プローブ１２４は、ＥＳＣ１２６に接続される。プローブ１２４は、プラズマチャンバ１２２内に配置されてもよい。

プローブ１２４の例としては、電流を測定する電流プローブ、電圧を測定する電圧プローブ、ならびに、電圧および電流を測定する電圧・電流プローブが挙げられる。プローブ１２４は、ホストシステム１２８に接続されている。例えば、プローブ１２４は、ホストシステム１２８のアナログデジタル変換器に接続されており、アナログデジタル変換器は、ホストシステム１２８のプロセッサに接続されている。

一部の実施形態では、プローブ１２４の代わりに、２つのプローブが用いられる。例えば、電圧を測定する電圧プローブおよび電流を測定する電流プローブが、プローブ１２４の代わりに用いられる。

ｘＭＨｚＲＦ発生器によって生成されたＲＦ信号は、ＲＦケーブル１３４、マッチボックス１３６、ＲＦケーブル１４２、ＲＦロッド１５２、コネクタ１４６、および、ＲＦストラップ１４８を介してＥＳＣ１２６の下側電極に伝達される。

一部の実施形態において、上側電極１５８は、中央ガス供給部（図示せず）に接続されたガス分配開口部を備える。中央ガス供給部は、１または複数のガス（例えば、処理ガス、不活性ガス、それらの組み合わせなど）をガス供給源（図示せず）から受け入れる。処理ガスの例としては、酸素含有ガス（Ｏ_２など）が挙げられる。処理ガスの他の例は、フッ素含有ガス、例えば、テトラフルオメタン（ＣＦ_４）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ_２Ｆ_６）などを含む。上側電極１５８は、接地されている。

ｘＭＨｚ発生器によって生成されたＲＦ信号がプラズマチャンバ１２２に提供されると、無プラズマ試験が実行される。例えば、条件１にあるプラズマチャンバ１２２内で、圧力の大きさが、プラズマチャンバ１２２内でのプラズマの点火を避けるように維持される。別の例としては、プラズマチャンバ１２２内の圧力を閾値未満に維持するために、ガスが供給されないか、または、限られた量のガスが供給される。無プラズマ試験中、最小限の量のプラズマがプラズマチャンバ１２２内で生成される。

無プラズマ試験中、プローブ１２４は、変数を測定し、その測定値をホストシステム１２８に送信する。ホストシステム１２８は、変数の測定値を変換し、ホストシステム１２８のアナログデジタル変換器は、アナログ形式からデジタル形式に測定値を変換する。いくつかの実施形態において、プローブ１２４は、ホストシステム１２８に測定値を送信する前に、測定値をアナログからデジタル形式に変換する。

ホストシステム１２８のプロセッサは、変数の測定値に基づいて変数の関数を生成する。例えば、ホストシステム１２８のプロセッサは、変数の二乗を算出する。センサ１６０（例えば、電圧・電流センサ、電力センサなど）は、ＲＦケーブル１３４に接続されており、ｘＭＨｚＲＦ発生器によって供給された電力である供給電力を測定するか、または、供給電力とＲＦケーブル１３４を介してプラズマチャンバ１２２からｘＭＨｚＲＦ発生器に反射された電力との差である伝達電力を測定する。提供された電力の測定値は、センサ１６０によってＤＳＰ１３０を介してホストシステム１２８のプロセッサに送信される。次いで、その例では、プロセッサは、変数の関数と、或る期間にわたる提供電力との間の関係（例えば、実線１０１で示された関係（図１）、実線１０５で示された関係（図２）など）を決定する。

一部の実施形態では、センサ１６０が供給電力および反射電力の両方を測定する代わりに、センサ１６０は反射電力を測定し、供給電力は、ホストシステム１２８によってＤＳＰ１３０に送信された電力値である。

また、関係が決定された後にプラズマチャンバ１２２の条件が変化した場合、無プラズマ試験が実行される。例えば、条件２にあるプラズマチャンバ１２２内で、圧力の大きさが、プラズマチャンバ１２２内でのプラズマの点火を避けるように維持される。プローブ１２４は、プラズマの変数を測定し、センサ１６０は、供給電力および反射電力を測定する。

条件が変化した後、ホストシステム１２８のプロセッサは、プローブ１２４から変数の測定値を受信し、ＤＳＰ１３０を介して供給電力および反射電力の測定値を受信し、変数の測定値から変数の関数を計算し、供給電力および反射電力から伝達電力を決定し、或る期間にわたる変数の関数と伝達電力との間の関係（例えば、破線１０７に示した関係（図２）など）を決定する。

一部の実施形態において、条件２中の関係を決定するために伝達電力を用いる代わりに、供給電力が用いられる。例えば、供給電力と変数の関数との間の関係が決定される。

ウエハ１５４の後続処理の間または前に、ホストシステム１２８のプロセッサは、図２を参照して上述したように、プラズマチャンバ１２２のチャンバ間マッチングを実行する。例えば、プロセッサは、傾き１および傾き２（図２）を計算し、傾き２および傾き２の比を計算し、その比を電力値Ｐ１に掛けて、電力値Ｐ２を算出する。別の例として、傾き１に対する傾き２の比（図２）を決定する代わりに、プロセッサは、傾き２に対する傾き１の比（図２）を計算し、その比を電力値Ｐ２に掛けて、電力値Ｐ１を算出する。さらに別の例として、条件１中に変数関数１を達成するために、プロセッサは、点１１３から点１１５で破線１０７と交わるように水平に線を引く（図２）。次いで、その例において、プロセッサは、交点１１５から電力値Ｐ２でｘ軸（図２）と交わるように垂直に線を引いて、条件１に対する電力値Ｐ２を決定する。別の例として、条件２中に変数関数１を達成するために、プロセッサは、点１１５から点１１３で実践１０５と交わるように水平に線を引く（図２）。プロセッサは、実線１０５上の交点１１３からｘ軸上の電力値Ｐ１の点と交わるように垂直に線を引いて、条件２に対する電力値Ｐ１を決定する。ウエハ１５４の後続処理は、グラフ１０２および／またはグラフ１０４（図１および２）を得た後に行われる。

ウエハ１５４の処理の例としては、ウエハ洗浄、ウエハ１５４上への材料の蒸着、ウエハ１５４のエッチング、ウエハ１５４のスパッタリング、ウエハ１５４へのプラズマの印加などが挙げられる。

一部の実施形態において、ウエハ１５４の後続処理中、条件（例えば、条件１、条件２など）下にあるプラズマチャンバ１２２に提供される電力値（例えば、電力値Ｐ１、電力値Ｐ２など）が、ホストシステム１２８の記憶装置から特定（例えば、読み出しなど）される。記憶装置については、後に詳述する。後続処理中に、その電力値を有するＲＦ信号が供給され、処理ガスがプラズマチャンバに供給されると、プラズマがプラズマチャンバ１２２内で点火される。プラズマは、ウエハ１５４を処理するために用いられる。

様々な実施形態において、処理条件が、ウエハ１５４の後続処理中に達成される。例えば、条件２でプラズマチャンバ１２２を用いる後続処理中に、電力値Ｐ１および変数関数１が達成される。別の例として、条件１でプラズマチャンバ１２２を用いる後続処理中に、電力値Ｐ２および変数関数１が達成される。

ｘ軸に沿ってプロットされる電力値が伝達電力値である一部の実施形態において、ウエハ１５４の後続処理中に、プラズマチャンバ１２２が条件１にあり、条件２に関連する電力値Ｐ２がプラズマ処理チャンバ１２２に伝達される場合、ホストシステム１２８のプロセッサは、伝達電力値Ｐ２を達成するための供給電力値を決定し、伝達電力値Ｐ１を達成するための供給電力値を送信する代わりに、プラズマチャンバ１２２の条件１中に伝達電力Ｐ２を達成するための供給電力値を送信する。例えば、プロセッサは、ＤＳＰ１３０に電力値を供給し、ＤＳＰ１３０は、その電力値をＤＡＳ１３２に送信する。ＤＡＳ１３２は、電力値に基づいてＲＦ信号を生成し、そのＲＦ信号をプラズマチャンバ１２２に供給する。ＲＦ信号がプラズマチャンバ１２２に供給されると、センサ１６０は、反射電力を測定し、ホストシステム１２８のプロセッサに測定値を送信する。ホストシステム１２８のプロセッサは、ＲＦ信号の反射電力および供給電力の測定値から伝達電力を計算し、伝達電力が電力値Ｐ２に等しいか否かを判定する。伝達電力値がＰ２に等しいと判定されると、ホストシステム１２８のプロセッサは、伝達電力Ｐ２に対応するＲＦ信号を供給し続けるために、伝達電力値Ｐ２を達成するための供給電力値をＤＳＰ１３０に送信し続ける。一方で、伝達電力が電力値Ｐ２に一致するまで、供給電力値を変化させ、供給電力および反射電力を測定し、伝達電力を計算する動作が、繰り返される。

同様に、ｘ軸に沿ってプロットされる電力値が伝達電力値である様々な実施形態において、ウエハ１５４の後続処理中に、プラズマチャンバ１２２が条件２にあり、条件１に関連する電力値Ｐ１がプラズマ処理チャンバ１２２に伝達される場合、ホストシステム１２８のプロセッサは、伝達電力値Ｐ１を達成するための供給電力値を決定し、伝達電力値Ｐ２を達成するための供給電力値を送信する代わりに、プラズマチャンバ１２２の条件２中に伝達電力値Ｐ１を達成するための供給電力値を送信する。

ｘ軸に沿ってプロットされる電力値が供給電力値である実施形態において、ウエハ１５４の後続処理中に、プラズマチャンバ１２２が条件１にあり、条件２に関連する電力値Ｐ２がプラズマチャンバ１２２に供給される場合、ホストシステム１２８のプロセッサは、変数関数１を達成するために条件１中に電力値Ｐ１を送信する代わりにプラズマチャンバ１２４の条件１中に電力値Ｐ２を送信し、ｘＭＨｚＲＦ発生器は、電力値Ｐ１を有するＲＦ信号を供給する代わりに電力値Ｐ２を有するＲＦ信号を供給する。

同様に、ｘ軸に沿ってプロットされる電力値が供給電力値である多くの実施形態において、ウエハ１５４の後続処理中に、プラズマチャンバ１２２が条件２にあり、条件１に関連する電力値Ｐ１がプラズマチャンバ１２２に供給される場合、ホストシステム１２８のプロセッサは、変数関数１を達成するために条件２中に電力値Ｐ２を送信する代わりにプラズマチャンバ１２４の条件２中に電力値Ｐ１を送信し、ｘＭＨｚＲＦ発生器は、電力値Ｐ２を有するＲＦ信号を供給する代わりに電力値Ｐ１を有するＲＦ信号を供給する。

いくつかの実施形態において、ホストシステム１２８と共にプローブ１２４を用いる代わりに、ネットワークアナライザまたはインピーダンススキャナが、プローブ１２４の代わりに用いられる。例えば、ネットワークアナライザは、ネットワークアナライザに接続されたＲＦプローブを備えており、さらに、ホストシステム１２８に接続されている。ＲＦプローブは、小さいマイクロ波アンテナであってよい。ネットワークアナライザは、ＲＦプローブに電気信号を供給する。電気信号を受信すると、ＲＦプローブは、プラズマチャンバ１２２にマイクロ波信号を送る。マイクロ波信号は、プラズマチャンバ１２２内でプラズマと相互作用し、ＲＦプローブによって検出される。ＲＦプローブは、検出されたマイクロ波を電気信号に変換する。ネットワークアナライザは、電気信号から反射係数を決定し、反射係数をホストシステム１２８に送信する。ホストシステム１２８のプロセッサは、経時的な反射係数の変化を追跡し続け、グラフ（例えば、グラフ１０２（図１）、グラフ１０４（図２）など）を生成して、反射係数とＥＳＣ１２６の下側電極に提供された電力との間の関係を決定する。次いで、関係は、条件（例えば、条件１、条件２など）を達成するため、または、チャンバ間マッチングを実行するために、下側電極に提供される電力を決定する際に、ホストシステム１２８のプロセッサによって利用される。

いくつかの実施形態において、ネットワークアナライザまたはインピーダンススキャナが用いられる場合、無プラズマ試験がプラズマチャンバ１２２内で実行される。

図４Ａは、ＲＦトンネル１７６内のプローブ１２４を用いて、変数の関数とプラズマチャンバ１２３に伝達された電力との間の１または複数の関係を生成するプラズマシステム１７２の一実施形態を示すブロック図である。プラズマシステム１７２は、プラズマチャンバ１２３がＥＳＣ１２６内にプローブ１２４を持たないことを除いては、プラズマシステム１２０（図３）と同様に動作する。その代わり、プラズマシステム１７２は、ＲＦトンネル１７６の絶縁体内にプローブ１２４を備える。プローブ１２４は、ＲＦロッド１５２の出力に接続されている。

ＲＦロッド１５２の出力は、コネクタ１４６を介してＲＦストラップ１４８の入力に接続されている。ＲＦロッド１５２の入力は、ＲＦケーブル１４２の出力に接続されている。ＲＦケーブル１４２の入力は、マッチボックス１３６に接続されている。ＲＦストラップ１４８の出力は、プラズマチャンバ１２３のＥＳＣ１２７の下側電極に接続されている。ＥＳＣ１２７は、プローブ１２４（図３）を持たないことを除いては、ＥＳＣ１２６（図３）と同様の構造および機能を有する。

一部の実施形態において、プローブ１２４は、ＲＦロッド１５２と接続され、ＲＦトンネル１７６の外側に配置される。

ＲＦケーブル１４２、ＲＦロッド１５２、ＲＦトンネル１７６、コネクタ１４６、および、ＲＦストラップ１４８は、ＥＳＣ１２７の下側電極にマッチボックス１３６を接続するＲＦ伝送線路１７８の一部である。

プローブ１２４は、ｘＭＨｚＲＦ発生器がプラズマチャンバ１２３に電力を供給した時に、変数を測定する。電力は、ＲＦケーブル１３４、マッチボックス１３６、および、ＲＦ伝送線路１７８を介してプラズマチャンバ１２３に供給される。

一部の実施形態において、変数は、プラズマチャンバ１２３内でプラズマを点火するために、処理ガスがプラズマチャンバ１２３に供給されると共にＲＦ信号がプラズマチャンバ１２３に供給された時に、プラズマチャンバ１２３から測定される。

いくつかの実施形態において、変数は、無プラズマ試験中に測定される。例えば、変数は、ＲＦ信号がプラズマチャンバ１２３に供給され、ガスがプラズマチャンバに供給され、プラズマチャンバ１２３内でのプラズマ点火を避けるよう、または、プラズマチャンバ１２３内で最小限の量のプラズマを点火するように、圧力の大きさが閾値より低くまたは高くに維持されている時に、プラズマチャンバ１２３から測定される。

変数の測定値は、プローブ１２４によってホストシステム１２８に送信される。変数の測定値を受信すると、ホストシステム１２８のアナログデジタル変換器は、アナログ形式からデジタル形式へ測定値を変換し、デジタルの測定値をホストシステム１２８のプロセッサに送信する。ホストシステム１２８のプロセッサは、ＲＦ伝送線路１７８および／またはＥＳＣ１２７の１または複数の部分のコンピュータ生成モデルをデジタル形式の測定値に適用して、ＥＳＣ１２７における変数を決定する。コンピュータ生成モデルについては後述する。

一部の実施形態において、ホストシステム１２８内でアナログからデジタル形式への変換を実行する代わりに、プローブ１２４が、変数のアナログ測定値をデジタル形式に変換し、ホストシステム１２８のプロセッサにデジタル測定値を送信する。

図４Ｂは、コンピュータ生成モデルを用いてＥＳＣモデル１８２での変数の値を決定するためのホストシステム１８０の一実施形態を示すブロック図である。ホストシステム１８０は、プロセッサ１８４と、記憶装置１８６（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、または、それらの組み合わせ）と、を備える。一部の実施形態において、記憶装置１８６は、ハードディスク、フラッシュメモリ、ディスクアレイなどである。ホストシステム１８０は、ホストシステム１２８（図３）の一例である。記憶装置１８６は、プロセッサ１８４に接続されており、ケーブルモデル１８８、トンネルモデル１９０、ストラップモデル１９２、および、ＥＳＣモデル１８２を格納する。

ケーブルモデル１８８はＲＦケーブル１４２（図４Ａ）のコンピュータ生成モデルであり、トンネルモデル１９０はＲＦトンネル１７６（図４Ａ）のコンピュータ生成モデルであり、ストラップモデル１９２はＲＦストラップ１４８（図４Ａ）のコンピュータ生成モデルであり、ＥＳＣモデル１８２はＥＳＣ１２７（図４Ａ）のコンピュータ生成モデルである。例えば、トンネルモデル１８９は、ＲＦロッド１５２と同様の特性（例えば、静電容量、インダクタンス、複素電力、複素電圧および電流など）を有する。別の例として、トンネルモデル１９０は、ＲＦロッド１５２と同じ静電容量、インダクタンス、抵抗、または、それらの組み合わせを有する。さらに別の例として、ストラップモデル１９２は、ＲＦロッド１４８（図４Ａ）と同じ静電容量、インダクタンス、抵抗、または、それらの組み合わせを有する。別の例として、ＥＳＣモデル１８２は、ＥＳＣ１２７（図４Ａ）と同じ静電容量、インダクタンス、抵抗、または、それらの組み合わせを有する。

プロセッサ１８４は、プローブ１２４（図４Ａ）から変数の測定値を受信する。プロセッサ１８４は、プローブ１２４から受信した変数の測定値ならびにストラップモデル１９２およびＥＳＣモデル１８２の特性に基づいて、ＥＳＣモデル１８２の出力における変数の値を決定する。例えば、プロセッサ１８４は、ＥＳＣモデル１８２の出力における電圧および電流を決定するために、ＲＦロッド１５２（図４Ａ）の出力における電流の大きさを受信し、ＲＦロッド１５２の出力における電圧の大きさを受信し、電圧と電流との間の位相を受信し、電流、電圧、および、位相の有向和と、ストラップモデル１９２およびＥＳＣモデル１８２の静電容量、インダクタンス、および／または、抵抗によって生成される電流および電圧とを決定する。ストラップモデル１９２およびＥＳＣモデル１８２の静電容量、インダクタンス、および／または、抵抗によって生成された電流および電圧は、電圧の大きさ、電流の大きさ、および、電流の位相を含む。一部の実施形態において、抵抗は位相を持たないため、電流の大きさおよび電圧の大きさによって定義される。

プロセッサ１８４は、プローブ１２４からの変数の測定値の代わりに、ＥＳＣモデル１８２の出力における変数の値を用いて、変数の関数を算出することにより、変数の関数とプラズマチャンバ１２２（図４Ａ）に提供される電力との関係をさらに決定する。その関係に基づいて、プロセッサ１８４は、電力値Ｐ１または電力値Ｐ２を算出する。

様々な実施形態において、プローブ１２４は、ＲＦロッド１５２の出力の代わりに、ＲＦロッド１５２の入力に接続される。これらの実施形態において、プロセッサ１８４は、プローブ１２４から受信した変数の測定値と、トンネルモデル１９０、ストラップモデル１９２、および、ＥＳＣモデル１８２の特性とに基づいて、ＥＳＣモデル１８２の出力における変数の値を決定する。

様々な実施形態において、プローブ１２４は、ｘＭＨｚＲＦ発生器およびウエハ１５４（図４Ａ）の間の任意の点に接続される。例えば、プローブ１２４は、ＲＦケーブル１３４（図４Ａ）に接続される。これらの実施形態において、その点とウエハ１５４との間のプラズマシステム１７２（図４Ａ）の要素のコンピュータ生成モデルが生成され、ＥＳＣ１２７のコンピュータ生成モデルにおける電圧が、プローブ１２４で測定された電圧と、その点およびウエハ１５４の間の要素のインピーダンスとに基づいて決定される。例えば、プローブ１２４がＲＦケーブル１３４上の点に接続された場合、その点からマッチボックス１３６までのＲＦケーブル１３４の一部の間にあるプラズマシステム１７２の要素のコンピュータ生成モデル、マッチボックス１３６のコンピュータモデル、ＲＦケーブル１４２のコンピュータモデル、ＲＦロッド１５２のコンピュータモデル、ＲＦストラップ１４８のコンピュータモデル、および、ＥＳＣ１２７のコンピュータモデルが生成される。この例では、ＥＳＣモデル１８２における変数が、その点で測定された変数と、ＲＦケーブル１３４（図４Ａ）の一部のコンピュータ生成モデル、マッチボックス１３６のコンピュータ生成モデル、ケーブルモデル１８８、トンネルモデル１９０、ストラップモデル１９２、および、ＥＳＣモデル１８２のインピーダンスとに基づいて決定される。別の例として、プローブ１２４がｘＭＨｚＲＦ発生器の出力に接続された場合、ＲＦケーブル１３４のコンピュータモデル、マッチボックス１３６のコンピュータモデル、ＲＦ伝送線路１７８のコンピュータモデル、および、ＥＳＣ１２７のコンピュータモデルが生成される。ｘＭＨｚＲＦ発生器の出力は、ＲＦケーブル１３４（図４Ａ）の入力に接続される。この例では、ｘＭＨｚＲＦ発生器の出力における変数が測定され、ウエハ１５４における変数が、測定された変数と、ＲＦケーブル１３４、マッチボックス１３６、ＲＦ伝送線路１７８、および、ＥＳＣ１２７の要素（例えば、抵抗器、コンデンサ、インダクタなど）のインピーダンスとに基づいて決定される。

様々な実施形態において、ＥＳＣモデル１８２は、ＥＳＣ１２７（図４Ａ）における変数の決定に用いられない。例えば、プローブ１２４がＲＦケーブル１３４上の点に接続された場合、その点からマッチボックス１３６までのＲＦケーブル１３４の一部の間にあるプラズマシステム１７２の要素のコンピュータモデル、マッチボックス１３６のコンピュータモデル、ＲＦケーブル１４２のコンピュータモデル、ＲＦロッド１５２のコンピュータモデル、および、ＲＦストラップ１４８のコンピュータモデルが生成される。この例では、ＥＳＣモデル１８２における電圧が、その点で測定された電圧と、ＲＦケーブル１３４の一部のコンピュータ生成モデル、マッチボックス１３６のコンピュータ生成モデル、ケーブルモデル１８８、トンネルモデル１９０、および、ストラップモデル１９２のインピーダンスとに基づいて決定される。

図５は、プラズマチャンバ１２２（図３）と、プラズマチャンバ２０２（チャンバ２の一例）との間のチャンバ間マッチングを説明するためにプラズマシステム２００の一実施形態を示すブロック図である。システム２００は、プラズマチャンバ１２２の代わりにプラズマチャンバ２０２を備えることを除けば、システム１２０（図３）と同様である。例えば、プラズマチャンバ２０２は、プラズマチャンバ１２２と異なる識別コードを有しており、プラズマチャンバ２０２および１２２は両方とも同じ構造および／または機能を有する。別の例として、プラズマチャンバ１２２の１または複数の要素が、プラズマチャンバ２０２の１または複数の要素に置き換えられている。さらに別の例として、ＥＳＣ２０４が、プラズマチャンバ１２２のＥＳＣ１２６と置き換えられている。一部の実施形態において、プラズマチャンバ１２２の１または複数の要素と置き換わったプラズマチャンバ２０２の１または複数の要素は、プラズマチャンバ１２２の１または複数の要素と同じ構造および／または機能を有する。例えば、ＥＳＣ２０４は、ＥＳＣ１２６と同じ寸法を有する。別の例として、ＥＳＣ２０４は、ＥＳＣ１２６と同じ要素（例えば、ヒータ、断熱材、セラミック支持体など）を備える。さらに別の例として、ＥＳＣ２０４は、ＥＳＣ１２６と同じ特性（例えば、インダクタンス、静電容量、抵抗、それらの組み合わせなど）を有する。別の例として、ＥＳＣ２０４および１２６にはいずれも、ＲＦ発生器によって電力が提供される。別の例として、プラズマチャンバ２０２および１２２は両方とも同じタイプである。説明すると、ＴＣＰチャンバはＩＣＰチャンバと異なるタイプであり、ＴＣＰおよびＩＣＰチャンバはいずれもＥＣＲプラズマチャンバと異なるタイプである。

一部の実施形態において、プラズマチャンバ１２２はプラズマチャンバ１の一例であり、プラズマチャンバ２０２はプラズマチャンバ２の一例である。

一部の実施形態において、プラズマチャンバ１２２は、プラズマチャンバ２０２をＲＦ伝送線路１４０に接続するために、ＲＦ伝送線路１４０から切り離される。ウエハ１５４は、ＥＳＣ２０４の上面２０６上に支持される。上面２０６は、上側電極１５８と対向している。

一部の実施形態において、破線１０３で示した関係（図１）は、プラズマチャンバ２０２を用いて生成される。

プローブ１２４は、ＥＳＣ１２６内にプローブ１２４を埋め込むのと同様の方法で、ＥＳＣ２０４内に埋め込まれる。いくつかの実施形態では、プローブ１２４をＥＳＣ２０４内に埋め込む代わりに、プローブ１２４は、ＥＳＣ２０４に接続され、ＥＳＣ２０４の外側に配置される。

プラズマチャンバ２０２を用いた無プラズマ試験の実行中、ホストシステム１２８は、プラズマチャンバ２０２に供給すべきＲＦ信号の電力量および周波数を決定する。電力量および周波数は、入力値としてＤＳＰ１３０を介してＤＡＳ１３２に送信される。ＤＡＳ１３２は、その電力量および周波数を有するＲＦ信号を生成する。ＲＦ信号は、ｘＭＨｚＲＦ発生器によって、ＲＦケーブル１３４、マッチボックス１３６、および、ＲＦ伝送線路１４０を介して、ＥＳＣ２０４の下側電極に供給される。処理ガスがプラズマチャンバ２０２に供給され、電力がＲＦ信号によってＥＳＣ２０４の下側電極に供給されると、プラズマがプラズマチャンバ２０２内で生成される。

上述のように、無プラズマ試験が実行されるいくつかの実施形態では、電力がＲＦ信号によってＥＳＣ２０４の下側電極に供給され、閾値より低いまたは閾値より高い圧力の大きさがプラズマチャンバ２０２内で維持されている時に、最小限の量のプラズマがプラズマチャンバ内で点火される。

無プラズマ試験中、プローブ１２４は、プラズマチャンバ２０２のプラズマに関する変数を測定し、その測定値をホストシステム１２８に送信する。ホストシステム１２８のプロセッサは、変数の測定値から変数の関数を算出する。ホストシステム１２８のプロセッサは、変数の関数およびｘＭＨｚＲＦ発生器によってプラズマチャンバ２０２に供給された電力から関係（例えば、グラフ１０２の破線１０３で示した関係（図１）など）を決定する。

一部の実施形態において、無プラズマ試験中に変数の関数と供給電力との間の関係を決定する代わりに、ホストシステム１２８のプロセッサは、無プラズマ試験中に変数の関数とプラズマチャンバ２０２に伝達された電力との間の関係を決定する。例えば、センサ１６０は、プラズマチャンバ２０２からｘＭＨＨｚＲＦ発生器に反射した電力を測定する。センサ１６０は、ＤＳＰ１３０を介してホストシステム１２８のプロセッサに反射電力の測定値を送信する。ホストシステム１２８のプロセッサは、供給電力と反射電力との差を算出して伝達電力を決定し、さらに、変数の関数と伝達電力との間の関係（グラフ１０２の破線１０３で示した関係）を決定する。

プラズマチャンバ１２２（図３）が良好なチャンバである場合、ホストシステム１２８のプロセッサは、変数関数１に対応する破線１０３（図１）上の点１１１から点１０９で実線１０１と交わるように水平に線を引く。ホストシステム１２８のプロセッサは、交点１０９から電力値Ｐ１でｘ軸と交わるようにｘ軸に向かって垂直に線を引く。

ウエハ１５４の後続処理中に、変数関数１を達成するために、ＤＳＰ１３０を介してＤＡＳ１３２に電力値Ｐ２を送信する代わりに、ホストシステム１２８のプロセッサは、変数関数１を達成するために、電力値Ｐ１を特定して、ＤＳＰ１３０を介してＤＡＳ１３２に送信する。例えば、ホストシステム１２８のプロセッサは、記憶装置１８６（図４Ｂ）から、電力値Ｐ２に関連付けられた電力値Ｐ１を特定する（例えば、読み出す、など）。電力値Ｐ１およびＰ２は、変数関数１を達成するものとして互いに関連付けられる。電力値Ｐ１を受信すると、ＤＡＳ１３２は、電力値Ｐ１を有するＲＦ信号を生成し、ＲＦケーブル１３４、マッチボックス１３６、および、ＲＦ伝送線路１４０を介して、ＥＳＣ２０４の下側電極に、そのＲＦ信号を送信する。記憶装置１８６から読み出されて、変数関数１を達成するために用いられる電力値Ｐ１、および、変数関数１は、処理条件の例である。

一部の実施形態において、記憶装置１８６から読み出されて、変数関数１を達成するために用いられる電力値Ｐ２、および、変数関数１は、処理条件の例である。

ＲＦ信号がＥＳＣ２０４の下側電極に提供されると共に、処理ガスがプラズマチャンバ２０２に供給されると、処理（例えば、エッチング、洗浄、蒸着など）をウエハ１５４に対して実行するために、プラズマがプラズマチャンバ２０２内で点火される。また、電力値Ｐ２の代わりに電力値Ｐ１を有するＲＦ信号がＥＳＣ２０４の下側電極に提供されると、下側電極に提供される電力は、値Ｐ２から値Ｐ１に調整されて、変数関数１を達成する。

一部の実施形態において、ホストシステム１２８のプロセッサは、グラフ１０２の破線１０３を用いて示した関係（図１）から傾き２を決定する。ホストシステム１２８のプロセッサは、さらに、実線１０１を用いて示した関係（図１）から傾き１を決定する。変数が電圧である場合、ホストシステム１２８のプロセッサは、電力値Ｐ１を達成すると共に、変数関数１を達成するために、傾き２に対する傾き１の比を算出し、傾き２に対する傾き１の比を電力値Ｐ２に掛ける。

ウエハ１５４の後続処理中、変数関数１を達成するために、ｘＭＨｚＲＦ発生器を制御して電力値Ｐ２を供給する代わりに、ホストシステム１２８のプロセッサは、変数関数１を達成するために、ｘＭＨｚＲＦ発生器を制御して電力値Ｐ１を供給する。電力値Ｐ１を有するＲＦ信号を生成する旨の指示をホストシステム１２８のプロセッサからＤＳＰ１３０を介して受信すると、ＤＡＳ１３２は、電力値Ｐ１を有するＲＦ信号を生成し、ＲＦケーブル１３４、マッチボックス１３６、および、ＲＦ伝送線路１４０を介して、ＥＳＣ２０４の下側電極に、そのＲＦ信号を供給する。

グラフ１０２に示した関係（図１）が変数の関数と伝達電力との間の関係である様々な実施形態において、ウエハ１５４の後続処理中、ホストシステム１２８のプロセッサは、Ｐ１の伝達電力値を達成すると共に変数関数１を達成するために、供給電力値を決定する。プロセッサは、その電力値をＤＳＰ１３０を介してＤＡＳ１３２に提供する。ＤＡＳ１３２は、変数関数１を達成するために、伝達電力値Ｐ１に対応する供給電力値を有するＲＦ信号を生成する。ＲＦ信号は、ｘＭＨｚＲＦ発生器によって、ＲＦケーブル１３４、マッチボックス１３６、および、ＲＦ伝送線路１４０を介して、プラズマチャンバ２０２の下側電極に供給される。

一部の実施形態において、ＥＳＣ２０４内のプローブ１２４を用いる代わりに、プローブ１２４は、ＲＦロッド１５２における電圧を測定するために、ＲＦトンネル１４４に埋め込まれる、および／または、ＲＦロッド１５２に接続される。ＲＦロッド１５２、ＲＦストラップ１４８、および、ＥＳＣ２０４のコンピュータ生成モデルが、ＥＳＣ２０４における変数を決定するために用いられる。ＥＳＣ２０４における変数は、ＲＦトンネル１５５内に埋め込まれたプローブ１２４を用いて測定された変数と、ＲＦロッド１５２、ＲＦストラップ１４８、および、ＥＳＣ２０４の要素のインピーダンスとに基づいて決定される。いくつかの実施形態において、ＥＳＣ２０４のコンピュータ生成モデルを用いる代わりに、ＥＳＣ２０４における変数は、ＲＦロッド１５２およびＲＦストラップ１４８のコンピュータ生成モデルと、ＲＦトンネル１５５内に埋め込まれたプローブ１２４を用いて測定された変数とに基づいて決定される。

一部の実施形態において、プローブ１２４は、ｘＭＨｚＲＦ発生器とウエハ１５４との間の点に接続され、その点とプラズマチャンバ２０４との間の要素のコンピュータ生成モデルが、ＥＳＣ２０４における変数を決定するために用いられる。例えば、プローブ１２４は、ＲＦケーブル１３４における変数を決定するために、ＲＦケーブル１３４に接続される。さらに、マッチボックス１３６、ＲＦ伝送線路１４０、および、ＥＳＣ２０４のコンピュータ生成モデルが、ＥＳＣ２０４における変数を決定するために用いられる。別の例として、プローブ１２４は、ＲＦケーブル１３４における変数を決定するために、ＲＦケーブル１３４に接続される。さらに、マッチボックス１３６およびＲＦ伝送線路１４０のコンピュータ生成モデルが、ＥＳＣ２０４における変数を決定するために用いられる。

いくつかの実施形態において、グラフ１０２または１０４（図１および図２）を用いて示した関係を決定するために、システム２００のｘＭＨｚＲＦ発生器を用いてプラズマチャンバ２０２に電力を供給する場合、ｙおよびｚＭＨｚＲＦ発生器はオフにされることに注意されたい。同様に、グラフ１０２または１０４を用いて示した関係を決定するために、システム２００のｙＭＨｚＲＦ発生器を用いてプラズマチャンバ２０２に電力を供給する場合、ｘおよびｚＭＨｚＲＦ発生器はオフにされる。また、グラフ１０２または１０４を用いて示した関係を決定するために、システム２００のｚＭＨｚＲＦ発生器を用いてプラズマチャンバ２０２に電力を供給する場合、ｘおよびｙＭＨｚＲＦ発生器はオフにされる。

図６は、無プラズマ試験中の電圧および圧力の間の関係を説明するために用いられるグラフ２１０の一実施形態を示す図である。グラフ２１０は、ｙ軸に沿って電圧をプロットし、ｘ軸に沿って圧力をプロットする。圧力が閾値ｔｈ１より低い時、最小限の量のプラズマがプラズマチャンバ内で生成される。一部の実施形態において、閾値ｔｈ１より低い圧力は、処理ガスを供給しないことによって、または、超低流量（例えば、０．２標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）未満）で処理ガスを供給することによって達成される。同様に、圧力が閾値ｔｈ２より高い時、プラズマが生成されないか、または、最小限の量のプラズマがプラズマチャンバ内で生成される。一部の実施形態において、閾値ｔｈ２より高い圧力は、超高圧（例えば、７Ｔｏｒｒ以上）、最大達成可能流量などで、ガスを供給することによって達成される。プラズマが生成されない時、または、最小限の量のプラズマがプラズマチャンバ内で生成される時に、プラズマチャンバは、無プラズマ試験を実行するために用いられる。

一部の実施形態において、ホストシステム１２８のプロセッサは、ガス容器（図示せず）から上側電極１５８（図３、図４Ａ、および、図５）のガス流入口へのガスの供給を調節するガス供給バルブ（図示せず）を制御する。例えば、プロセッサは、ガスの供給を制御する量だけバルブを開閉するために、電流を供給するドライバ（例えば、トランジスタなど）を制御する。また、供給の制御は、ホストシステム１２８のプロセッサが、ガスを供給されるプラズマチャンバ内の圧力を制御することを可能にする。

図７は、チャンバ間マッチングを実行するためのレシピ２１２の一実施形態を示す図である。一部の実施形態において、レシピ２１２は、ホストシステム１２８（図３、図４Ａ、および、図５）の記憶装置１８６に格納されたデータベースの一部である。例えば、レシピ２１２は、記憶装置１８６内にファイルの形態で格納されてよい。

レシピ２１２は、プラズマチャンバ内のガスの圧力、プラズマチャンバの下側電極に提供されるＲＦ信号の電力、プラズマチャンバ内で維持される温度、ＲＦ信号の周波数、および、プラズマチャンバの下側電極および上側電極の間のギャップを含む。

一部の実施形態において、ホストシステム１２８（図３、図４Ａ、および、図５）のプロセッサは、ＲＦ信号の周波数をＲＦ発生器に送信する。ＲＦ発生器のＤＳＰは、その周波数を受信し、その周波数をＲＦ発生器のＤＡＳに送信する。ＤＡＳは、その周波数を有するＲＦ信号を生成し、そのＲＦ信号をプラズマチャンバに供給する。

様々な実施形態において、上側電極は、モータ駆動ネジ機構（図示せず）を用いて上下されうる上側構造（図示せず）内に配置される。ホストシステム１２８のプロセッサは、ドライバによってモータ駆動ネジ機構を制御して、上側構造を上下に移動させることで、上側および下側電極の間のギャップを変化させうる。

いくつかの実施形態では、ヒータが、ＥＳＣ内に備えられており、プラズマチャンバ内の温度を変化させるために、ドライバを介してホストシステム１２８のプロセッサによって制御される。

いくつかの実施形態において、熱伝導機構（例えば、ダクトなど）がプラズマチャンバ内に設けられており、冷却液の流れが、バルブおよびドライバを介してホストシステム１２８のプロセッサによって制御され、プラズマチャンバ内の温度を変化させる。

レシピ２１２は、プラズマチャンバ内の圧力、プラズマチャンバの下側電極に提供されるＲＦ信号の電力、プラズマチャンバ内の温度、ＲＦ信号の周波数、および、プラズマチャンバ内の下側電極および上側電極の間のギャップを制御するために、ホストシステム１２８のプロセッサによって利用される。

様々な実施形態において、レシピ２１２に示された電力は、伝達電力または供給電力である。

レシピ２１２に示されているように、同じレシピ２１２が、チャンバ１、チャンバ２、および、チャンバ３（図示せず）に適用される。例えば、ホストシステム１２８のプロセッサは、同じレシピ２１２をチャンバ１、２、および、３に適用するために、チャンバ１、２、および、３内の圧力、チャンバ１、２、および、３に提供されるＲＦ信号の電力、チャンバ１、２、および、３内の温度、ＲＦ信号の周波数、ならびに、チャンバ１、２、および、３の下側および上側電極の間のギャップを制御する。別の例として、レシピ２１２は、実線１０１で示された関係および破線１０３で示された関係（図１）を生成するために適用される。

一部の実施形態において、レシピ２１２をチャンバ１、２、または、３に適用している間、チャンバ内の圧力、チャンバ内の温度、チャンバに提供されるＲＦ信号の周波数、および、チャンバの下側電極および上側電極の間のギャップは一定に維持され、ＲＦ信号の電力は、５メガワットから、１０メガワット、１５メガワット、２０メガワットに変更される。

一部の実施形態において、チャンバ１、２、および、３内で維持されるレシピ２１２の圧力の大きさは、閾値ｔｈ１よりも小さいか、または、閾値ｔｈ２よりも大きい。

圧力、電力、温度、周波数、および、ギャップの値は、例であり、限定として解釈されるべきではないことに注意されたい。例えば、０．１Ｔｏｒｒの圧力の代わりに、０から０．２Ｔｏｒｒの範囲の圧力が印加される。別の例として、５、１０、１５、および、２０メガワットの代わりに、電力は、２メガワットから、６メガワット、１０メガワット、１４メガワットに変更される。さらに別の例として、１から５０メガワットの範囲の任意の大きさの電力が印加される。別の例として、２８ＭＨｚの周波数の代わりに、２７ＭＨｚの周波数が印加される。さらに別の例として、２ＭＨｚＲＦ発生器が用いられる場合に、２または３ＭＨｚの周波数が印加されてよい。別の例として、２６０ＭＨｚＲＦ発生器が用いられる場合に、５５ＭＨｚから６５ＭＨｚの範囲の周波数が印加される。別の例として、２センチメートルの代わりに、１から３センチメートルの間のギャップが維持される。

図８は、チャンバ内マッチングを実行するためのレシピ２１２の一実施形態を示す図である。レシピ２１２に示されているように、同じレシピ２１２が、チャンバ１の条件１、条件２、および、条件３中に、チャンバ１に適用される。例えば、ホストシステム１２８のプロセッサは、同じレシピ２１２をチャンバ１の条件１、２、および、３中にチャンバ１に適用するために、条件１および２中のチャンバ１内の圧力、条件１および２中にチャンバ１に提供されるＲＦ信号の電力、条件１および２中のチャンバ１内の温度、ＲＦ信号の周波数、ならびに、条件１および２中のチャンバ１の下側および上側電極の間のギャップを制御する。別の例として、レシピ２１２は、実線１０５で示された関係および破線１０７で示された関係（図２）を生成するために適用される。

一部の実施形態において、レシピ２１２を条件１、２、および、３中にチャンバ１に適用している間、チャンバ１内の圧力、チャンバ１内の温度、チャンバ１に提供されるＲＦ信号の周波数、および、チャンバ１の下側電極および上側電極の間のギャップは一定に維持され、ＲＦ信号の電力は、５メガワットから、１０メガワット、１５メガワット、２０メガワットに変更される。

様々な実施形態において、条件３は、条件２の起こった後に起きる。様々な実施形態において、ウエハ１５４（図３、図４Ａ、および、図５）に対する処理（例えば、エッチング、蒸着、洗浄、ガスの供給など）が、条件２中にプラズマチャンバ内で実行された後、プラズマチャンバは条件３になる。

図９Ａは、３つのプラズマチャンバの間の関係の差を説明するために用いられるグラフ２２０の一実施形態を示す図である。グラフ２２０に示すように、３つの線２２２、２２４、および、２２６がある。各線２２２、２２４、および、２２６は、プラズマチャンバのＥＳＣで測定された電流の二乗と、順電力（例えば、供給電力）との間の関係を示す。線２２２は、プラズマチャンバ１についての関係を示し、線２２４は、プラズマチャンバ２についての関係を示し、線２２６は、良好なチャンバ（チャンバ３であってよい）についての関係を示す。上述のように、線２２２の傾きは、線２２４の傾きと異なる。また、線２２４の傾きは、線２２２および２２６の傾きと異なる。

良好なチャンバは、チャンバ１および２よりも高い歩留まりを提供する。線２２２および２２４によって示される関係は、線２２６によって示される関係を達成するために制御される。

図９Ｂは、本開示に記載のいくつかの実施形態を適用した後の３つのプラズマチャンバの間の関係の類似性を説明するために用いられるグラフ２３０の一実施形態を示す。グラフ２３０に示すように、３つの線２３２、２３４、および、２３６がある。各線２３２、２３４、および、２３６は、プラズマチャンバのＥＳＣで測定された電流の二乗と、順電力（例えば、供給電力）との間の関係を示す。線２３２は、プラズマチャンバ１についての関係を示し、線２３４は、プラズマチャンバ２についての関係を示し、線２３６は、良好なチャンバ（チャンバ３であってよい）についての関係を示す。

線２３６は、破線になっていることを除けば、線２２６（図９Ａ）と同じである。

図に示すように、線２３２、２３４、および、２３６の傾きは、同じまたは実質的に同じである。

上述の動作は、平行板プラズマチャンバ（例えば、容量結合プラズマチャンバなど）に関して説明されているが、一部の実施形態において、上述の動作は、その他のタイプのプラズマチャンバ、例えば、ＩＣＰリアクタ、ＴＣＰリアクタ、導体ツール、誘電体ツールを備えるプラズマチャンバ、ＥＣＲリアクタを備えるプラズマチャンバなど、に適用されることにも注意されたい。例えば、ｘＭＨｚＲＦ発生器およびｙＭＨｚＲＦ発生器は、ＩＣＰプラズマチャンバ内のインダクタに接続される。

また、上述の動作は、ホストシステム１２８（図３、図４Ａ、および、図５）のプロセッサによって実行されると説明されているが、一部の実施形態において、動作は、ホストシステム１２８の１または複数のプロセッサによって、もしくは、複数のホストシステムの複数のプロセッサによって実行されてもよいことに注意されたい。

上述の実施形態は、ＥＳＣの下側電極にＲＦ信号を提供すると共に上側電極１５８を接地する（図３、図４Ａ、および、図５）が、いくつかの実施形態では、上側電極１５８にＲＦ信号が提供され、下側電極が接地されることに注意されたい。

上述の実施形態は、ＥＳＣを用いて説明されているが、別のタイプのチャック（例えば、磁気チャックなど）が用いられてもよいことにも注意されたい。

さらに、いくつかの実施形態において、ホストシステム１２８のプロセッサによって実行される上述の動作は、ＤＳＰ１３０（図３、図４Ａ、および、図５）によって実行されてもよいことに注意されたい。

本明細書に記載の実施形態は、ハンドヘルドハードウェアユニット、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースまたはプログラム可能な家電、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなど、様々なコンピュータシステム構成で実施されてもよい。実施形態は、ネットワークを通して接続された遠隔処理ハードウェアユニットによってタスクが実行される分散コンピューティング環境で実施されてもよい。

上述の実施形態を念頭に置いて、本実施形態は、コンピュータシステムに格納されたデータを含め、コンピュータに実装された様々な動作を利用できることを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理操作を必要とするものである。本実施形態の一部を形成する本明細書で説明した動作はいずれも、有用な機械動作である。本実施形態は、さらに、これらの動作を実行するためのハードウェアユニットまたは装置に関する。装置は、専用コンピュータ向けに特別に構成されてよい。専用コンピュータとして規定された場合、コンピュータは、特殊目的に含まれない他の処理、プログラム実行、または、ルーチンも実行しつつ、特殊目的のために動作することができる。一部の実施形態において、動作は、コンピュータメモリ、キャッシュに格納されたまたはネットワークを介して取得された１または複数のコンピュータプログラムによって選択的にアクティベートまたは構成された汎用コンピュータで処理されてもよい。データがネットワークを介して取得されると、そのデータは、ネットワーク（例えば、コンピューティングリソースのクラウド）上の他のコンピュータによって処理されてもよい。

１または複数実施形態は、非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体上にコンピュータ読み取り可能なコードとして製造されてもよい。非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体は、コンピュータシステムによって読み出し可能であるようにデータを格納できる任意のデータ記憶ハードウェアユニットである。非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）、ＣＤ−レコーダブル（ＣＤ−Ｒ）、ＣＤ−リライタブル（ＣＤ−ＲＷ）、磁気テープ、および、その他の光学式および非光学式のデータ記憶ハードウェアユニットが挙げられる。非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体は、コンピュータ読み取り可能なコードが分散的に格納および実行されるように、ネットワーク接続されたコンピュータシステム上に分散されたコンピュータ読み取り可能なタンジブル媒体を含みうる。

上述の方法の動作は特定の順番で記載されているが、オーバーレイ動作の処理が望ましく実行される限りは、他のハウスキーピング動作が動作の合間に実行されてもよいし、動作が若干異なる時間に実行されるように調整されてもよいし、処理に関連した様々な間隔で処理動作が起きることを許容するシステムに分散されてもよいことを理解されたい。

本開示に記載された様々な実施形態に記載された範囲を逸脱することなしに、任意の実施形態の１または複数の特徴が、任意の他の実施形態の１または複数の特徴と組み合わされてもよい。

理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。

インピーダンス整合回路は、電子回路素子、例えば、インダクタ、コンデンサなどを備えており、インピーダンス整合回路に接続された電源のインピーダンスを、インピーダンス整合回路に接続された負荷のインピーダンスと整合させる。例えば、マッチボックス１３６は、ｘ、ｙ、および、ｚＭＨｚＲＦ発生器の内の動作する１または複数の発生器を含む電源のインピーダンス、ならびに、ＲＦケーブル１３４、１３７、および、１３８の内の１または複数のケーブルのインピーダンスを、ＲＦ伝送線路１４０およびプラズマチャンバ１２２のインピーダンスと整合する。ＲＦケーブル１３４、１３７、および、１３８は、ｘ、ｙ、および、ｚＭＨｚＲＦ発生器にマッチボックス１３６を接続する。電源および負荷の間のインピーダンス整合がなされると、負荷から電源に電力が反射される可能性が低減される。

理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。
適用例１：チャンバ間マッチングを実行するための方法であって、変数を測定するために、第１のプラズマチャンバ内で第１の試験を実行し、前記変数を測定するために、第２のプラズマチャンバ内で第２の試験を実行し、前記第１および第２の試験は１つのレシピに基づいて実行され、前記第１の試験で測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、前記第２の試験で測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第２のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記第２のプラズマチャンバに、前記第１のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。
適用例２：適用例１に記載の方法であって、前記変数は、電流または電圧である、方法。
適用例３：適用例１に記載の方法であって、前記変数は、前記第１のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第１の試験中に測定される、方法。
適用例４：適用例１に記載の方法であって、前記変数は、前記第２のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第２の試験中に測定される、方法。
適用例５：適用例１に記載の方法であって、前記変数は、高周波（ＲＦ）発生器とウエハとの間の点に接続されたプローブを用いて前記第１の試験中に測定され、前記ＲＦ発生器は、ＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路に接続され、前記インピーダンス整合回路は、ＲＦ伝送線路を介して前記第１のプラズマチャンバに接続され、前記ウエハは、前記チャックの表面上に載置される、方法。
適用例６：適用例１に記載の方法であって、前記レシピは、前記第１のプラズマチャンバ内の圧力、前記第１のプラズマチャンバ内の温度、前記第１のプラズマチャンバに提供されるＲＦ信号の電力、前記ＲＦ信号の周波数、および、前記第１のプラズマチャンバの上側電極と前記第１のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
適用例７：適用例１に記載の方法であって、前記レシピは、前記第２のプラズマチャンバ内の圧力、前記第２のプラズマチャンバ内の温度、前記第２のプラズマチャンバに提供されるＲＦ信号の電力、前記ＲＦ信号の周波数、および、前記第２のプラズマチャンバの上側電極と前記第２のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
適用例８：適用例１に記載の方法であって、前記第１の関係は直線関係である、方法。
適用例９：適用例１に記載の方法であって、前記第２の関係は直線関係である、方法。
適用例１０：適用例１に記載の方法であって、前記電力調整は、前記第１の試験中に提供された前記電力と、前記第２の試験中に提供された前記電力との差である、方法。
適用例１１：適用例１に記載の方法であって、前記後続処理動作は、前記第２のプラズマチャンバ内に配置されたウエハのエッチング、蒸着、または、洗浄を含む、方法。
適用例１２：適用例１に記載の方法であって、前記処理条件は、前記変数の関数の値を含み、前記値は、或る量の前記電力が前記第１の試験中に前記プラズマチャンバに提供された時に、前記第１の試験中に達成された値である、方法。
適用例１３：適用例１に記載の方法であって、前記第１のプラズマチャンバは、前記第２のプラズマチャンバより高い歩留まりを有する、方法。
適用例１４：適用例１に記載の方法であって、前記第１および第２の試験の各々は、無プラズ試験を含む、方法。
適用例１５：適用例１４に記載の方法であって、前記無プラズマ試験中、前記第１のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第１のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御され、前記第２のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第２のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御される、方法。
適用例１６：チャンバ内マッチングを実行するための方法であって、プラズマチャンバに関する変数を測定するために第１の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第１の試験の実行中に第１の条件にあり、前記プラズマチャンバに関する前記変数を測定するために第２の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第２の試験の実行中に第２の条件にあり、前記第１の試験を用いて測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、前記第２の試験を用いて測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第１の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。
適用例１７：適用例１６に記載の方法であって、前記第２の条件は、前記第１の条件の発生後に発生する、方法。
適用例１８：適用例１６に記載の方法であって、前記第２の条件は、前記プラズマチャンバ内に配置されたウエハに対して処理を実行した後に発生し、前記第１の条件は、前記処理を実行する前に発生する、方法。
適用例１９：チャンバ間マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、変数を測定するための第１の試験の実行に用いられる第１のプラズマチャンバと、ＲＦ信号を前記第１のプラズマチャンバに伝達するために前記第１のプラズマチャンバに接続されている高周波（ＲＦ）伝送線路と、前記ＲＦ伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、前記ＲＦ信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているＲＦ発生器と、前記変数を測定するための第２の試験の実行に用いられる第２のプラズマチャンバと、前記第１および第２の試験は、１つのレシピに基づいて実行され、前記第２の試験は、前記第１のプラズマチャンバを前記ＲＦ伝送線路から切り離して前記第２のプラズマチャンバを前記ＲＦ伝送線路に接続した後に実行され、プロセッサを備え、前記ＲＦ発生器に接続されているホストシステムと、を備え、
前記プロセッサは、前記第１の試験で測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、前記第２の試験で測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第２のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、前記電力調整は、前記第２のプラズマチャンバに、前記第１のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。
適用例２０：チャンバ内マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、変数を測定するための第１の試験の実行に用いられるプラズマチャンバと、前記プラズマチャンバは、前記第１の試験の実行中に第１の条件にあり、前記プラズマチャンバは、前記変数を測定するための第２の試験の実行に用いられ、前記プラズマチャンバは、前記第２の試験の実行中に第２の条件にあり、ＲＦ信号を前記プラズマチャンバに伝達するために前記プラズマチャンバに接続されている高周波（ＲＦ）伝送線路と、前記ＲＦ伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、前記ＲＦ信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているＲＦ発生器と、プロセッサを備え、前記ＲＦ発生器に接続されているホストシステムと、を備え、
前記プロセッサは、前記第１の試験を用いて測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、前記第２の試験を用いて測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第１の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。

Claims (20)

1. チャンバ間マッチングを実行するための方法であって、
   変数を測定するために、第１のプラズマチャンバ内で第１の試験を実行し、
   前記変数を測定するために、第２のプラズマチャンバ内で第２の試験を実行し、前記第１および第２の試験は１つのレシピに基づいて実行され、
   前記第１の試験で測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、
   前記第２の試験で測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、
   前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第２のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記第２のプラズマチャンバに、前記第１のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、前記変数は、電流または電圧である、方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、前記変数は、前記第１のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第１の試験中に測定される、方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、前記変数は、前記第２のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第２の試験中に測定される、方法。
5. 請求項１に記載の方法であって、前記変数は、高周波（ＲＦ）発生器とウエハとの間の点に接続されたプローブを用いて前記第１の試験中に測定され、前記ＲＦ発生器は、ＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路に接続され、前記インピーダンス整合回路は、ＲＦ伝送線路を介して前記第１のプラズマチャンバに接続され、前記ウエハは、前記チャックの表面上に載置される、方法。
6. 請求項１に記載の方法であって、前記レシピは、前記第１のプラズマチャンバ内の圧力、前記第１のプラズマチャンバ内の温度、前記第１のプラズマチャンバに提供されるＲＦ信号の電力、前記ＲＦ信号の周波数、および、前記第１のプラズマチャンバの上側電極と前記第１のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、前記レシピは、前記第２のプラズマチャンバ内の圧力、前記第２のプラズマチャンバ内の温度、前記第２のプラズマチャンバに提供されるＲＦ信号の電力、前記ＲＦ信号の周波数、および、前記第２のプラズマチャンバの上側電極と前記第２のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
8. 請求項１に記載の方法であって、前記第１の関係は直線関係である、方法。
9. 請求項１に記載の方法であって、前記第２の関係は直線関係である、方法。
10. 請求項１に記載の方法であって、前記電力調整は、前記第１の試験中に提供された前記電力と、前記第２の試験中に提供された前記電力との差である、方法。
11. 請求項１に記載の方法であって、前記後続処理動作は、前記第２のプラズマチャンバ内に配置されたウエハのエッチング、蒸着、または、洗浄を含む、方法。
12. 請求項１に記載の方法であって、前記処理条件は、前記変数の関数の値を含み、前記値は、或る量の前記電力が前記第１の試験中に前記プラズマチャンバに提供された時に、前記第１の試験中に達成された値である、方法。
13. 請求項１に記載の方法であって、前記第１のプラズマチャンバは、前記第２のプラズマチャンバより高い歩留まりを有する、方法。
14. 請求項１に記載の方法であって、前記第１および第２の試験の各々は、無プラズ試験を含む、方法。
15. 請求項１４に記載の方法であって、前記無プラズマ試験中、前記第１のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第１のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御され、前記第２のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第２のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御される、方法。
16. チャンバ内マッチングを実行するための方法であって、
    プラズマチャンバに関する変数を測定するために第１の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第１の試験の実行中に第１の条件にあり、
    前記プラズマチャンバに関する前記変数を測定するために第２の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第２の試験の実行中に第２の条件にあり、
    前記第１の試験を用いて測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、
    前記第２の試験を用いて測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、
    前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第１の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。
17. 請求項１６に記載の方法であって、前記第２の条件は、前記第１の条件の発生後に発生する、方法。
18. 請求項１６に記載の方法であって、前記第２の条件は、前記プラズマチャンバ内に配置されたウエハに対して処理を実行した後に発生し、前記第１の条件は、前記処理を実行する前に発生する、方法。
19. チャンバ間マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、
    変数を測定するための第１の試験の実行に用いられる第１のプラズマチャンバと、
    ＲＦ信号を前記第１のプラズマチャンバに伝達するために前記第１のプラズマチャンバに接続されている高周波（ＲＦ）伝送線路と、
    前記ＲＦ伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、
    前記ＲＦ信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているＲＦ発生器と、
    前記変数を測定するための第２の試験の実行に用いられる第２のプラズマチャンバと、前記第１および第２の試験は、１つのレシピに基づいて実行され、前記第２の試験は、前記第１のプラズマチャンバを前記ＲＦ伝送線路から切り離して前記第２のプラズマチャンバを前記ＲＦ伝送線路に接続した後に実行され、
    プロセッサを備え、前記ＲＦ発生器に接続されているホストシステムと、
    を備え、
    前記プロセッサは、
    前記第１の試験で測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、
    前記第２の試験で測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、
    前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第２のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、
    前記電力調整は、前記第２のプラズマチャンバに、前記第１のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。
20. チャンバ内マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、
    変数を測定するための第１の試験の実行に用いられるプラズマチャンバと、前記プラズマチャンバは、前記第１の試験の実行中に第１の条件にあり、前記プラズマチャンバは、前記変数を測定するための第２の試験の実行に用いられ、前記プラズマチャンバは、前記第２の試験の実行中に第２の条件にあり、
    ＲＦ信号を前記プラズマチャンバに伝達するために前記プラズマチャンバに接続されている高周波（ＲＦ）伝送線路と、
    前記ＲＦ伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、
    前記ＲＦ信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているＲＦ発生器と、
    プロセッサを備え、前記ＲＦ発生器に接続されているホストシステムと、
    を備え、
    前記プロセッサは、
    前記第１の試験を用いて測定された前記変数と、前記第１の試験中に提供された電力との間の第１の関係を決定し、
    前記第２の試験を用いて測定された前記変数と、前記第２の試験中に提供された電力との間の第２の関係を決定し、
    前記第１および第２の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、
    前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第１の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。

Images